Продукція > ALLIANCE MEMORY > Всі товари виробника ALLIANCE MEMORY (3603) > Сторінка 28 з 61

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 42 48 54 60 61  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AS6C1008-55TINL AS6C1008-55TINL ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf AS6C1008L.PDF Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TINLTR AS6C1008-55TINLTR Alliance Memory Alliance Memory_AS6C1008L v2a-1288235.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55TINLTR AS6C1008-55TINLTR ALLIANCE MEMORY AS6C1008L.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TINTR AS6C1008-55TINTR Alliance Memory AS6C1008feb2007-1511508.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55TINTR AS6C1008-55TINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1016-55BIN ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016-55ZINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55BIN AS6C1016-55BIN Alliance Memory AS6C1016%20rev%201.5%20September%202015-1288465.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1016-55BIN ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR AS6C1016-55BINTR Alliance Memory AS6C1016%20rev%201.5%20September%202015-1288465.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1016-55ZIN AS6C1016-55ZIN Alliance Memory AS6C1016_rev_1_5_September_2015-1288465.pdf SRAM LP SRAM, 1Mb, 64K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.43 грн
10+ 210.41 грн
100+ 163.81 грн
270+ 159.84 грн
540+ 147.29 грн
1080+ 144.65 грн
2565+ 143.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016-55ZINTR Alliance Memory AS6C1016_rev_1_5_September_2015-1288465.pdf SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016-55ZINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1608-55BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1608-55BIN AS6C1608-55BIN Alliance Memory AS6C1608v1_1-1288258.pdf SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1608-55BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 135 шт
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR Alliance Memory AS6C1608v1_1-1288258.pdf SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1608-55TIN AS6C1608-55TIN Alliance Memory AS6C1608v1_1-1288258.pdf SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1608-55TINTR Alliance Memory AS6C1608v1_1-1288258.pdf SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1608B-45BIN AS6C1608B-45BIN Alliance Memory AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf SRAM LP SRAM, 16Mb, 2048k x 8, 2.7 - 3.6V, 48ball TFBGA, Industrial Temp - Tray
товар відсутній
AS6C1608B-45BINTR Alliance Memory AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf DRAM
товар відсутній
AS6C1608B-45TIN AS6C1608B-45TIN Alliance Memory AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf SRAM LP SRAM, 16Mb, 2048k x 8, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, Industrial Temp - Tray
товар відсутній
AS6C1608B-55TIN ALLIANCE MEMORY AS6C1608B-55TIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C1608B-55TINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1608B-55TINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C1616-55BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55TIN AS6C1616-55TIN ALLIANCE MEMORY AS6C1616-DTE.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1015.11 грн
2+ 661.2 грн
3+ 660.51 грн
4+ 624.73 грн
135+ 619.23 грн
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINLTR ALLIANCE MEMORY AS6C1616-55TINL.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR AS6C1616-55TINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-70BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55BIN Alliance Memory AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf SRAM 16M 3V 55ns 1024Kx16 LP Asy SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR Alliance Memory AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf SRAM 16M 3V 55ns 1024Kx16 LP Asy SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1616-55TIN ALLIANCE MEMORY 3999926.pdf Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1616-55TIN - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1024K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+933.61 грн
10+ 820.24 грн
25+ 791.34 грн
50+ 717.62 грн
AS6C1616-55TIN AS6C1616-55TIN Alliance Memory AS6C1616-TSOPI-1288418.pdf SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.05 грн
10+ 779.34 грн
25+ 614.94 грн
96+ 579.27 грн
288+ 544.92 грн
576+ 527.09 грн
2592+ 519.82 грн
AS6C1616-55TIN AS6C1616-55TIN ALLIANCE MEMORY AS6C1616-DTE.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1218.13 грн
2+ 823.96 грн
3+ 792.61 грн
4+ 749.68 грн
135+ 743.07 грн
AS6C1616-55TINL AS6C1616-55TINL Alliance Memory AS6C1616-55TINL-1282163.pdf SRAM 16M 3V 55ns LP 1024Kx16 Asynch IT
товар відсутній
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINLTR Alliance Memory AS6C1616-55TINL-1282163.pdf SRAM 16M 3V 55ns LP 1024Kx16 Asynch IT
товар відсутній
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINLTR ALLIANCE MEMORY AS6C1616-55TINL.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR AS6C1616-55TINTR Alliance Memory AS6C1616-TSOPI-1288418.pdf SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR AS6C1616-55TINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1616-70BIN AS6C1616-70BIN Alliance Memory AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf SRAM 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-70BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR AS6C1616-70BINTR Alliance Memory AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1616A-55BINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1616A-55BINTR.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616A-55BIN AS6C1616A-55BIN Alliance Memory AS6C1616A-1282175.pdf SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1616A-55BINTR AS6C1616A-55BINTR Alliance Memory AS6C1616A-1282175.pdf SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616A-55BINTR ALLIANCE MEMORY AS6C1616A-55BINTR.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1616B-45TIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-45TINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55BIN ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55BINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55TINTR ALLIANCE MEMORY Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1008-55TINL Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf AS6C1008L.PDF
AS6C1008-55TINL
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TINLTR Alliance Memory_AS6C1008L v2a-1288235.pdf
AS6C1008-55TINLTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55TINLTR AS6C1008L.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1008-55TINLTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Integrated circuit features: LPC
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1008-55TINTR AS6C1008feb2007-1511508.pdf
AS6C1008-55TINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1008-55TINTR AS6C1008.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1008-55TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 128kx8bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP32
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Memory: 1Mb SRAM
Case: TSOP32
Operating voltage: 2.7...5.5V
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory organisation: 128kx8bit
Access time: 55ns
Integrated circuit features: LPC
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1016-55BIN AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1016-55ZINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Operating voltage: 2.7...5.5V
товар відсутній
AS6C1016-55BIN AS6C1016%20rev%201.5%20September%202015-1288465.pdf
AS6C1016-55BIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1016-55BIN AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR AS6C1016%20rev%201.5%20September%202015-1288465.pdf
AS6C1016-55BINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 64K x 16
товар відсутній
AS6C1016-55BINTR AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1016-55ZIN AS6C1016_rev_1_5_September_2015-1288465.pdf
AS6C1016-55ZIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 1Mb, 64K x 16, 2.7 - 5.5V, 44pin TSOP II, 55ns, Industrial Temp - Tray
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.43 грн
10+ 210.41 грн
100+ 163.81 грн
270+ 159.84 грн
540+ 147.29 грн
1080+ 144.65 грн
2565+ 143.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016_rev_1_5_September_2015-1288465.pdf
AS6C1016-55ZINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 1Mb, 2.7V-5.5V, 55ns 128K x 8 Asynch SRAM
товар відсутній
AS6C1016-55ZINTR AS6C1016.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1016-55ZINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 2.7÷5.5V; 55ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
IC width: 400mils
Operating voltage: 2.7...5.5V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1608-55BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1608-55BIN AS6C1608v1_1-1288258.pdf
AS6C1608-55BIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1608-55BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 135 шт
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR AS6C1608v1_1-1288258.pdf
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1608-55BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 2Mx8bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 2Mx8bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1608-55TIN AS6C1608v1_1-1288258.pdf
AS6C1608-55TIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1608-55TINTR AS6C1608v1_1-1288258.pdf
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 2048Kx8 LP Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1608B-45BIN AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf
AS6C1608B-45BIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 16Mb, 2048k x 8, 2.7 - 3.6V, 48ball TFBGA, Industrial Temp - Tray
товар відсутній
AS6C1608B-45BINTR AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf
Виробник: Alliance Memory
DRAM
товар відсутній
AS6C1608B-45TIN AllianceMemory_16Mb_2Mx8_LPSRAM_AS6C1608B_Feb2022_-2999516.pdf
AS6C1608B-45TIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM LP SRAM, 16Mb, 2048k x 8, 2.7 - 3.6V, 44pin TSOP II, Industrial Temp - Tray
товар відсутній
AS6C1608B-55TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C1608B-55TIN Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C1608B-55TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
AS6C1608B-55TINTR Parallel SRAM memories - integ. circ.
товар відсутній
AS6C1616-55BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55TIN AS6C1616-DTE.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1015.11 грн
2+ 661.2 грн
3+ 660.51 грн
4+ 624.73 грн
135+ 619.23 грн
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINL.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TINLTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-70BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616-55BIN AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 1024Kx16 LP Asy SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns 1024Kx16 LP Asy SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1616-55TIN 3999926.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Description: ALLIANCE MEMORY - AS6C1616-55TIN - SRAM, Asynchron, 16 Mbit, 1024K x 16 Bit, TSOP-I, 48 Pin(s), 2.7 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Speicherdichte: 16Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+933.61 грн
10+ 820.24 грн
25+ 791.34 грн
50+ 717.62 грн
AS6C1616-55TIN AS6C1616-TSOPI-1288418.pdf
AS6C1616-55TIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+853.05 грн
10+ 779.34 грн
25+ 614.94 грн
96+ 579.27 грн
288+ 544.92 грн
576+ 527.09 грн
2592+ 519.82 грн
AS6C1616-55TIN AS6C1616-DTE.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TIN
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1218.13 грн
2+ 823.96 грн
3+ 792.61 грн
4+ 749.68 грн
135+ 743.07 грн
AS6C1616-55TINL AS6C1616-55TINL-1282163.pdf
AS6C1616-55TINL
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns LP 1024Kx16 Asynch IT
товар відсутній
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINL-1282163.pdf
AS6C1616-55TINLTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M 3V 55ns LP 1024Kx16 Asynch IT
товар відсутній
AS6C1616-55TINLTR AS6C1616-55TINL.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TINLTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR AS6C1616-TSOPI-1288418.pdf
AS6C1616-55TINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-55TINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
AS6C1616-55TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1500 шт
товар відсутній
AS6C1616-70BIN AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf
AS6C1616-70BIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 3V, 70ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-70BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 480 шт
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR AS6C1616-TFBGA-1288118.pdf
AS6C1616-70BINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616-70BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 70ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 70ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
AS6C1616A-55BINTR AS6C1616A-55BINTR.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616A-55BIN AS6C1616A-1282175.pdf
AS6C1616A-55BIN
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
на замовлення 364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AS6C1616A-55BINTR AS6C1616A-1282175.pdf
AS6C1616A-55BINTR
Виробник: Alliance Memory
SRAM 16M, 2.7-3.6V, 55ns 1024K x 16 Asyn SRAM
товар відсутній
AS6C1616A-55BINTR AS6C1616A-55BINTR.PDF Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AS6C1616B-45TIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-45TINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 45ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 45ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55BIN Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55BINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TFBGA48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TFBGA48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
AS6C1616B-55TINTR Alliance_Selection_Guide _Print2024.pdf
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 1Mx16bit; 2.7÷3.6V; 55ns; TSOP48
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: asynchronous; SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx16bit
Access time: 55ns
Case: TSOP48
Mounting: SMD
Integrated circuit features: LPC
Operating voltage: 2.7...3.6V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36 42 48 54 60 61  [ Наступна Сторінка >> ]