Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (3603) > Сторінка 27 з 61
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AS5F34G04SND-08LIN | Alliance Memory | NAND Flash |
на замовлення 1184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS5F34G04SND-08LIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 4GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial Kind of memory: NAND Flash Interface: SPI Memory: 4Gb FLASH Operating temperature: -40...85°C Operating frequency: 120MHz Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory Mounting: SMD Case: LGA8 Kind of interface: serial кількість в упаковці: 352 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS5F34G04SNDA-08LIN | Alliance Memory | NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 4G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6) |
на замовлення 355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS5F38G04SND-08LIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial Kind of memory: NAND Flash Interface: SPI Memory: 8Gb FLASH Operating temperature: -40...85°C Operating frequency: 120MHz Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory Mounting: SMD Case: LGA8 Kind of interface: serial |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS5F38G04SND-08LIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS5F38G04SND-08LIN - Flash-Speicher, NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, SPI, LGA, 8 Pin(s) tariffCode: 85423261 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 8Gbit Zugriffszeit: -ns usEccn: 3A991.b.1.a Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 120MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 3V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS5F38G04SND-08LIN | Alliance Memory | NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 8G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6) |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS5F38G04SND-08LIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial Kind of memory: NAND Flash Interface: SPI Memory: 8Gb FLASH Operating temperature: -40...85°C Operating frequency: 120MHz Operating voltage: 3...3.6V Type of integrated circuit: FLASH memory Mounting: SMD Case: LGA8 Kind of interface: serial кількість в упаковці: 352 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS62V256A-70SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 70ns Integrated circuit features: LPC IC width: 330mils Memory: 256kb SRAM Mounting: SMD Case: SOP28 Operating voltage: 2.4...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS62V256A-70SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 70ns Integrated circuit features: LPC IC width: 330mils Memory: 256kb SRAM Mounting: SMD Case: SOP28 Operating voltage: 2.4...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS62V256A-70SIN | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin 330mil SOP, 70ns, Industrial Temp - Tube |
на замовлення 256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS62V256A-70SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 70ns Integrated circuit features: LPC IC width: 330mils Memory: 256kb SRAM Mounting: SMD Case: SOP28 Operating voltage: 2.4...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS62V256A-70SINTR | Alliance Memory | SRAM 256K 2.5-3.6V 70ns 32Kx8 LP Async SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS62V256A-70SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28 Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 70ns Integrated circuit features: LPC IC width: 330mils Memory: 256kb SRAM Mounting: SMD Case: SOP28 Operating voltage: 2.4...3.6V Type of integrated circuit: SRAM memory кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Mounting: SMD Case: TFBGA36 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Mounting: SMD Case: TFBGA36 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils |
на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SINL | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SINLTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
на замовлення 709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Mounting: SMD Case: STSOP32 |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STINLTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55TIN - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 32 Pin(s), 55 ns Bauform - Speicherbaustein: TSOP Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Zugriffszeit: 55 Betriebstemperatur, min.: -40 Anzahl der Pins: 32 Speichergröße: 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 85 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TINL | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Mounting: SMD Case: TSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TINLTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Mounting: SMD Case: TSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BIN | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Mounting: SMD Case: TFBGA36 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 480 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BINTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55BINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36 Mounting: SMD Case: TFBGA36 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55PCN | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Commercial Temp - Tube |
на замовлення 1674 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55PCN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C |
на замовлення 74 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PCN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 226 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PCNTR | Alliance Memory | DRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55PIN | Alliance Memory | SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp - Tube |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils Mounting: THT Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: DIP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 600mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 118 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55PINTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, LP SRAM, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp, T&R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SIN | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55SIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 592 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SINL | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SINL | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SINLTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SINLTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55SINTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55SINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils Mounting: SMD Case: SOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC IC width: 450mils Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 709 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STIN | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55STIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V tariffCode: 85423245 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Speicherdichte: 1Mbit usEccn: 3A991.b.2.a Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: -MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.7V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 32Pin(s) productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Mounting: SMD Case: STSOP32 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 194 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STINL | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55STINLTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55STINLTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55STINTR | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55STINTR | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32 Mounting: SMD Case: STSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Integrated circuit features: LPC Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TIN | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AS6C1008-55TIN | ALLIANCE MEMORY |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32 Mounting: SMD Kind of interface: parallel Memory: 1Mb SRAM Case: TSOP32 Operating voltage: 2.7...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: asynchronous; SRAM Memory organisation: 128kx8bit Access time: 55ns Integrated circuit features: LPC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AS6C1008-55TINL | Alliance Memory | SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
AS5F34G04SND-08LIN |
Виробник: Alliance Memory
NAND Flash
NAND Flash
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 698.66 грн |
10+ | 633.4 грн |
25+ | 539.43 грн |
100+ | 482.68 грн |
250+ | 467.33 грн |
352+ | 444.63 грн |
1056+ | 429.28 грн |
AS5F34G04SND-08LIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 4GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 4Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 352 шт
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 4GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 4Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 352 шт
товар відсутній
AS5F34G04SNDA-08LIN |
Виробник: Alliance Memory
NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 4G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 4G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 670.62 грн |
10+ | 608.06 грн |
25+ | 463.99 грн |
100+ | 463.32 грн |
250+ | 449.3 грн |
352+ | 426.6 грн |
1056+ | 411.92 грн |
AS5F38G04SND-08LIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 8Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 8Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
товар відсутній
AS5F38G04SND-08LIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS5F38G04SND-08LIN - Flash-Speicher, NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, SPI, LGA, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 8Gbit
Zugriffszeit: -ns
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 120MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS5F38G04SND-08LIN - Flash-Speicher, NAND, 8 Gbit, 1G x 8 Bit, SPI, LGA, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 8Gbit
Zugriffszeit: -ns
usEccn: 3A991.b.1.a
Versorgungsspannung, nom.: 3.3V
Taktfrequenz, max.: 120MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 3V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1014.04 грн |
10+ | 861.26 грн |
25+ | 820.07 грн |
50+ | 742.02 грн |
100+ | 668.25 грн |
AS5F38G04SND-08LIN |
Виробник: Alliance Memory
NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 8G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
NAND Flash SPI SLC NAND Flash, 8G, 3V, 120Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 950.24 грн |
10+ | 867.56 грн |
25+ | 643.58 грн |
250+ | 635.57 грн |
352+ | 632.9 грн |
1056+ | 608.86 грн |
2816+ | 601.52 грн |
AS5F38G04SND-08LIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 8Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 352 шт
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 8GbFLASH; SPI; 120MHz; 3÷3.6V; LGA8; serial
Kind of memory: NAND Flash
Interface: SPI
Memory: 8Gb FLASH
Operating temperature: -40...85°C
Operating frequency: 120MHz
Operating voltage: 3...3.6V
Type of integrated circuit: FLASH memory
Mounting: SMD
Case: LGA8
Kind of interface: serial
кількість в упаковці: 352 шт
товар відсутній
AS62V256A-70SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
товар відсутній
AS62V256A-70SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
товар відсутній
AS62V256A-70SIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin 330mil SOP, 70ns, Industrial Temp - Tube
SRAM LP SRAM, 256K, 32K x 8, 3.3V, 28pin 330mil SOP, 70ns, Industrial Temp - Tube
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.88 грн |
10+ | 137.43 грн |
100+ | 104.82 грн |
500+ | 97.47 грн |
1000+ | 96.14 грн |
2500+ | 93.47 грн |
5000+ | 92.8 грн |
AS62V256A-70SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS62V256A-70SINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 256K 2.5-3.6V 70ns 32Kx8 LP Async SRAM
SRAM 256K 2.5-3.6V 70ns 32Kx8 LP Async SRAM
товар відсутній
AS62V256A-70SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256kbSRAM; 32kx8bit; 2.4÷3.6V; 70ns; SOP28
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Access time: 70ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 330mils
Memory: 256kb SRAM
Mounting: SMD
Case: SOP28
Operating voltage: 2.4...3.6V
Type of integrated circuit: SRAM memory
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 418.65 грн |
3+ | 291.39 грн |
8+ | 276.09 грн |
39+ | 268.44 грн |
AS6C1008-55PIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 323.54 грн |
5+ | 187.07 грн |
12+ | 176.64 грн |
AS6C1008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 238.91 грн |
5+ | 200.98 грн |
6+ | 145.34 грн |
16+ | 137 грн |
231+ | 132.13 грн |
AS6C1008-55SINL |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55SINLTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 284.59 грн |
5+ | 191.24 грн |
12+ | 180.81 грн |
540+ | 173.86 грн |
AS6C1008-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: STSOP32
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.96 грн |
5+ | 173.86 грн |
6+ | 136.3 грн |
17+ | 129.35 грн |
AS6C1008-55STINLTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55TIN - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 32 Pin(s), 55 ns
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 55
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 32
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55TIN - SRAM, 1 Mbit, 128K x 8bit, 2.7V bis 5.5V, TSOP, 32 Pin(s), 55 ns
Bauform - Speicherbaustein: TSOP
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
Speicherkonfiguration SRAM: 128K x 8bit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 55
Betriebstemperatur, min.: -40
Anzahl der Pins: 32
Speichergröße: 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
AS6C1008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
товар відсутній
AS6C1008-55TINL |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55TINLTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
товар відсутній
AS6C1008-55TINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
товар відсутній
AS6C1008-55BIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55BIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 480 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1008-55BINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55BINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA36
Mounting: SMD
Case: TFBGA36
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1008-55PCN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Commercial Temp - Tube
SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Commercial Temp - Tube
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 366.85 грн |
10+ | 321.69 грн |
104+ | 250.35 грн |
260+ | 249.69 грн |
507+ | 233.66 грн |
1001+ | 224.32 грн |
2509+ | 219.64 грн |
AS6C1008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55PCN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55PCN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, DIP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 371.47 грн |
10+ | 326.53 грн |
25+ | 315.3 грн |
50+ | 285.82 грн |
AS6C1008-55PCN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 502.38 грн |
3+ | 363.11 грн |
8+ | 331.3 грн |
39+ | 322.12 грн |
AS6C1008-55PIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp - Tube
SRAM LP SRAM, 1Mb, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp - Tube
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440.07 грн |
10+ | 346.26 грн |
104+ | 299.09 грн |
260+ | 280.4 грн |
507+ | 269.05 грн |
2509+ | 263.71 грн |
5005+ | 252.36 грн |
AS6C1008-55PIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; DIP32; 600mils
Mounting: THT
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: DIP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 600mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 388.24 грн |
5+ | 233.12 грн |
12+ | 211.97 грн |
260+ | 204.46 грн |
AS6C1008-55PINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, LP SRAM, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp, T&R
SRAM 1Mb, LP SRAM, 128K x 8, 2.7 - 5.5V, 32pin PDIP, 55ns, Industrial Temp, T&R
товар відсутній
AS6C1008-55SIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.41 грн |
10+ | 186.56 грн |
72+ | 138.86 грн |
504+ | 137.53 грн |
1008+ | 128.85 грн |
2520+ | 116.83 грн |
10008+ | 115.5 грн |
AS6C1008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55SIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55SIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, SOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 196.97 грн |
10+ | 171.5 грн |
25+ | 165.51 грн |
AS6C1008-55SIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 592 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 286.69 грн |
5+ | 250.45 грн |
6+ | 174.41 грн |
16+ | 164.4 грн |
231+ | 158.56 грн |
AS6C1008-55SINL |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.76 грн |
10+ | 271.79 грн |
25+ | 230.99 грн |
50+ | 229.66 грн |
AS6C1008-55SINL |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1008-55SINLTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55SINLTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1008-55SINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.98 грн |
10+ | 196.55 грн |
100+ | 149.55 грн |
500+ | 144.87 грн |
1000+ | 133.52 грн |
2000+ | 131.52 грн |
5000+ | 126.85 грн |
AS6C1008-55SINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; SOP32; 450mils
Mounting: SMD
Case: SOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
IC width: 450mils
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.51 грн |
5+ | 238.32 грн |
12+ | 216.97 грн |
540+ | 208.63 грн |
AS6C1008-55STIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.2 грн |
10+ | 171.98 грн |
100+ | 144.87 грн |
468+ | 144.2 грн |
1170+ | 131.52 грн |
2574+ | 120.17 грн |
10062+ | 117.5 грн |
AS6C1008-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55STIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1008-55STIN - SRAM, Asynchron, 1 Mbit, 128K x 8 Bit, STSOP, 32 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 1Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 208.2 грн |
10+ | 182.74 грн |
25+ | 176.75 грн |
50+ | 159.95 грн |
100+ | 140.58 грн |
AS6C1008-55STIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: STSOP32
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Mounting: SMD
Case: STSOP32
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.96 грн |
5+ | 216.65 грн |
6+ | 163.57 грн |
17+ | 155.22 грн |
234+ | 148.54 грн |
AS6C1008-55STINL |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 274.17 грн |
10+ | 245.68 грн |
100+ | 189.6 грн |
234+ | 179.59 грн |
468+ | 176.92 грн |
1170+ | 172.91 грн |
5148+ | 172.24 грн |
AS6C1008-55STINLTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55STINLTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1008-55STINTR |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55STINTR |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; STSOP32
Mounting: SMD
Case: STSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TIN |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.2 грн |
10+ | 192.71 грн |
100+ | 144.87 грн |
468+ | 144.2 грн |
1092+ | 129.52 грн |
2652+ | 120.17 грн |
5148+ | 119.5 грн |
AS6C1008-55TIN |
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TINL |
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 274.17 грн |
10+ | 245.68 грн |
100+ | 182.93 грн |
250+ | 181.59 грн |
468+ | 176.92 грн |
1092+ | 172.24 грн |
2652+ | 167.57 грн |