Продукція > FDB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB 09 L 1000 | Fischer Elektronik | D-Sub filter connector | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1012 | FINISAR | GBIC EVALUATION BOARD FDB кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1012 | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL GBIC TXRX | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1017 | FINISAR | EVALUATION BOARD FOR 2X5 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1017 | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL 2X5 SFF TXRX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFF Type: Telecom Utilized IC / Part: SFF Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1017 | Finisar | FTRJ-8519-1-2.5/FTRJ-1319-1-2.5 Fiber Optic Transceiver Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1018 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD SFP/SFP+ Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1019 | Finisar | Evaluation Board for 2X10 Pin | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1019 | Coherent | Description: BOARD EVAL 2X10 SFF TXRX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFF Type: Telecom Utilized IC / Part: SFF Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1019 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 2x10 pin SFF footpr | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1019 | FINISAR | EVALUATION BOARD FOR 2X10 PIN SFF FOOTPRINT PACKAGE FDB кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1022 | Finisar | XFP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1022 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD XFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, XFP Type: Telecom Utilized IC / Part: XFP Modules Supplied Contents: Board(s) Embedded: No | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1022 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1022 | FINISAR | XFP Evaluation Board FDB кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1022 | Coherent | Fibre Optic Development Tools XFP evaluation board | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1027 | Finisar | FTLF8528P2BCV Fiber Optic Transceiver Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1027 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD SFP/SFP+ Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP/SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s), Cable(s) Primary Attributes: SFP/SFP+ TXRX of 125Mb/s to 14.025Gb/s Embedded: No Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1027 | FINISAR | Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ footprint package FDB-1027 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Finisar Corporation | EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Finisar | Evaluation Board For Pluggable | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | Finisar Corporation | Description: EVALUATION BOARD FOR PLUGGABLE S Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP/SFP+ Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP+ Modules Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1032-SFP+ | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for pluggable SFP/SFP+ | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1033 | FINISAR | Laserwire Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, Laserwire Jack, SMA connectors EVALBOARD кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1033 | Finisar Corporation | Description: BOARD LASERWIRE 1-10.5GBPS SMA | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1034 | FINISAR | FDB-1034 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Coherent | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Coherent | Description: BOARD BREAKOUT 40G/100G CFP Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Finisar Corporation | 40G/100G CFP Breakout Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Brk/out Board (no cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1038-10BK | Finisar | 40G/100G CFP Breakout Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Coherent | Description: BACK BD 40G/100G CFP ELEC LOOP Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Coherent | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Finisar | 40G/100G CFP Electrical Loop B | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1040-EL | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1040-EL | Finisar | Fiber Optic Development Tools 40G/100G CFP Electrical Loop Back Board w/USB Interface (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1042 | Finisar Corporation | Description: EVAL BOARD QSFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP Type: Telecom Utilized IC / Part: QSFP Modules Supplied Contents: Board(s) Part Status: Obsolete | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1042 | FINISAR | Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 10.5 Gbps, QSFP cage, SMP conn FDB кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1043 | Coherent | Description: EVAL BOARD C.WIRE SMP Packaging: Box Function: Fiber Optic Transceiver, CXP Type: Telecom Utilized IC / Part: CXP Modules Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1043 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1043 | FINISAR | C.wire/CXP Breakout Evaluation Board, 1 - 12.5 Gbps, CXP cage, SMP connecto EVALBOARD кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1043 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Breakout Eval Brd C.wr/CXP 1-12.5Gbps | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1043 | Finisar | CXP Fiber Optic Transceiver Evaluation Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1044 | Finisar | XFP Evaluation Board for T-XFP | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1044 | Finisar Corporation | Description: EVAL BRD T-XFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1044 | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools XFP evaluation board tion board for T-XF | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1045 | Finisar | Evaluation Board for 12X10 GBP | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1045 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1045 | Coherent | Description: BOARD EVAL 12X10GBPS OPT ENGINE Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1045 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Eval Brd 12X10Gbps Optical Engine | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1047-CL | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL ENDURANCE NO SOLDER Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) Part Status: Discontinued at Digi-Key | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1047-CL | Coherent | Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1047-CL | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Endurance Evaluation Board, Fixture & Clamp for Module (No soldering) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1047-S | Finisar Corporation | Description: BOARD EVAL ENDURANCE SOLDER Packaging: Bulk Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1048 | Finisar Corporation | Description: WAVELENGTH TUNING BOX Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, SFP+/XFP Type: Telecom Utilized IC / Part: SFP+/XFP Modules Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Tunable Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1048 | Finisar | WAVELENGTH TUNING BOX FOR T-XF | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1048 | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools Wavelength Tuning Bo x for T-XFP & T-SFP+ | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1050 | Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPFN (4 cables incl.) Finisar pin-out | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1051 | Finisar | Quadwire/QSFP Breakout Evaluation | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1051 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1051 | Coherent | Description: EVAL BOARD FOR QSFP Packaging: Bulk Function: Fiber Optic Transceiver, QSFP Type: Telecom Utilized IC / Part: QSFP Modules Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1051 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Quadwire/QSFP Breakout Evaluation Board, 1 - 28 Gbps, QSFP cage, SMP connectors | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-1052 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+. | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1052 | Finisar Corporation | Evaluation Board for Tunable S | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1052 | Coherent | Description: EVAL BRD TUNABLE SFP+. Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1052 | Coherent | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for rd for Tunable SFP+. | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1052 | Finisar | Evaluation Board for Tunable S | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1053-10BK-EL | Finisar Corporation | Description: 100G CFP2 BREAKOUT/LOOPBACK BRD Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1053-10BK-EL | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 100G CFP2 Breakout & Loopback Board (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1053-10BK-EL | Finisar | 100G CFP2 Breakout/Loopback | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | Finisar | 100G CFP4 Breakout Board | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | Coherent | Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | Coherent | Description: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL Packaging: Bulk Function: Fiber Optics Type: Interface Supplied Contents: Board(s) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1054-4BK | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools 100G CFP4 Breakout Board (without cables) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1057 | II-VI / Finisar | Fibre Optic Development Tools Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.) TE-MBOM pin-out | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1057 | Finisar | Evaluation board for 12X25 Gbps Optical Engine LPTE (4 cables incl.)TE-MBOM pin-out | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1061-EL-BT | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools QSFP-DD Evaluation Kit: Breakout + loopback + BERT | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1062-ITTRA-RF-MMPX | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools ITTRA evaluation board with RF break-out | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1067-CFP2-DCO | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 200G/400G CFP2-DCO evaluation board (line side testing only) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-1068-QSFP-DD-DCO | II-VI / Finisar | Fiber Optic Development Tools 400G QSFP-DD-DCO evaluation board (line side testing only) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-2 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC Mounting: M20x1.5 Operating temperature: -20...70°C IP rating: IP65; IP67 Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 Conform to the norm: ATEX Ex Type of protection: surge arrestor Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-2 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC Mounting: M20x1.5 Operating temperature: -20...70°C IP rating: IP65; IP67 Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 Conform to the norm: ATEX Ex Type of protection: surge arrestor Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-2 24-N | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Conform to the norm: ATEX Ex Mounting: 1/2" NPT Type of protection: surge arrestor Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-2 24-N | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 2; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Conform to the norm: ATEX Ex Mounting: 1/2" NPT Type of protection: surge arrestor Number of poles: 2 Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25P(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25P(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT Packaging: Bulk Part Status: Active Features: Feed Through, Grounding Indents Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Contact Finish Thickness: 8.00µin (0.203µm) Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Primary Material: Metal | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25P(51) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25P0L2TI2/1-LF | Cinch Connectors | Filter D Straight Solder PCB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25PBL2TI2/1-LF | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PBL2TI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Stecker Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25 euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25PBL2TI2/1-LF | Cinch Connectors | Filter D Connector 25way Plug | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25PF(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25PF(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB PLUG PNL MNT Features: Feed Through, Grounding Indents Packaging: Bulk Connector Type: Plug, Male Pins Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Primary Material: Metal | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25PTI2/1-LF | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25PTI2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Stecker, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, IDC / IDT tariffCode: 85366990 productTraceability: No rohsCompliant: YES Anzahl der Kontakte: 25Contacts euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25PTI2/1-LF | Cinch Connectors | Conn Filtered D-Sub PIN 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25S(05) | HIROSE | Category: Other Hirose Connectors Description: FDB-25S(05) кількість в упаковці: 100 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25S(05) | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN D-SUB RCPT PNL MNT Packaging: Bulk Features: Feed Through Connector Type: Receptacle, Female Sockets Contact Finish: Gold Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Number of Positions: 25 Number of Rows: 2 Contact Type: Signal Flange Feature: Housing/Shell (Unthreaded) Termination: IDC, Ribbon Cable Connector Style: D-Sub Shell Material, Finish: Steel, Nickel Plated Shell Size, Connector Layout: 3 (DB, B) Part Status: Active Primary Material: Metal | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25S(05) | HIROSE | Category: Other Hirose Connectors Description: FDB-25S(05) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25S(05) | Hirose Connector | D-Sub Standard Connectors | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25S0L2T2/1-LF | Cinch Connectors | 25 way Filter D Connector Socket | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25SBL2T2/1-LF | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25SBL2T2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Buchse Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25Kontakt(e) euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-25SBL2T2/1-LF | Cinch Connectors | Filter D Connector 25way Socket RS0049000000L1K | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25ST2/1-LF | Cinch Connectors | Conn Filtered D-Sub SKT 25 POS Solder RA Thru-Hole 25 Terminal 1 Port | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-25ST2/1-LF | CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS | Description: CINCH CONNECTIVITY SOLUTIONS - FDB-25ST2/1-LF - D-Sub-Steckverbinder, Gefiltert, Buchse, Cinch - FD, 25 Kontakt(e), DB, Lötanschluss tariffCode: 85369010 rohsCompliant: YES Kontaktüberzug: Kontakte beschichtet mit Gold über Nickel hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kontaktmaterial: Kupferlegierung Ausführung: Buchse Steckverbindermontage: Durchsteckmontage usEccn: EAR99 D-Sub-Steckverbinder: Gefiltert Anzahl der Kontakte: 25 euEccn: NLR D-Sub-Gehäusegröße: DB Produktpalette: Cinch - FD productTraceability: No Kontaktanschluss: Lötanschluss Steckverbindermaterial: Stahlgehäuse SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB-3 | Plato | Chemicals CAP 10/PACK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-3 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC Mounting: M20x1.5 IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 Conform to the norm: ATEX Ex Type of protection: surge arrestor Number of poles: 3 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-3 24-M | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; M20x1.5; -20÷70°C; 32VDC Mounting: M20x1.5 IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm Kind of surge arrester: Type 2+3 Conform to the norm: ATEX Ex Type of protection: surge arrestor Number of poles: 3 кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-3 24-N | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Conform to the norm: ATEX Ex Kind of surge arrester: Type 2+3 Type of protection: surge arrestor Number of poles: 3 Mounting: 1/2" NPT Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-3 24-N | OBO BETTERMANN | Category: Surge Arresters Description: Surge arrestor; Type 2+3; Poles: 3; 22VAC; 1/2" NPT; -20÷70°C IP rating: IP65; IP67 Operating temperature: -20...70°C Conform to the norm: ATEX Ex Kind of surge arrester: Type 2+3 Type of protection: surge arrestor Number of poles: 3 Mounting: 1/2" NPT Max. operating voltage: 22V AC; 32V DC Leads: leads 250mm | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-4 | Plato | Chemicals YELLOWCAP 10/PACK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-GP | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN GUIDE PLATE | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-P | Hirose Connector | Bench Top Tools BLOOK FOR PLUG CONN PRESSURE | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-P | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB-S | Hirose Electric Co Ltd | Description: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0105N407L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 460 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 600 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L Код товару: 155287 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 291 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23100 pF @ 20 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB0105N407L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 460A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0105N407L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0105N407L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 600 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 300 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 310A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 310A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 304 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23660 pF @ 40 V | на замовлення 2488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0165N807L | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 3014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 769 шт: термін постачання 241-250 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | ON Semiconductor | на замовлення 740 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 306A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB016N04AL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 283W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 13599 шт: термін постачання 458-467 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0170N607L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0170N607L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0170N607L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 300A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 39A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19250 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 250W Case: D2PAK-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 249nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1440A; 250W; D2PAK-6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.44kA Power dissipation: 250W Case: D2PAK-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 249nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 270 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: Power Trench Series Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 SVHC: Lead | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19110 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 6400 шт: термін постачання 683-692 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0190N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 270A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V 2.4MOHM D2PAK-7L PowerTrench MOSFET | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N04AL7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 25 V | на замовлення 33049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0018 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 395 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 395 Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190A; Idm: 1060A; 395W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1060A Power dissipation: 395W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 226nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 226 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14885 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 265A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | на замовлення 89600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 246W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 178nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 916A Case: D2PAK Drain-source voltage: 80V Drain current: 162A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB024N08BL7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 246 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 9464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 162A; Idm: 916A; 246W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 246W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 178nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 916A Case: D2PAK Drain-source voltage: 80V Drain current: 162A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 80V 229A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB024N08BL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 246W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13530 pF @ 40 V | на замовлення 89995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0250N807L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 240A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0250N807L | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 240A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 40 V | на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0250N807L | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V | на замовлення 1306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8545 pF @ 50 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0260N1007L | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0260N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0260N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET NCH 60V 2.9Mohm | на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB029N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB029N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 193A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB029N06 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9815 pF @ 25 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB0300N1007L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 200 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2.7 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0300N1007L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 200A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0300N1007L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8295 pF @ 50 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB031N08 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15160 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB031N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 235A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 124nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 7.1mΩ | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 310W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 124nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 7.1mΩ кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 327 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | на замовлення 1802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | на замовлення 887 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 61429600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 29600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035AN06A0_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035AN06AD | на замовлення 9600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| FDB035AN06AO | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035N | NS | 06+ SIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 703 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 856A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 3.5mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB035N10A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 214 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 214 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; Idm: 856A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 116nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 856A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A On-state resistance: 3.5mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035N10A | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB035N10A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB039N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB039N06 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB045AN08 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 90A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 35200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 90A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 90A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UltraFET | на замовлення 8108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-CHAN PwrTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-F085C | onsemi | Description: MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK-3 (TO-263-3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0-SN00237 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 19A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB045AN08A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 375 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0039 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | на замовлення 11380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | FSC | TO263 10+ | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB047N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0039 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 375 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0039 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 164A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB047N10 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 164A; Idm: 656A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 164A Pulsed drain current: 656A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.21µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB047N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15265 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET | на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB050AN06A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0043 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 245 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 245 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V | на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB050AN06A0 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB060AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 255 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 255 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench | на замовлення 1163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB060AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V | на замовлення 79324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V 7L JEDEC GREEN EMC | на замовлення 3620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9895 pF @ 75 V | на замовлення 78400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB0630N1507L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB0690N1507L | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V TO263 7L JEDEC GREEN EMC | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB069AN04C0-BINZ | на замовлення 1688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 7986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm | на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 175W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 66nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 15mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 175W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 66nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB070AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V | на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 695 шт: термін постачання 788-797 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB070AN06A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 65024800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB070AN06A0_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB | на замовлення 24800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | на замовлення 6896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB075N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 130 A, 0.00625 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00625ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 110A; 333W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 110A Power dissipation: 333W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 95nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 5.5mohm | на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 333 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: FDB PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5595 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A-F085C | onsemi | Description: MODULE Packaging: Bulk | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A_SN00284 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 75 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB075N15A_TAPE | Micross Components | FDB075N15A_TAPE | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 150V 117A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 294W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; Idm: 468A; 294W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Case: D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 294W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A On-state resistance: 8.2mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 84nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 468A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET | на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB082N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 117A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 117A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6040 pF @ 25 V | на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB088N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | на замовлення 48412000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB088N08 | ONSEMI | FDB088N08 SMD N channel transistors | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB088N08 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB088N08 | onsemi / Fairchild | MOSFET NCH 75V 8.8Mohm | на замовлення 704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB088N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB088N08 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | на замовлення 48412000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB10AN06A0 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB10AN06AO | 03+ TO | на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB10N20L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB10N20L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 12965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 65A Pulsed drain current: 369A Power dissipation: 234W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB110N15A | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 65A; Idm: 369A; 234W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 65A Pulsed drain current: 369A Power dissipation: 234W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB110N15A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 92A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB110N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 92A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 92A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 92A, 10V Power Dissipation (Max): 234W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 75 V | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB120N10 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 52A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 296A кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB120N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 74A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5605 pF @ 25 V | на замовлення 453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Chan 12Mohm PowerTrench | на замовлення 4193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB120N10 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 296A; 170W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 52A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 170W Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 296A | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50FTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50FTM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS; UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 165W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET | на замовлення 767 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50UTM | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB12N50UTM-WS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50UTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB12N50UTM_WS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 165W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON-Semicoductor | Transistor N-MOSFET; 60V; 10V; 13,5mOhm; 62A; 115W; -55°C ~ 175°C; FDB13AN06A0 TFDB13AN06A0 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | на замовлення 6267 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; 115W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A Power dissipation: 115W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB13AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10.9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14AN06LA | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch PowerTrench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 67A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14AN06LA0-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14AN06LA0-F085 - MOSFET'S - SINGLE MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30 | onsemi | onsemi UF 300V 290MOHM D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14N30 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 140 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB14N30TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 14 A, 0.24 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 140 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 300V N-Ch MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB14N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB150N10 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB150N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 49A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V | на замовлення 588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB15N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 Код товару: 46102 | Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товар відсутній | ||||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB15N50_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi / Fairchild | MOSFET Discrete Auto N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1857 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB16AN08A0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 58 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 58 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 135 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB16AN08A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | MOSFET MOSFET 100V 268A 1.7 mOhm | на замовлення 1600 шт: термін постачання 627-636 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | на замовлення 737 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 268A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 700µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11600 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB1D7N10CL7 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 268A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 9A/45A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V | на замовлення 5810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20AN06A0 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 6234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 250 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi | Description: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V | на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.9A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12.9A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB20N50F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UniFETTM FRFET MOSFET 500V, | на замовлення 1572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB20N50F | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB20N50F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 250 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 7.8A/40A TO263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB24AN06LA0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 406 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 8A/79A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V | на замовлення 206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 56A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 56A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532 Код товару: 61087 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel QFET Trench | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5870 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2532_SB82254 | onsemi / Fairchild | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 26A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench | на замовлення 3735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2552 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2552-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET N-Chan PowerTrench M OSFET | на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2552-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2570 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2570 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2570 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 135W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2572 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2572 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 29A; 135W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 