Результат пошуку "jmd" : 52
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 +1 |
E3JM-DS70M4-G | OMRON |
 Category: Standard Photoelectric SensorsDescription: Sensor: photoelectric; Range: 0÷0.7m; SPDT; DARK-ON,LIGHT-ON; 3A Supply voltage: 24...240V DC; 100...240V AC Range: 0...0.7m Operating temperature: -25...55°C IP rating: IP66 Max. operating current: 3A Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON Output configuration: SPDT Connection: screw terminals Sensors features: sensitivity adjustable Response time: <30ms Type of sensor: photoelectric Body material: ABS Body dimensions: 25x75x65mm Operation mode: diffuse-reflective кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||
| E3JM-DS70M4T-G | OMRON |
E3JM-DS70M4TG Standard Photoelectric Sensors |
на замовлення 36 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||
| GQ16B-JM/DC12V | ONPOW |
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC12V ONPOW PBGQ16B-JM/DC12V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| GQ16B-JM/DC24V | ONPOW |
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC24V ONPOW PBGQ16B-JM/DC24V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| GQ19B-JM/DC12V | ONPOW |
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound; opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC12V ONPOW PBGQ19B-JM/DC12V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| GQ19B-JM/DC24V | ONPOW |
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC24V ONPOW PBGQ19B-JM/DC24V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
| 100P-JMDSS-G-1-TF | JST |
08+ |
на замовлення 270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 14P5.5-JMDSS-G-4-TF/2802877Z38 |
на замовлення 49000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| 30P5.0-JMDSS-G-1-TF | JST |
06+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 30R-JMDSS-G-1-TF(S) | JST | 06+ |
на замовлення 13500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 40R-JMDSS-G-1-TF |
2005 |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| 40R-JMDSS-G-TF | JST | 06+ |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 50R-JMDSS-G-1-TF | JST |
06+ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 50R-JMDSS-G-1-TF(S)(lf) | JST | 06+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| 60PS-JMDSS-G-1-TF | JST |
06+ |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DJMD5628DLB | Ambient | 02+ |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| DJMD5628DLB | Ambient | 02+ |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| ICM7115JMDL/883 | HAR | 9919 DIP40 |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| JE8550/JM/D19C | NEC |
на замовлення 9500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| KBU24000JM-D439 | SAMSUNG | BGA |
на замовлення 779 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| NJMD6N03R2 |
на замовлення 11805 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NJMDAC-08DC |
на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NJMDAC-08MC |
|
на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| NJMDAC-08MC-T2 |
на замовлення 1801 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NJMDAC-08ME | JRC | SOP |
на замовлення 158 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| NJMDAC-08ME | JRC | SOP |
на замовлення 608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| NJMDAC-08ME-T1(DAC |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NJMDAC-08ME-T1(DAC-08M) |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| NJMDAC08DE |
на замовлення 659 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| RD82E-T1/JM DIP-82V | NEC |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| RD82E-T1/JMDIP- |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| RD82E-T1/JMDIP-82V | NEC |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
| S-8261AAJMD |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| S-8261AAJMD-G2J-T2 | N/A | 04+ SOT-153 |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| S-8261AAJMD-G2JT2G | SII |
09+ SOT23-5 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| S-8261ABJMD-G3J-T2 | SEIKO | 09+ SOP3.9 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| S-8261ABJMD-G3JT2G | SEIKO |
2001 SOT-23 |
на замовлення 2310 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| S8261AAJMD-G2J | SEIKO | 05+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| S8261ABJMD-G3J | SEIKO | 05+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| WT6016-J-M-DD556HA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
E3JM-DS70M4-G Код товару: 169212 |
Активні компоненти > Датчики |
товар відсутній
|
|||||||
| PJMD280N60E1_L2_00601 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
|
|
PJMD360N60EC_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 23A Power dissipation: 87.5W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 18.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
| PJMD390N65EC_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA Case: TO252AA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 87.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 22A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
|
|
PJMD580N60E1_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 54W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
PJMD900N60EC_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 9.7A Power dissipation: 47.5W Case: TO252AA Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
| PJMD990N65EC_L2_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W Gate charge: 9.7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 9.5A Mounting: SMD Case: TO252AA Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.7A On-state resistance: 990mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 47.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
| PJMD600N65E1_L2_00001 | PanJit Semiconductor | PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||
| BES 516-356-S4-CW | BALLUFF |
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP67; 1kHz Operating temperature: -25...70°C Body material: stainless steel Number of pins: 4 Overall length: 61mm Switching frequency max: 1kHz Switch housing: M12 Range: 0...4mm Output configuration: PNP / NO Connection: connector M12 Kind of forehead: non-embedded Type of sensor: inductive Supply voltage: 10...30V DC IP rating: IP67 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
| E3JM-DS70M4-G |
|
Виробник: OMRON
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 0÷0.7m; SPDT; DARK-ON,LIGHT-ON; 3A
Supply voltage: 24...240V DC; 100...240V AC
Range: 0...0.7m
Operating temperature: -25...55°C
IP rating: IP66
Max. operating current: 3A
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: SPDT
Connection: screw terminals
Sensors features: sensitivity adjustable
Response time: <30ms
Type of sensor: photoelectric
Body material: ABS
Body dimensions: 25x75x65mm
Operation mode: diffuse-reflective
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Standard Photoelectric Sensors
Description: Sensor: photoelectric; Range: 0÷0.7m; SPDT; DARK-ON,LIGHT-ON; 3A
Supply voltage: 24...240V DC; 100...240V AC
Range: 0...0.7m
Operating temperature: -25...55°C
IP rating: IP66
Max. operating current: 3A
Operation modes: DARK-ON; LIGHT-ON
Output configuration: SPDT
Connection: screw terminals
Sensors features: sensitivity adjustable
Response time: <30ms
Type of sensor: photoelectric
Body material: ABS
Body dimensions: 25x75x65mm
Operation mode: diffuse-reflective
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15855.38 грн |
| 10+ | 14853.8 грн |
| E3JM-DS70M4T-G |
|
Виробник: OMRON
E3JM-DS70M4TG Standard Photoelectric Sensors
E3JM-DS70M4TG Standard Photoelectric Sensors
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11554.6 грн |
| GQ16B-JM/DC12V |
Виробник: ONPOW
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC12V ONPOW PBGQ16B-JM/DC12V
кількість в упаковці: 5 шт
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC12V ONPOW PBGQ16B-JM/DC12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 261.31 грн |
| GQ16B-JM/DC24V |
Виробник: ONPOW
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC24V ONPOW PBGQ16B-JM/DC24V
кількість в упаковці: 5 шт
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 16mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ16B-JM/DC24V ONPOW PBGQ16B-JM/DC24V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 257.03 грн |
| GQ19B-JM/DC12V |
Виробник: ONPOW
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound; opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC12V ONPOW PBGQ19B-JM/DC12V
кількість в упаковці: 5 шт
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound; opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 12V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC12V ONPOW PBGQ19B-JM/DC12V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 331.77 грн |
| GQ19B-JM/DC24V |
Виробник: ONPOW
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC24V ONPOW PBGQ19B-JM/DC24V
кількість в упаковці: 5 шт
Sound signalling device: 85dB, discontinuous sound;opening diam. assembly.: 19mm connectors 2.8x0.5mm, stainless steel, 360mW, 24V DC, -20...55°C GQ19B-JM/DC24V ONPOW PBGQ19B-JM/DC24V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 320.31 грн |
| S-8261AAJMD-G2J-T2 |
Виробник: N/A
04+ SOT-153
04+ SOT-153
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| S-8261AAJMD-G2JT2G |
|
Виробник: SII
09+ SOT23-5
09+ SOT23-5
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| S-8261ABJMD-G3J-T2 |
Виробник: SEIKO
09+ SOP3.9
09+ SOP3.9
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| S-8261ABJMD-G3JT2G |
|
Виробник: SEIKO
2001 SOT-23
2001 SOT-23
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| PJMD280N60E1_L2_00601 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD360N60EC_L2_00001 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 23A; 87.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 87.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD390N65EC_L2_00001 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 22A; 87.5W; TO252AA
Case: TO252AA
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 87.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD580N60E1_L2_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 24A; 54W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 54W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD900N60EC_L2_00001 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 9.7A; 47.5W; TO252AA
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 9.7A
Power dissipation: 47.5W
Case: TO252AA
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD990N65EC_L2_00001 |
|
Виробник: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.7A; Idm: 9.5A; 47.5W
Gate charge: 9.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 9.5A
Mounting: SMD
Case: TO252AA
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.7A
On-state resistance: 990mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 47.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| PJMD600N65E1_L2_00001 |
Виробник: PanJit Semiconductor
PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
PJMD600N65E1-L2 SMD N channel transistors
товар відсутній
| BES 516-356-S4-CW |
Виробник: BALLUFF
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP67; 1kHz
Operating temperature: -25...70°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 4
Overall length: 61mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M12
Range: 0...4mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Supply voltage: 10...30V DC
IP rating: IP67
кількість в упаковці: 1 шт
Category: DC Cylindrical Inductive Sensors
Description: Sensor: inductive; OUT: PNP / NO; 0÷4mm; 10÷30VDC; M12; IP67; 1kHz
Operating temperature: -25...70°C
Body material: stainless steel
Number of pins: 4
Overall length: 61mm
Switching frequency max: 1kHz
Switch housing: M12
Range: 0...4mm
Output configuration: PNP / NO
Connection: connector M12
Kind of forehead: non-embedded
Type of sensor: inductive
Supply voltage: 10...30V DC
IP rating: IP67
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній