Продукція > SQD

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

MOSFET N-Channel 250V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7372 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	92.43 грн
100+	62.37 грн
500+	52.81 грн
1000+	42.98 грн
2000+	39.26 грн
4000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

Trans MOSFET N-CH 250V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD07N25-350H_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 7A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD100A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

товар відсутній

SQD100N02-3M5L_GE3

MOSFET N Ch 20Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 5942 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.82 грн
10+	89.38 грн
100+	60.51 грн
500+	51.35 грн
1000+	41.85 грн
2000+	38.53 грн
4000+	37.13 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N02-3M5L_GE3

Automotive N-Channel 20 V MOSFET

товар відсутній

SQD100N02-3M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 10 V

на замовлення 1980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	114.97 грн
10+	99.02 грн
100+	77.2 грн
500+	59.85 грн
1000+	47.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET 20V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD100N03-3M2L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N033M2L_GE3

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1484 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	132.52 грн
10+	108.47 грн
100+	75.06 грн
500+	63.64 грн
1000+	53.94 грн
2000+	50.15 грн
4000+	48.62 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N03-3M2L_GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N03-3M2L_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6316 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 C MOSFET

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7349 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD100N03-3M4_GE3

MOSFET 30V 100A 136W N-Channel MOSFET

на замовлення 1654 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	93.96 грн
100+	64.9 грн
500+	54.6 грн
1000+	46.37 грн
2000+	43.11 грн
4000+	41.72 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3M6-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

товар відсутній

SQD100N04-3M6L-GE3

товар відсутній

SQD100N04-3m6L_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3202 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	111.6 грн
10+	91.67 грн
100+	63.64 грн
250+	58.39 грн
500+	53.01 грн
1000+	45.44 грн
2000+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	126.68 грн
10+	104.32 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD100N04-3m6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3M6_GE3

Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	127.42 грн
10+	104.32 грн
25+	93.15 грн
100+	74.73 грн
500+	62.85 грн
2000+	56.65 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD100N04-3m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD100N04-3m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.82 грн
10+	90.9 грн
100+	63.04 грн
250+	58.32 грн
500+	52.94 грн
1000+	45.37 грн
2000+	43.11 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD100N04-3M6_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQD10950E_GE3

N-Channel MOSFET

товар відсутній

SQD10950E_GE3

Description: MOSFET N-CH 250V 11.5A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 162mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD10950E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 250-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	103.85 грн
10+	81.74 грн
100+	58.85 грн
500+	53.47 грн
1000+	38.59 грн
2000+	36.4 грн
4000+	34.67 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_4GE3

Description: N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD10N30-330H_4GE3

MOSFET N-CHANNEL 300-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

MOSFET N Ch 300Vds 30Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4623 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	92.43 грн
100+	62.37 грн
500+	52.81 грн
1000+	42.98 грн
2000+	40.52 грн
4000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_GE3

Trans MOSFET N-CH 300V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1866 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Description: MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2190 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD10N30-330H_GE3

Description: VISHAY - SQD10N30-330H_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.275 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 107
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.275
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252

товар відсутній

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

на замовлення 830 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	74.01 грн
10+	63.66 грн
100+	49.63 грн
500+	38.48 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD15N06-42L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD15N06-42L_GE3

MOSFET 60V 15A 37W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4716 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	75.02 грн
10+	66.08 грн
100+	44.84 грн
500+	37 грн
1000+	29.83 грн
2000+	28.7 грн
4000+	27.83 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD15N06-42L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 15A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.67 грн
10+	55.7 грн
100+	43.42 грн
500+	33.66 грн
1000+	26.57 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD15N06-42L_T4GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD15N06-42L_T4GE3

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	27.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD19P06-60L-E3

SQD19P06-60L-E3

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.44 грн
10+	111.77 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -11A; 15W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -11A
Power dissipation: 15W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	47.49 грн
25+	47.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQD19P06-60L_GE3

Description: VISHAY - SQD19P06-60L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 20 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 46
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 56 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD19P06-60L_GE3

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 35 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD19P06-60L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252

товар відсутній

SQD19P06-60L_GE3

MOSFET 60V 20A 46W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 28814 шт:

термін постачання 450-459 дні (днів)

3+	118.57 грн
10+	104.65 грн
100+	71.08 грн
500+	58.72 грн
1000+	46.3 грн
2000+	43.18 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD19P06-60L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	36.5 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	50.25 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_T4GE3

MOSFET -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

на замовлення 92331 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.12 грн
10+	106.18 грн
100+	71.74 грн
500+	59.19 грн
1000+	46.76 грн
2500+	46.7 грн
5000+	45.83 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD19P06-60L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD19P06-60L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 20A TO252AA

на замовлення 3636 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.56 грн
10+	101.99 грн
100+	79.5 грн
500+	61.63 грн
1000+	48.66 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD200A40

200A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

MODULE

на замовлення 187 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

200A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200A60

H4-5

на замовлення 12 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA100

MODULE

на замовлення 120 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200AA120

MODULE

на замовлення 63 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD200BA60

MODULE

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD23N06-31L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD23N06-31L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252

товар відсутній

SQD23N06-31L_GE3

MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 20304 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	94.72 грн
100+	65.5 грн
250+	62.37 грн
500+	54.54 грн
1000+	46.7 грн
2000+	44.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 3603 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	93.9 грн
100+	75.48 грн
500+	58.2 грн
1000+	48.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD23N06-31L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD23N06-31L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 23A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	49.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD23N06-31L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD25N06-22L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	44.83 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD25N06-22L_GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 6736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	117.8 грн
10+	95.49 грн
100+	64.23 грн
500+	54.4 грн
1000+	44.37 грн
2000+	42.65 грн
4000+	40.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-22L_GE3

Description: VISHAY - SQD25N06-22L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 25 A, 0.018 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	128.91 грн
10+	96.87 грн
100+	72.06 грн
500+	56.67 грн
1000+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD25N06-22L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V

на замовлення 3800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	85.45 грн
100+	66.42 грн
500+	52.83 грн
1000+	43.04 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-22L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N06-22L_GE3

на замовлення 4470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	72.06 грн
500+	56.67 грн
1000+	39.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N06-22L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 25A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N06-22L_T4GE3

MOSFET 60V 25A 62W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7674 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	87.85 грн
100+	59.52 грн
500+	50.42 грн
1000+	41.05 грн
2500+	37.53 грн
5000+	36.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N06-35L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 60V 25A TO252

товар відсутній

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFET 150V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD25N15-52-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

MOSFET 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 3016 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	285.96 грн
10+	253.61 грн
100+	180.68 грн
500+	153.44 грн
1000+	130.19 грн
2000+	122.89 грн
4000+	120.89 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD25N15-52_GE3

Description: VISHAY - SQD25N15-52_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 25 A, 0.038 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 11989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	182.67 грн
500+	121.35 грн
2000+	114.33 грн
4000+	111.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5814 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	242.87 грн
10+	196.51 грн
100+	158.95 грн
500+	132.6 грн
1000+	113.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD25N15-52_GE3

Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

на замовлення 11989 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	298.81 грн
10+	239.2 грн
25+	218.33 грн
100+	182.67 грн
500+	121.35 грн
2000+	114.33 грн
4000+	111.77 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD25N15-52_GE3

Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	118.3 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD25N15-52_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 107W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQD25N15-52_GE3

товар відсутній

SQD300A(BA)60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A(BA)60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A40

300A/400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

MODULE

на замовлення 692 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

SANSHA

300A/450V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

H3-5

на замовлення 21 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

MODULE

на замовлення 565 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

300A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100

на замовлення 14 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

H3-5

на замовлення 35 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA100E

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

300A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA120

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300AA160

MODULE

на замовлення 160 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

на замовлення 18 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60

300A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300BA60/400BA/300AA100E

на замовлення 28 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD300H100

SANSHA

300A/1000V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD30N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 5643 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD30N05-20L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 55V; 30A; Idm: 120A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 50W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

MOSFET N-Channel 55V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 31489 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	92.43 грн
100+	62.37 грн
500+	52.81 грн
1000+	42.98 грн
2000+	39.59 грн
4000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD30N05-20L_GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD30N05-20L_GE3

Description: VISHAY - SQD30N05-20L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -mW
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm

на замовлення 8240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	124.44 грн
10+	93.89 грн
100+	69.97 грн
500+	55.01 грн
1000+	36.98 грн
5000+	36.21 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD30N05-20L_GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFET 55V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD30N05-20L_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1175 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD35JA140

35A/1400V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35Ja140(160)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35JA160

35A/1600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD35N05-26L-GE3

Trans MOSFET N-CH 55V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD35N05-26L-GE3

Description: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.66 грн
10+	105.07 грн
100+	79.73 грн
500+	54.8 грн
2000+	49.88 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD40020EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 7973 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	88.61 грн
100+	62.37 грн
500+	52.81 грн
1000+	42.98 грн
2000+	39.72 грн
4000+	38.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40020EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 4264 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	87.08 грн
100+	62.37 грн
500+	52.81 грн
1000+	42.98 грн
2000+	40.45 грн
4000+	38.46 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40020E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40020E_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD40030E_GE3

MOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	110.82 грн
10+	90.9 грн
100+	63.04 грн
250+	57.79 грн
500+	52.54 грн
1000+	44.97 грн
2000+	42.71 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40030E_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 4-Pin(3+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -94A; 45W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -94A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of channel: enhanced

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	114.75 грн
5+	95.49 грн
12+	69.19 грн
32+	65.73 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40031EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 29730 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.47 грн
10+	101.6 грн
100+	69.08 грн
500+	60.38 грн
1000+	51.08 грн
2000+	43.38 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40031EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40031EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 100 A, 0.00263 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00263ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00263ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3204 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	131.89 грн
10+	107.3 грн
100+	81.22 грн
500+	55.91 грн
2000+	50.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD40031EL_GE3

на замовлення 1972 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

2+	137.71 грн
5+	118.99 грн
12+	83.03 грн
32+	78.88 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40052EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 1753 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	72.77 грн
10+	58.67 грн
100+	39.72 грн
500+	33.68 грн
1000+	27.43 грн
2000+	25.84 грн
4000+	24.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 5969 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	76.17 грн
10+	65.6 грн
100+	51.13 грн
500+	39.64 грн
1000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40052EL_GE3

SQD40052EL-GE3 SMD N channel transistors

товар відсутній

SQD40052EL_GE3

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	32.02 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	153.05 грн
10+	122.54 грн
100+	97.55 грн
500+	77.46 грн
1000+	65.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40061EL-T4_GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

товар відсутній

SQD40061EL-T4_GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	69.09 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 107W
Kanaltyp: p-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	79.73 грн
500+	54.8 грн
2000+	48.8 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	53.01 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1663 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	94.47 грн
10+	80.95 грн
25+	78.17 грн
50+	71.96 грн
100+	54.07 грн
250+	51.41 грн
500+	47.4 грн
1000+	37.2 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40061EL_GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)

на замовлення 120476 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.15 грн
10+	90.9 грн
100+	61.44 грн
500+	52.81 грн
1000+	41.05 грн
2000+	39.39 грн
4000+	38.19 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40061EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 3990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.66 грн
10+	105.07 грн
100+	79.73 грн
500+	54.8 грн
2000+	48.8 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD40061EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40061EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40081EL_GE3

MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

на замовлення 21875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93 грн
10+	76.01 грн
100+	51.75 грн
500+	43.84 грн
1000+	35.74 грн
2000+	33.68 грн
4000+	32.08 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 9999 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

147+	79.21 грн
172+	67.83 грн
211+	55.42 грн
500+	47.35 грн
1000+	38.41 грн

Мінімальне замовлення: 147

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	91.15 грн
10+	75.99 грн
25+	74.52 грн
50+	70.48 грн
100+	51.34 грн
250+	48.78 грн
500+	43.58 грн
1000+	31.28 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.76 грн
6000+	32.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40081EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40081EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.007 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 5729 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	66.84 грн
500+	51.27 грн
1000+	37.43 грн
5000+	37.17 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	67.67 грн
6000+	61.83 грн
12000+	57.53 грн
18000+	52.32 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40081EL_GE3

на замовлення 5525 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	102.09 грн
10+	78.99 грн
100+	58.05 грн
500+	45.67 грн
1000+	40.81 грн
5000+	39.47 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	79.83 грн
10+	68.35 грн
100+	55.85 грн
500+	47.72 грн
1000+	38.71 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	44.72 грн

Мінімальне замовлення: 7

SQD40081EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7396 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.94 грн
10+	68.09 грн
100+	52.97 грн
500+	42.14 грн
1000+	34.32 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40081EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

143+	81.83 грн
146+	80.25 грн
148+	78.72 грн
188+	59.72 грн
250+	54.73 грн
500+	46.93 грн
1000+	33.69 грн

Мінімальне замовлення: 143

SQD40081EL_GE3 транзистор
Код товару: 196931

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD400A60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60N

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

MODULE

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400A60S

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA-120

MODULE

на замовлення 87 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

400A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

MODULE

на замовлення 80 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100

H4-7

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA100(120)

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA120

MODULE

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400AA120

400A/1200V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

400A/600V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

MODULE

на замовлення 800 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

H3-4

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD400BA60

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	86.23 грн
10+	67.88 грн
100+	52.77 грн
500+	41.98 грн
1000+	34.2 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40131EL_GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	40.69 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40131EL_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	35.62 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40131EL_GE3

Description: VISHAY - SQD40131EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0095 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	65.72 грн
500+	51.76 грн
1000+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 929 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	81.92 грн
10+	69.54 грн
25+	68.84 грн
50+	65.72 грн
100+	45.51 грн
250+	43.26 грн
500+	36.63 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD40131EL_GE3

MOSFET -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 71834 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	93.77 грн
10+	72.49 грн
100+	51.02 грн
500+	43.24 грн
1000+	35.27 грн
2000+	31.95 грн
4000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40131EL_GE3

на замовлення 11938 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	90.91 грн
50+	78.24 грн
100+	65.72 грн
500+	51.76 грн
1000+	41.52 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQD40131EL_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40N04-10A-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 42A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40N04-10A-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 40V 42A TO252

товар відсутній

SQD40N04-10A-GE3

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD40N06-14L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO-252

товар відсутній

SQD40N06-14L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

MOSFET 55V 40A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 54618 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	118.57 грн
10+	96.25 грн
100+	67.09 грн
250+	63.64 грн
500+	56.06 грн
1000+	48.03 грн
2000+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

на замовлення 6112 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.5 грн
10+	86.91 грн
100+	69.15 грн
500+	54.91 грн
1000+	46.59 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD40N06-14L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40N06-14L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2105 pF @ 25 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	48.98 грн
6000+	45.39 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40N06-14L_T4GE3

товар відсутній

SQD40N06-14L_T4GE3

MOSFET 60V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD40N06-25L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD40N10-25-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD40N10-25_GE3

товар відсутній

SQD40N10-25-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40N10-25-T4_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 3414 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	405.98 грн
10+	328.53 грн
100+	265.77 грн
500+	221.7 грн
1000+	189.83 грн

SQD40N10-25_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3
Код товару: 200347

Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

SQD40N10-25_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD70140EL_GE3

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	440.96 грн
10+	365.91 грн
25+	313.53 грн
100+	257.07 грн
250+	253.08 грн
500+	228.5 грн
1000+	195.96 грн

SQD40N10-25_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3380 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	197.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD40P10-40L-GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3
Код товару: 179445

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

MOSFET -100V -30A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 71 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	223.19 грн
10+	198.61 грн
25+	162.74 грн
100+	138.83 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	168.23 грн
10+	144.03 грн
25+	142.59 грн
100+	109.18 грн
250+	97.21 грн
500+	78.76 грн
1000+	70.71 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

SQD40P10-40L_GE3

Trans MOSFET P-CH 100V 38A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD40P10-40L_GE3

Description: MOSFET P-CH 100V 38A TO252AA

товар відсутній

SQD45N05-20L-GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

товар відсутній

SQD45N05-20L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD45P03-12-GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD45P03-12-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

Description: VISHAY - SQD45P03-12_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.008 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm

на замовлення 4010 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.07 грн
50+	91.65 грн
100+	78.24 грн
500+	62.69 грн
1000+	48.8 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

на замовлення 14000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	58.26 грн
6000+	54.02 грн
10000+	52.64 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD45P03-12_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -37A; 23W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -37A
Power dissipation: 23W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

товар відсутній

SQD45P03-12_GE3

MOSFET 30V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 24471 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	123.22 грн
10+	110 грн
100+	76.39 грн
500+	63.37 грн
1000+	52.08 грн
2000+	49.49 грн
24000+	48.42 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD45P03-12_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3495 pF @ 15 V

на замовлення 16284 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	127.18 грн
10+	110.16 грн
100+	88.52 грн
500+	68.25 грн
1000+	56.55 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

на замовлення 1998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	46.36 грн
25+	46.28 грн
50+	44.56 грн
100+	41.2 грн
250+	39.48 грн
500+	39.41 грн
1000+	39.36 грн

Мінімальне замовлення: 13

SQD50034E

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.19 грн
10+	83.79 грн
100+	66.67 грн
500+	52.95 грн
1000+	44.92 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 5050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.8 грн
500+	67.06 грн
2000+	62.66 грн
4000+	58.44 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50034EL_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 2529 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	114.7 грн
10+	93.96 грн
100+	64.9 грн
250+	60.12 грн
500+	54.54 грн
1000+	46.7 грн
2000+	44.44 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50034EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQD50034EL_GE3

Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm

на замовлення 5050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.66 грн
10+	104.32 грн
25+	93.89 грн
100+	76.8 грн
500+	67.06 грн
2000+	62.66 грн
4000+	58.44 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50034EL_GE3

N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQD50034E_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD50034E_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA

товар відсутній

SQD50034E_GE3

MOSFET Nch 60V Vds 20V Vgs TO-252

на замовлення 11900 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	121.67 грн
10+	107.71 грн
100+	73.07 грн
500+	60.38 грн
1000+	47.63 грн
2000+	44.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50A100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50A90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50A90

MODULE

на замовлення 143 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AA100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

50A/1000V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

MODULE

на замовлення 153 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50B90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

J3-1

на замовлення 19 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50BB90

MODULE

на замовлення 236 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50CB100

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50N02-04-GE3

Trans MOSFET N-CH 20V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N02-04-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 20V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-06P-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N03-06P-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-09-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-09-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N03-3M1L-GE3

Description: MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N03-4M0L-GE3

Trans MOSFET N-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-09H-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-09H-GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4240 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-3M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N04-4M5L-GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 85nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	113.48 грн
500+	79.84 грн
2000+	68.34 грн
4000+	67.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

на замовлення 4043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	191.51 грн
10+	151.27 грн
25+	136.36 грн
100+	113.48 грн
500+	79.84 грн
2000+	68.34 грн
4000+	67.06 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-4M5L_GE3

Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N04-4M5L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N04-5M6-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3

товар відсутній

SQD50N04-5M6-GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5M6-T4GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE

товар відсутній

SQD50N04-5M6-T4GE3

P-Channel Power MOSFET Automotive AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	105.07 грн
10+	86.44 грн
100+	63.93 грн
500+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 19997 шт:

термін постачання 151-160 дні (днів)

4+	92.22 грн
10+	74.63 грн
100+	50.15 грн
500+	42.58 грн
1000+	34.67 грн
2000+	32.55 грн
4000+	31.02 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-5M6L_GE3

Automotive AEC-Q101 N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET

товар відсутній

SQD50N04-5M6L_GE3

на замовлення 1962 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	63.93 грн
500+	54.73 грн

Мінімальне замовлення: 100

SQD50N04-5M6L_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 343 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	84.79 грн
10+	66.7 грн
100+	51.87 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50N04-5M6_GE3

Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	129.66 грн
10+	105.81 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5M6_GE3

на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

SQD50N04-5m6_GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD50N04-5m6_GE3

MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 1949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.47 грн
10+	94.72 грн
100+	65.5 грн
250+	60.05 грн
500+	54.54 грн
1000+	46.7 грн
2000+	44.37 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 42117 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	106.35 грн
10+	83.86 грн
100+	65.22 грн
500+	51.88 грн
1000+	42.26 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04-5m6_T4GE3

Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 40801 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.03 грн
5000+	40.38 грн
12500+	38.51 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50N04-5m6_T4GE3

MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4165 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.47 грн
10+	93.96 грн
100+	63.64 грн
500+	53.47 грн
1000+	43.58 грн
2500+	40.19 грн
5000+	38.99 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50N04_4M5LT4GE3

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N05-11L_GE3

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 32A; 75W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 32A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

SQD50N05-11L-GE3

товар відсутній

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N05-11L_GE3

MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 7938 шт:

термін постачання 317-326 дні (днів)

3+	118.57 грн
10+	100.07 грн
100+	69.75 грн
250+	67.09 грн
500+	57.79 грн
1000+	48.82 грн
2000+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N05-11L_GE3

Description: VISHAY - SQD50N05-11L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 A, 0.009 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 75
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 75
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 3913 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.64 грн
10+	113.26 грн
100+	96.13 грн
500+	73.35 грн

Мінімальне замовлення: 6

SQD50N05-11L_GE3

Description: MOSFET N-CH 50V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2106 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50N06-07L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50N06-07L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD50N06-09L_GE3

товар відсутній

SQD50N06-09L-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

на замовлення 4395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	320.47 грн
10+	258.99 грн
100+	209.55 грн
500+	174.8 грн
1000+	149.67 грн

SQD50N06-09L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	70.68 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50N06-09L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3065 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	155.95 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50N06-09L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 41782 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	336.34 грн
10+	279.59 грн
25+	234.48 грн
100+	197.28 грн
250+	189.98 грн
500+	180.01 грн
1000+	154.77 грн

SQD50N06-15L-GE3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8M9L-GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A

товар відсутній

SQD50N10-8m9L_GE3

MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified

на замовлення 22780 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	120.89 грн
10+	99.31 грн
100+	68.42 грн
250+	63.04 грн
500+	57.72 грн
1000+	49.42 грн
2000+	46.96 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7894 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.09 грн
10+	89.54 грн
100+	71.26 грн
500+	56.59 грн
1000+	48.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50N10-8M9L_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50N10-8m9L_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	50.47 грн
6000+	46.78 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P03-07-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFET -30V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P03-07-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Description: VISHAY - SQD50P03-07_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET Series
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 4391 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	192.97 грн
10+	170.35 грн
100+	119.57 грн
500+	98.31 грн
1000+	81.04 грн
2000+	70.41 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P03-07_GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5490 pF @ 25 V

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

товар відсутній

SQD50P03-07_GE3

Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-09L_GE3

товар відсутній

SQD50P04-09L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товар відсутній

SQD50P04-09L_GE3

MOSFET 40V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 25662 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	206.92 грн
10+	183.34 грн
100+	130.86 грн
500+	110.93 грн
1000+	93.66 грн
2000+	89.01 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	89.42 грн
6000+	82.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-09L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-09L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

на замовлення 10963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.95 грн
10+	148.49 грн
100+	120.15 грн
500+	100.23 грн
1000+	85.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-09L_T4GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R

товар відсутній

SQD50P04-09L_T4GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V

товар відсутній

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P04-13L-GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252

товар відсутній

SQD50P04-13L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P04-13L_GE3

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	120.86 грн
4000+	116.61 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	201.19 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 16000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	196.79 грн
4000+	180.69 грн
8000+	169.01 грн
12000+	154.53 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273

Транзистори > Польові P-канальні

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V

товар відсутній

SQD50P04-13L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	130.16 грн
4000+	125.58 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P04-13L_GE3

MOSFET 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14048 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	203.04 грн
10+	183.34 грн
100+	130.86 грн
500+	110.93 грн
1000+	93.66 грн
2000+	89.01 грн
24000+	81.04 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 5053 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	101.32 грн
10+	79.71 грн
100+	61.99 грн
500+	49.31 грн
1000+	40.17 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P04-13L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 54190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	100.75 грн
10+	81.74 грн
100+	55.27 грн
500+	46.9 грн
1000+	38.19 грн
2500+	35.94 грн
5000+	34.21 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD50P04-13L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.84 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50P06-15L-GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50P06-15L_GE3

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -200A; 45W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -200A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2000 шт

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	89.42 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P06-15L_GE3

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Trans MOSFET P-CH 60V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P06-15L_GE3

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 5359 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	183.95 грн
10+	148.49 грн
100+	120.15 грн
500+	100.23 грн
1000+	85.82 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P06-15L_GE3

MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15178 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	201.49 грн
10+	167.29 грн
25+	140.82 грн
100+	117.57 грн
250+	114.25 грн
500+	104.29 грн
1000+	89.67 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P06-15L_T4GE3

Automotive P Channel 60 V D S 175 Degree MOSFET

товар відсутній

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500

SQD50P06-15L_T4GE3

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

на замовлення 28889 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	113.92 грн
10+	92.43 грн
100+	63.04 грн
2500+	53.14 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P06-15L_T4GE3

Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5910 pF @ 25 V

на замовлення 4680 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	82.82 грн
100+	64.4 грн
500+	51.23 грн
1000+	41.73 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD50P08-25L

Транз. Пол. БМ TO-252-3 MOSFET P-channel 80 V; 50 A; Pmax=136 W AEC-Q101

на замовлення 23 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

2+	177.41 грн
10+	154.44 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

на замовлення 18062 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	180.36 грн
10+	144.68 грн
100+	115.17 грн
500+	91.45 грн
1000+	77.6 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD50P08-25L_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5350 pF @ 25 V

на замовлення 17000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	81.57 грн
6000+	75.6 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P08-25L_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD50P08-25L_GE3

MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 15906 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET -80V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD50P08-28-T4_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

MOSFET P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 14881 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

SQD50P08-28_GE3

Description: VISHAY - SQD50P08-28_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 48
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 136
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	79.41 грн
6000+	73.6 грн

Мінімальне замовлення: 2000

SQD50P08-28_GE3

SQD50P08-28-GE3 SMD P channel transistors

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Trans MOSFET P-CH 80V 48A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD50P08-28_GE3

Description: MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6035 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 7004 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.04 грн
10+	140.88 грн
100+	112.12 грн
500+	89.03 грн
1000+	75.54 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD65BA78

на замовлення 49 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

H3-8

на замовлення 32 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

65A/750V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD65BB75

SANSHA

65A/400V/GTR

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

товар відсутній

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

на замовлення 128 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	69.72 грн
10+	60.38 грн
25+	59.32 грн
50+	56.65 грн
100+	40.03 грн

Мінімальне замовлення: 9

SQD70140EL_GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 30A TO252AA

товар відсутній

SQD70140EL_GE3

MOSFET N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

на замовлення 19750 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	95.32 грн
10+	84.03 грн
100+	57.19 грн
500+	47.3 грн

Мінімальне замовлення: 4

SQD70140EL_GE3

Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1584 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	95.38 грн
10+	79.73 грн
100+	58.42 грн
500+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 8

SQD70140EL_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD70AB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

70A/900V/GTR/1U

на замовлення 60 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD70BB90

07+;

на замовлення 500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SQD90P04-9M4L-GE3

MOSFET RECOMMENDED ALT SQD90P04-9M4L_GE3

товар відсутній

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товар відсутній

SQD90P04-9M4L_GE3

Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA

товар відсутній

SQD90P04-9m4L_GE3

Description: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6675 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	176.04 грн
10+	140.88 грн
100+	112.12 грн
500+	89.03 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD90P04-9m4L_GE3

MOSFET P-Channel 40V AEC-Q101 Qualified

на замовлення 10339 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	190.64 грн
10+	157.36 грн
100+	108.94 грн
250+	100.3 грн
500+	91.67 грн
1000+	77.72 грн
2000+	73.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET -40V Vds 20V Vgs TO-252

товар відсутній

SQD97N06-6m3L_GE3

MOSFET 60V 97A 136W AEC-Q101 Qualified

на замовлення 76552 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	115.47 грн
10+	94.72 грн
100+	65.5 грн
250+	60.25 грн
500+	54.67 грн
1000+	46.9 грн
2000+	44.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD97N06-6M3L_GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 97A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

товар відсутній

SQD97N06-6m3L_GE3

Description: MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6060 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	104.91 грн
10+	83.72 грн
100+	66.63 грн
500+	52.91 грн

Мінімальне замовлення: 3

SQD97N06-6m3L_GE3