29A Power dissipation: 135W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 146mΩ Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2572 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UltraFET | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2572_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2614 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.0229 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 62 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 260 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 99nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 260W Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A On-state resistance: 27mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2614 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 99nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 260W Drain-source voltage: 200V Drain current: 62A On-state resistance: 27mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2614 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7230 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2614 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2670 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2670 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2670 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2670 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB2670 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 100 V | на замовлення 3668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 260W Gate charge: 101nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 36.3mΩ кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 260 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7280 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2710 | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 5600 шт: термін постачання 518-527 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB2710 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 50 A, 0.0363 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 50 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 260 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 260 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0363 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0363 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB2710 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB2710 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 260W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 260W Gate charge: 101nC Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: reel; tape Case: D2PAK On-state resistance: 36.3mΩ | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON-Semicoductor | Transistor N-Channel MOSFET; 300V; 10V; 129mOhm; 28A; 250W; -55°C~150°C; FDB28N30TM TFDB28n30tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 300V N-Channel | на замовлення 20718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 3295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 28A; 250W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 28A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.129Ω Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB28N30TM транзистор Код товару: 193843 | ON-Semicoductor | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB32N12 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| FDB33N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB33N25 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB33N25 | onsemi / Fairchild | MOSFET UF 250V 94MOHM D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB33N25TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 33A Power dissipation: 235W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON-Semicoductor | N-MOSFET 33A 250V 235W 0.094Ω FDB33N25TM TFDB33N25TM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 85 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Ch MOSFET | на замовлення 5879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 33A; 235W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 33A Power dissipation: 235W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 659 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB33N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2135 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB33N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi / Fairchild | MOSFET 75V N-Channel PowerTrench | на замовлення 2278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3502 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 40 V | на замовлення 619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 75V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3502 | ON Semiconductor | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB3502 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3502 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 18155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | на замовлення 20487 шт: термін постачання 953-962 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3632 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3632-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632-F101 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632-SN00239 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 310 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 310 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: N Channel Kanaltyp: N Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632_F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3632_SB82115 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 310W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 61A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652 Код товару: 155755 | VBSemi | Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 61 A Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41 Монтаж: SMD | у наявності 20 шт: 20 шт - склад |
| ||||||||||||||
| FDB3652 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 61A Power dissipation: 150W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 43mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 786 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Trench Mos. | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3652SB82059 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652SB82059 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3652SB82059 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3652_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3672 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3672 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 44 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3672-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 10213200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK | на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3672_F085/BKN | onsemi | Description: FDB3672_F085/BKN | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3682 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel Pwr Trench | на замовлення 7224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 862 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3682 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3682 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3682 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 6A/32A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 95W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB3860 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB38N30U | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 300V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120mO | на замовлення 4937 шт: термін постачання 686-695 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi | Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V | на замовлення 1195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB38N30U | onsemi | Description: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi / Fairchild | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB390N15A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V | на замовлення 4243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB3P50 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB3P50 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4020P | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB4020P - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB4020P | onsemi / Fairchild | MOSFET P-Ch Spec Enhance MODE FIELD EFFECT | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB4020P | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 10 V | на замовлення 6321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB4020P | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4020P | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4020P | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4030L | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB4030L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 15 V | на замовлення 13600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 5A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 150V 35A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB42AN15A0-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET TO263_03, SINGLE, N-CH, 150V, 42MOHM ULTRAFET TRENCH MOSFET | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB44N25 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB44N25 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 250V N-Ch MOSFET | на замовлення 9598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 307W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 26.4A On-state resistance: 69mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB44N25TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB44N25TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB44N25TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Mounting: SMD Power dissipation: 307W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 61nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Case: D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 26.4A On-state resistance: 69mΩ Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB52N20 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON-Semicoductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 122 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 52A Power dissipation: 357W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 357 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 52A Power dissipation: 357W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 52 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 357 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 euEccn: NLR Verlustleistung: 357 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB52N20TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-Ch MOSFET | на замовлення 18308 шт: термін постачання 513-522 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5645 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB5645 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5645 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4468 pF @ 30 V | на замовлення 8432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5645 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5645 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5645 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5680 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5680 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5680 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 7838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5685 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5685 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB5690 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB5690 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5690 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 12.6mΩ Gate charge: 135nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 242W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 Код товару: 176853 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET | на замовлення 5894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 242W; D2PAK Technology: PowerTrench® Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 80A On-state resistance: 12.6mΩ Gate charge: 135nC Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Power dissipation: 242W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 725 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB5800 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 242W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V | на замовлення 1268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 242 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB5800 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5800 | On Semiconductor | MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB5800_F085 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6021P | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6021P | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6021P | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6021P | Rochester Electronics, LLC | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 21255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6030 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6030 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6030BL | Rochester Electronics, LLC | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 82680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6030BL | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6030L | FAI | 0006+ | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB | на замовлення 22487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6030L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035A | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| FDB6035AL | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6035AL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 15 V | на замовлення 172289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035AL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6035AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 238055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035AL | FAIRCHILD | TO263 | на замовлення 3040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035AL | FAIR | TO252 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035AL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6035AL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6035L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6035L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6035L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6035L | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB603AL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB603AL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V | на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB603AL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB603AL | FAI | 0006+ | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB603AL | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6530A | FAIR | TO252 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6644 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6644 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6644 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6644S | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670 | FAIRCHILD | 03+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL Код товару: 150683 | Транзистори > Польові N-канальні | товар відсутній | ||||||||||||||||
| FDB6670AL | Fairchild | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB6670AL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6670AL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 92166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FSC | 09+ | на замовлення 2159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 91766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670AL | FAI | 04+ | на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL | FAIRCHILD | TO263 | на замовлення 10135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6670AL-NL | FAIRCHILD | 0651+ TO-263 | на замовлення 1120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AL-NL | INTEL | 09+ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AS | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 62A TO263AB | на замовлення 5998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AS | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AS | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670AS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB6670ASNL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670ASNL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670S | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670S | FSC | 09+ | на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6670S | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm@ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2639 pF @ 15 V | на замовлення 19090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6670S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676 | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 93W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5324 pF @ 15 V | на замовлення 25443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB6676 | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676S | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6676S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB66870AL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB66870AL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6690S | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6690S | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6690S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB6690S | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V | на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB66N15 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB66N15 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB66N15TM | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7020BL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7020BL | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL - 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 69317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | FSC | 09+ | на замовлення 5424 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | FAIR | TO252 | на замовлення 117 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BL | Fairchild Semiconductor | Description: 60A, 30V, 0.009OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | на замовлення 70285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | FAI | 02+ | на замовлення 556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL | Fairchild | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB7030BL | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BL | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BL-ON | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BL. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 60 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 Qualifikation: - SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BL. | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BL. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0068 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9 Verlustleistung: 60 Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0068 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068 SVHC: Lead (27-Jun-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BLS | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BLS | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 15 V | на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BLS | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030BLS | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7030BLS - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 | на замовлення 34400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030BL_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-CH. FET, 9 MO, TO263, T | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030BL_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L | FSC | 09+ | на замовлення 1691 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030L | FAIR | TO263/2.5 | на замовлення 134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | на замовлення 64336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7030L | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7030L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L | FAIRCHILD | на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB7030L_L86Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L_L86Z | onsemi / Fairchild | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7030L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7042L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7042L | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7042L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 120405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7042L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7042L | Fairchild | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB7045 | FAIRCHILD | 04+ | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7045L | FSC | 09+ | на замовлення 3538 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 122774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7045L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB7045L - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 119819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB7045L | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | FSC | TO | на замовлення 3325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB7045L | FAIRCHILD | на замовлення 1478 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB7045L_Q | onsemi / Fairchild | MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB7051L | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||||
| FDB8030L | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8030L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8030L | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8030L | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8030L | FAIRCHILD | TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8030L | FSC | 09+ | на замовлення 818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8030L | Fairchild Semiconductor | Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8030L_NL | onsemi / Fairchild | MOSFET 30V, TO263, NCH | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8030L_T | onsemi / Fairchild | onsemi | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8132 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8132_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8160 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V | на замовлення 17624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8160-F085 | Fairchild Semiconductor | Description: 80A, 30V, 0.0018OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11825 pF @ 15 V | на замовлення 9581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 28A; 300W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Kind of package: reel; tape Technology: UniFET™ Power dissipation: 300W Gate charge: 280nC Polarisation: unipolar Drain current: 28A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | на замовлення 4400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8441-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8441-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8442 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8442 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8442 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V NCHAN PwrTrench | на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8442-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8442-F085 - FDB8442-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8442-F085-FS | Fairchild Semiconductor | Description: 28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8442_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8443 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8443 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8443 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8443 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9310 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8443-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8443-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8443_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444 | Fairchild Semiconductor | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | на замовлення 167648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8444 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V | на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB8444-F085 - FDB8444-F085, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8444-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8444TS | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-6, D2PAK (5 Leads + Tab), TO-263BA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-5 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8410 pF @ 25 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444TS | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 6-Pin(5+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8444_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8445 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8445 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - Pre-Biased DISCRETES | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8445 | fairchild | 07+ to-263/d2-pak | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8445 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8445 | FAIRCHIL | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB8445 | fairchild | to-263/d2-pak | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8445-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 40V N-Ch PowerTrench | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8445_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8447L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 12.4mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi / Fairchild | MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 3303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 60W; D2PAK Case: D2PAK Mounting: SMD On-state resistance: 12.4mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Drain current: 50A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15A/50A TO263AB | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB8447L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8453LZ | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17.6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (TO-263) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 20 V | на замовлення 1734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi / Fairchild | MOSFET 100V NCHAN PwrTrench | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | на замовлення 705 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK Technology: UniFET™ Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 42mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK Technology: UniFET™ Mounting: SMD Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 42mΩ Polarisation: unipolar Gate charge: 21nC Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Type of transistor: N-MOSFET | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86102LZ | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | на замовлення 640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V | на замовлення 3189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | onsemi / Fairchild | MOSFET PWM PFC COMBO | на замовлення 19575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86135 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 7882 шт: термін постачання 418-427 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86360-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86360-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86360-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86360-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 253 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V | на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86360_SN00307 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: Power Trench FDD Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 3293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86363-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB86366-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86366-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86366-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 176 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 60V, 110A, 1.8mohm | на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
| FDB86563-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86563-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK) Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 176 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2 Verlustleistung: 176 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK) Verlustleistung: 176 Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET | на замовлення 1600 шт: термін постачання 420-429 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDB86566-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 80 Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 94 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB | на замовлення 2321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET | на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товар відсутній | |||||||||||||||
| FDB8832_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
| FDB8832_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK | товар відсутній |