Результат пошуку "SSM6J502NU" : 7
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6J502NU,LF | Toshiba |
 MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SSM6J502NU | Toshiba |
Toshiba |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
SSM6J502NU,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SSM6J502NU,LF(T | TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
SSM6J502NU,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SSM6J502NULF(T | Toshiba | MOSFET |
товар відсутній |
| SSM6J502NU,LF |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.25 грн |
| 12+ | 26.73 грн |
| 100+ | 11.92 грн |
| 1000+ | 8.92 грн |
| 3000+ | 7.59 грн |
| 9000+ | 7.13 грн |
| 24000+ | 6.59 грн |
| SSM6J502NU,LF(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
| SSM6J502NU,LF(T |
|
Виробник: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: uDFN6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 60.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній