Продукція > NTH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTHWellerSoldering Irons Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc
товар відсутній
NTHWellerChisel Tip 0.8mm NTH
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1484.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHWELLERWEL.NT-H Soldering tips
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1414.87 грн
2+ 1336.82 грн
NTHApex Tool Group B.V.Chisel Tip 0.8mm NTH
товар відсутній
NTH-FA3R3KTR
на замовлення 370000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH.WELLERDescription: WELLER - NTH. - Lötspitze, meißelförmig, 0.8mm
Breite der Spitze/Düse: 0.8
Spitze/Düse: Meißelförmig
Zur Verwendung mit: Lötkolben WMP
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+968.71 грн
5+ 891.21 грн
NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH027N65S3F-F155 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 75
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 595
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET III
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1398.2 грн
10+ 1180.54 грн
120+ 1091.89 грн
NTH027N65S3F-F155ON Semiconductor
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155onsemiMOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1560.01 грн
10+ 1365.85 грн
25+ 1178.39 грн
50+ 1171.75 грн
100+ 1038.24 грн
250+ 1021.63 грн
450+ 920 грн
NTH027N65S3F-F155onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1459.37 грн
30+ 1165.5 грн
120+ 1092.66 грн
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTH027N65S3F-F155ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1792.15 грн
10+ 1404.07 грн
120+ 1289.2 грн
510+ 1218.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTH027N65S3F_F155ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
товар відсутній
NTH030C-2.4576Diodes IncOscillator XO 2.4576MHz ±100ppm 50pF HCMOS/TTL 60% 5V 4-Pin Metal DIP Thru-Hole Bulk
товар відсутній
NTH03NA-2.048000MHZT
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA-2.0480MHZ(T)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA-2.0480T
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH03NA20480T
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505M
на замовлення 155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товар відсутній
NTH0505MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5-5V SINGLE 1KV DC/DC
товар відсутній
NTH0505MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 8-Pin SMD Tube
товар відсутній
NTH0505MC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0505MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 5.5V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 4.5V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH0505MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 5VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 5VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH0505MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-5Vout +/-200mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0509MCMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0509MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 9V +/-111mA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH0509MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-9Vout +/-111mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0509MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC SM 2W 9VIN 5VDUAL 1KV
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0512MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0512MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH0512SC
товар відсутній
NTH0512MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-12Vout +/-83mA Isolated 2W SMT
товар відсутній
NTH0512MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: CONV DC/DC 2W 5VIN 12V DUAL 1KV
товар відсутній
NTH0515MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH0515MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTH0515MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 5V TO 15V +/-67mA
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH0515MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
товар відсутній
NTH0515MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 5V +/-15Vout +/-67mA Isolated 2W SMT
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTH069AASARONIX0052+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH069AASARONIX0052+
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH080AA44.7360MHZ
на замовлення 958 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08312J803JTR
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH089AA362208
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08HCCITIZEN1000/REEL
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08HC-55.0000MHZ
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH08NB-25.0000(T)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH11D5R0LA/C130MURATA
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1205M
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1205MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-5V Single 1kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.05 грн
5+ 1067.93 грн
10+ 921.99 грн
25+ 910.7 грн
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1205MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 80%
Current - Output (Max): 200mA, 200mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 5V
Voltage - Output 2: -5V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1008.84 грн
5+ 967.33 грн
10+ 960.41 грн
NTH1205MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1205MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-5V 2W
товар відсутній
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W +/-5Vout +/-200mA 12Vin Isolated SMT
товар відсутній
NTH1205MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 5V/-5V 0.2A/-0.2A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.05 грн
5+ 1067.93 грн
10+ 921.99 грн
25+ 910.7 грн
NTH1209MC
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1209MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-9V 2W
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 9V/-9V 0.111A/-0.111A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1209MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD DC/DC SM 2W 12-9V Single 1kV
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1212MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters SUGGESTED ALTERNATE 580-NMH1212SC
товар відсутній
NTH1212MC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH1212MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 2W +/-12Vout +/-83mA 12Vin Isolated SMT
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-12V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 83mA, 83mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 12V
Voltage - Output 2: -12V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1212MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 12V/-12V 0.083A/-0.083A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1215MMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 2W 12V - 15V +/-67mA
товар відсутній
NTH1215MCMurataDC-DC перетворювач; Кіл. вих. кан. = 2; Uвих1, В = -15; Uвих2, В = 15; Pвих, Вт = 1; Pвих2, Вт = 1; Uвх (max), В = 13,2; Uвх (min), В = 10,8; Iвих1, А = 0,067; Iвих2, А = 0,067; Uізол., В = 1 000; ККД, % = 84; Рів. пульс., мВ = 150; Тексп, °С = -40...+85
на замовлення 47 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+946.58 грн
10+ 883.47 грн
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tube
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Part Status: Last Time Buy
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1215MCMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD Tube
товар відсутній
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC/DC SM 2W 12-15V Single 1kV
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1088.05 грн
5+ 1067.93 грн
10+ 921.99 грн
25+ 910.7 грн
NTH1215MC-RMurata Power Solutions Inc.Description: DC DC CONVERTER +/-15V 2W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 26-SMD Module, 12 Leads
Size / Dimension: 0.70" L x 0.50" W x 0.23" H (17.8mm x 12.7mm x 5.8mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Isolated Module
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Applications: ITE (Commercial)
Voltage - Input (Max): 13.2V
Efficiency: 84%
Current - Output (Max): 67mA, 67mA
Voltage - Input (Min): 10.8V
Voltage - Output 1: 15V
Voltage - Output 2: -15V
Power (Watts): 2 W
Number of Outputs: 2
Voltage - Isolation: 1 kV
товар відсутній
NTH1215MC-RMurata Power SolutionsModule DC-DC 12VIN 2-OUT 15V/-15V 0.067A/-0.067A 2W 12-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
NTH205MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH209MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH212MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH215MCMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH215MC-RMurata ElectronicsMurata
товар відсутній
NTH2410BL
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH25CST141BOmron Automation and SafetyOmron
товар відсутній
NTH25ST121BOmron Automation and SafetyOmron
товар відсутній
NTH294AAFCI0009
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH294AAPulse ElectronicsPulse
товар відсутній
NTH295AAPulse ElectronicsPulse
товар відсутній
NTH407AQPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH407AQNLPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH407CKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH411ARPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH413AE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH437ABTPULSE0
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AGT
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH437AWPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH439ANPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH439BBPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441BKPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441CT
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH441DCPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DCTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DDPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DDTPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DEPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DETPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH441DFPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AAPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AANLPulse Electronics NetworkDescription: FIXED IND
товар відсутній
NTH456AATPulse Electronics NetworkDescription: IC CHIP
товар відсутній
NTH456AAT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH465BB
на замовлення 470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH48HC3-33.3333
на замовлення 229 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G1S33B103FD01MURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G39A103E02
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G39A103F02MURATADIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4G40B203F01
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L013N120M3SON SemiconductorDiscrete SiC M3S 1200V 13mohm
товар відсутній
NTH4L014N120M3PON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 127A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+1339.92 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L014N120M3PonsemiDescription: SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 127A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 74A, 18V
Power Dissipation (Max): 686W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.63V @ 37mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 329 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6230 pF @ 800 V
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1919.96 грн
10+ 1643.21 грн
NTH4L014N120M3PonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2069.94 грн
10+ 1812.73 грн
25+ 1470.67 грн
50+ 1425.5 грн
100+ 1379.66 грн
250+ 1287.33 грн
450+ 1183.04 грн
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2810.09 грн
10+ 2247.2 грн
NTH4L015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 6433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1802.84 грн
30+ 1439.25 грн
120+ 1349.29 грн
510+ 1080.53 грн
NTH4L015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2621.72 грн
10+ 2287.11 грн
25+ 1944.95 грн
50+ 1798.81 грн
250+ 1761.61 грн
450+ 1677.25 грн
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L015N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 100A; Idm: 483A; 250W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 100A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 283nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 483A
Case: TO247
товар відсутній
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3026.25 грн
10+ 2420.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2312.79 грн
10+ 2018.02 грн
NTH4L015N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 142A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 142 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 142A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2269.02 грн
5+ 2116.26 грн
10+ 1963.5 грн
50+ 1686.25 грн
100+ 1525.24 грн
NTH4L016N065M3SON SemiconductorNTH4L016N065M3S
товар відсутній
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 116 A, 900 V, 0.016 ohm, TO-247
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2749.65 грн
5+ 2657.99 грн
10+ 2564.1 грн
50+ 2313.14 грн
100+ 2017.05 грн
NTH4L020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 116A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 484W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1810.02 грн
30+ 1444.83 грн
120+ 1354.53 грн
NTH4L020N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1966.09 грн
10+ 1721.82 грн
25+ 1396.93 грн
50+ 1353.76 грн
100+ 1309.92 грн
250+ 1222.23 грн
450+ 1123.26 грн
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2683.96 грн
10+ 2332.25 грн
NTH4L020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 102 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 102A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 510W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1991.07 грн
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 102A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 510W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
на замовлення 2216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2478.27 грн
30+ 1978.5 грн
120+ 1854.85 грн
NTH4L020N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2569.02 грн
10+ 2488.01 грн
25+ 1875.2 грн
100+ 1779.55 грн
250+ 1751.65 грн
450+ 1557.02 грн
900+ 1539.09 грн
NTH4L020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 102A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 84A; Idm: 408A; 255W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 408A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.22µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L022N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2078.04 грн
NTH4L022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1356.97 грн
10+ 1229.87 грн
25+ 1024.95 грн
100+ 868.85 грн
250+ 841.61 грн
450+ 787.15 грн
900+ 726.7 грн
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1561.08 грн
10+ 1322.52 грн
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A Automotive Tube
товар відсутній
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2115.35 грн
10+ 1601.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
NTH4L022N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1964.25 грн
10+ 1486.85 грн
NTH4L023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 23mohm 650V M3S
товар відсутній
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,19mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1630.99 грн
10+ 1491.17 грн
NTH4L025N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 15 V
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1332.19 грн
10+ 1130 грн
450+ 885.69 грн
NTH4L025N065SC1ON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+860.99 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L025N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1446.86 грн
10+ 1255.85 грн
25+ 1062.81 грн
50+ 1003.03 грн
100+ 944.57 грн
250+ 914.68 грн
450+ 856.23 грн
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L027N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7690 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4L027N65S3FON Semiconductor650 V, N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NTH4L027N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4 mOhm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1580.16 грн
10+ 1384.94 грн
25+ 1123.26 грн
50+ 1113.3 грн
100+ 1112.63 грн
450+ 945.24 грн
NTH4L027N65S3FON Semiconductor
на замовлення 310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L027N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 259nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1onsemiDescription: SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
товар відсутній
NTH4L028N170M1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 81A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L028N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2761.99 грн
10+ 2419.26 грн
25+ 1962.88 грн
50+ 1901.77 грн
100+ 1839.99 грн
250+ 1717.11 грн
450+ 1578.28 грн
NTH4L030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1176.98 грн
30+ 917.58 грн
120+ 863.61 грн
NTH4L030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+761.02 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1278.7 грн
10+ 1110.71 грн
25+ 939.93 грн
50+ 886.78 грн
100+ 834.97 грн
250+ 809.07 грн
450+ 755.93 грн
NTH4L030N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTH4L032N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-4L 32mohm 650V M3S
товар відсутній
NTH4L040N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.13 грн
10+ 753.59 грн
NTH4L040N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.83 грн
10+ 837.99 грн
25+ 709.43 грн
50+ 669.57 грн
100+ 630.38 грн
250+ 610.45 грн
450+ 570.6 грн
NTH4L040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+574.25 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+936.16 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товар відсутній
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1762 pF @ 800 V
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1350.15 грн
30+ 1077.71 грн
120+ 1010.35 грн
510+ 809.11 грн
NTH4L040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 58
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 319
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2523.12 грн
NTH4L040N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1441.44 грн
10+ 1264.25 грн
25+ 1026.94 грн
100+ 963.84 грн
250+ 956.53 грн
450+ 838.96 грн
2700+ 826.34 грн
NTH4L040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 41A; Idm: 232A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 160W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1826.3 грн
10+ 1443.6 грн
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.06 грн
30+ 871.54 грн
120+ 820.27 грн
NTH4L040N65S3FonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1214.37 грн
10+ 1083.21 грн
25+ 941.25 грн
50+ 850.91 грн
100+ 797.11 грн
250+ 770.54 грн
450+ 654.29 грн
NTH4L040N65S3FON Semiconductor
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH4L040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1118.06 грн
10+ 948.44 грн
100+ 820.28 грн
500+ 697.63 грн
NTH4L040N65S3FON Semiconductor650 V, 65 A, 40 m Ohm N Channel MOSFET
товар відсутній
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTH4L040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+876.31 грн
5+ 798.07 грн
10+ 719.83 грн
50+ 643.5 грн
100+ 544.18 грн
250+ 492.45 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.36 грн
10+ 839.28 грн
NTH4L045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 118353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+797.59 грн
30+ 621.68 грн
120+ 585.12 грн
510+ 497.63 грн
1020+ 456.45 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+515.35 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1137.62 грн
13+ 903.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+866.41 грн
10+ 752.44 грн
25+ 631.71 грн
50+ 599.16 грн
100+ 567.28 грн
250+ 548.01 грн
450+ 530.74 грн
NTH4L045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+827.46 грн
10+ 725.84 грн
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+805.97 грн
10+ 680.63 грн
25+ 536.72 грн
100+ 492.88 грн
250+ 464.32 грн
450+ 435.09 грн
900+ 391.25 грн
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+721.51 грн
10+ 685.19 грн
25+ 678.34 грн
NTH4L060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-4L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 25398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.42 грн
30+ 572.16 грн
120+ 511.93 грн
510+ 423.91 грн
1020+ 381.52 грн
NTH4L060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+423.13 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L060N090SC1onsemiMOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+970.26 грн
10+ 850.98 грн
60+ 739.32 грн
120+ 684.19 грн
270+ 662.27 грн
510+ 632.37 грн
1020+ 550.01 грн
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+713.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+507.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N090SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.03 грн
30+ 622.9 грн
120+ 586.25 грн
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+662.92 грн
NTH4L060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4L060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66.9 A, 900 V, 0.0531 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.09V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 320W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0531ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.65 грн
5+ 705.67 грн
10+ 663.94 грн
50+ 615.82 грн
100+ 526.3 грн
250+ 509.69 грн
NTH4L060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+471.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L067N65S3HonsemiDescription: SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4L067N65S3HON SemiconductorNTH4L067N65S3H
товар відсутній
NTH4L067N65S3HONSEMINTH4L067N65S3H THT N channel transistors
товар відсутній
NTH4L067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
товар відсутній
NTH4L070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+794.34 грн
10+ 671.47 грн
25+ 529.41 грн
100+ 486.24 грн
250+ 457.67 грн
450+ 428.45 грн
900+ 385.27 грн
NTH4L070N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTH4L070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+416.93 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L070N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.3 грн
10+ 597.69 грн
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.31 грн
10+ 621.4 грн
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+363.46 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.35 грн
30+ 490.01 грн
120+ 438.42 грн
510+ 363.03 грн
NTH4L075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.82 грн
10+ 585.14 грн
25+ 461.66 грн
100+ 424.46 грн
250+ 399.22 грн
450+ 373.98 грн
900+ 336.11 грн
NTH4L075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,57mohm,650V
товар відсутній
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1242.93 грн
2+ 920.89 грн
3+ 838.63 грн
NTH4L080N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+743.19 грн
10+ 700.49 грн
25+ 507.49 грн
100+ 472.29 грн
250+ 467.64 грн
450+ 442.4 грн
900+ 401.88 грн
NTH4L080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 21A; Idm: 125A; 28W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 125A
Power dissipation: 28W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1035.77 грн
2+ 738.99 грн
3+ 698.85 грн
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1017.94 грн
10+ 934.27 грн
NTH4L080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50.4A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+434.76 грн
Мінімальне замовлення: 450
NTH4L080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
на замовлення 117430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+763.1 грн
30+ 586.37 грн
120+ 524.65 грн
510+ 434.44 грн
1020+ 391 грн
NTH4L160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.35 грн
10+ 475.91 грн
25+ 349.4 грн
100+ 338.77 грн
250+ 338.11 грн
450+ 304.89 грн
900+ 284.3 грн
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+470.7 грн
10+ 431.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+441.51 грн
10+ 399.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4L160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 111W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 1121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+564.06 грн
30+ 433.43 грн
120+ 387.81 грн
510+ 321.12 грн
1020+ 289.01 грн
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+475.48 грн
28+ 429.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTH4L160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12.3A; Idm: 69A; 55.5W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 224mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 55.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12.3A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTH4L160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 27.3A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A Tube
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN019N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN019N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.015 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1463.5 грн
10+ 1404.63 грн
25+ 1302.54 грн
NTH4LN019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 19MOHM, TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1808.77 грн
10+ 1628.63 грн
25+ 1333.17 грн
50+ 1282.02 грн
100+ 1248.81 грн
450+ 1070.12 грн
NTH4LN019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN040N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTH4LN040N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.032 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 379W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1014.91 грн
5+ 941.14 грн
10+ 866.62 грн
50+ 772.2 грн
100+ 683.42 грн
250+ 652.76 грн
NTH4LN040N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.86 грн
10+ 924.32 грн
25+ 772.53 грн
50+ 747.95 грн
100+ 736.66 грн
450+ 626.4 грн
900+ 553.33 грн
NTH4LN040N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 62A Tube
товар відсутній
NTH4LN040N65S3HonsemiDescription: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+860.1 грн
10+ 760.85 грн
30+ 729.3 грн
120+ 573.43 грн
270+ 536.43 грн
510+ 499.44 грн
1020+ 465.78 грн
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HONSEMINTH4LN067N65S3H THT N channel transistors
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+603.58 грн
30+ 464.27 грн
120+ 415.41 грн
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+277.77 грн
10+ 271.64 грн
100+ 259.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTH4LN067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-4
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.08 грн
10+ 482.02 грн
25+ 383.94 грн
100+ 355.38 грн
250+ 334.79 грн
450+ 316.85 грн
900+ 304.23 грн
NTH4LN067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+299.13 грн
40+ 292.53 грн
100+ 279.18 грн
Мінімальне замовлення: 39
NTH4LN095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
товар відсутній
NTH4LN095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-4
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.6 грн
10+ 562.23 грн
25+ 447.05 грн
100+ 425.79 грн
250+ 404.53 грн
450+ 328.14 грн
900+ 311.54 грн
NTH4LN095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
товар відсутній
NTH502AANL
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH518AAT
на замовлення 720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH557AJT
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH570ABTPULSE99/00
на замовлення 2856 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH582AA
на замовлення 809 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH582AAT
на замовлення 988 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5D103KA
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5D223KA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103F08TH
на замовлення 55768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103J08TH
на замовлення 18808 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P33B103J08TH0402TEM
на замовлення 37616 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P35A221J08TH0402T
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P39B332K08TH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P39B682J08TH
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P42B104J08TH
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G10P42B104J08TH0402T
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P30B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103E07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103F07T
на замовлення 23497 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103F07TH
на замовлення 186921 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103J07T
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P33B103J07THMURATA01+
на замовлення 80043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P35A331K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J077HMURATA0603-1K
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07THMURATA0603-1K
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07TH 0603MURATA
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102J07TH0603-1KMURATA
на замовлення 356000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B102K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B471K07TH
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P36B681J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39A563K07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B152J07TH
на замовлення 2594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B153J07THmuRata2005+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B222J07TH0603TEM
на замовлення 7960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07T
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07TH0603TEM
на замовлення 10926 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B223J07TH
на замовлення 23973 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B332J07THMURATA05+
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B472J07TH
на замовлення 13693 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07T1
на замовлення 6782 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07THMURATA0603-6.8K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07TH 0603-6MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P39B682J07TH0603-6.8KMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B333J07T
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B333J07TH
на замовлення 36886 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473FJ07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J04TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07T
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07THMURATA06+
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J07THMURATA09+
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473J0TTH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473K07T
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P40B473K07TH
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P41B683J07TE0603TEM
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P41B683J07TH
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P42A104F18TH
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P42B104J07THMURATA02+
на замовлення 60010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATA01+
на замовлення 16010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224E07THMURATA0603L
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224J07THmuRata2005+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224K07TH0603TEM
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A224K07TH
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G16P45A474J07TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M29A221J04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M29A221J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M31B102JMURATA
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M31B102K04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103F04THMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04THMURATA0603-10K
на замовлення 18664 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH 0603-10MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M33B103J04TH0603-10K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH 0603-MURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH(0603-4.7K
на замовлення 416000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A472J04TH0603-4.7KMURATA
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35A47J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04T
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04THMURATA0603-4.7K
на замовлення 352000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M35AA472J04TH 0603MURATA
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M36B682K04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M36B682K04TH0603TEM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B153J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B153K04TH0603TEM
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B223J04TH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M39B223K04TH
на замовлення 3496 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B222J07TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333J04TH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333K04TH0603TEM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B333K04TH
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473JMURATA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473J04TH0603TEM
на замовлення 30022 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M40B473J04TH
на замовлення 805011 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B101J04THMURATA02+
на замовлення 18010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04THMURATA0603-100K
на замовлення 585048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04THMURATA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04TH 0603-MURATA
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104J04TH0603-100K
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B104K04TH
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04THMURATA0603-200K
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH 0603-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH 0603-20MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204J04TH0603-200K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G1M42B204K04TH0603TEM
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221J07TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221J07TE0805T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P35A221K07TE
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P36B102J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P36B471J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103J07T
на замовлення 148000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103J07TE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39A103K07TE
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B153J07TE
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B222J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B223J07TE
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P39B472J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B330J07TE0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B330J07TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B333J07TE
на замовлення 3195 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473J07T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473J07TEMURATASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P40B473K07TE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B103J07TE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B103k07TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104F15TE
на замовлення 8400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104J07T
на замовлення 10470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G20P42B104J07TE
на замовлення 120580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221J01TE
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221J01TE0805T
на замовлення 560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221K01TE
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A221K01TE0805T
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA06+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA06+
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G29A331J01TEMURATA09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471J04TE
на замовлення 3371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471J04TE0805T
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M29B471K04TE
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31A681J04TE0805T
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31B102JMURATA
на замовлення 15736 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M31B102J04TE
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J04TE
на замовлення 2718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472J04TE-1
на замовлення 916 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M35A472K04TEMURATA
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103E12TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103E12TE0805T
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103J04TE(10K)
на замовлення 18200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103K04TE0805T
на замовлення 15490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M36B103K04TE
на замовлення 7745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39A103Q04TE
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39A103Q04TE0805T
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B104J04TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B222K04TE
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332J04TE
на замовлення 89000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TEMURATA0805-3.3K
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TE 0805-MURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K04TE0805-3.3KMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B332K07TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M39B333K04TE
на замовлення 7997 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B333K04TE
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B473J04TE0805T
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M40B473J04TE
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M41B683J04TE0805T
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M41B683J04TE
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M42B104J04TE
на замовлення 119600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M42B104JTE
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2M69B471K04TE
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2MB104K04TE
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G2MP39B222J04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102J01TE0805T
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102J01TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102K
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G31B102K0805T
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G32M31B102J04TE
на замовлення 340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A472J04TH05+ 603
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A472J04TH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A502K0111
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G35A502K01TE
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103JMURATA
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103J01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103K01TEMARATA2006
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B103K0TE
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G36B682K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152J
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152J0805T
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B152K01TEMURATA98+
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153J01TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153J01TE0805T
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153KMURATA
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B153K01TE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B222K01TE
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223E01TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223E01TE0805T
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223J01TE
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B223K01TE
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332KMURATA
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332K01TEMURATA
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G39B332K01TE1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G40B303J01E
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G40B473K01TE
на замовлення 28900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G41B683J01TE
на замовлення 25030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G41B683J01TE0805T
на замовлення 50060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G42B104K01TE
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5G42B104K01TF
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5GM39B681K04TE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTH5GZM35A472K04TE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA3HB-1.5440MHZ-E(T)
на замовлення 328 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA3HB2048T
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA6HC-E13.5000MHZ(T)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA6HC166700T
на замовлення 824 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHA8HB-33.3300T
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHBR11A1000SRAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETbridge+ 1x1 Right Angle Seal A code ,100Mohm resistance insulation,3A,Surface Mount termination.
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.09 грн
10+ 156.6 грн
100+ 125.54 грн
500+ 104.29 грн
1000+ 89.67 грн
2500+ 83.7 грн
5000+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHC08-3HJ103JTR0805T
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC08-3HJ103JTR
на замовлення 3209 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC083RJ803JTR
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1onsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHC5513T1ON1206-8
на замовлення 18954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
NTHC5513T1GON07+ SOT23-6
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHC5513T1GONSOT23-8
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary
товар відсутній
NTHC5513T1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-3A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 2.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 115/240mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHC5513T1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHC5513T1GON09+
на замовлення 33018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHC5513T1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+94.15 грн
125+ 93.26 грн
162+ 72.24 грн
250+ 68.96 грн
500+ 52.42 грн
Мінімальне замовлення: 124
NTHCBBA6A10150SAmphenol Commercial ProductsEthernet Cables / Networking Cables NETBRIDGE+ ASSY
товар відсутній
NTHCBBA6A10150SAmphenol ICC (Commercial Products)Description: NETBRIDGE+ CABLE ASS'Y, 1X1+6, F
Packaging: Bag
Connector Type: Socket to Socket
Color: Black, Individual
Length: 4.92' (1.50m)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 8
Number of Rows: 2
Cable Termination: Crimp
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1833.74 грн
10+ 1546.27 грн
25+ 1479.47 грн
50+ 1343.63 грн
NTHCCB12A104600Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB12A104600
товар відсутній
NTHCCB15B156000Amphenol Commercial ProductsAmphenol NTHCCB15B156000
товар відсутній
NTHD2102PT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GON06+NOP
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 8V 3.4A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD2102PT1GONSOT23-8
на замовлення 13810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET
товар відсутній
NTHD2102PT1GON09+
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD2102PT1GonsemiMOSFET -8V -4.6A P-Channel
товар відсутній
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
товар відсутній
NTHD2110TT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD2110TT1G - NTHD2110TT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD2110TT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 6.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 6 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+21.9 грн
Мінімальне замовлення: 919
NTHD3100CT1ON07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT1ON1206-8
на замовлення 2351 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 51.41 грн
100+ 39.97 грн
500+ 31.8 грн
1000+ 25.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
500+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.9/-4.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12/±8V
On-state resistance: 115/110mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD3100CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A, 3.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3100CT1GonsemiMOSFET 20V +3.9A/-4.4A Complementary
на замовлення 24085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.6 грн
10+ 55.99 грн
100+ 38.79 грн
500+ 32.88 грн
1000+ 26.77 грн
3000+ 25.31 грн
6000+ 24.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3100CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
13+ 59.31 грн
100+ 43.89 грн
500+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD3100CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH Si 20V 2.9A/3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3100CT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3100CT3
на замовлення 79986 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3100CT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
товар відсутній
NTHD3100CT3G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1ON0432+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GONSOT23-8
на замовлення 41422 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorMOSFET -20V -4.4A P-Channel w/4.1A Schottky
на замовлення 7019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTHD3101FT1GONROHS
на замовлення 25888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.21 грн
25+ 23.95 грн
100+ 16.9 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTHD3101FT1GONSEMINTHD3101FT1G SMD P channel transistors
товар відсутній
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 2383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.23 грн
10+ 68.02 грн
100+ 52.9 грн
500+ 42.08 грн
1000+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD3101FT1GONSOT-8
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3101FT1GON Semiconductor
на замовлення 2220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3101FT1GONS08+
на замовлення 21500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD3101FT1GON
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3101FT3ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD3101FT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD3102CON
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3102CT1G
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.71 грн
6000+ 26.33 грн
9000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.25 грн
17+ 34.09 грн
25+ 33.52 грн
100+ 23.88 грн
250+ 21.38 грн
500+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTHD3102CT1GonsemiMOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary
на замовлення 50740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+73.54 грн
10+ 59.2 грн
100+ 40.05 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 27.7 грн
3000+ 26.04 грн
6000+ 24.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD3102CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 66005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.7 грн
10+ 54.66 грн
100+ 42.53 грн
500+ 33.83 грн
1000+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD3102CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 5.5/-4.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD3102CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3103FT1G
на замовлення 10090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3133PFT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD3133PFT1G - NTHD3133PFT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD3133PFT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD3133PFT1GON0748NO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD3133PFT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 10 V
на замовлення 55717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 1480
NTHD3133PFT3GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4102PT1onsemiMOSFET -20V -4.1A Dual
товар відсутній
NTHD4102PT1
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4102PT1GONSOT-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.24 грн
6000+ 24.98 грн
9000+ 23.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1G
Код товару: 109267		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.82 грн
500+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTHD4102PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4102PT1GON Semiconductor
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4102PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 12218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.9 грн
100+ 40.35 грн
500+ 32.1 грн
1000+ 26.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD4102PT1GonsemiMOSFET -20V -4.1A Dual P-Channel
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
5+71.37 грн
10+ 57.67 грн
100+ 39.06 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.97 грн
3000+ 25.31 грн
6000+ 24.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHD4102PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4102PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.9 A, 2.9 A, 0.064 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.064ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.064ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 5630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
13+ 60.95 грн
100+ 43.82 грн
500+ 34.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHD4102PT3GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4102PT3GonsemiMOSFET PFET 20V 4.8A 80M
товар відсутній
NTHD4102PT3GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4401PT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1 - NTHD4401PT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT1onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 1174277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 1374
NTHD4401PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT1G - Leistungs-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.13 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2049045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4401PT1GON09+
на замовлення 675018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT3onsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GON09+
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT3GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4401PT3G - NTHD4401PT3G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTHD4401PT3GON0611NO
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4401PT3GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Obsolete
на замовлення 95300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 1268
NTHD4502N
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4502NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4502NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4502NT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4502NT1 - NTHD4502NT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 359015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4502NT1GonsemiMOSFET 30V 3.9A Dual N-Channel
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.85 грн
10+ 91.67 грн
100+ 62.51 грн
500+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товар відсутній
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4502NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2/2.9A; Idm: 16÷12.6A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2/2.9A
Pulsed drain current: 16...12.6A
Power dissipation: 0.6W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 37/83mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8/6.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+27.94 грн
23+ 25.95 грн
25+ 25.84 грн
100+ 21.48 грн
250+ 19.5 грн
500+ 17.3 грн
1000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
NTHD4502NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 640mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
товар відсутній
NTHD4502NT1G
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4502NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.9A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4504N
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4508NT1
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHD4508NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 590mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.59W
Case: ChipFET
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHD4508NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4508NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.06 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.06ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.06ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.38 грн
10+ 86.44 грн
100+ 77.5 грн
500+ 49.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHD4508NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
на замовлення 5786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 62.62 грн
100+ 48.73 грн
500+ 38.76 грн
1000+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD4508NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 3A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4508NT1GonsemiMOSFET 20V 4.1A Dual N-Channel
на замовлення 16499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.8 грн
100+ 79.45 грн
500+ 58.32 грн
1000+ 47.49 грн
3000+ 31.22 грн
6000+ 29.63 грн
9000+ 28.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHD4508NT1G
Код товару: 133952		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTHD4508NTIG
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4902FTIG
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02F
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1 - NTHD4N02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4N02FT1ON1206-8
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4N02FT1OnsemiSSOP-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1GON Semiconductor
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4N02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4N02FT1G - NTHD4N02FT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 238219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD4N02FT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD4P01FT1-D
на замовлення 990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P01FT1GONMSOP8 08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P01FT1GON08+ MSOP8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02F
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1 - NTHD4P02FT1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.6 грн
Мінімальне замовлення: 6000
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.22 грн
10+ 85.94 грн
100+ 66.82 грн
500+ 53.15 грн
1000+ 43.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4P02FT1GON09+
на замовлення 1788 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
товар відсутній
NTHD4P02FT1GonsemiMOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.7 грн
10+ 92.43 грн
100+ 62.37 грн
500+ 53.27 грн
1000+ 43.38 грн
3000+ 40.19 грн
6000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHD4P02FT1GON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max): 1.1W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товар відсутній
NTHD4P02FT1GON05NOPB
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD4P02FT1GONSOT23-8
на замовлення 9678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD4P02FT1GON SemiconductorTrans MOSFET -20V, -3A, Single P-Channel with 3A Schottky Barrier Diode 8-Pin
товар відсутній
NTHD4P02FT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD4P02FT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal + Schottky, 20 V, 2.2 A, 0.155 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Kanaltyp: p-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHD4P02PMOSS689SAGEMN/A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5902T1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5902T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5903T1
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5903T1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-Pin Chip FET T/R
товар відсутній
NTHD5903T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5903T1G - NTHD5903T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHD5903T1G
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5903T1GON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904NT1G - NTHD5904NT1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTHD5904NT1GON0539+ VSOP1206-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT1GON07+ VSOP1206-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904NT3ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904NT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904T1ON07+ TSOP1206-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 20V 3.1A CHIPFET
товар відсутній
NTHD5904T1ON04+ TSOP1206-8
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5904T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5904T1 - NTHD5904T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1687+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 1687
NTHD5905
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5905T1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHD5905T1 - NTHD5905T1, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2290+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 2290
NTHD5905T1
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHD5905T1ON SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
товар відсутній
NTHD6N03
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHG1M35A472J04TH
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2402.99 грн
6+ 2278.81 грн
10+ 2260.95 грн
25+ 2092.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
товар відсутній
NTHL015N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1796.37 грн
30+ 1434.17 грн
120+ 1344.56 грн
NTHL015N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET,12mohm,650V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2231.35 грн
5+ 2116.03 грн
10+ 2099.46 грн
25+ 1943.16 грн
NTHL015N065SC1ON SemiconductorNTHL015N065SC1
товар відсутній
NTHL015N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2613.28 грн
5+ 2532.06 грн
10+ 2450.84 грн
50+ 2164.37 грн
100+ 1894.41 грн
NTHL015N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1981.59 грн
10+ 1775.3 грн
450+ 1216.92 грн
900+ 1196.99 грн
2700+ 1196.33 грн
NTHL017N60S5HonsemiDescription: SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 400 V
на замовлення 2638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1000.94 грн
10+ 885.88 грн
25+ 849.17 грн
100+ 667.68 грн
450+ 581.52 грн
NTHL017N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL017N60S5HonsemiMOSFET SF5 600V FAST 17MOHM WITH TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1087.28 грн
10+ 798.27 грн
NTHL019N60S5FonsemiMOSFET SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+1515.84 грн
10+ 1117.58 грн
NTHL019N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 37.5A,10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 15.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 252 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13400 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1395.42 грн
10+ 1193.93 грн
NTHL019N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST 650V TO247
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1771.58 грн
10+ 1551.47 грн
25+ 1258.1 грн
50+ 1219.58 грн
100+ 1179.72 грн
250+ 1154.48 грн
450+ 1012.99 грн
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N65S3HON Semiconductor
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL019N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.3mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 14.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 282 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15993 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL019N65S3HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 73A; Idm: 328A; 625W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 328A
Power dissipation: 625W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 282nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL019N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 83A; Idm: 427A; 251W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 83A
Pulsed drain current: 427A
Power dissipation: 251W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...19V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 196nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 118 A, 900 V, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 503W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2421.77 грн
5+ 2246.66 грн
10+ 2071.55 грн
50+ 1890.37 грн
100+ 1612.74 грн
NTHL020N090SC1onsemiMOSFET 20MOHM 900V
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2798.41 грн
10+ 2451.34 грн
30+ 2051.89 грн
60+ 2016.69 грн
120+ 1863.91 грн
270+ 1794.83 грн
510+ 1667.95 грн
NTHL020N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 118A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 15V
Power Dissipation (Max): 503W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 450 V
на замовлення 1611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1820.08 грн
30+ 1453.16 грн
120+ 1362.33 грн
510+ 1090.98 грн
NTHL020N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 535W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2848.75 грн
5+ 2649.05 грн
10+ 2448.6 грн
50+ 2248.1 грн
100+ 1918.68 грн
NTHL020N120SC1onsemiMOSFET 20MW 1200V
на замовлення 914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2225.71 грн
10+ 2181.69 грн
25+ 1695.19 грн
50+ 1656 грн
100+ 1604.85 грн
450+ 1604.18 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2940.54 грн
10+ 2575.13 грн
30+ 2483.6 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3166.73 грн
10+ 2773.22 грн
30+ 2674.65 грн
60+ 2525.24 грн
120+ 2142.06 грн
270+ 1927.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHL020N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2466.06 грн
30+ 1968.95 грн
120+ 1845.91 грн
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL020N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3119.52 грн
5+ 2916.39 грн
10+ 2627.36 грн
20+ 2461.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHL020N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 73A
Pulsed drain current: 412A
Power dissipation: 267W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2389.02 грн
10+ 2184.89 грн
25+ 1921.99 грн
60+ 1703.39 грн
120+ 1601.99 грн
270+ 1578.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL022N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 40A, 18V
Power Dissipation (Max): 352W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 800 V
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2347.5 грн
10+ 2008.76 грн
100+ 1756.91 грн
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2749.83 грн
60+ 2579.59 грн
120+ 2447.9 грн
180+ 2260.21 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2431.36 грн
10+ 2272.97 грн
20+ 2048.08 грн
50+ 1919.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
NTHL022N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1319 грн
10+ 1145.85 грн
25+ 969.15 грн
50+ 915.35 грн
100+ 861.54 грн
250+ 834.31 грн
450+ 780.5 грн
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2289.73 грн
5+ 2218.38 грн
10+ 2028.83 грн
25+ 1784.71 грн
NTHL022N120M3SON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO-247-3L
товар відсутній
NTHL023N065M3SON SemiconductorSiC MOS TO247-3L 23mohm 650V M3S
товар відсутній
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A Tube
товар відсутній
NTHL025N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1428.27 грн
10+ 1240.57 грн
25+ 1049.53 грн
50+ 991.74 грн
100+ 932.62 грн
250+ 904.06 грн
450+ 844.94 грн
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1362.16 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1752.31 грн
10+ 1638.16 грн
20+ 1476.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
NTHL025N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 348W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1929.22 грн
5+ 1853.96 грн
10+ 1779.45 грн
50+ 1531.25 грн
100+ 1302.33 грн
NTHL025N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1314.94 грн
10+ 1115.61 грн
NTHL025N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1264.86 грн
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL027N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL027N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.023 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 595W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 595W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1467.97 грн
NTHL027N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 400 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1363.8 грн
30+ 1088.55 грн
120+ 1020.51 грн
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL027N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 60A; Idm: 187.5A; 595W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 187.5A
Power dissipation: 595W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 27.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL027N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL027N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650V 75A 27.4mOhm
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1480.19 грн
10+ 1296.33 грн
25+ 1052.18 грн
50+ 1019.64 грн
100+ 986.42 грн
250+ 925.31 грн
450+ 846.26 грн
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+937.66 грн
10+ 904.5 грн
25+ 895.13 грн
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+974.08 грн
25+ 963.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL030N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 30MOHM 1200V M3
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1413.54 грн
10+ 1227.58 грн
25+ 1038.24 грн
50+ 980.44 грн
100+ 922.65 грн
250+ 894.09 грн
450+ 836.3 грн
NTHL030N120M3SonsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1302.01 грн
30+ 1014.7 грн
120+ 955 грн
NTHL030N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 73A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1319.39 грн
10+ 1234.61 грн
20+ 1158.54 грн
50+ 1047.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL033N65S3HFonsemiMOSFET Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1384.87 грн
10+ 1203.14 грн
25+ 1045.54 грн
50+ 904.72 грн
250+ 819.69 грн
450+ 813.05 грн
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL033N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6720 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL033N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL033N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53A; Idm: 175A; 500W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 53A
Pulsed drain current: 175A
Power dissipation: 500W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 188nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.45 грн
NTHL040N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.29 грн
30+ 658.24 грн
120+ 619.51 грн
510+ 526.88 грн
1020+ 483.28 грн
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+917.56 грн
10+ 796.74 грн
25+ 674.22 грн
50+ 636.36 грн
100+ 598.5 грн
250+ 579.9 грн
450+ 542.7 грн
NTHL040N120M3SON SemiconductorNTHL040N120M3S
товар відсутній
NTHL040N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+958.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1383.06 грн
10+ 1292.97 грн
30+ 1253.33 грн
NTHL040N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1425.94 грн
10+ 1346.75 грн
25+ 1013.66 грн
50+ 996.39 грн
100+ 969.82 грн
250+ 969.15 грн
450+ 827 грн
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1312.79 грн
30+ 1048.14 грн
120+ 982.63 грн
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 42A; Idm: 240A; 174W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N120SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2
Dauer-Drainstrom Id: 60
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 348
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
MOSFET-Konfiguration: Eins
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.039
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.97
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1485.11 грн
5+ 1423.26 грн
10+ 1361.41 грн
50+ 1175.6 грн
100+ 1002.77 грн
NTHL040N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1489.45 грн
10+ 1392.43 грн
30+ 1349.74 грн
60+ 1246.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTHL040N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1056.27 грн
30+ 823.56 грн
120+ 775.11 грн
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 158nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 372-381 дні (днів)
1+1147.73 грн
10+ 1056.47 грн
25+ 796.45 грн
100+ 749.28 грн
250+ 736.66 грн
450+ 678.87 грн
900+ 654.96 грн
NTHL040N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1201.97 грн
10+ 1044.25 грн
25+ 791.8 грн
50+ 757.25 грн
100+ 745.3 грн
450+ 720.06 грн
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1107.28 грн
10+ 939.3 грн
NTHL040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+756.76 грн
18+ 661.06 грн
30+ 556.51 грн
120+ 487.31 грн
270+ 428.41 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTHL041N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 41MOHM, TO-247-3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+786.59 грн
10+ 705.08 грн
25+ 520.78 грн
100+ 492.22 грн
250+ 413.17 грн
450+ 401.88 грн
900+ 383.94 грн
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A Tube
товар відсутній
NTHL041N60S5HonsemiDescription: NTHL041N60S5H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 28.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5840 pF @ 400 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.62 грн
10+ 593.96 грн
30+ 566.35 грн
120+ 440.75 грн
NTHL041N60S5HONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; Idm: 200A; 329W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 329W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+702.7 грн
10+ 613.84 грн
30+ 516.76 грн
120+ 452.5 грн
270+ 397.81 грн
NTHL041N60S5HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL041N60S5H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 57 A, 0.0328 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 329W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V FAST
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0328ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+842.03 грн
10+ 704.18 грн
25+ 643.82 грн
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL041N60S5HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1105.07 грн
10+ 989.57 грн
25+ 835.33 грн
450+ 689.17 грн
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 1608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+843.94 грн
10+ 733.34 грн
25+ 620.42 грн
50+ 585.88 грн
100+ 551.33 грн
250+ 534.06 грн
450+ 498.86 грн
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL045N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.24 грн
10+ 789.98 грн
100+ 683.24 грн
500+ 581.08 грн
NTHL045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL050N65S3HFonsemiMOSFET SF3 650V 50MOHM
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.56 грн
10+ 850.98 грн
25+ 719.39 грн
50+ 679.54 грн
100+ 642.34 грн
250+ 641.67 грн
450+ 545.36 грн
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL050N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 378W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5017 pF @ 400 V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+902.5 грн
30+ 703.49 грн
120+ 662.1 грн
NTHL050N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL050N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 225 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL050N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 37A; Idm: 145A; 378W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 145A
Power dissipation: 378W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 125nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1163.65 грн
25+ 1109.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 20250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1241.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+840.72 грн
10+ 832.36 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+787.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
NTHL060N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 47 A, 650 V, 0.044 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 176W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1226.54 грн
5+ 1171.39 грн
10+ 1116.25 грн
50+ 955.56 грн
100+ 807.33 грн
250+ 790.72 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+731.24 грн
NTHL060N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 622 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.47 грн
10+ 641.67 грн
25+ 506.16 грн
100+ 464.98 грн
250+ 437.08 грн
450+ 409.85 грн
900+ 368.66 грн
NTHL060N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N065SC1onsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1473 pF @ 325 V
на замовлення 20783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+698.43 грн
30+ 537.1 грн
120+ 480.57 грн
510+ 397.94 грн
1020+ 358.15 грн
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+892.12 грн
15+ 823.27 грн
30+ 794.24 грн
60+ 722.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTHL060N090SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL060N090SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 46 A, 900 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 221W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.08 грн
5+ 838.31 грн
10+ 726.53 грн
50+ 643.5 грн
100+ 582.5 грн
250+ 559.51 грн
NTHL060N090SC1onsemiMOSFET 60MOHM 900V
на замовлення 1871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1001.26 грн
10+ 870.84 грн
30+ 719.39 грн
60+ 683.52 грн
120+ 674.22 грн
270+ 642.34 грн
510+ 621.08 грн
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL060N090SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+998.06 грн
10+ 847.07 грн
100+ 732.61 грн
NTHL060N090SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 900V; 32A; Idm: 184A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 110W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL060N090SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+828.4 грн
10+ 764.47 грн
30+ 737.51 грн
NTHL065N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+859.44 грн
10+ 779.94 грн
25+ 579.9 грн
100+ 526.09 грн
250+ 509.49 грн
450+ 464.32 грн
900+ 417.82 грн
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 6612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+791.84 грн
30+ 608.65 грн
120+ 544.58 грн
510+ 450.95 грн
1020+ 405.85 грн
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL065N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 65MOHM, TO-247
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+936.16 грн
10+ 880.01 грн
25+ 692.82 грн
50+ 666.92 грн
100+ 641.01 грн
450+ 547.35 грн
900+ 506.16 грн
NTHL065N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 115A; 337W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 337W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A Tube
товар відсутній
NTHL065N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 16179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.64 грн
30+ 553.83 грн
120+ 521.26 грн
510+ 443.32 грн
1020+ 406.63 грн
NTHL065N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL065N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.054 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 337W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 337W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+857.68 грн
10+ 745.16 грн
25+ 687.78 грн
100+ 585.38 грн
NTHL065N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON Semiconductor
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL067N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 67MOHM, TO-247-3
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+716.07 грн
10+ 621.05 грн
25+ 459 грн
100+ 395.23 грн
250+ 384.61 грн
450+ 369.33 грн
900+ 359.36 грн
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 266W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL067N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL067N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.055 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 266W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+736.22 грн
10+ 540.99 грн
25+ 507.45 грн
100+ 440.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+410.2 грн
31+ 378.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
NTHL067N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+380.9 грн
10+ 358.41 грн
25+ 351.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+846.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.87 грн
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL070N120M3SonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+747.07 грн
10+ 631.74 грн
25+ 498.19 грн
100+ 457.67 грн
250+ 430.44 грн
450+ 403.2 грн
900+ 363.35 грн
NTHL070N120M3SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL070N120M3SonsemiDescription: SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 800 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+776.75 грн
10+ 640.94 грн
100+ 534.14 грн
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTHL075N065SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 26A; Idm: 120A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 74W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 61nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL075N065SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.45 грн
10+ 543.13 грн
25+ 427.78 грн
100+ 393.24 грн
250+ 369.99 грн
450+ 346.74 грн
900+ 312.2 грн
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+543.93 грн
10+ 504.36 грн
25+ 470.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
товар відсутній
NTHL075N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 15A, 18V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1196 pF @ 325 V
на замовлення 5730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+591.37 грн
30+ 454.28 грн
120+ 406.47 грн
510+ 336.58 грн
1020+ 302.92 грн
2010+ 283.85 грн
NTHL075N065SC1ON SemiconductorSilicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+585.77 грн
22+ 543.16 грн
25+ 507.14 грн
50+ 465.23 грн
100+ 428.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTHL080N120SC1ON SemiconductorMOSFET SIC MOS 80MW 1200V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTHL080N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 44A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
товар відсутній
NTHL080N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 31A; Idm: 136A; 58W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 58W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL080N120SC1AONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL080N120SC1A - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 31 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 178W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+803.28 грн
5+ 776.46 грн
10+ 749.63 грн
50+ 670.49 грн
100+ 595.92 грн
250+ 572.92 грн
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL080N120SC1AonsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+787.37 грн
10+ 683.69 грн
25+ 577.9 грн
50+ 546.02 грн
100+ 514.14 грн
250+ 498.19 грн
450+ 465.64 грн
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL080N120SC1AonsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.3 грн
30+ 565.03 грн
120+ 531.79 грн
NTHL080N120SC1AONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 22A; Idm: 132A; 178W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 132A
Power dissipation: 178W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 114mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL080N120SC1AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+994.2 грн
480+ 926.37 грн
960+ 874.98 грн
1440+ 805.26 грн
Мінімальне замовлення: 30
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
товар відсутній
NTHL082N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 1218-1227 дні (днів)
1+722.27 грн
10+ 609.59 грн
30+ 480.92 грн
120+ 441.73 грн
270+ 415.83 грн
510+ 389.92 грн
1020+ 350.73 грн
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL082N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25.5A; Idm: 100A; 313W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25.5A
On-state resistance: 82mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Technology: SuperFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 100A
Case: TO247
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL082N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3HF
Код товару: 182440		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3HFonsemiMOSFET SF3 FRFET HF VERSION, 82MOHM, TO-247
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 1090-1099 дні (днів)
1+650.97 грн
10+ 550.01 грн
25+ 433.76 грн
100+ 398.55 грн
250+ 375.31 грн
NTHL082N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A Tube
товар відсутній
NTHL082N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 400 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.99 грн
30+ 460.94 грн
120+ 412.43 грн
NTHL082N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 95MOHM, TO-247-3
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+583.55 грн
10+ 537.78 грн
25+ 396.56 грн
100+ 393.91 грн
250+ 371.32 грн
450+ 328.14 грн
900+ 317.52 грн
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.21 грн
30+ 378.4 грн
120+ 338.57 грн
NTHL095N65S3HON Semiconductor
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 208W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.077ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+503.73 грн
10+ 438.15 грн
25+ 376.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 95MO
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.4 грн
10+ 475.91 грн
25+ 346.08 грн
100+ 345.41 грн
450+ 293.6 грн
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+519.51 грн
30+ 399.34 грн
120+ 357.3 грн
510+ 295.86 грн
1020+ 266.28 грн
NTHL095N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL095N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL095N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.078 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 36
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 272
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 272
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTHL095N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL095N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.8A; Idm: 90A; 272W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22.8A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL099N60S5onsemiMOSFET SUPERFET5 EASY, 99MOHM, TO-247-3
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+482.03 грн
10+ 437.71 грн
25+ 322.83 грн
100+ 269.69 грн
250+ 258.4 грн
450+ 240.46 грн
900+ 230.5 грн
NTHL099N60S5onsemiDescription: NTHL099N60S5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V
на замовлення 1202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.98 грн
10+ 352.96 грн
30+ 336.53 грн
120+ 261.91 грн
270+ 238.79 грн
510+ 223.39 грн
1020+ 197 грн
NTHL099N60S5ONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 184W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 184W
Bauform - Transistor: TO-247LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0792ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+439.65 грн
10+ 379.29 грн
25+ 313.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL099N60S5ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL1000N170M1onsemiMOSFET SIC 1700V MOS 1O IN TO247-3L
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.21 грн
10+ 281.11 грн
25+ 231.16 грн
100+ 198.61 грн
250+ 187.32 грн
450+ 175.36 грн
900+ 150.12 грн
NTHL110N65S3FonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.74 грн
30+ 373.11 грн
120+ 333.84 грн
510+ 276.44 грн
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL110N65S3FONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19.5A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 240W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 450 шт
товар відсутній
NTHL110N65S3FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL110N65S3FonsemiMOSFET SUPERFET3 650V
на замовлення 10770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+527.75 грн
25+ 414.8 грн
100+ 322.83 грн
450+ 284.97 грн
900+ 244.45 грн
NTHL120N60S5ZonsemiMOSFET SUPERFET5 EASY, 120MOHM, TO-247-3
товар відсутній
NTHL120N60S5ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2088 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL125N65S3HonsemiMOSFET SUPERFET3 FAST, 125MOHM, TO-247-3
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.93 грн
10+ 462.16 грн
25+ 340.76 грн
100+ 326.81 грн
250+ 305.56 грн
450+ 255.74 грн
900+ 245.78 грн
NTHL125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A Tube
товар відсутній
NTHL125N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+535.77 грн
5+ 459.02 грн
10+ 382.27 грн
50+ 348.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL125N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHL125N65S3HON Semiconductor
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL160N120SC1onsemiDescription: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+551.13 грн
30+ 423.74 грн
120+ 379.13 грн
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL160N120SC1onsemiMOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.2 грн
10+ 507.23 грн
25+ 348.74 грн
100+ 328.81 грн
250+ 328.14 грн
450+ 285.63 грн
900+ 277 грн
NTHL160N120SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL160N120SC1ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: SiC
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
товар відсутній
NTHL185N60S5HonsemiMOSFET SUPERFET5 FAST, 185MOHM, TO-247-3
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.43 грн
10+ 307.09 грн
25+ 251.75 грн
100+ 215.88 грн
250+ 203.26 грн
450+ 177.36 грн
900+ 160.09 грн
NTHL185N60S5HON SemiconductorPower MOSFET, N-Channel
товар відсутній
NTHL185N60S5HonsemiDescription: SUPERFET5 FAST 185MOHM TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHL190N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHL190N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHL190N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+405.26 грн
30+ 309.5 грн
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHL190N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12.7A; Idm: 50A; 162W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12.7A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 162W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHL190N65S3HFonsemiMOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
на замовлення 2715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.41 грн
10+ 364.38 грн
25+ 298.92 грн
100+ 256.4 грн
250+ 242.45 грн
450+ 198.61 грн
900+ 184 грн
NTHL190N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHL190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.165 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFON Semiconductor
на замовлення 220 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHLD040N65S3HFonsemiMOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1192.68 грн
10+ 1035.84 грн
30+ 876.82 грн
60+ 827 грн
120+ 778.51 грн
270+ 754.6 грн
510+ 705.44 грн
NTHLD040N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTHLD040N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 65 A, 0.032 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 65
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446
Bauform - Transistor: TO-247AD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+999.26 грн
5+ 948.59 грн
10+ 897.17 грн
NTHLD040N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 65A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 400 V
товар відсутній
NTHLD040N65S3HFONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 45A; Idm: 162.5A; 446W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 162.5A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 159nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTHNApex Tool GroupDescription: NTH SOLDERING TIP CHISEL 0 8MM
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHS-1005N02 9.2K 10% R580402TEM
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1005N029.2K10%R58
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1204N01
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206J02-8K5R58
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N01-50K
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N01/50K
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N0150K5%R58VISHAY
на замовлення 24010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N0150K5R58
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS-1206N17104KR58
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 10450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.06 грн
10+ 96.66 грн
25+ 80.57 грн
50+ 73.94 грн
100+ 67.2 грн
500+ 58.81 грн
1000+ 51.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHS0402N01N1003JEVishayThermistor NTC 100K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3974K -4.5 to -4 T/R Automotive
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JESMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1003JEVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+57.64 грн
4000+ 53.71 грн
6000+ 51.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTHS0402N01N1003JE
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N01N1003JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 100Kohms 5%
на замовлення 5471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.04 грн
10+ 131.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTHS0402N01N1003JFVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3974K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 100k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JPVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N1003JRVishay DaleDescription: THERM NTC 100KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N4702JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 47KOHM 3964K 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 68Kohms 5%
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 68KOHM 3964K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 68k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3964K
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.73 грн
10+ 54.32 грн
25+ 43.45 грн
100+ 37.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
NTHS0402N01N6802JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N01N6802JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 68K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N02 10K 5%TRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors
товар відсутній
NTHS0402N02N1002HEVishayNTC SMD Thermistors
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JE
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N02N1002JEVISHAYDescription: VISHAY - NTHS0402N02N1002JE - NTC-Thermistor, 10 kOhm, Produktreihe NTHS, 3477 K, -40°C bis 125°C, SMD, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85334090
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Bauform - Thermistor: 0402 [Metrisch 1005]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beta-Wert (K): 3477K
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Thermistoranschlüsse: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10kohm
Produktpalette: NTHS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.99 грн
50+ 67.29 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTHS0402N02N1002JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Part Status: Active
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.01 грн
10+ 210.28 грн
25+ 186.91 грн
50+ 166.64 грн
100+ 162.24 грн
500+ 135.93 грн
1000+ 125.08 грн
NTHS0402N02N1002JEVishayThermistor NTC 10K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3486K -4 to -3.5 T/R Automotive
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTHS0402N02N1002JEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NTHS0402N02N1002JE0402TEM
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTHS0402N02N1002JEVISHAYDescription: VISHAY - NTHS0402N02N1002JE - NTC-Thermistor, 10 kOhm, Produktreihe NTHS, 3477 K, -40°C bis 125°C, SMD, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85334090
Thermistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
Bauform - Thermistor: 0402 [Metrisch 1005]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Beta-Wert (K): 3477K
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Thermistoranschlüsse: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Temperaturabhängiger Widerstand bei 25°C: 10kohm
Produktpalette: NTHS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTHS0402N02N1002JEVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.44 грн
10+ 207.78 грн
50+ 168.06 грн
100+ 152.12 грн
500+ 134.18 грн
1000+ 121.56 грн
2000+ 114.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHS0402N02N1002JFVishayThermistor NTC 10K Ohm 5% 2-Pin 0402 Surface Mount Solder Pad 3486K -4 to -3.5 Bulk Automotive
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JFVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 3477K
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JPVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JRVishay / DaleNTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 10Kohms 5%
товар відсутній
NTHS0402N02N1002JRVishay DaleDescription: THERMOSTOR NTC 10K OHM 5% 0402
товар відсутній
NTHS0402N02N1002KEVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
B25/75: 3477K
товар відсутній
NTHS0402N02N1002KFVishay DaleDescription: THERMISTOR NTC 10KOHM 3477K 0402
Packaging: Bulk
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
B25/85: 3486K
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 10k
Resistance Tolerance: ±10%
B25/75: 3477K
товар відсутній