Результат пошуку "RSJ250" : 14
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 93
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 352 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg |
на замовлення 4486 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | ROHM - Japan |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 6987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10TL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
на замовлення 4030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10TL | ROHM Semiconductor | MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE |
на замовлення 6989 шт: термін постачання 168-177 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10TL LPTS | ROHM - Japan |
P-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RSJ250P10FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
RSJ250P10TL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -25A Pulsed drain current: -50A Power dissipation: 50W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.38 грн |
5+ | 77.69 грн |
12+ | 67.98 грн |
33+ | 64.51 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.06 грн |
5+ | 96.82 грн |
12+ | 81.58 грн |
33+ | 77.42 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
MOSFET Pch -100V Vds -25A 0.05Rds(on) 60Qg
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.52 грн |
10+ | 107.22 грн |
100+ | 74.58 грн |
250+ | 73.25 грн |
500+ | 62.53 грн |
1000+ | 53.14 грн |
2000+ | 50.54 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
93+ | 126.44 грн |
111+ | 106.02 грн |
117+ | 100.18 грн |
200+ | 95.67 грн |
500+ | 81.38 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 25A; 45mOhm; 50W; -55°C~150°C; RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor TRSJ250p10fratl
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.59 грн |
RSJ250P10TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 6987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 129.36 грн |
100+ | 117.69 грн |
122+ | 96.39 грн |
200+ | 86.95 грн |
500+ | 80.24 грн |
1000+ | 68.44 грн |
2000+ | 64.7 грн |
4000+ | 63.03 грн |
RSJ250P10TL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 4030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 129.24 грн |
94+ | 124.31 грн |
100+ | 120.1 грн |
250+ | 112.29 грн |
500+ | 101.15 грн |
1000+ | 94.72 грн |
2500+ | 92.63 грн |
RSJ250P10TL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
MOSFET PWR MOSFET LOW RESIST DEVICE
на замовлення 6989 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.67 грн |
10+ | 165.42 грн |
25+ | 139.18 грн |
100+ | 116.54 грн |
250+ | 112.54 грн |
500+ | 103.22 грн |
1000+ | 87.9 грн |
RSJ250P10TL LPTS |
Виробник: ROHM - Japan
P-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl
кількість в упаковці: 10 шт
P-Channel 100V 25A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LPTS TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB RSJ250P10TL Rohm Semiconductor TRSJ250p10tl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 95.6 грн |
RSJ250P10FRATL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 25A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
товар відсутній
RSJ250P10TL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RSJ250P10TL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -25A; Idm: -50A; 50W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -25A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній