Продукція > PJQ

MOSFET /820/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MN//PJ/DFN10106L-AS02/PJQ1820-ASV3/DFN10106L-AS01

товар відсутній

PJQ1820_R1_00001

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010-6L

товар відсутній

PJQ1821_R1_00001

MOSFET /821/TR/7"/HF/5K/DFN1010-6L/MOS/DFN/NFET-20F1MP//PJ/DFN10106L-AS03/PJQ1821-ASV4/DFN10106L-AS01

товар відсутній

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ1821_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ1902_R1_00001

MOSFET /2/TR/7"/HF/8K/DFN 3L/MOS/DFN/NFET-30FNMN/NF30FN-QI01/PJ///

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PJQ1906_R1_00201

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 9980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.13 грн
15+	20.7 грн
100+	10.16 грн
1000+	5.18 грн
2500+	4.52 грн
10000+	3.59 грн
20000+	3.32 грн

Мінімальне замовлення: 12

PJQ1908-AU_R1_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN1006-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN1006-3
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ1908-AU_R1_002A1

товар відсутній

PJQ1908_R1_00201

товар відсутній

PJQ1908_R1_00201

товар відсутній

PJQ1916_R1_00001

MOSFET /G/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMN//PJ/DFN10063L-AS03/PJQ1916-ASV6/DFN10062L-AS01

товар відсутній

PJQ1916_R1_00201

Circular MIL Spec Tools, Hardware & Accessories 26+ start 3 weeks AOC

товар відсутній

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

товар відсутній

PJQ1916_R1_00201

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 950mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 10 V

на замовлення 9145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	26.59 грн
15+	18.47 грн
100+	9.33 грн
500+	7.76 грн
1000+	6.04 грн
2000+	5.41 грн
5000+	5.2 грн

Мінімальне замовлення: 11

PJQ1917_R1_00001

MOSFET /H/TR/7"/HF/10K/DFN1006-3L/MOS/DFN/NFET-20FWMP//PJ/DFN10063L-AS04/PJQ1917-ASV7/DFN10062L-AS01

товар відсутній

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2405-AU_R1_000A1

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2405-AU_R1_000A1

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2405-R1-00001

MOSFET DFN2020B-6L/MOS/NFET-20FIMP

товар відсутній

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	32.45 грн
100+	22.48 грн
500+	17.62 грн
1000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ2405_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	36.67 грн
100+	21.72 грн
500+	18.13 грн
1000+	15.94 грн
3000+	13.48 грн
6000+	12.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ2405_R1_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 10 V

товар відсутній

PJQ2407_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
11+	29.56 грн
100+	19.2 грн
500+	15.08 грн
1000+	12.02 грн
3000+	10.16 грн
9000+	9.23 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

на замовлення 2525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
11+	26.5 грн
100+	18.42 грн
500+	13.5 грн
1000+	10.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2407_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2408_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2408_R1_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ2409_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2409_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

на замовлення 2942 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
12+	24.63 грн
100+	14.74 грн
500+	12.81 грн
1000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ2410_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.04 грн
12+	27.35 грн
100+	13.22 грн
1000+	9.03 грн
3000+	8.64 грн
9000+	7.11 грн
24000+	6.97 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2410_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2784 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
12+	24.63 грн
100+	14.74 грн
500+	12.81 грн
1000+	8.71 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

на замовлення 1428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
11+	26.85 грн
100+	18.64 грн
500+	13.66 грн
1000+	11.1 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ2416_R1_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2416_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1177 pF @ 10 V

товар відсутній

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 157 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	28.74 грн
13+	21.38 грн
100+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

PJQ2422_R1_00001

Description: DFN2020B-6L, MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ2422_R1_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товар відсутній

PJQ2460-AU_R1_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2460-AU_R1_000A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; Idm: 12.8A; 2.4W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 12.8A
Power dissipation: 2.4W
Gate charge: 9.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.2A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 90mΩ

товар відсутній

PJQ2460-AU_R1_000A1

товар відсутній

PJQ2460-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товар відсутній

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ2460_R1_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2460_R1_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 5530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	27.3 грн
13+	22.63 грн
100+	15.71 грн
500+	11.51 грн
1000+	9.35 грн

Мінімальне замовлення: 11

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2461-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2461-AU_R1_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2461_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2461_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товар відсутній

PJQ2463A-AU_R1_000A1

Description: DFN2020B-6L, MOSFET

товар відсутній

PJQ2463A-AU_R1_000A1

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2463A-R1-00001

MOSFET

товар відсутній

PJQ2463A_R1_00001

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

на замовлення 1490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	43.11 грн
10+	36.26 грн
100+	25.06 грн
500+	19.65 грн
1000+	16.73 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ2463A_R1_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020B-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товар відсутній

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2800_R1_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ2815-R1-00001

MOSFET DFN2020-6L/MOS/DFN/NFET-20FHMP

товар відсутній

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ2815_R1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2815_R1_00001

Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 907pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020-6L
Part Status: Active

на замовлення 7770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.36 грн
100+	24.52 грн
500+	19.22 грн
1000+	16.36 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ2815_S1_00001

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ2888_R1_00001

MOSFET /888/TR/7"/HF/3K/DFN2020-8L/MOS/DFN/NFET-20FOMP//PJ/DFN20208L-AS02/DFN20208L-AS03/DFN20208L-AS01

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 4664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.17 грн
10+	45.32 грн
100+	34.74 грн
500+	25.77 грн
1000+	20.62 грн
2000+	18.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4401P-AU_R2_000A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	56.81 грн
10+	49.35 грн
100+	32.81 грн
500+	25.97 грн
1000+	20.79 грн
2500+	18.86 грн
5000+	18.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -50A; Idm: -200A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

PJQ4401P-AU_R2_000A1

товар відсутній

PJQ4401P-AU_R2_000A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ4401P_R2_00001

на замовлення 4685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	41.03 грн
100+	31.43 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.65 грн
2000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4401P_R2_00001

товар відсутній

PJQ4401P_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4402P-AU_R2_000A1

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS39/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.55 грн
10+	37.43 грн
100+	25.94 грн
500+	20.34 грн
1000+	17.31 грн
2000+	15.42 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4402P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2436 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4402P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товар відсутній

PJQ4402P_R2_00001

MOSFET /4402/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS15/PJQ4402P-ASB9/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4402P_R2_00001

на замовлення 4881 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	41.68 грн
10+	34.87 грн
100+	24.11 грн
500+	18.91 грн
1000+	16.09 грн
2000+	14.33 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4402P_R2_00001

товар відсутній

PJQ4403P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMP

товар відсутній

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	12.5 грн
10000+	11.17 грн
25000+	10.92 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4403P_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 132686 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	35.75 грн
100+	21.65 грн
500+	16.87 грн
1000+	12.29 грн
5000+	11.62 грн
10000+	10.76 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4403P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 15 V

на замовлення 37672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	32.11 грн
100+	22.35 грн
500+	16.38 грн
1000+	13.31 грн
2000+	11.9 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4403P_R2_00001

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -35A; Idm: -140A; 30W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -35A
Pulsed drain current: -140A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ4403P_R2_00001

товар відсутній

PJQ4404P-AU_R2_000A1

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS14/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4404P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3232 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	34.74 грн
100+	24.15 грн
500+	17.69 грн
1000+	14.38 грн
2000+	12.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	31.62 грн
100+	21.98 грн
500+	16.1 грн
1000+	13.09 грн
2000+	11.7 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4404P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4404P_R2_00001

MOSFET /4404/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS05/PJQ4404P-AS44/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4407P-R1-00001

MOSFET

товар відсутній

PJQ4407P-R2-00001

MOSFET

товар відсутній

PJQ4407P_R1_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4407P_R1_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ4407P_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	41.77 грн
10+	35.37 грн
100+	22.98 грн
500+	18.07 грн
1000+	14.41 грн
5000+	12.16 грн
10000+	11.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4408P-AU_R2_000A1

MOSFET /4408/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN//PJ/DFN33338L-AS20/PJQ4408P-AU-ASBF/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4408P-AU_R2_000A1

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	35.93 грн
10+	29.89 грн
100+	20.74 грн
500+	15.2 грн
1000+	12.35 грн
2000+	11.04 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4408P-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-30FQMN

товар відсутній

PJQ4408P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

на замовлення 4889 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
11+	26.29 грн
100+	18.25 грн
500+	13.37 грн
1000+	10.87 грн
2000+	9.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ4408P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4409P-R2-00001

MOSFET

товар відсутній

PJQ4409P_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4409P_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4410P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 4800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	28.02 грн
13+	22.7 грн
100+	15.79 грн
500+	11.57 грн
1000+	9.4 грн
2000+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 11

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

на замовлення 4935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	41.03 грн
100+	31.43 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.65 грн
2000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4411P_R2_00001

Description: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4659 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

на замовлення 4088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
12+	24.08 грн
100+	14.47 грн
500+	12.57 грн
1000+	8.55 грн
2000+	7.87 грн

Мінімальне замовлення: 10

PJQ4414P_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 21W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 392 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4414P_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4630 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	34.18 грн
12+	27.5 грн
100+	16.34 грн
500+	12.29 грн
1000+	9.23 грн
2500+	8.77 грн
5000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 10

PJQ4416EP_R2_00001

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ4416EP_R2_00001

Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ4431EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.37 грн
10+	65.85 грн
100+	44.57 грн
500+	37.8 грн
1000+	30.76 грн
5000+	26.24 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; DFN8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4433EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4930 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	52.25 грн
100+	35.4 грн
500+	30.02 грн
1000+	24.44 грн
5000+	20.79 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4433EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4433EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.66 грн
10+	49.73 грн
100+	29.56 грн
500+	24.64 грн
1000+	20.99 грн
2500+	19.86 грн
5000+	16.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4435EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.2A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.17 грн
10+	44.01 грн
100+	30.49 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.35 грн
2000+	18.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4435EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4435EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4437EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.92 грн
10+	44.99 грн
100+	26.7 грн
500+	22.32 грн
1000+	19 грн
2500+	18 грн
5000+	15.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4437EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4437EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	15.38 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	40.26 грн
100+	23.91 грн
500+	19.93 грн
1000+	17.01 грн
2500+	16.08 грн
5000+	13.62 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4439EP-AU_R2_002A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.63 грн
100+	24.68 грн
500+	19.36 грн
1000+	16.47 грн
2000+	14.67 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4439EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4439EP_R2_00201

товар відсутній

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.02 грн
10+	43.18 грн
100+	33.09 грн
500+	24.55 грн
1000+	19.64 грн
2000+	17.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4441P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4441P-AU_R2_000A1

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS49/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4441P_R2_00001

на замовлення 4962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	41.03 грн
100+	31.43 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.65 грн
2000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4441P_R2_00001

MOSFET /4441/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMP//PJ/DFN33338L-AS32/PJQ4441P-ASM3/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4441P_R2_00001

товар відсутній

PJQ4442P-AU_R2_000A1

MOSFET /4442/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS34/PJQ4442P-ASM7/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 1002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	69.7 грн
10+	58.95 грн
100+	45.22 грн
500+	33.55 грн
1000+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4443P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	70.68 грн
10+	61.19 грн
100+	40.85 грн
500+	32.28 грн
1000+	25.84 грн
2500+	25.18 грн
5000+	21.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4443P-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3501 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	41.03 грн
100+	31.43 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.65 грн
2000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4443P_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4444P-AU_R2_000A1

MOSFET /4444/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS55/PJQ4444P-ASB3/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4444P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 1207 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.33 грн
10+	44.01 грн
100+	34.24 грн
500+	27.24 грн
1000+	22.19 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4444P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4777 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	35.36 грн
100+	24.52 грн
500+	19.22 грн
1000+	16.36 грн
2000+	14.57 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.77 грн
10+	47.26 грн
100+	32.75 грн
500+	25.68 грн
1000+	21.85 грн
2000+	19.46 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4446P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4446P-AU_R2_000A1

MOSFET /4446/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN33338L-AS38/PJQ4446P-ASE1/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 4980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.45 грн
100+	22.6 грн
500+	16.56 грн
1000+	13.46 грн
2000+	12.03 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4446P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	30.86 грн
100+	21.44 грн
500+	15.71 грн
1000+	12.77 грн
2000+	11.42 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4448P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4448P-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

товар відсутній

PJQ4448P_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4448P_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V

на замовлення 3696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	33.05 грн
11+	27.61 грн
100+	19.19 грн
500+	14.06 грн
1000+	11.43 грн
2000+	10.22 грн

Мінімальне замовлення: 9

PJQ4451EP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4970 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	58.13 грн
100+	39.32 грн
500+	33.35 грн
1000+	27.17 грн
5000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4453EP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4863 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.03 грн
10+	54.24 грн
100+	36.67 грн
500+	31.15 грн
1000+	25.37 грн
5000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4460/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS56/PJQ4460AP-ASJ8/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4460AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 23.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 15 V

на замовлення 4859 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.62 грн
11+	26.16 грн
100+	18.16 грн
500+	13.31 грн
1000+	10.82 грн
2000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 10

PJQ4460AP_R2_00001

MOSFET /4460/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS29/PJQ4460AP-ASJ8/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS44/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 18034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	49.58 грн
10+	41.86 грн
100+	28.98 грн
500+	22.72 грн
1000+	19.34 грн
2000+	17.22 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4463AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.05 грн
10000+	16.1 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4463AP_R2_00001

MOSFET /4463/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS12/PJQ4463AP-AS93/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4728 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	55.49 грн
10+	48.05 грн
100+	28.5 грн
500+	23.85 грн
1000+	20.26 грн
2500+	19.13 грн
5000+	16.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 3169 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.3 грн
10+	42.14 грн
100+	29.17 грн
500+	22.88 грн
1000+	19.47 грн
2000+	17.34 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4464AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4464AP_R2_00001

MOSFET /4464/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN//PJ/DFN33338L-AS27/PJQ4464AP-ASJ5/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS57/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5170 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	32.73 грн
100+	22.65 грн
500+	17.76 грн
1000+	15.12 грн
2000+	13.46 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

PJQ4465AP-AU-R2 SMD P channel transistors

товар відсутній

PJQ4465AP-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4465AP_R2_00001

MOSFET /4465/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMP//PJ/DFN33338L-AS48/PJQ4465AP-AST0/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товар відсутній

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4466AP-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 760 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	57.08 грн
100+	43.78 грн
500+	32.48 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4466AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товар відсутній

PJQ4466AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 44.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 4237 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	30.72 грн
100+	21.36 грн
500+	15.65 грн
1000+	12.72 грн
2000+	11.37 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ4468AP-AU-R2

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товар відсутній

PJQ4468AP-R2-00001

MOSFET DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-60FQMN

товар відсутній

PJQ4468AP_R2_00001

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	55.33 грн
10+	46.08 грн
100+	31.94 грн
500+	25.04 грн
1000+	21.31 грн
2000+	18.98 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4468AP_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4868 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.82 грн
10+	52.79 грн
100+	41.07 грн
500+	32.67 грн
1000+	26.61 грн
2000+	25.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4741 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.77 грн
10+	58.67 грн
100+	39.72 грн
500+	33.68 грн
1000+	27.43 грн
5000+	24.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4476AP-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4476AP_R2_00001

MOSFET /4476/TR/13"/HF/5K/DFN3333-8L/MOS/DFN/NFET-100FQMN//PJ/DFN33338L-AS35/PJQ4476AP-ASN4/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ4476AP_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ4524P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4524P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4526P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4526P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4528P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN8
Case: DFN8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4528P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4530P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4530P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4534P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Case: DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4534P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4534P_R2_00201

товар відсутній

PJQ4534P_R2_00201

товар відсутній

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.77 грн
10+	44.7 грн
100+	34.72 грн
500+	27.62 грн
1000+	22.5 грн
2000+	21.18 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; Idm: 256A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4546P-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4475 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	48.43 грн
100+	32.81 грн
500+	27.83 грн
1000+	22.65 грн
5000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4546P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4546P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	22.32 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 61A; Idm: 244A; 42W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 61A
On-state resistance: 7.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 42W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 244A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4995 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	64.86 грн
10+	52.25 грн
100+	35.4 грн
500+	30.02 грн
1000+	24.44 грн
5000+	21.65 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4546VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4490 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.08 грн
10+	48.23 грн
100+	37.51 грн
500+	29.83 грн
1000+	24.3 грн
2000+	22.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 43A; Idm: 172A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 43A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 172A

товар відсутній

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ4548P-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4548P-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.42 грн
10+	39.86 грн
100+	27.59 грн
500+	21.63 грн
1000+	18.41 грн
2000+	16.4 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ4548P-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	51.92 грн
10+	44.99 грн
100+	26.7 грн
500+	22.32 грн
1000+	19 грн
2500+	18 грн
5000+	15.28 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.74 грн
10+	42.97 грн
100+	29.77 грн
500+	23.34 грн
1000+	19.86 грн
2000+	17.69 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 160A; 30W
Power dissipation: 30W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
On-state resistance: 12.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	18.55 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 4994 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	54.79 грн
10+	47.36 грн
100+	28.1 грн
500+	23.45 грн
1000+	19.99 грн
2500+	18.93 грн
5000+	16.08 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4548VP-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4576AP-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ4602_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 17.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 18.5A (Tc), 6.4A (Ta), 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343pF @ 15V, 870pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 31mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товар відсутній

PJQ4606-R1-00001

MOSFET

товар відсутній

PJQ4606_R1_00001

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 23A (Tc), 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 429pF @ 25V, 846pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, 30mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V, 7.8nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3030B-8
Part Status: Not For New Designs

товар відсутній

PJQ4606_R1_00001

MOSFET 30V Complementary Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4848P-AU_R2_000A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20696 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	41.17 грн
100+	28.49 грн
500+	22.34 грн
1000+	19.01 грн
2000+	16.93 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4848P-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A/37A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 39.6W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5000+	17.75 грн
10000+	15.83 грн

Мінімальне замовлення: 5000

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

товар відсутній

PJQ4848P_R2_00001

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 120A; 39.6W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 39.6W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ4848P_R2_00001

Description: 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 33W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN3333B-8
Part Status: Active

на замовлення 3705 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.14 грн
10+	41.03 грн
100+	31.43 грн
500+	23.32 грн
1000+	18.65 грн
2000+	16.91 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ4848P_R2_00001

товар відсутній

PJQ4848P_R2_00001

MOSFET /4848/TR/13"/HF/5K/DFN3333B-8L/MOS/DFN/NFET-40FQMN//PJ/DFN3333B8L-AS01/PJQ4848P-ASC8/DFN33338L-AS01

товар відсутній

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5410_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1323 pF @ 25 V

на замовлення 1574 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	42.39 грн
10+	34.87 грн
100+	24.24 грн
500+	17.76 грн
1000+	14.43 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 8128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	31.34 грн
100+	21.73 грн
500+	17.04 грн
1000+	14.5 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5411_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1556 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.3 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5411_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	39.76 грн
10+	34.68 грн
100+	20.59 грн
500+	17.2 грн
1000+	15.08 грн
3000+	12.75 грн
6000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5412_R2_00001

MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

на замовлення 2969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.9 грн
11+	25.39 грн
100+	17.65 грн
500+	12.93 грн
1000+	10.51 грн

Мінімальне замовлення: 10

PJQ5412_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ5419_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5419_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1169 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ5423_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3228 pF @ 15 V

на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	52.45 грн
10+	44.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5424_R2_00001

Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2238 pF @ 25 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	38.68 грн
100+	26.78 грн
500+	21.01 грн
1000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5425_R2_00001

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	98.44 грн
10+	84.49 грн
100+	65.87 грн
500+	51.07 грн
1000+	40.32 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5427_R2_00001

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8593 pF @ 15 V

товар відсутній

PJQ5431E-AU_R2_006A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.35 грн
10+	71.73 грн
100+	48.49 грн
500+	41.12 грн
1000+	35.07 грн
3000+	29.76 грн
9000+	29.69 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	53.49 грн
100+	41.62 грн
500+	33.11 грн
1000+	26.97 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5433E-AU_R2_006A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	74.24 грн
10+	60.04 грн
100+	40.65 грн
500+	34.47 грн
1000+	29.43 грн
3000+	24.98 грн
9000+	24.84 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5433E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.7A (Ta), 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	28.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5435E-AU_R2_006A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	48.43 грн
100+	32.81 грн
500+	27.83 грн
1000+	23.71 грн
3000+	20.13 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.61 грн
10+	43.18 грн
100+	33.56 грн
500+	26.7 грн
1000+	21.75 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5435E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	47.81 грн
100+	33.09 грн
500+	25.94 грн
1000+	22.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5437E-AU_R2_006A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	54.47 грн
100+	32.28 грн
500+	26.97 грн
1000+	23.58 грн
3000+	19.99 грн
6000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5437E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Case: DFN5060-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ5439E-AU_R2_006A1

MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	57.66 грн
10+	49.73 грн
100+	29.56 грн
500+	24.64 грн
1000+	21.59 грн
3000+	18.27 грн
6000+	17.6 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5439E-AU_R2_006A1

товар відсутній

PJQ5439E-AU_R2_006A1

Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	53.17 грн
10+	44.01 грн
100+	30.49 грн
500+	23.91 грн
1000+	20.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	50.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5440-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	89.61 грн
100+	71.36 грн
500+	56.66 грн
1000+	48.08 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5440-R2-00001

MOSFET DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN

товар відсутній

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

на замовлення 2920 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.76 грн
10+	62.76 грн
100+	48.79 грн
500+	38.81 грн
1000+	31.61 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5440_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5440_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5214 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.8 грн
10+	48.92 грн
100+	38.06 грн
500+	30.28 грн
1000+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5442-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 99.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5442_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 182-191 дні (днів)

7+	51.61 грн
10+	45.07 грн
100+	30.02 грн
500+	23.71 грн
1000+	19.73 грн
3000+	16.74 грн
9000+	15.34 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	48.86 грн
10+	40.62 грн
100+	28.13 грн
500+	22.06 грн
1000+	18.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5442_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	20.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5443-AU_R2_000A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.26 грн
10+	57.37 грн
100+	38.26 грн
500+	30.22 грн
1000+	24.25 грн
3000+	21.85 грн
6000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5443-AU_R2_000A1

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.61 грн
10+	45.67 грн
100+	31.65 грн
500+	24.81 грн
1000+	21.12 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5443_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5443_R2_00001

Description: 40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2767 pF @ 25 V

на замовлення 8160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.42 грн
10+	39.23 грн
100+	27.19 грн
500+	21.32 грн
1000+	18.14 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5445-R2-00001

товар відсутній

PJQ5445_R2_00001

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8409 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	45.99 грн
10+	38.68 грн
100+	26.76 грн
500+	20.98 грн
1000+	17.86 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5446-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.6 грн
6000+	16.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.76 грн
100+	22.01 грн
500+	17.26 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5446_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1258 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.07 грн
100+	21.61 грн
500+	15.83 грн
1000+	12.87 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5448-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.73 грн
6000+	11.64 грн
9000+	10.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5448_R2_00001

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5449E-AU_R2_006A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.6 грн
10+	91.67 грн
100+	63.64 грн
250+	58.45 грн
500+	53.01 грн
1000+	48.09 грн
3000+	40.79 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5450-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	44.64 грн
10+	38.5 грн
100+	25.71 грн
500+	20.33 грн
1000+	16.94 грн
3000+	14.28 грн
9000+	13.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5450-AU_R2_000A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.63 грн
100+	23.25 грн
500+	18.23 грн
1000+	15.52 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5451E-AU_R2_006A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	88.35 грн
10+	71.73 грн
100+	48.49 грн
500+	41.12 грн
1000+	35.07 грн
3000+	29.76 грн
9000+	28.63 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5453E-AU_R2_002A1

MOSFET 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	77.11 грн
10+	61.95 грн
100+	41.91 грн
500+	35.6 грн
1000+	30.42 грн
3000+	25.77 грн
9000+	25.71 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

на замовлення 1193 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	50.3 грн
10+	42.69 грн
100+	32.72 грн
500+	24.28 грн
1000+	19.42 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5458A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5458A-AU_R2_000A1

MOSFET 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	46.11 грн
10+	39.88 грн
100+	23.65 грн
500+	19.79 грн
1000+	17.27 грн
3000+	14.61 грн
6000+	14.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5461A-AU_R2_000A1

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5461A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

товар відсутній

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5374 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.14 грн
10+	55.77 грн
100+	43.4 грн
500+	34.52 грн
1000+	28.12 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5462A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.29 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5462A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 25 V

на замовлення 2947 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.7 грн
100+	23.3 грн
500+	18.27 грн
1000+	15.55 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5463A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5463A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMP//PJ/DFN50608L-AS55/PJQ5463A-ASV1/DFN50808L-AS01

товар відсутній

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.78 грн
6000+	13.49 грн
9000+	12.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5465A_R2_00001

Description: 60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1256 pF @ 30 V

на замовлення 25724 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.8 грн
10+	32.45 грн
100+	22.48 грн
500+	17.62 грн
1000+	15 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2906 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	51.74 грн
10+	43.32 грн
100+	29.97 грн
500+	23.51 грн
1000+	20 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5466A-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2887 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.51 грн
10+	52.1 грн
100+	36.08 грн
500+	28.29 грн
1000+	24.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5466A1-AU_R2_000A1

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

на замовлення 1970 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	38.08 грн
10+	31.76 грн
100+	22.01 грн
500+	17.26 грн
1000+	14.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5466A1_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

товар відсутній

PJQ5466A_R2_00001

MOSFET PJ/Q5466A/TR/13"/HF/3K/DFN5060-8L/MOS/DFN/NFET-60FKMN//PJ/DFN50608L-AS30/DFN50608L-AS06/DFN50608L-AS01

товар відсутній

PJQ5466A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V

на замовлення 2986 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	37.36 грн
10+	31.41 грн
100+	21.75 грн
500+	17.05 грн
1000+	14.51 грн

Мінімальне замовлення: 8

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

товар відсутній

PJQ5468A_R2_00001

Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V

на замовлення 2946 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.39 грн
10+	51.41 грн
100+	39.97 грн
500+	31.79 грн
1000+	25.9 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5472A_R2_00001

MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5472A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5474A_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	58.92 грн
10+	46.36 грн
100+	36.06 грн
500+	28.68 грн
1000+	23.36 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5476AL-AU_R2_000A1

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

товар відсутній

PJQ5476AL_R2_00001

Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1519 pF @ 30 V

на замовлення 994 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.54 грн
10+	56.95 грн
100+	43.67 грн
500+	32.4 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5494_R2_00001

MOSFET 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5494_R2_00001

Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

товар відсутній

PJQ5520-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ5520-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5522-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5522-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5528-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN5060-8
Kind of package: tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ5528-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5534-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Case: DFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ5534-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	141.55 грн
10+	112.79 грн
100+	89.76 грн
500+	71.28 грн
1000+	60.48 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5540-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	154.99 грн
10+	126.81 грн
100+	87.68 грн
250+	81.04 грн
500+	73.73 грн
1000+	66.43 грн
3000+	56.46 грн

Мінімальне замовлення: 2

PJQ5540-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060X-8L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	63.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5540V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; DFN5060X-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: DFN5060X-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ5540V-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5540V-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	159.64 грн
10+	130.63 грн
100+	90.34 грн
250+	83.7 грн
500+	75.73 грн
1000+	68.42 грн
3000+	58.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.19 грн
10+	82.96 грн
100+	66.07 грн
500+	52.47 грн
1000+	44.52 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5542-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2490 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	93.96 грн
100+	64.9 грн
250+	59.58 грн
500+	54.07 грн
1000+	48.96 грн
3000+	42.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5542-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: DFN5060-8

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	46.8 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5542V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 136A; Idm: 544A; 100W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 544A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 136A
On-state resistance: 3.6mΩ

товар відсутній

PJQ5542V-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	116.25 грн
10+	95.49 грн
100+	66.09 грн
250+	60.65 грн
500+	55.07 грн
1000+	49.89 грн
3000+	43.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5542V-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5544-AU_R2_002A1

PJQ5544-AU-R2 SMD N channel transistors

товар відсутній

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.19 грн
10+	82.13 грн
100+	63.9 грн
500+	50.83 грн
1000+	41.4 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5544-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.05 грн
10+	89.38 грн
100+	60.31 грн
500+	51.08 грн
1000+	43.64 грн
3000+	37.07 грн
9000+	36.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5544-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2851 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5544V-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.47 грн
10+	93.2 грн
100+	63.04 грн
500+	53.34 грн
1000+	45.5 грн
3000+	38.66 грн
9000+	38.53 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	85.73 грн
100+	66.67 грн
500+	53.04 грн
1000+	43.2 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5544V-AU_R2_002A1

PJQ5544V-AU-R2 SMD N channel transistors

товар відсутній

PJQ5544V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.7A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2544 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5546-AU_R2_002A1

PJQ5546-AU-R2 SMD N channel transistors

товар відсутній

PJQ5546-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.7A (Ta), 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	66.11 грн
10+	51.83 грн
100+	40.28 грн
500+	32.04 грн
1000+	26.1 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5546-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	69.9 грн
10+	56.22 грн
100+	38.06 грн
500+	32.22 грн
1000+	27.57 грн
3000+	23.38 грн
9000+	23.32 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 79A; Idm: 316A; 65W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 316A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 79A
On-state resistance: 7.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5546V-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.07 грн
10+	58.13 грн
100+	39.32 грн
500+	33.35 грн
1000+	28.5 грн
3000+	24.18 грн
9000+	24.11 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5546V-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5546V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.7A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	68.26 грн
10+	53.56 грн
100+	41.68 грн
500+	33.15 грн
1000+	27 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5548-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	59.83 грн
10+	52.1 грн
100+	30.89 грн
500+	25.84 грн
1000+	22.58 грн
3000+	19.13 грн
6000+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.77 грн
10+	47.26 грн
100+	32.75 грн
500+	25.68 грн
1000+	21.85 грн

Мінімальне замовлення: 6

PJQ5548-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5548-AU_R2_002A1

PJQ5548-AU-R2 SMD N channel transistors

товар відсутній

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 45A; Idm: 180A; 36W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 36W
Gate charge: 9.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 12.4mΩ

товар відсутній

PJQ5548V-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	47.81 грн
100+	33.09 грн
500+	25.94 грн
1000+	22.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5548V-AU_R2_002A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	62.69 грн
10+	54.47 грн
100+	32.28 грн
500+	26.97 грн
1000+	23.58 грн
3000+	19.99 грн
6000+	19.26 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5548V-AU_R2_002A1

Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5576A-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5576A-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5606_R2_00001

MOSFET PJ/Q5606/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-30FKNP//PJ/DFN5060B8L-AS04/PJQ5606-ASN3/DFN50608L-AS01

товар відсутній

PJQ5606_R2_00001

Description: 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

товар відсутній

PJQ5606_R2_00001

Description: 30V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

товар відсутній

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	43.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5839E-AU_R2_002A1

Description: 30V DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 31A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1012pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.76 грн
100+	64.38 грн
500+	51.22 грн
1000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5839E-AU_R2_002A1

MOSFET 30V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	92.43 грн
100+	62.37 грн
500+	53.27 грн
1000+	43.38 грн
3000+	40.85 грн
6000+	38.93 грн

Мінімальне замовлення: 3

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товар відсутній

PJQ5844-AU_R2_000A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 28A; Idm: 180A; 19.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 28A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 19.2W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

PJQ5844-AU_R2_000A1

товар відсутній

PJQ5844-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 38.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товар відсутній

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товар відсутній

PJQ5844_R2_00001

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A/45A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 45A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1759pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8

товар відсутній

PJQ5846-AU_R2_000A1

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5846_R2_00001

MOSFET 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товар відсутній

PJQ5848_R2_00001

MOSFET PJ/Q5848/TR/13"/HF/3K/DFN5060B-8L/MOS/DFN/NFET-40FKMN//PJ/DFN5060B8L-AS07/PJQ5848-ASP3/DFN50608L-AS01

товар відсутній

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 5478 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	61.08 грн
10+	47.95 грн
100+	37.27 грн
500+	29.65 грн
1000+	24.15 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5866A-AU_R2_000A1

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 68.2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

на замовлення 2794 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	62.51 грн
10+	54.04 грн
100+	42.11 грн
500+	32.65 грн
1000+	25.77 грн

Мінімальне замовлення: 5

PJQ5866A_R2_00001

Description: 60V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 56W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1574pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active

товар відсутній

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

PJQ5948-AU_R2_002A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 37A; Idm: 148A; 30W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 148A
Power dissipation: 30W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

PJQ5948-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5948-AU_R2_002A1

MOSFET 40V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 2900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	81.37 грн
10+	65.85 грн
100+	44.57 грн
500+	37.8 грн
1000+	32.22 грн
3000+	27.37 грн
9000+	27.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5948-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 778pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1976 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.01 грн
10+	58.61 грн
100+	45.61 грн
500+	36.28 грн
1000+	29.55 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.6 грн

Мінімальне замовлення: 3000

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 35A; Idm: 140A; 32W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry

товар відсутній

PJQ5948V-AU_R2_002A1

товар відсутній

PJQ5948V-AU_R2_002A1

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 32W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 673pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DFN5060B-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.04 грн
10+	62.14 грн
100+	48.29 грн
500+	38.41 грн
1000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

PJQ5948V-AU_R2_002A1