Продукція > EPC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
EPCAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14299.11 грн
EPC-10VestilDescription: VERTICAL 1000 LB. CAPACITY PLATE
Packaging: Box
Capacity: 1000 lbs
Color: Blue
Material: Steel
Type: Plate Clamp
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12438.07 грн
EPC-2020Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-2030Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-2032Arbor TechnologyEmbedded Box Computers Programmable Embedded Controller with Intel Atom D525 Platform
товар відсутній
EPC-80VestilDescription: 6600 LB. CAPACITY VERTICAL PLATE
Packaging: Box
Capacity: 6600 lbs
Color: Blue
Material: Steel
Type: Plate Clamp
Part Status: Active
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+40674.87 грн
EPC-B2278-ABQ0AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-B5505-AB00000AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-BP860-5.0X4.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP860-5.0 X 4.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC635
Accessory Type: Filter
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-BP860-8.0X8.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP860-8.0 X 8.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: epc660
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-BP955-2.0X2.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-2.0 X 2.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC611
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-BP955-5.0X4.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-5.0 X 4.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: EPC635
Accessory Type: Filter
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-BP955-8.0X8.0X0.3MMESPROS Photonics AGDescription: EPC-BP955-8.0 X 8.0 X 0.3MM
Packaging: Tape & Reel (TR)
For Use With/Related Products: epc660
Accessory Type: Filter
товар відсутній
EPC-C301C5-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i5-8365UE 4xGbE, Multiple I/O system,w/8G DRAM, 128G M.2 2280 SATA
товар відсутній
EPC-C301C7-S7A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i7-8665UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/8G DRAM, 128G M.2 2280 SATA
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+134414.28 грн
5+ 126522.69 грн
EPC-C301EVK-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i5-8365UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/ Intel AI Vega-330 module
товар відсутній
EPC-C301EVK-S6A1AdvantechIntel Core i5-8365UE 1.6GHz, Intel EVK system
товар відсутній
EPC-C301EVK-S7A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel WK-L Core i7-8665UE 4xGbE, Multiple I/O system, w/ Intel AI Vega-330 module
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4102016ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4104016ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-CM4-70-CM4104032ChipseeChipsee
товар відсутній
EPC-P30665A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-P3066 STD W/I5-8500 W/O AD,RA,HD,RI
товар відсутній
EPC-P30665A-00YEAdvantechEmbedded Box Computers EPC-P3066 STD W/I5-8500 W/O AD,RA,HD,RI
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantechGateways TI Sitara AM3352 Gateway / 1x Lan 2x USB, 8x GPIO
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantechBox PCs TI Sitara DDR3 1x 1GB
товар відсутній
EPC-R3220IS-OLA1EAdvantech CorpDescription: TI SITARA AM3352 GATEWAY / 1X LA
Packaging: Bulk
Features: Micro SD Card Slot
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A8 800MHz
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: Mini PCIe
Operating System: Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (1GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3430ID-PLA120AdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Dual 1GB DRAM, 2x2 wires RS-232, 1x GbE, 2x USB 2.0
товар відсутній
EPC-R3430ID-PLA140AdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Dual 1GB DRAM, 2x2 wires RS-232, 1x CAN Bus
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA100AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA120AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA140AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710IO-XAA160AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA100AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA120AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA140AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3710NO-XAA160AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA100Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA120Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA140Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA160Advantech CorpDescription: I.MX 8M PLUS BOX COMPUTER WITH U
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA160Advantechi.MX 8M Plus box computer with UIO-4036, Quad Core, 6GB LPDDR4, 16GB eMMC, -40 to 70C
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA200AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA220AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA240AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-ALA260AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-R3720IQ-AWA12BAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX8MPlus Cortex-A53 Edge AI Box Computer
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+36319.64 грн
EPC-R3720IQ-AWA12BAdvantech CorpDescription: EPC-R3720IQ-ALA12B W/ ADAPTER AN
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Box
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -40°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (6GB Installed)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32150.73 грн
EPC-R4680CQ-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3288 BOX COMPUTER
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex™-A17 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3L (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4680CQ-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3288 Box Computer
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+25495.66 грн
5+ 22498.29 грн
EPC-R4680WQ-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3288 Box Computer Wide Temp
товар відсутній
EPC-R4680WQ-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3288 BOX COMPUTER WID
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex™-A17 1.6GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3L (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4710NO-XAA1EAdvantech CorpDescription: ROCKCHIP RK3399 BOX COMPUTER, 0~
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: VESA Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: ARM® Cortex®-A53 1.8GHz, 4 Core, ARM® Cortex®-A72 1.8GHz, 2 Core
Approval Agency: BSMI, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 16GB
Memory: LPDDR4 (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R4710NO-XAA1EAdvantechEmbedded Box Computers Rockchip RK3399 Box Computer, 0 50C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 99-108 дні (днів)
1+29827.73 грн
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantech CorpDescription: QUAD CORE / 1GB DDR SYSTEM
товар відсутній
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantechBox PCs LPDDR3 1GB
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16312.06 грн
EPC-R4760CQ-QNA1EAdvantechEmbedded Box Computers Qualcomm APQ-8016 Box Computer
товар відсутній
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantechBox PCs LPDDR3 2GB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17149.34 грн
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantechEmbedded Box Computers Qualcomm APQ-8016 Box Computer Wide Temp
товар відсутній
EPC-R4760CQ-WNA1EAdvantech CorpDescription: QUALCOMM APQ-8016 ARM BOX COMPUT
товар відсутній
EPC-R6410CD-PAA1EAdvantech CorpDescription: NXP I.MX6 CORTEX-A9 RISC MINI-IT
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: NXP® ARM® Cortex™-A9 i.MX6 1.0GHz, 2 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (1GB Installed)
товар відсутній
EPC-R6410CD-PAA1EAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Cortex-A9 RISC Mini-ITX Box Computer
товар відсутній
EPC-R6410CQ-VAA1EAdvantechEmbedded Box Computers NXP i.MX6 Cortex-A9 RISC Mini-ITX Box Computer
товар відсутній
EPC-R6410CQ-VAA1EAdvantech CorpDescription: NXP I.MX6 CORTEX-A9 RISC MINI-IT
Features: Micro SD Card Slot
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 55°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: NXP® ARM® Cortex™-A9 i.MX6 1.0GHz, 4 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2, mini PCIe
Operating System: Android, Linux
Storage: eMMC, 8GB
Memory: DDR3 (2GB Installed)
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantech CorpDescription: NVIDIA JETSON TX2 EDGE AI INFERE
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Chassis Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 19VDC
Core Processor: NVIDIA Denver, 2 Core
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Operating System: Linux
Storage: eMMC, 32GB
Memory: LPDDR4 (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantechEPC-R7000 NVIDIA TX2/8GB DDR/32GB eMMC AI system
товар відсутній
EPC-R7000IQ-SUA1EAdvantechEmbedded Box Computers NVIDIA JETSON TX2 Edge AI Inference Box Computer
товар відсутній
EPC-R7200IJ-ALA1NNAdvantech CorpDescription: INDUSTRIAL-GRADE NVIDIA JETSON B
Packaging: Bulk
Features: Micro SD Card Slot
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail or Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: -20°C ~ 60°C
Voltage - Supply: 9 ~ 24VDC
Approval Agency: CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Linux
товар відсутній
EPC-R7300IJ-ALA180AdvantechEmbedded Box Computers Industrial-Grade NVIDIA Jetson Orin Nano and NX Barebone Box PC, LAN 6
товар відсутній
EPC-R7300IJ-ALA1NNAdvantechEmbedded Box Computers Industrial-Grade NVIDIA Jetson Orin Nano and NX Barebone Box PC, LAN 2
товар відсутній
EPC-S101AQ-S0A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom E8000 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module
товар відсутній
EPC-S101CD-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom Celeron N3060 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module, 12-24VDC input
товар відсутній
EPC-S101CQ-S6A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom Celeron N3160 Fanless Embedded Box PC with Multiple I/O Extension Module
товар відсутній
EPC-S201M00-S1A1EAdvantechEmbedded Box Computers Intel Atom N3350 DC BareboneEmbedded SBC Fanless Slim System
товар відсутній
EPC-S201M00-S1A1EAdvantechEmbedded SBC Fan-less Slim System
товар відсутній
EPC-S202E-S8A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel APL E3930, 4G DRAM, 32GBeMMC HDMI, embedded fanless system
товар відсутній
EPC-S202E-U0A1AdvantechEmbedded Box Computers Intel APL E3950, 4G DRAM, 32GBeMMC HDMI, embedded fanless system
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 FANLESS BAREBONE, W/ I3-6100T
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, Wall Mount, VESA Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i3-6100
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: mini PCIe, PCIe
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA, mSATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22853A-00Y3EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.843" x 8.850" (250.00mm x 224.79mm)
Speed: 3.3GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Core Processor: Intel Core i3-6100
Cooling Type: Fan
Form Factor: mini-ITX
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe, mSATA
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (1), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (4), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD/SSD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/-
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y0EAdvantechThin barebone system with desktop low profile Mini-ITX motherboard
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 barebone,w/ I5-6500TE, w/o AD (Needs Configuration)
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE, W/O AD
товар відсутній
EPC-T22855A-00Y1EAdvantech CorpDescription: EPC-T2285 BAREBONE,W/ I5-6500TE,
товар відсутній
EPC-T22857A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ I7-6700, W/O ADP,
товар відсутній
EPC-T22857A-00Y1EAdvantech CorpDescription: SBC 1 CORE 32GB/0GB RAM
Packaging: Bulk
Power (Watts): 65.16W
Size / Dimension: 9.840" x 1.740" (249.93mm x 44.19mm)
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Core Processor: Intel® Core™ i7-6700TE
Cooling Type: Fan
Form Factor: 2.5"
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (2)
USB: USB 2.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/0GB
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
EPC-T22857W-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22857W-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,W/O A
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900, W/O AD
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y1EAdvantech CorpDescription: SBC 2.8GHZ 2 CORE 32GB/0GB RAM
Power (Watts): 51W
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.840" x 1.740" (249.93mm x 44.19mm)
Speed: 2.8GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Core Processor: Celeron G3900
Cooling Type: Fan
Form Factor: 2.5"
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (2)
USB: USB 2.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD, mSATA
Number of Cores: 2
RAM Capacity/Installed: 32GB/0GB
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
EPC-T2285CA-00Y3EAdvantech CorpDescription: EPC-T2285 BAREBONE,W/ CPU G3900,
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 9.843" x 8.850" (250.00mm x 224.79mm)
Speed: 2.8GHz
Operating Temperature: 0°C ~ 45°C
Core Processor: Celeron G3900
Cooling Type: Fan
Form Factor: mini-ITX
Expansion Site/Bus: Mini-PCIe, mSATA
Video Outputs: DP, HDMI
Ethernet: 10/100/1000 Mbps (1), RJ45 (2)
USB: USB 2.0 (4), USB 3.0 (4)
RS-232 (422, 485): 2
Watchdog Timer: No
Storage Interface: 2.5" HDD/SSD, mSATA
Number of Cores: 1
RAM Capacity/Installed: 32GB/-
Part Status: Active
товар відсутній
EPC-T22863A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I3-8100T,W/O A
товар відсутній
EPC-T22863A-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22865A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,W/O A
товар відсутній
EPC-T22865A-00Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Rack Mount, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8500T
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y0EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: Rack Mount, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8500T
Approval Agency: CCC, CE, FCC
Expansion Type: M.2
Operating System: Without Operating System
Storage: Supports SATA
Memory: DDR4 SODIMM (32GB Max Capacity)
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I5-8500T,ADP W
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286,W/I5-8500T,8GB RAM,256GB SSD,
товар відсутній
EPC-T22865A-12Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T22867A-00Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T2286 STD BAREBONE,W/I7-8700,W/O AD
товар відсутній
EPC-T22867A-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC-T2286SA-00Y0UAdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-T32855A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T3285 ,W/I5 7500, CU HSK,W/O RAM, H
товар відсутній
EPC-T32855A-15Y1EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T3285 ,W/I5-7500, CU HSK, PWB, W/O
товар відсутній
EPC-T4000AdvantechAdvantech Corporation
товар відсутній
EPC-T42865A-00Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T4286G STD W/I5-8500T, W/O ADP,RAM,
товар відсутній
EPC-T42865A-08Y0EAdvantechEmbedded Box Computers EPC-T4286 barebone, w/CPU I5-8500T, 84W ADP, 4G RAM, 64G SSD
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y10AdvantechEmbedded Box Computers Emb EPC-U2117 E3930 w/4G RAM/32G eMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y11AdvantechEmbedded Box Computers EMB EPC-U2117 E3930 W/2G RAM/32G EMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y20AdvantechEmbedded Box Computers Emb EPC-U2117 E3930 w/4G RAM/64G eMMC
товар відсутній
EPC-U2117E3W-03Y2WAdvantechEmbedded Box Computers EMB EPC-U2117 E3930 W/4G RAM/64G EMMC/W
товар відсутній
EPC-U3233-WC033S0Advantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Supports Windows 10
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WF054S0AdvantechEmbedded Box Computers
товар відсутній
EPC-U3233-WF074SSAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Linux
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0Advantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Supports Windows 10
Storage: SSD, 128GB
Memory: DDR4 SODIMM (8GB Installed)
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0AdvantechAdvantech Corporation EPC-U3233 I5, 8GB RAM, 128GB NVME, 2COMS, 60W ADP
товар відсутній
EPC-U3233-WR054S0AdvantechEPC-U3233 i5,8G,128GB NVMe,2COMs,60WADP,w10,WiFi
товар відсутній
EPC-U32335B-00Y1EAdvantech CorpDescription: LINEAR IC'S
Packaging: Bulk
Display Type: No Display
Mounting Type: DIN Rail, VESA Mount, Wall Mount
Type: Box PC
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Supply: 12 ~ 24VDC
Core Processor: Intel® Core™ i5-8365UE 4.1GHz
Approval Agency: BSMI, CB, CCC, CE, FCC, UL
Expansion Type: M.2, PCIe
Operating System: Without Operating System
товар відсутній
EPC-XKIT01-ARW-BF527Unknown Arrow CompanyEPC Starter Kit
товар відсутній
EPC.00.250.NTNLEMODescription: CONN NIMCAMAC RCPT STR 50OHM PCB
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Socket
Contact Termination: Solder
Impedance: 50 Ohms
Mounting Type: Through Hole
Fastening Type: Push-Pull
Ingress Protection: IP50 - Dust Protected
Connector Style: NIM-CAMAC CD/N 549
Housing Color: Silver
Shield Termination: Solder
Center Contact Material: Bronze
Part Status: Active
Number of Ports: 1
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1376.02 грн
10+ 1148.68 грн
25+ 1088.69 грн
50+ 1006.89 грн
100+ 888.43 грн
250+ 829.2 грн
EPC.00.250.NTNLEMOCircular Push Pull Connectors STRAIGHT SOCKET
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1257.77 грн
10+ 1151.19 грн
25+ 898.08 грн
50+ 872.17 грн
100+ 769.88 грн
250+ 718.73 грн
500+ 702.79 грн
EPC.0B.304.HLNLEMODescription: CONN RCPT 4SKT R/A PCB
товар відсутній
EPC.0B.305.HLNLEMODescription: CONN RCPT 5SKT R/A PCB
товар відсутній
EPC05BGA
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC05SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 75 Watts 5 Volts
товар відсутній
EPC075PE97TE ConnectivityLow Signal Relays - PCB POWER CONTROLLER ELECTRONIC
товар відсутній
EPC0SC06B
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1001EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1005EPCDescription: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1007EPCDescription: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1009EPCDescription: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1011EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1012EPCDescription: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1013EPCDescription: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1014EPCDescription: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC1015EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC103G-GNA09+
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC104BFALTERA
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064/LC20ALTERA
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 20-Pin PLCC Tray
товар відсутній
EPC1064LC20ALTERA97+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.1 грн
25+ 1070.99 грн
100+ 749.55 грн
EPC1064LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 20-Pin PLCC Tray
товар відсутній
EPC1064LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064LC20ALTERAApr-37
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1614.41 грн
25+ 1153.37 грн
100+ 807.21 грн
Мінімальне замовлення: 8
EPC1064LC20AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1064LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1064PC8ALTERA09+
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1064PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA94+;
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTEPADIP8
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+865.58 грн
25+ 649.37 грн
100+ 472.07 грн
500+ 439.23 грн
1000+ 393.18 грн
2500+ 371.27 грн
EPC1064PC8XILINX09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA00+ DIP
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA94+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 64K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1064PC8ALTERADIP8
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8ALTERA
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064PC8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+932.17 грн
25+ 699.32 грн
100+ 508.38 грн
500+ 473.01 грн
1000+ 423.42 грн
2500+ 399.83 грн
Мінімальне замовлення: 13
EPC1064PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1064PI8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1064PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 65KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1064PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 64Kb 6 MHz
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1064TC3207+
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064TC32AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+158.58 грн
Мінімальне замовлення: 126
EPC1064V-LC2097
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064V-LC20PLCC
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20ALTERAPLCC20
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20ALTERA99+ PLCC
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VLC20AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64KB
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
139+143.98 грн
Мінімальне замовлення: 139
EPC1064VLC20ALTERA
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA9713
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 65kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+302.56 грн
Мінімальне замовлення: 66
EPC1064VPC8ALTERADIP8
на замовлення 647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VPC8ALTERA98+ DIP-8
на замовлення 831 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1064VTC32AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 64KX1, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 64KB
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
EPC1064VTC32Altera
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1152EC225-1MURATA06+ 1206-225K 50V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213ALTERAPLCC20
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213-LC200
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC12133059 S R6P1IntelIntel
товар відсутній
EPC1213DM8AlteraDescription: CONFIG MEMORY, 26KX8, SERIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-CDIP
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 208kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-CDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 212Kb 6 MHz
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1213LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1213LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213LC20ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1213LC20ALTERA03+ SOP
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LC20ALTEPAPLLCC20
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1213LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5340.54 грн
10+ 4747.38 грн
50+ 4272.43 грн
100+ 2354.59 грн
EPC1213LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1213LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5751.35 грн
10+ 5112.57 грн
50+ 4601.08 грн
100+ 2535.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC1213LI20AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 212KBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA97 DIP
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA99+;
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERA09+
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA09+ DIP-8
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 212Kb 6 MHz
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA99+
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 208K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1213PC8ALTERADIP8
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8ALTERA09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8AAltera
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PC8WALTERA00+
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8DIP-8
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1213PI8
на замовлення 880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1213PI8AlteraDescription: CONFIGURATION MEMORY, 212942X1,
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 212kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+34921.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
EPC12SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 75 Watts 12 Volts
товар відсутній
EPC13-004SMD 05+
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC13-00405+ SMD08
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC137-CSP6-DESPROS Photonics AGDescription: IC PHOTODIODE AMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Mounting Type: Chassis Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.2V
Current - Supply: 800 µA
товар відсутній
EPC138-CSP6-DESPROS Photonics AGDescription: IC PHOTODIODE AMP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Output Type: Digital
Mounting Type: Chassis Mount
Amplifier Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 4V ~ 5.2V
Current - Supply: 800 µA
товар відсутній
EPC1441ALTERAPLCC20
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441ALTERA09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441-LC20ALTERA99+ PLCC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441-PC8ALTERADIP8
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC14412C20WALTERA00+ PLCC
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20.09+ PLCC
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20HUGHES
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTERA03+ SOP
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+916.64 грн
25+ 687.68 грн
100+ 499.85 грн
Мінімальне замовлення: 13
EPC1441LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20ALTE09+
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.17 грн
25+ 638.56 грн
100+ 464.14 грн
EPC1441LC20ALTERA09+
на замовлення 618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NAllegro MicroSystemsSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1418.38 грн
EPC1441LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1527.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
EPC1441LC20N
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WNEC09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WALTERA09+ .
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WAT
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LC20WALTERAPLCC20
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LI20ALTERA06+
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441LI20ALTERA2000 PLCC
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20ALTERA
на замовлення 3754 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LI20ALTERA09+
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 3239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2508.11 грн
25+ 1805.4 грн
100+ 1290.09 грн
500+ 870.81 грн
1000+ 732.95 грн
2500+ 644.94 грн
EPC1441LI20N
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 20PLCC
товар відсутній
EPC1441LI20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1441PCALTERA01+ DIP8
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC-895
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERADIP8
на замовлення 636 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERA0507+
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1441PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERADIP
на замовлення 11647 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA01+;
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8
Код товару: 181149		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC1441PC8ALTERAN/A
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA1043 DIP
на замовлення 2288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1441PC8-NWALTERADIP8
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8CDA079919ALTERA09+ DIP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PC8NIntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441PCBALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERA07+;
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERADIP
на замовлення 20963 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERA09+
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 400KBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 440kb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1441PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441PI8ALTERA1043 DIP
на замовлення 1506 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441PI8ALTERADIP8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32ALTERAQFP32
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+252.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC1441TC32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TC32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32XILNIX04+
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+891.03 грн
25+ 689.23 грн
100+ 505.28 грн
500+ 456.55 грн
1000+ 397.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
EPC1441TC32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32NALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.39 грн
25+ 640 грн
100+ 469.19 грн
500+ 423.94 грн
1000+ 369.37 грн
EPC1441TC32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 430K-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC1441TC32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 440KBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TC32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+356.04 грн
25+ 302.7 грн
100+ 251.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441TI32IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC1441TI32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TI32Intel / AlteraCypress Semiconductor
товар відсутній
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
247+270.88 грн
Мінімальне замовлення: 247
EPC1441TI32IntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441TI32ALTERAQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TI32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 32TQFP
товар відсутній
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
товар відсутній
EPC1441TI32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 440Kb 8 MHz
товар відсутній
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC1441TI32N
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1441TI32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1441TI32NIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC144IPC8ALTERA00+
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144ITC32IDT05+ QFP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144ITC32IDT
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144PC8ALTERA0019+
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC144PC8ALTERA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC15T-N270-2GB-40SS-W7-NLOmron Automation and SafetyDescription: 15" IPC, ATOM, 40GB, WIN7
Packaging: Bulk
товар відсутній
EPC1664PI8ALTERADIP8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16FS35Q100GN(EPC4)EPC4
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100ALTERAQFP
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100.09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QC100Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QC100ALTEPA06+
на замовлення 2522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100DMIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100DMIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
Packaging: Tube
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100IIIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16QC100IIIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QC100NALTERAQFP
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QC100NALTERA
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTERAPQFP
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QC100NALTERATQFP
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTEPA06+
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100NALTERA08+ QFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QC100SSIntelIntel
товар відсутній
EPC16QC100SSIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16QC100TALTERA09+
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100ALTERATQFP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100ALTERAPQFP
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERA06+ SOP28
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100NALTERATQFP
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16QI100NALTERA09+ QFP100
на замовлення 270 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16QI100NAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 100QFP
товар відсутній
EPC16QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16QI100NALTERAPQFP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88IntelFlash 3.3V 16M-bit 88-Pin UFBGA Tray
товар відсутній
EPC16UC88ALTERABGA
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16UC88IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 88-LFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 88-UBGA (11x8)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC16UC88ALTERABGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88AAAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
товар відсутній
EPC16UC88ABIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UC88ABIntelIntel
товар відсутній
EPC16UC88IIIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UC88IIIntelIntel
товар відсутній
EPC16UC88NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 16Mb 33 MHz
товар відсутній
EPC16UC88NAlteraEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NALTERA09+ BGA
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 16MBIT 88UBGA
товар відсутній
EPC16UC88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UC88NALTERA937 BGA
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UC88SSIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
товар відсутній
EPC16UC88SSIntelIntel
товар відсутній
EPC16UI88ALTERA06+ ORIGINAL
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88/NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88AA
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16UI88AAIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UI88AAIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 88UBGA
товар відсутній
EPC16UI88NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC16UI88NAlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 88UBGA
товар відсутній
EPC16UI88NALTERABGA
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC16VC88ALTERA09+
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC175TriplettDescription: PARTICLE COUNTER PM2.5, PM10, CO
Packaging: Retail Package
Type: Air Quality
Includes: Adapter, Battery, USB Cable
For Measuring: Indoor Air Quality (IAQ)
Part Status: Active
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26539.59 грн
EPC1900T-T2500-2GB-40SS-W7-NLOmron Automation and SafetyDescription: 19" IND PC RES TOUCH COREDUO
товар відсутній
EPC19C8
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1C3T144C8ALTERAQFP 01+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1C3T144C8ALTERA01+ QFP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L120ALTERA01+ PLCC20
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20ALTERA
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20.09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1L20ALTERAPLCC20
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERA
на замовлення 672 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2117.36 грн
25+ 1799.14 грн
100+ 1028.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
EPC1LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1LC20ALTERA09+
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LC20ALTERA2000
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1966.12 грн
25+ 1670.63 грн
100+ 954.95 грн
EPC1LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1752.57 грн
25+ 1168.12 грн
100+ 876.28 грн
500+ 675.84 грн
1000+ 568.95 грн
2500+ 527.57 грн
5000+ 509.6 грн
10000+ 500.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
EPC1LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1627.39 грн
25+ 1084.68 грн
100+ 813.69 грн
500+ 627.57 грн
1000+ 528.31 грн
2500+ 489.88 грн
5000+ 473.2 грн
10000+ 465.17 грн
EPC1LC20NALTERAIC CONFIG DEVICE 1MBIT 20-PLCC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+793.62 грн
EPC1LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1LC20WALTERA2000
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LI20ALTERA99 PLCC
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC1LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1LI20IntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5827.02 грн
10+ 4370.45 грн
50+ 3885.4 грн
100+ 1926.48 грн
EPC1LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC1LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 20PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1P18NALTERADIP8
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1PC8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1PC8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1PC8(микросхема)
Код товару: 47277		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
EPC1PC8CCIntelDescription: IC CONFIG DEVICE
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1PC8CCIntelIntel
товар відсутній
EPC1PC8WDIP8
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC1PI8Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1PI8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5705.94 грн
EPC1PI8AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6144.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC1PI8IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC1PI8NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 1Mb
Programmable Type: OTP
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 8-PDIP
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC1PI8NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1M-bit 8-Pin PDIP Tube
товар відсутній
EPC1PI8NDIV-; Uживл, В = -; Інтерфейс = -; -
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+803.96 грн
10+ 746.55 грн
100+ 689.16 грн
EPC1PI8NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1Mb 8 MHz
товар відсутній
EPC1SI8ALTERA04+ SOP8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2Automation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16814.03 грн
EPC2
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC20-01007+
на замовлення 22740 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC200-CSP5ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.61 A/W @ 850nm, 0.43 A/W @ 940nm
Current - Dark (Typ): 5nA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120 грн
10+ 73.07 грн
100+ 54.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC200-CSP5ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.61 A/W @ 850nm, 0.43 A/W @ 940nm
Current - Dark (Typ): 5nA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+51.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2001EPCDescription: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001EPCDescription: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2001CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 102500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+160.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2001CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 107396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.53 грн
10+ 267.09 грн
100+ 216.06 грн
500+ 180.23 грн
1000+ 154.32 грн
EPC2007EPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007EPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2007CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.18 грн
10+ 120.19 грн
100+ 95.63 грн
500+ 75.94 грн
1000+ 64.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2007CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.74 грн
5000+ 62.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010EPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 6133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.44 грн
10+ 359.39 грн
100+ 299.49 грн
500+ 248 грн
1000+ 223.2 грн
EPC2010CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+231.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2010ENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2012EPCDescription: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012EPCDescription: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товар відсутній
EPC2012CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 10636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.01 грн
10+ 154.92 грн
100+ 123.32 грн
500+ 97.93 грн
1000+ 83.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2012CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.35 грн
5000+ 80.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2012C
Код товару: 179459		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2012CENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2013EPCDescription: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2014EPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2014EPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товар відсутній
EPC2014CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.91 грн
5000+ 40.27 грн
12500+ 38.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2014CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 53213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.35 грн
10+ 83.66 грн
100+ 65.05 грн
500+ 51.74 грн
1000+ 42.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2015EPCDescription: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товар відсутній
EPC2015EPCDescription: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товар відсутній
EPC2015CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 19049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.5 грн
10+ 184.75 грн
100+ 149.43 грн
500+ 137.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2015CEPCDescription: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+151.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2015CENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016EPCDescription: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2016CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 107880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.73 грн
10+ 137.56 грн
100+ 109.48 грн
500+ 86.94 грн
1000+ 73.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2016CEPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.54 грн
5000+ 71.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2018EPCDescription: GANFET N-CH 150V 12A DIE
товар відсутній
EPC2018EPCDescription: GANFET N-CH 150V 12A DIE
товар відсутній
EPC2019EPCDescription: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 94840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.07 грн
10+ 146.41 грн
100+ 118.4 грн
500+ 108.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2019EPCDescription: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2019ENGEPCDescription: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2020EPCDescription: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+545.38 грн
10+ 450.24 грн
100+ 375.19 грн
EPC2020EPCDescription: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+343.78 грн
1000+ 297.95 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2020ENGEPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2020ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2021EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+338.36 грн
2000+ 305.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2021EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 6866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.4 грн
10+ 492.38 грн
100+ 410.3 грн
500+ 339.75 грн
EPC2021ENGEPCDescription: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2021ENGREPCDescription: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товар відсутній
EPC2022EPCDescription: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.96 грн
10+ 491 грн
100+ 409.2 грн
500+ 338.84 грн
EPC2022EPCDescription: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+337.45 грн
2000+ 304.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2022ENGEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2022ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2023EPCDescription: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+344.26 грн
1000+ 298.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2023EPCDescription: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 7683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.1 грн
10+ 450.87 грн
100+ 375.71 грн
EPC2023ENGEPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2023ENGREPCDescription: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2024EPCDescription: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.07 грн
10+ 446.3 грн
100+ 371.89 грн
EPC2024EPCDescription: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+340.77 грн
1000+ 295.33 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2025EPCDescription: GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2025EPCDescription: GAN TRANS 300V 150MO BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2025ENGREPCDescription: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2029EPCDescription: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 46179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+593.52 грн
10+ 489.82 грн
100+ 408.19 грн
EPC2029EPCDescription: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+374.02 грн
1000+ 324.15 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2029ENGREPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2029ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030EPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+304.58 грн
1000+ 263.97 грн
2500+ 247.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2030EPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 3568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.86 грн
10+ 398.9 грн
100+ 332.41 грн
EPC2030ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2030ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031EPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+242.18 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2031EPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.94 грн
10+ 270.2 грн
100+ 233.21 грн
EPC2031ENGREPCDescription: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2031ENGRTEPCDescription: GANFET NCH 60V 31A DIE
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2032EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+302.57 грн
1000+ 262.23 грн
2500+ 245.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2032EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.71 грн
10+ 396.27 грн
100+ 330.21 грн
EPC2032ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2032ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2033EPCDescription: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 5117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+651 грн
10+ 537.36 грн
100+ 447.77 грн
EPC2033EPCDescription: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+410.29 грн
1000+ 355.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2033ENGREPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2033ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034EPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2034EPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2034CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+613.64 грн
10+ 506.84 грн
100+ 422.36 грн
EPC2034CEPCDescription: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+387.01 грн
1000+ 335.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2034ENGREPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2034ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.5 грн
5000+ 34.4 грн
12500+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2035EPCDescription: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 37276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
10+ 71.41 грн
100+ 55.56 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2036Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.72 грн
5000+ 57.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 15171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
10+ 71.41 грн
100+ 55.56 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2036EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.5 грн
5000+ 34.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товар відсутній
EPC2037
Код товару: 179458		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
EPC2037EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
10+ 71.41 грн
100+ 55.56 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2037Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 1.7A 4-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2037ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.5 грн
5000+ 34.4 грн
12500+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2038Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 0.5A 4-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2038EPCDescription: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 83063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
10+ 71.41 грн
100+ 55.56 грн
500+ 44.2 грн
1000+ 36 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2038ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.24 грн
5000+ 43.78 грн
12500+ 42.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2039EPCDescription: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 43823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.91 грн
10+ 83.79 грн
100+ 66.69 грн
500+ 52.96 грн
1000+ 44.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2039ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 27700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.01 грн
100+ 51.37 грн
500+ 40.86 грн
1000+ 33.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2040EPCDescription: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.67 грн
5000+ 31.8 грн
12500+ 30.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2040ENGREPCDescription: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2040ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2044EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 7488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+146.58 грн
10+ 127.04 грн
100+ 102.14 грн
500+ 78.75 грн
1000+ 65.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2044EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 47642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.62 грн
10+ 201.01 грн
100+ 162.62 грн
500+ 135.66 грн
1000+ 116.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2045EPCDescription: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+121.03 грн
5000+ 111.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товар відсутній
EPC2049ENGRTEPCDescription: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товар відсутній
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2050EPCDescription: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 15910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.58 грн
10+ 313.03 грн
100+ 253.22 грн
500+ 211.24 грн
1000+ 180.87 грн
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.76 грн
5000+ 31.88 грн
12500+ 30.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2051EPCDescription: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.5 грн
500+ 40.96 грн
1000+ 33.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 136532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.6 грн
10+ 80.61 грн
100+ 64.18 грн
500+ 50.96 грн
1000+ 43.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2052Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 8.2A 9-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2052EPCDescription: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.46 грн
5000+ 42.13 грн
12500+ 40.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.44 грн
10+ 351.78 грн
100+ 284.59 грн
500+ 237.4 грн
1000+ 203.27 грн
EPC2053EPCDescription: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+211.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2053Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 100V 48A Automotive 28-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 14067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.81 грн
10+ 90.09 грн
100+ 71.73 грн
500+ 56.96 грн
1000+ 48.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2054EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
товар відсутній
EPC2055EPCDescription: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.67 грн
10+ 129.67 грн
100+ 103.19 грн
500+ 81.94 грн
1000+ 69.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2059EPCTransistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+375.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+138.32 грн
5000+ 127.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2059EPCDescription: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 28300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.83 грн
10+ 229.79 грн
100+ 185.85 грн
500+ 155.04 грн
1000+ 132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 3737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.69 грн
10+ 172.29 грн
100+ 139.39 грн
500+ 116.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2065EPCDescription: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.17 грн
2000+ 99.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.79 грн
10+ 329.08 грн
100+ 274.26 грн
500+ 227.1 грн
EPC2066EPCDescription: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.17 грн
2000+ 204.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 4136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.41 грн
10+ 251.31 грн
100+ 203.28 грн
500+ 169.57 грн
EPC2067EPCDescription: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+160.67 грн
2000+ 145.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+431.85 грн
10+ 356.21 грн
100+ 296.87 грн
500+ 245.82 грн
EPC2069EPCDescription: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+244.81 грн
2000+ 220.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.25 грн
5000+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2070EPCDescription: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 9471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.72 грн
10+ 76.67 грн
100+ 59.62 грн
500+ 47.43 грн
1000+ 38.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товар відсутній
EPC2071EPCDescription: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.47 грн
10+ 356.07 грн
100+ 288.07 грн
500+ 240.31 грн
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 6661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+275.2 грн
10+ 222.53 грн
100+ 180.04 грн
500+ 150.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2088EPCDescription: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 4963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.3 грн
2000+ 129.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2100EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.51 грн
10+ 527.74 грн
100+ 439.78 грн
EPC2100EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 10A/40A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2100ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2100ENGRTEPCDescription: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2100ENGRTEPCDescription: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2101EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.51 грн
10+ 527.74 грн
EPC2101EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2101ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2101ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2101ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2102EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.17 грн
10+ 501.72 грн
100+ 418.06 грн
EPC2102EPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2102ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2102ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2102ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
EPC2103EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+645.98 грн
10+ 533.21 грн
100+ 444.3 грн
EPC2103EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+407.11 грн
1000+ 352.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2103ENGEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2103ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2104EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.17 грн
10+ 501.72 грн
100+ 418.06 грн
EPC2104EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+383.07 грн
1000+ 331.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2104ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товар відсутній
EPC2104ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товар відсутній
EPC2105EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.17 грн
10+ 501.72 грн
100+ 418.06 грн
EPC2105EPCDescription: GANFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+383.07 грн
1000+ 331.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2105ENGEPCDescription: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товар відсутній
EPC2105ENGRTEPCDescription: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товар відсутній
EPC2106EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 72524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.87 грн
10+ 97.98 грн
100+ 78.02 грн
500+ 61.95 грн
1000+ 52.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2106EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.26 грн
5000+ 51.21 грн
12500+ 49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2106ENGRTEPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товар відсутній
EPC2107EPCDescription: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.37 грн
10+ 107.53 грн
100+ 85.57 грн
500+ 67.95 грн
1000+ 57.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2107EPCDescription: GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2107ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108EPCDescription: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.4 грн
10+ 93.27 грн
100+ 74.24 грн
500+ 58.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2108EPCDescription: GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товар відсутній
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2108ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2110EPCDescription: GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 14435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.64 грн
10+ 125.24 грн
100+ 99.65 грн
500+ 79.13 грн
1000+ 67.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2110EPCDescription: GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.58 грн
5000+ 65.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2110ENGRTEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2110ENGRTEPCDescription: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2111EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+103.54 грн
5000+ 95.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2111EPCDescription: GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 19872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.69 грн
10+ 171.95 грн
100+ 139.12 грн
500+ 116.05 грн
1000+ 99.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2111ENGRTEPCDescription: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2112ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2115ENGRTEPCDescription: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товар відсутній
EPC2152EPCDescription: Linear IC's
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 85mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
товар відсутній
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 21194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434 грн
10+ 377.45 грн
25+ 359.89 грн
100+ 293.27 грн
250+ 290.06 грн
EPC2152ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+320.97 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 17929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.91 грн
10+ 174.44 грн
25+ 164.9 грн
100+ 134.11 грн
250+ 127.23 грн
500+ 114.17 грн
1000+ 94.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21601EPCDescription: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.22 грн
5000+ 93.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
10+ 176.31 грн
25+ 166.7 грн
100+ 135.57 грн
250+ 128.62 грн
500+ 115.41 грн
1000+ 95.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21601ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.82 грн
5000+ 92.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603EPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.04 грн
10+ 172.02 грн
25+ 162.63 грн
100+ 132.26 грн
250+ 125.48 грн
500+ 112.6 грн
1000+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+99.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21603ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.04 грн
10+ 172.02 грн
25+ 162.63 грн
100+ 132.26 грн
250+ 125.48 грн
500+ 112.6 грн
1000+ 93.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 38003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.39 грн
10+ 140.39 грн
25+ 132.69 грн
100+ 107.92 грн
250+ 102.39 грн
500+ 97.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21701EPCDescription: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.83 грн
10+ 245.71 грн
25+ 232.32 грн
100+ 188.95 грн
250+ 179.26 грн
500+ 160.85 грн
1000+ 133.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC21702ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC21704ENGRTEPCDescription: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+89.04 грн
5000+ 82.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2202EPCDescription: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.23 грн
10+ 147.94 грн
100+ 119.64 грн
500+ 99.8 грн
1000+ 85.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2203Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 1.7A Automotive AEC-Q101 4-Pin Die T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 25000
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.16 грн
5000+ 23.07 грн
12500+ 22.01 грн
25000+ 20.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2203EPCDescription: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.27 грн
500+ 29.64 грн
1000+ 24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 4038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.24 грн
10+ 128.01 грн
100+ 101.93 грн
500+ 80.94 грн
1000+ 68.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2204EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 3672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.57 грн
10+ 153.68 грн
100+ 122.32 грн
500+ 97.13 грн
1000+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2204AEPCDescription: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.63 грн
5000+ 80.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2206Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
товар відсутній
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 57744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+436.16 грн
10+ 352.33 грн
100+ 285.03 грн
EPC2206Efficient Power ConversionTrans MOSFET N-CH GaN 80V 90A 30-Pin Die T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+269.98 грн
1000+ 236.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2206EPCDescription: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 57744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+263.1 грн
1000+ 216.94 грн
2500+ 204.27 грн
Мінімальне замовлення: 500
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 15102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.18 грн
10+ 199.62 грн
100+ 161.46 грн
500+ 134.69 грн
1000+ 115.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2207EPCDescription: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+120.16 грн
5000+ 111.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2212EPCDescription: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 152740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.21 грн
10+ 107.04 грн
100+ 86.55 грн
500+ 79.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.18 грн
5000+ 48.36 грн
12500+ 46.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2214Efficient Power ConversionAutomotive 80 V Enhancement Mode Power Transistor
товар відсутній
EPC2214EPCDescription: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
на замовлення 25355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.69 грн
10+ 92.51 грн
100+ 73.68 грн
500+ 58.51 грн
1000+ 49.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 34124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.51 грн
10+ 348.87 грн
100+ 290.72 грн
500+ 240.73 грн
1000+ 216.66 грн
EPC2215EPCDescription: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+224.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2216EPCDescription: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.57 грн
10+ 75.01 грн
100+ 58.34 грн
500+ 46.41 грн
1000+ 37.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2216EPCDescription: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.38 грн
5000+ 36.12 грн
12500+ 34.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2218EPCDescription: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.79 грн
10+ 329.08 грн
100+ 274.26 грн
500+ 227.1 грн
EPC2218EPCDescription: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+226.17 грн
2000+ 204.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2218AEPCDescription: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+162.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC2218AEPCDescription: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.02 грн
10+ 197.82 грн
100+ 160.04 грн
500+ 146.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.42 грн
5000+ 35.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2219EPCDescription: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.69 грн
10+ 73.14 грн
100+ 56.92 грн
500+ 45.28 грн
1000+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.79 грн
10+ 145.51 грн
100+ 115.77 грн
500+ 91.93 грн
1000+ 78 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2221EPCDescription: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
на замовлення 36420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.56 грн
10+ 94.86 грн
100+ 75.5 грн
500+ 59.95 грн
1000+ 50.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2252EPCDescription: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.48 грн
5000+ 49.56 грн
12500+ 47.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.31 грн
10+ 362.02 грн
100+ 301.69 грн
500+ 249.81 грн
1000+ 224.83 грн
EPC2302EPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+293.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2302ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2302ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+296.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2304ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
на замовлення 37956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.31 грн
10+ 460.76 грн
100+ 383.97 грн
500+ 317.94 грн
1000+ 286.15 грн
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.98 грн
10+ 434.4 грн
100+ 362.03 грн
500+ 299.78 грн
1000+ 269.8 грн
EPC2305ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товар відсутній
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2306EPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товар відсутній
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 6460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.96 грн
10+ 287.15 грн
100+ 232.32 грн
500+ 193.79 грн
1000+ 165.94 грн
EPC2306ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+172.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2307EPCDescription: Linear IC's
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
товар відсутній
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 25385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.79 грн
10+ 329.08 грн
100+ 274.26 грн
500+ 227.1 грн
1000+ 204.39 грн
EPC2307ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+211.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 51406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+418.91 грн
10+ 345.34 грн
100+ 287.78 грн
500+ 238.29 грн
1000+ 214.46 грн
EPC2308ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+222.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+561.19 грн
10+ 488.37 грн
25+ 465.64 грн
100+ 379.46 грн
250+ 362.4 грн
500+ 330.42 грн
1000+ 283.07 грн
EPC23101ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+306.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товар відсутній
EPC23102ENGRTEPCDescription: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.12 грн
10+ 499.44 грн
25+ 476.25 грн
100+ 388.07 грн
250+ 370.63 грн
500+ 337.93 грн
1000+ 289.5 грн
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товар відсутній
EPC23103ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.79 грн
10+ 346.87 грн
25+ 330.75 грн
100+ 269.5 грн
250+ 257.38 грн
500+ 234.67 грн
1000+ 201.04 грн
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 10A
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 7379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.96 грн
10+ 307.22 грн
25+ 290.39 грн
100+ 236.19 грн
250+ 224.08 грн
500+ 201.06 грн
1000+ 166.79 грн
EPC23104ENGRTEPCDescription: IC GAN EPOWER STAGE 100V 10A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+178.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
EPC241BPRIGOHDIP24
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 4036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.65 грн
10+ 186.62 грн
100+ 151.01 грн
500+ 125.97 грн
1000+ 107.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2619EPCDescription: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 19943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.78 грн
10+ 184.26 грн
100+ 149.09 грн
500+ 124.37 грн
1000+ 106.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2619ENGRTEPCDescription: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.96 грн
5000+ 102.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2801EPCDescription: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC2815EPCDescription: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2818EPCDescription: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC2FSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21556.45 грн
EPC2GAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17963.71 грн
EPC2GBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21125.32 грн
EPC2GFSAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+21556.45 грн
EPC2GFSBAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25364.76 грн
EPC2L120Altera
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2L20ALTERAPLL20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2L20ALTERAPLCC20
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC2Altera
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERAPLCC
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA04+;
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12820.89 грн
10+ 8547.02 грн
50+ 7326.12 грн
100+ 4945.48 грн
500+ 4319.82 грн
1000+ 3996.29 грн
EPC2LC20ALTERA09+
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
товар відсутній
EPC2LC20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LC20ALTERALCC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA04+
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERA0507
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTEPAPLCC20
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13807.11 грн
10+ 9204.48 грн
50+ 7889.67 грн
100+ 5325.9 грн
500+ 4652.11 грн
1000+ 4303.7 грн
EPC2LC20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20ALTERAPLCC20
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LC20
Код товару: 79584		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
EPC2LC20EMIntelDescription: IC FPGA
товар відсутній
EPC2LC20EMIntelIntel
товар відсутній
EPC2LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+1949.71 грн
10+ 1910.91 грн
50+ 1815.44 грн
100+ 1575.47 грн
500+ 1386 грн
1000+ 1264.03 грн
2500+ 1074.43 грн
5000+ 967.32 грн
10000+ 870.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
EPC2LC20NALTERAКонфиг ПЗУ для APEX и FLEX, IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20-PLCC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+1234.52 грн
EPC2LC20NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; PLCC20; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Case: PLCC20
Kind of integrated circuit: config device
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FPGA
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
EPC2LC20NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; PLCC20; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Case: PLCC20
Kind of integrated circuit: config device
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FPGA
товар відсутній
EPC2LC20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 28484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1810.45 грн
10+ 1774.41 грн
50+ 1685.76 грн
100+ 1462.93 грн
500+ 1287 грн
1000+ 1173.74 грн
2500+ 997.68 грн
5000+ 898.22 грн
10000+ 808.65 грн
EPC2LC20NAlteraІМС PLCC-20 In-system programmable 3,3 or 5V configuration device, 1,6 Megabit Industrial Grate
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+3104.64 грн
EPC2LC20NALTERADescription: ALTERA - EPC2LC20N - FPGA-Konfigurationsspeicher, Flash, 1.6 Mbit, 8 MHz, JTAG, LCC, 20 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: LCC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: JTAG
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Taktfrequenz: 8
Anzahl der Pins: 20
Speichergröße: 1.6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: Flash
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товар відсутній
EPC2LC20N
Код товару: 200460		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC2LC20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.75V ~ 5.25V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2LC20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LC20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LC20NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять EPROM для сімейства FLEX; Uживл, В = 3,0...3,6, 4,75...5,25; Об'єм RAM = 1,6 Мбайт; Тексп, °C = 0...+70; PLCC-20
на замовлення 15 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2LC20UALTERA02+
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LGAutomation Components, Inc.Description: Analog Input (0-5VDC), Pressure
Packaging: Tape & Box (TB)
For Use With/Related Products: Sensors, Transmitters
Accessory Type: Converter
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17532.58 грн
EPC2LI20ALTERA03+;
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20
Код товару: 75619		Мікросхеми > Мікроконтролери
товар відсутній
EPC2LI20ALTERA09+
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LI20AILERA09+ QFP44
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERAPLCC
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20ALTERA08+
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20ALTERA09+ .
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tube
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20ALT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20ALTERAPLCC20
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2LI20NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC
Packaging: Tray
Package / Case: 20-LCC (J-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 20-PLCC (9x9)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять; Uживл, В = 3,0...3,6; 4,5...5,5; Об'єм RAM = 1,6 Мбайт; Тексп, °C = -40...+85; PLCC-20
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2LI20NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 20-Pin PLCC Tube
товар відсутній
EPC2LI20N
Код товару: 98948		AlteraМікросхеми > Мікроконтролери
Тип корпуса: PLCC-20
Короткий опис: FPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
Живлення, В: 3,0 ... 5,25 V
Тип ядра: FPGA
Частота: 10MHz
Робоча температура, °С: -40 ... +85°C
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+459 грн
EPC2LI20NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2LI20NGAIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC2LI20NGAIntelDescription: IC FPGA
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC2LI20UAltera
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2T32ALTERAQFP32
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2T32ALTERA2010+ QFP
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8445.4 грн
10+ 5630.26 грн
50+ 4826.16 грн
100+ 3257.96 грн
500+ 2845.46 грн
1000+ 2632.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2TC32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TC32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC2TC32IntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7842.15 грн
10+ 5228.1 грн
50+ 4481.44 грн
100+ 3025.25 грн
500+ 2642.21 грн
1000+ 2444.48 грн
EPC2TC32AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32CAF48ALTERA03/04+
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32HAF48ALTERA08+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TC32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32NALTERADescription: ALTERA - EPC2TC32N - FPGA-Konfigurationsspeicher, Flash, 1.6 Mbit, 8 MHz, JTAG, TQFP, 32 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TQFP
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
IC-Schnittstelle: JTAG
Betriebstemperatur, min.: 0
Versorgungsspannung, min.: 3
Taktfrequenz: 8
Anzahl der Pins: 32
Speichergröße: 1.6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.25
Betriebstemperatur, max.: 70
Speicher: Flash
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
товар відсутній
EPC2TC32NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; TQFP32; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kind of integrated circuit: config device
Case: TQFP32
Type of integrated circuit: FPGA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2361.57 грн
EPC2TC32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
товар відсутній
EPC2TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4231.62 грн
10+ 3462.45 грн
50+ 2538.82 грн
100+ 1836.67 грн
500+ 1360.36 грн
1000+ 1187.52 грн
2500+ 1145.61 грн
5000+ 1107.03 грн
10000+ 1088.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC2TC32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TC32NIntelConfiguration SRAM for FBGA
на замовлення 19027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3929.37 грн
10+ 3215.13 грн
50+ 2357.48 грн
100+ 1705.48 грн
500+ 1263.19 грн
1000+ 1102.7 грн
2500+ 1063.78 грн
5000+ 1027.95 грн
10000+ 1010.66 грн
EPC2TC32NINTELCategory: Programmable circuits
Description: IC: FPGA; SMD; TQFP32; 3.3VDC,5VDC; Kind of ciruit: config device
Mounting: SMD
Supply voltage: 3.3V DC; 5V DC
Kind of integrated circuit: config device
Case: TQFP32
Type of integrated circuit: FPGA
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1967.97 грн
EPC2TC32U-CAF48Altera
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TC32UCAF48Altera
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32ALTERA09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32IntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32
Код товару: 175936		Мікросхеми > Пам'ять
товар відсутній
EPC2TI32ALTERA08+ QFN36
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TI32ALTERATQFP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2TI32AlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC2TI32NIntelSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 1.6Mb 10 MHz
товар відсутній
EPC2TI32NAltera/IntelКонфігураційна пам'ять EPROM для сімейства FLEX; Uживл, В = 3,0...3,6; 4,5...5,5; Об'єм RAM = 1,6 Мбіт; Тексп, °C = -40...+85; TQFP-32
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
EPC2TI32NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 32-TQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1.6Mb
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 32-TQFP (7x7)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Verified
товар відсутній
EPC2TI32NAlteraSRAM Chip Sync 3.3V/5V 1.6M-bit 32-Pin TQFP Tray
товар відсутній
EPC2TI32NIntelConfiguration Devices for SRAM-Based LUT Devices
товар відсутній
EPC3.3SC36-AETA-USAIsolated DC/DC Converters 50 Watts 3.3 Volts
товар відсутній
EPC300-CSP4-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM 4XFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 0.86mm²
Current - Dark (Typ): 80pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC300-CSP4-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR PHOTODIODE 850NM 4XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 0.86mm²
Current - Dark (Typ): 80pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC310-CSP8-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 4 PHOTODIODES 850NM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 1.71mm²
Current - Dark (Typ): 160pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
товар відсутній
EPC310-CSP8-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 4 PHOTODIODES 850NM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-XFBGA, CSPBGA
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Response Time: 300ns
Viewing Angle: 150°
Spectral Range: 400nm ~ 1030nm
Color - Enhanced: Infrared (NIR)/Red
Responsivity @ nm: 0.6 A/W @ 850nm
Active Area: 1.71mm²
Current - Dark (Typ): 160pA
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.93 грн
10+ 172.08 грн
100+ 140.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC310DC-2
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC320-CSP16-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 8 PHOTODIODES 850NM
товар відсутній
EPC3205G-6(-LF) Трансформатор
Код товару: 198442		Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори інші
товар відсутній
EPC330-CSP32-001ESPROS Photonics AGDescription: SENSOR 16 PHOTODIODES 850NM
товар відсутній
EPC3408G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 3.3V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 3.3V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 37.5µH @ 100kHz
Part Status: Active
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.37 грн
10+ 198.59 грн
25+ 186.13 грн
50+ 161.69 грн
100+ 148.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3409G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 5V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 39µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.13 грн
10+ 190.28 грн
25+ 170.22 грн
50+ 151.3 грн
100+ 120.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3410G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 12V, 25W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT42691
Voltage - Primary: 36 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 12V
Footprint: 0.550" L x 0.669" W (13.97mm x 17.00mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.500" (12.70mm)
Inductance @ Frequency: 37µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.19 грн
10+ 155.69 грн
25+ 125.93 грн
50+ 115.59 грн
100+ 112.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC3472G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 5V, 25W
Packaging: Tray
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LTC4278
Voltage - Primary: 9 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.866" L x 1.140" W (22.00mm x 28.96mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.453" (11.51mm)
Inductance @ Frequency: 9µH @ 100KHz
Part Status: Active
товар відсутній
EPC3577G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FORWARD XFM 12V, 90W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 200kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Forward Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT4276A, LT4295
Voltage - Primary: 33 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 12V
Footprint: 0.830" L x 1.140" W (21.08mm x 28.86mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.453" (11.51mm)
Inductance @ Frequency: 180µH @ 100KHz
Part Status: Active
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.69 грн
2+ 700.24 грн
5+ 655.95 грн
10+ 533.77 грн
25+ 462.34 грн
50+ 386.37 грн
100+ 313.61 грн
EPC360GESTWINGDescription: ESTWING - EPC360G - Nagelzieher 14" (355mm) Pro-Claw weicher Griffbereich
tariffCode: 82052000
productTraceability: No
rohsCompliant: NA
euEccn: NLR
Gesamtlänge: 355mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NA
usEccn: EAR99
Klingenbreite: 25mm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2441.89 грн
EPC3630G-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 24V, 84W
Packaging: Tray
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 250kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Flyback Converters
Voltage - Isolation: 1500Vrms
Intended Chipset: LT4295
Voltage - Primary: 40 ~ 57V
Voltage - Auxiliary: 24V
Footprint: 1.036" L x 1.250" W (26.31mm x 31.75mm)
Chipset Manufacturer: Analog Devices
Height - Seated (Max): 0.540" (13.72mm)
Inductance @ Frequency: 15µH @ 100kHz
Part Status: Active
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+910.4 грн
10+ 731.38 грн
25+ 586.07 грн
50+ 433.12 грн
100+ 334.42 грн
EPC3634AG-LFPCA Electronics, Inc.Description: POE FLYBACK XFM 12V, 36W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC3668G-LFPCA Electronics, Inc.Description: PUSH-PULL XFM. 0.75W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 300 ~ 620kHz
Type: For DC/DC Converters
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Applications: Push-Pull Converters
Voltage - Isolation: 2500Vrms
Intended Chipset: SN6501, SN6505B
Voltage - Primary: 5V
Voltage - Auxiliary: 5V
Footprint: 0.276" L x 0.433" W (7.01mm x 11.00mm)
Chipset Manufacturer: Texas Instruments
Height - Seated (Max): 0.165" (4.19mm)
Inductance @ Frequency: 1mH @ 10kHz
Part Status: Active
на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.52 грн
5+ 123.86 грн
10+ 118.32 грн
25+ 101.3 грн
50+ 94.81 грн
100+ 91.56 грн
250+ 84.95 грн
600+ 75.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
EPC4
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC46N70ATeledyne RelaysGeneral Purpose Relays
товар відсутній
EPC4QC100ALTERA
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100ALTERA09+ QFP
на замовлення 1525 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100AlteraDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
товар відсутній
EPC4QC100ALTERATQFP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QC100ALTERA09+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100ALTERAQFP
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100AlteraDescription: CONFIGURATION MEMORY, 256KX16, P
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC4QC100Intel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QC100NALTERA
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NALTERAPQFP
на замовлення 1034 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NIntelFlash 3.3V 4M-bit 100-Pin PQFP Tray
товар відсутній
EPC4QC100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4QC100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QC100NALTERA901
на замовлення 570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100NALTERATQFP
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QC100TAltera
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100ALTERA
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100IntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4QI100ALTERAPQFP
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4QI100IntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NIntel / AlteraFPGA - Configuration Memory IC - Ser. Config Mem Flash 4Mb 66 MHz
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EPC4QI100NIntelEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NAlteraEnhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 and EPC16)
товар відсутній
EPC4QI100NIntelDescription: IC CONFIG DEVICE 4MBIT 100QFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-BQFP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4MB
Programmable Type: In System Programmable
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Supplier Device Package: 100-PQFP (20x14)
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
EPC4SI8N-JHG0ALTERA06+ЧЦ?
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC4SI8N-JHG2ALTERA07+ЧЦ?
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC5067J/CAT95+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC6-M5 фитинг
Код товару: 119211		Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів
товар відсутній
EPC600TriplettDescription: EPC600 ENVIRONMENTAL PARTICLE CO
Packaging: Box
Type: Air Quality
Includes: Adapter, Battery, Cable, Calibration Certificate, Filter, Tripod
For Measuring: Indoor Air Quality (IAQ)
Part Status: Active
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+124717.72 грн
EPC611 EVALUATION KITESPROS Photonics AGDescription: EPC611 EVALUATION KIT
Packaging: Box
Interface: UART, USB
Voltage - Supply: 5V, USB
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: EPC611
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Accessories
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+28758.46 грн
EPC611-CSP24-001ESPROS Photonics AGDescription: IC TIME-OF-FLIGHT
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: 3D Time of Flight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 9V
Pixel Size: 8µm x 8µm
Active Pixel Array: 8H X 8V
Frames per Second: 8000
на замовлення 13143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+868.72 грн
10+ 662.11 грн
25+ 627.25 грн
100+ 506.89 грн
500+ 474.19 грн
EPC611-CSP24-001ESPROS Photonics AGDescription: IC TIME-OF-FLIGHT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: 3D Time of Flight
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 8V ~ 9V
Pixel Size: 8µm x 8µm
Active Pixel Array: 8H X 8V
Frames per Second: 8000
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+497.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
EPC635-002 CC CHIP CARRIERESPROS Photonics AGDescription: EPC635-002 CC CHIP CARRIER
Packaging: Box
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: EPC635
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5412.11 грн
EPC635-CSP44-002ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Obsolete
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-002ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Obsolete
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-003ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Active
Frames per Second: 512
товар відсутній
EPC635-CSP44-003ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 160X60
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 44-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Voltage - Supply: 1.71V ~ 1.98V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 160H x 60V
Supplier Device Package: 44-CSP (6.26x4.18)
Part Status: Active
Frames per Second: 512
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2256.96 грн
10+ 1810.86 грн
25+ 1603.91 грн
100+ 1456.65 грн
EPC660 BC CHIP CARRIER – 320 X 240ESPROS Photonics AGDescription: 3D TOF IMAGER EPC660 BC 320 X 24
Packaging: Box
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7622.36 грн
10+ 6116.57 грн
25+ 5912.73 грн
EPC660 CC CHIP CARRIER – 320 X 240ESPROS Photonics AGDescription: 3D TOF IMAGER EPC660 CC 320 X 24
Packaging: Box
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8248.94 грн
10+ 7198.76 грн
25+ 6950.49 грн
EPC660 EVALUATION KIT EU & USESPROS Photonics AGDescription: EPC660 EVALUATION KIT EU & US
Packaging: Box
Interface: USB
Voltage - Supply: 24V
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Utilized IC / Part: epc660
Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories
Embedded: Yes, Other
Part Status: Active
товар відсутній
EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001ESPROS Photonics AGDescription: EPC660-007 CC CHIP CARRIER-001
Packaging: Box
Type: 3D Time of Flight
Sensor Type: Light, 3D Time-of-Flight (ToF)
Active Pixel Array: 320H x 240V
Utilized IC / Part: epc660
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6962.02 грн
10+ 5587.24 грн
25+ 5400.94 грн
EPC660-CSP68-007ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 320X240
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC660-CSP68-011ESPROS Photonics AGDescription: IC TOF IMAGER 320X240
Packaging: Tray
Package / Case: 68-XFBGA, CSPBGA
Type: CCD
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.25V ~ 3.63V
Pixel Size: 20µm x 20µm
Active Pixel Array: 320H x 240V
Supplier Device Package: 68-CSP (9.7x8.66)
Frames per Second: 158
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+5500.57 грн
18+ 4460.45 грн
27+ 4181.7 грн
Мінімальне замовлення: 9
EPC700-CSP6-AESPROS Photonics AGDescription: IC OUTPUT DRIVER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Status Flag
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: 1-Wire
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 9.6V ~ 30V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 50mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97)
Part Status: Active
товар відсутній
EPC7003ACEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 168 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23665.39 грн
10+ 21825.79 грн
EPC7004BCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Packaging: Tray
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 797 pF @ 50 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22763.61 грн
10+ 20531.25 грн
25+ 19759.35 грн
EPC7007BCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 525 pF @ 100 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23665.39 грн
10+ 21825.79 грн
EPC701-CSP6-AESPROS Photonics AGDescription: IC OUTPUT DRIVER
Features: Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, CSPBGA
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: 1-Wire
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Output Configuration: Low Side
Input Type: CMOS
Voltage - Load: 9.6V ~ 30V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 2V ~ 5.5V
Current - Output (Max): 50mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 6-CSP (1.39x0.97)
товар відсутній
EPC7014UBCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +7V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14368.09 грн
10+ 13251.19 грн
EPC7014UBSHEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Supplier Device Package: 4-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19287.28 грн
10+ 17788.35 грн
EPC7018GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 50 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23665.39 грн
10+ 21825.79 грн
EPC7019GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 20 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23665.39 грн
10+ 21825.79 грн
EPC7020GCEPC Space, LLCDescription: GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 5-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 5-SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1313 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23665.39 грн
10+ 21825.79 грн
EPC7128SQC100-15ALTEPA06+
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EPC7C001EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG04N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG04N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106057.74 грн
EPC7C002EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG10N30/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG10N30
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+106057.74 грн
EPC7C003EPC Space, LLCDescription: BD DEMO FBG20N18/GAM01P-C-PSE
Packaging: Box
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FBG20N18
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+107118.32 грн
EPC8002EPCDescription: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 53079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.72 грн
10+ 176.17 грн
100+ 142.5 грн
500+ 118.87 грн
1000+ 101.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC8002EPCDescription: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.05 грн
5000+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC8002ENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC8002TENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8003ENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8003TENGREPCDescription: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8004EPCDescription: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.97 грн
10+ 170.84 грн
100+ 138.23 грн
500+ 115.31 грн
1000+ 98.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC8004EPCDescription: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
EPC8004ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8004TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8005ENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
EPC8005TENGREPCDescription: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8007ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8007TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8008ENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8008TENGREPCDescription: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товар відсутній
EPC8009EPCDescription: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+113.25 грн
5000+ 104.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500