Результат пошуку "irf78" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 61
Мінімальне замовлення: 607
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 265
Мінімальне замовлення: 185
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 65
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 133
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 164
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 185
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7832TRPBF Код товару: 30646 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 16 A Rds(on), Ohm: 4 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34 Монтаж: SMD |
у наявності: 54 шт
|
|
||||||||||||||||||||
IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7805ATRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805TRPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm |
на замовлення 3288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 15370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | TRENCH <= 40V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7805ZTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Power MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807VD2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7807VD2TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807ZTR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7809AVTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF7811AVPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7811AVTR-VB | VBsemi |
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V |
на замовлення 5285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7815TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm |
на замовлення 25358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm |
на замовлення 25358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V |
на замовлення 4932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7820TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
на замовлення 14423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 155°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7821TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7831TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7831TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
на замовлення 2041 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7831TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7831TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF7831TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF7832TRPBF Код товару: 30646 |
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 16 A
Rds(on), Ohm: 4 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4310/34
Монтаж: SMD
у наявності: 54 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26.5 грн |
IRF7805ATRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7805ATRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 9.49 грн |
62+ | 9.34 грн |
63+ | 9.18 грн |
100+ | 8.71 грн |
250+ | 7.93 грн |
IRF7805TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Description: PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
607+ | 32.25 грн |
IRF7805ZTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.56 грн |
12+ | 63.49 грн |
100+ | 45.68 грн |
500+ | 35.89 грн |
1000+ | 24.01 грн |
IRF7805ZTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
Description: INFINEON - IRF7805ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0055 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
на замовлення 3288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 45.68 грн |
500+ | 35.89 грн |
1000+ | 24.01 грн |
IRF7805ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 15370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
265+ | 44.06 грн |
295+ | 39.68 грн |
306+ | 38.23 грн |
500+ | 35.18 грн |
1000+ | 31.09 грн |
4000+ | 27.18 грн |
8000+ | 27.1 грн |
IRF7805ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
185+ | 63.32 грн |
187+ | 62.65 грн |
240+ | 48.68 грн |
250+ | 46.47 грн |
500+ | 36.16 грн |
1000+ | 24.01 грн |
IRF7805ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 71.12 грн |
10+ | 58.79 грн |
25+ | 58.18 грн |
100+ | 43.59 грн |
250+ | 39.95 грн |
500+ | 32.24 грн |
1000+ | 22.3 грн |
IRF7805ZTRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
TRENCH <= 40V
TRENCH <= 40V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 20.06 грн |
IRF7805ZTRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Power MOSFET
Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 28.29 грн |
IRF7807TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 44.63 грн |
IRF7807TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 8,3; Rds = 25 мО; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 104.01 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 31.34 грн |
IRF7807VD2TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7807VD2TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
65+ | 8.99 грн |
66+ | 8.84 грн |
67+ | 8.7 грн |
100+ | 8.26 грн |
250+ | 7.52 грн |
IRF7807ZTR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.52 грн |
IRF7807ZTRPBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 56.24 грн |
IRF7807ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 15 V
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.74 грн |
10+ | 43.79 грн |
100+ | 30.3 грн |
500+ | 23.76 грн |
1000+ | 20.22 грн |
2000+ | 18.01 грн |
IRF7807ZTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7807ZTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7807ZTRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
Description: INFINEON - IRF7807ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7809AVTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3780 pF @ 16 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7811AVPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
P-канальний ПТ; Udss, В = 28; Id = 11 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1801 @ 10; Qg, нКл = 17; Rds = 11 мОм; Ugs(th) = 2 В; Р, Вт = 2,5 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 19.91 грн |
34+ | 18.58 грн |
100+ | 17.25 грн |
IRF7811AVTR-VB |
Виробник: VBsemi
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12A; 3,6Ohm; 10V; 4W; -55°C~150°C; IRF7811AVTR TIRF7811AVTR VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.35 грн |
IRF7811AVTR-VB |
Виробник: VBsemi
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 10.8A 30V 2.5W 0.014Ω IRF7811AV TIRF7811av
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 23.6 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 102.73 грн |
10+ | 78.34 грн |
100+ | 57.43 грн |
500+ | 45.16 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
Description: MOSFET N-CH 150V 5.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1647 pF @ 75 V
на замовлення 5285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.24 грн |
10+ | 68.01 грн |
100+ | 52.88 грн |
500+ | 42.06 грн |
1000+ | 34.26 грн |
2000+ | 32.26 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 36.99 грн |
8000+ | 34.67 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 39.75 грн |
8000+ | 37.25 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
Description: INFINEON - IRF7815TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 5.1 A, 0.034 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 57.43 грн |
500+ | 45.16 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 31.75 грн |
IRF7815TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
133+ | 88.12 грн |
146+ | 80.34 грн |
179+ | 65.36 грн |
200+ | 58.9 грн |
500+ | 54.36 грн |
1000+ | 46.35 грн |
2000+ | 43.27 грн |
4000+ | 42.19 грн |
8000+ | 42.11 грн |
IRF7820TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 42.93 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 67.18 грн |
500+ | 52.91 грн |
1000+ | 42.45 грн |
5000+ | 36.05 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 42.51 грн |
8000+ | 41.12 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 40.22 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
164+ | 71.2 грн |
172+ | 67.89 грн |
193+ | 60.6 грн |
201+ | 56.18 грн |
500+ | 51.93 грн |
1000+ | 46.44 грн |
2000+ | 44.44 грн |
4000+ | 43.69 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
Description: INFINEON - IRF7820TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 3.7 A, 0.0625 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0625ohm
на замовлення 25358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 120.47 грн |
10+ | 90.17 грн |
100+ | 67.18 грн |
500+ | 52.91 грн |
1000+ | 42.45 грн |
5000+ | 36.05 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 31.82 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
Description: MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 100 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.64 грн |
10+ | 76.59 грн |
100+ | 59.58 грн |
500+ | 47.4 грн |
1000+ | 38.61 грн |
2000+ | 36.35 грн |
IRF7820TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 39.57 грн |
8000+ | 38.27 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 28.23 грн |
8000+ | 25.89 грн |
12000+ | 24.69 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 17731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
185+ | 63.42 грн |
217+ | 53.99 грн |
253+ | 46.2 грн |
267+ | 42.21 грн |
500+ | 36.56 грн |
1000+ | 33.01 грн |
4000+ | 29.01 грн |
8000+ | 28.93 грн |
16000+ | 27.18 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 73.18 грн |
10+ | 57.82 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 26.53 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 14423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.42 грн |
10+ | 53.74 грн |
100+ | 41.82 грн |
500+ | 33.26 грн |
1000+ | 27.1 грн |
2000+ | 25.51 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 45.31 грн |
500+ | 35.69 грн |
1000+ | 24.45 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - IRF7821TRPBF - MOSFET, N-KANAL, 30V, 13.6A, SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.56 грн |
12+ | 62.97 грн |
100+ | 45.31 грн |
500+ | 35.69 грн |
1000+ | 24.45 грн |
IRF7821TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 28.51 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 45.9 грн |
500+ | 36.17 грн |
1000+ | 25.59 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7821TRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13.6 A, 0.007 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 82.78 грн |
12+ | 63.78 грн |
100+ | 45.9 грн |
500+ | 36.17 грн |
1000+ | 25.59 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 30.62 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 15 V
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.42 грн |
10+ | 53.74 грн |
100+ | 41.82 грн |
500+ | 33.26 грн |
1000+ | 27.1 грн |
2000+ | 25.51 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.91 грн |
IRF7821TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 28.5 грн |
IRF7831TRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 21 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 6240 @ 15; Qg, нКл = 60 @ 4,5 В; Rds = 3,6 мОм @ 20 A, 10 В; Ugs(th) = 2,35 @ 250 мкА; Р, Вт = 2,5; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 624 грн |
10+ | 109.51 грн |
100+ | 101.68 грн |
IRF7831TRPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
Description: INFINEON - IRF7831TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 21 A, 0.0031 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 69.48 грн |
50+ | 52.7 грн |
250+ | 44.94 грн |
1000+ | 33.01 грн |
2000+ | 29.33 грн |
IRF7831TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 36.22 грн |
IRF7831TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 85.88 грн |
10+ | 65.75 грн |
25+ | 60.26 грн |
100+ | 52.22 грн |
250+ | 46.79 грн |
500+ | 40.12 грн |
1000+ | 28.45 грн |
IRF7831TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 33.47 грн |
8000+ | 30.7 грн |
12000+ | 29.28 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]