Результат пошуку "P110N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 51
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P110NQ08LT | NXP | 08+ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCP110N65F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF1/8 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF112 BK007 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF114 BK003 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF12 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF12 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF14 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF14 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF18 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF34 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 45-54 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF34 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3G | Infineon |
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NAAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NAXK | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP110N15T2 | IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
на замовлення 298 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 89 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS | MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET POWER MOSFET |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUJ-E1B-AY | Renesas |
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTP110N65S3HF | onsemi | MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110MOHM, TO220 |
на замовлення 799 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+2 |
PP110N-S | SUPERTRONIC |
Category: Multipurpose Enclosures Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black Enclosure material: ABS Dimension Z: 28mm Dimension X: 55mm Dimension Y: 103mm Type of enclosure: multipurpose Body colour: black |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
+2 |
PP110N-S | SUPERTRONIC |
Category: Multipurpose Enclosures Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black Enclosure material: ABS Dimension Z: 28mm Dimension X: 55mm Dimension Y: 103mm Type of enclosure: multipurpose Body colour: black кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RP110N151C-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181B-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181B5-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N201D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N221D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N251D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N261C-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N281D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N331B-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N331D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N8F6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
на замовлення 749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N8F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 3827 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP110N65F | ON Semiconductor |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPP110N20N3 G | Infineon |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NP110N03PUG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG-E1 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG-E1-AY | RENESAS | TO263 |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP110N04PUG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N055PUG | NEC | 08+; |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP110N055PUG-E1/-A |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N055PUG-E1/-AY/JM |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N055PUG/NEC | NEC | 08+; |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FCP110N65F |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 435.1 грн |
50+ | 331.98 грн |
100+ | 284.56 грн |
500+ | 237.38 грн |
GRP110NF1/8 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9515.77 грн |
5+ | 8806.23 грн |
10+ | 6982.33 грн |
25+ | 6638.71 грн |
50+ | 6636.05 грн |
100+ | 6483.55 грн |
GRP110NF112 BK007 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24369.8 грн |
5+ | 23665.55 грн |
10+ | 20274.41 грн |
25+ | 19816.24 грн |
50+ | 19359.41 грн |
GRP110NF114 BK003 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 70989.17 грн |
5+ | 69974.27 грн |
10+ | 55821.38 грн |
25+ | 55270.65 грн |
50+ | 55269.32 грн |
100+ | 55268.65 грн |
250+ | 55267.98 грн |
GRP110NF12 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 74589.44 грн |
5+ | 73256.6 грн |
10+ | 58642.28 грн |
25+ | 58062.25 грн |
250+ | 58061.58 грн |
GRP110NF12 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22843.14 грн |
5+ | 21528.13 грн |
10+ | 18326.54 грн |
25+ | 18064.17 грн |
50+ | 17761.83 грн |
GRP110NF14 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38757.67 грн |
5+ | 37559.16 грн |
10+ | 30784.87 грн |
25+ | 29677.41 грн |
50+ | 29455.66 грн |
100+ | 29163.98 грн |
GRP110NF14 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12723.7 грн |
5+ | 11995.13 грн |
10+ | 9797.24 грн |
25+ | 9307.11 грн |
50+ | 9097.34 грн |
100+ | 8887.57 грн |
GRP110NF18 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27580.05 грн |
5+ | 26864.4 грн |
10+ | 21966.55 грн |
25+ | 21176.75 грн |
50+ | 21018.26 грн |
100+ | 20809.82 грн |
GRP110NF34 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 45-54 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 115213.28 грн |
5+ | 109794.15 грн |
10+ | 94154.62 грн |
25+ | 92158.15 грн |
50+ | 90174.99 грн |
100+ | 88121.91 грн |
250+ | 88117.92 грн |
GRP110NF34 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 32968.8 грн |
5+ | 32432.72 грн |
10+ | 27792.15 грн |
25+ | 27253.41 грн |
50+ | 26624.77 грн |
IPP110N20N3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 568.71 грн |
10+ | 480.17 грн |
25+ | 378.92 грн |
100+ | 348.28 грн |
250+ | 327.64 грн |
500+ | 306.33 грн |
1000+ | 289.68 грн |
IPP110N20N3G |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 359.13 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 445.24 грн |
3+ | 317.71 грн |
7+ | 300.36 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 534.29 грн |
3+ | 395.91 грн |
7+ | 360.44 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 570.26 грн |
25+ | 447.24 грн |
100+ | 344.95 грн |
250+ | 344.29 грн |
500+ | 305.66 грн |
1000+ | 277.03 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 522.98 грн |
50+ | 402.11 грн |
100+ | 359.79 грн |
500+ | 297.92 грн |
IPP110N20NA |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 682.14 грн |
10+ | 645.59 грн |
25+ | 466.82 грн |
100+ | 417.54 грн |
250+ | 413.55 грн |
500+ | 367.6 грн |
1000+ | 331.64 грн |
IPP110N20NAAKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 628.16 грн |
50+ | 482.51 грн |
100+ | 431.72 грн |
500+ | 357.49 грн |
1000+ | 321.74 грн |
IPP110N20NAXK |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 681.36 грн |
10+ | 575.14 грн |
25+ | 454.17 грн |
100+ | 416.88 грн |
250+ | 392.9 грн |
500+ | 367.6 грн |
1000+ | 331.64 грн |
IXFP110N15T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 298 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.04 грн |
10+ | 305.56 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.62 грн |
9+ | 94.34 грн |
24+ | 88.79 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 170.33 грн |
3+ | 147.82 грн |
9+ | 113.21 грн |
24+ | 106.55 грн |
250+ | 104.88 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.99 грн |
10+ | 173.84 грн |
100+ | 117.87 грн |
250+ | 109.88 грн |
500+ | 98.56 грн |
1000+ | 91.23 грн |
NP110N04PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 369.55 грн |
10+ | 298.84 грн |
100+ | 241.76 грн |
NP110N04PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET POWER MOSFET
MOSFET POWER MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 401.67 грн |
10+ | 332.37 грн |
25+ | 279.69 грн |
100+ | 234.41 грн |
250+ | 226.42 грн |
500+ | 207.77 грн |
800+ | 167.15 грн |
NP110N055PUJ-E1B-AY |
Виробник: Renesas
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 397.78 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 180.8 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 324.75 грн |
10+ | 269.57 грн |
25+ | 226.42 грн |
100+ | 189.79 грн |
250+ | 183.13 грн |
500+ | 177.8 грн |
800+ | 143.84 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 299.67 грн |
10+ | 242.1 грн |
100+ | 195.88 грн |
NTP110N65S3HF |
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110MOHM, TO220
MOSFET SUPERFET3 650V FRFET,110MOHM, TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 449.84 грн |
10+ | 405.89 грн |
50+ | 289.68 грн |
100+ | 257.05 грн |
250+ | 243.73 грн |
500+ | 224.42 грн |
PP110N-S |
Виробник: SUPERTRONIC
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 249.51 грн |
5+ | 167.18 грн |
PP110N-S |
Виробник: SUPERTRONIC
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 299.41 грн |
5+ | 208.33 грн |
14+ | 188.96 грн |
RP110N151C-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N181B-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N181B5-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N181D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 17.18 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N201D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 16.91 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N221D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N251D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N261C-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N281D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N331B-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
RP110N331D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.88 грн |
10+ | 35.61 грн |
100+ | 23.77 грн |
500+ | 18.78 грн |
1000+ | 15.05 грн |
3000+ | 13.59 грн |
6000+ | 12.65 грн |
STP110N10F7 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 180.81 грн |
50+ | 140.12 грн |
100+ | 115.29 грн |
500+ | 91.55 грн |
STP110N10F7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 196.56 грн |
10+ | 152.4 грн |
100+ | 109.21 грн |
250+ | 107.22 грн |
500+ | 93.23 грн |
1000+ | 81.91 грн |
2000+ | 77.91 грн |
STP110N8F6 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.62 грн |
50+ | 96.12 грн |
100+ | 79.09 грн |
500+ | 62.8 грн |
STP110N8F6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET
на замовлення 3827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.18 грн |
10+ | 111.04 грн |
100+ | 76.58 грн |
250+ | 75.25 грн |
500+ | 65.06 грн |
1000+ | 54.87 грн |
2000+ | 53.41 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]