Продукція > XP2

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	35496.29 грн

XP2-1-2-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товар відсутній

XP2-1-4-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	35496.29 грн

XP2-1-E-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 66VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товар відсутній

XP2-1-I-6-1

Description: DC TO AC POWER INVERTER, 250WATT
Packaging: Box
Voltage - Output: 120VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: NEMA 5-15R
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товар відсутній

XP2-3-1-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 12VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 12VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	35496.29 грн

XP2-3-2-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 24VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 24VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

товар відсутній

XP2-3-4-5-1

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 48VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 48VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	35496.29 грн

XP2-3-I-5-1

3M Interconnect Solutions

Description: INVERTER 250WATT 230VAC 108VDC
Packaging: Box
Voltage - Output: 230VAC
Voltage - Input: 108VDC
AC Outlets: 1
Type: Inverter
Size: 12.03" L x 5.23" W x 2.77" H (305.6mm x 132.8mm x 70.4mm)
Connector - AC Output: IEC 320-C13
Connector - Voltage Input: Terminals
Region Utilized: North America
Remote Capability: Yes
Part Status: Active
Power - Output Continuous: 250 W
Power - Output Surge: 300 W

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	35496.29 грн

XP200021168

3M Electronic Specialty

Adhesive Tapes

товар відсутній

XP200023370

8F36-AAB105-0.50

товар відсутній

XP201-0005

на замовлення 200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2010005

XPEED

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP202A0003MR-G

MOSFET Power MOSFET, -30V, 3A, P-Type, SOT-23

на замовлення 8443 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	65.56 грн
10+	56.91 грн
100+	34.21 грн
500+	28.63 грн
1000+	24.31 грн
3000+	22.05 грн
6000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

XP202A0003MR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 76mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

XP202A0003MR-G

Description: TOREX - XP202A0003MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP202
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	38.15 грн
500+	30.51 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP202A0003MR-G

на замовлення 2825 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	62.15 грн
16+	47.09 грн
100+	38.15 грн
500+	30.51 грн
1000+	22.55 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP202A0003MR-G

товар відсутній

XP202A0003PR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.5W; SOT89-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -5A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP202A0003PR-G

MOSFET Power MOSFET, -30V, 5A, P-Type, SOT-89

на замовлення 3036 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	66.34 грн
10+	57.75 грн
100+	34.28 грн
500+	28.7 грн
1000+	24.91 грн
2000+	22.19 грн
5000+	20.46 грн

Мінімальне замовлення: 5

XP202A0003PR-G

товар відсутній

XP206/15E10

N/A

04+ N/A

на замовлення 147 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP20M00000S408

Description: CRYSTAL 20MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 70 Ohms
Frequency: 20 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP210

на замовлення 22 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2120CP

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP215ACD

на замовлення 8003 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2206CP

на замовлення 75 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2206M

0031+

на замовлення 59 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2207CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2208CN

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товар відсутній

XP2210 (1104669)

Sierra Wireless

Description: XS2210 GNSS MOD GPS+GLONASS

товар відсутній

XP2211ACD

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2211ACP

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2211CP

DIP

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2211CP

на замовлення 216 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2211CP

92+

на замовлення 108 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2211P

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2212M

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2215

на замовлення 33200 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP221P05013R-G

Description: TOREX - XP221P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP221P0501xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

на замовлення 1629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

26+	29.14 грн
39+	19.3 грн
100+	9.09 грн
500+	6.37 грн
1000+	3.82 грн

Мінімальне замовлення: 26

XP221P0501TR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.5A; Idm: -1A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -500mA
Pulsed drain current: -1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP221P0501TR-G

товар відсутній

XP222A

HITACHI

CLCC 07+

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP222A

HITACHI

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

104+	7.23 грн
132+	5.66 грн
209+	3.58 грн
500+	2.63 грн
1000+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 104

XP222N03013R-G

Description: TOREX - XP222N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 2675 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	2.63 грн
1000+	1.85 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	2.84 грн
1000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP222N03015R-G

Description: TOREX - XP222N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 2905 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

96+	7.82 грн
122+	6.11 грн
197+	3.8 грн
500+	2.84 грн
1000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 96

XP222N03015R-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.35W; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP222N03015R-G

товар відсутній

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP222N03017R-G

Description: TOREX - XP222N03017R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 290 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

32+	23.77 грн
48+	15.72 грн
101+	7.43 грн

Мінімальне замовлення: 32

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 3685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	143.07 грн
50+	94.64 грн
100+	44.71 грн
500+	31.28 грн
1500+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 6

XP222N0301TR-G

Description: TOREX - XP222N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.76 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.76ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.76ohm

на замовлення 3685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	31.28 грн
1500+	18.78 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP222P08013R-G

Description: TOREX - XP222P08013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP222P0801xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

62+	12.15 грн
78+	9.61 грн
112+	6.71 грн
500+	4.77 грн
1000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 62

XP222P08013R-G

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.77 грн
1000+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP222P0801TR-G

XP222P0801TR-G SMD P channel transistors

товар відсутній

XP222P0801TR-G

Description: TOREX - XP222P0801TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 800 mA, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 800
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP222P0801xx-G
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 1339 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.85 грн
33+	23.25 грн
100+	12 грн
500+	8.79 грн

Мінімальне замовлення: 25

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.53 грн
1000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP223N10013R-G

Description: TOREX - XP223N10013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223N1001xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 1085 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

79+	9.46 грн
104+	7.23 грн
162+	4.62 грн
500+	3.53 грн
1000+	2.68 грн

Мінімальне замовлення: 79

XP223N1001TR-G

Description: TOREX - XP223N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1 A, 0.15 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP223N1001xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 800
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

на замовлення 2740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.23 грн
30+	25.11 грн
100+	12.97 грн
500+	9.48 грн

Мінімальне замовлення: 23

XP223N1001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP223N1001TR-G

товар відсутній

XP223P1501TR-G

Description: TOREX - XP223P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.5 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP223P1501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.07 грн
500+	8.51 грн
1000+	6.07 грн
3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP223P1501TR-G

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.5A; Idm: -3A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Pulsed drain current: -3A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.43Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

XP223P1501TR-G

на замовлення 5990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.83 грн
43+	17.36 грн
100+	12.07 грн
500+	8.51 грн
1000+	6.07 грн
3000+	5.56 грн

Мінімальне замовлення: 35

XP223P1501TR-G

товар відсутній

XP2242CP

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP224N06013R-G

Description: TOREX - XP224N06013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	10.21 грн
92+	8.12 грн
132+	5.66 грн
500+	4.01 грн
1000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 73

XP224N06013R-G

на замовлення 2890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.01 грн
1000+	2.81 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP224N0601TR-G

Description: TOREX - XP224N0601TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP224N0601xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.25ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	33.98 грн
28+	27.42 грн
100+	13.49 грн
500+	7.96 грн
1000+	5.05 грн
3000+	4.45 грн

Мінімальне замовлення: 22

XP224N0601TR-G

на замовлення 4540 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	7.96 грн
1000+	5.05 грн
3000+	4.45 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	52.68 грн
22+	35.25 грн
100+	16.24 грн
500+	11.62 грн
1000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 15

XP225N2001TR-G

Description: TOREX - XP225N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2 A, 0.07 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP225N2001xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm

на замовлення 2593 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.24 грн
500+	11.62 грн
1000+	7.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP22M11840S408

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP22M11840S410

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 10pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 10pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP22M11840S412

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 12pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP22M11840S416

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 16pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 16pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP22M11840S418

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 18pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 18pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP22M11840S420

Description: CRYSTAL 22.1184MHZ 30ppm, 20pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 22.1184 MHz

на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP2301GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2301GN - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: XP2301 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.09 грн
29+	26.6 грн
100+	17.66 грн
500+	13.29 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 23

XP2301GN

MOSFET P-CH -20V -2. 5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.56 грн
11+	28.26 грн
100+	16.74 грн
1000+	9.37 грн
3000+	8.57 грн
9000+	7.57 грн
24000+	6.91 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

на замовлення 996 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	32.33 грн
12+	24.43 грн
100+	14.64 грн
500+	12.72 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP2301GN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	17.66 грн
500+	13.29 грн
1000+	9.52 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2301GN

Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.8A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 20 V

товар відсутній

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

товар відсутній

XP2302GN

Description: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 145 pF @ 10 V

на замовлення 985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.24 грн
10+	33.28 грн
100+	23.14 грн
500+	16.95 грн

Мінімальне замовлення: 8

XP2302GN

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	43.24 грн
10+	37.05 грн
100+	24.05 грн
500+	18.93 грн
1000+	14.55 грн
3000+	13.29 грн
9000+	11.62 грн

Мінімальне замовлення: 8

XP2306AGN

Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.75 грн
500+	14.18 грн
1000+	10.54 грн
3000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2306AGN

MOSFET N-CH 30V 5A S OT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	34.87 грн
11+	28.49 грн
100+	16.87 грн
500+	12.62 грн
1000+	9.43 грн
3000+	8.7 грн
6000+	8.1 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP2306AGN

Description: XSEMI - XP2306AGN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.43 грн
26+	28.91 грн
100+	19.75 грн
500+	14.18 грн
1000+	10.54 грн
3000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 22

XP2306GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2306GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5.3 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2306 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	37.33 грн
24+	31.52 грн
100+	21.16 грн
500+	15.36 грн
1000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 20

XP2306GN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	21.16 грн
500+	15.36 грн
1000+	10.03 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2318GEN

MOSFET N-CH 30V 0.5A SOT-23S

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
11+	28.34 грн
100+	18.4 грн
500+	14.48 грн
1000+	11.16 грн
3000+	10.16 грн
9000+	8.83 грн

Мінімальне замовлення: 10

XP231N02013R-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 2940 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP231N02015R-G

Description: TOREX - XP231N02015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 350
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 350
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP231N0201xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 5390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	24.81 грн
39+	19.37 грн
100+	9.24 грн
500+	6.61 грн
1000+	3.51 грн
5000+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 31

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 11275 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
20+	14.32 грн
100+	6.99 грн
500+	5.47 грн
1000+	3.8 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP231N0201TR-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A

на замовлення 13549 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	25.57 грн
15+	20.85 грн
100+	8.5 грн
500+	6.38 грн

Мінімальне замовлення: 13

XP231N0201TR-G

Description: TOREX - XP231N0201TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 200 mA, 3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 200
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 400
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3
Verlustleistung: 400
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: XP231N0201xx-G
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

31+	24.59 грн
37+	20.34 грн
100+	9.54 грн
500+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 31

XP231N0201TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

XP231P02013R-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP231P02013R-G

MOSFET N-CHANNEL -30V -0.2A

на замовлення 5605 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.8 грн
17+	18.33 грн
100+	7.57 грн
500+	6.18 грн

Мінімальне замовлення: 13

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 15 шт

на замовлення 15 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

15+	35.26 грн

Мінімальне замовлення: 15

XP231P02013R-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP231P02013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP231P02013R-G TXP231P02013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 485 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 200

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

товар відсутній

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	25.48 грн
44+	17.21 грн
112+	6.66 грн
500+	4.68 грн
1000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 30

XP231P0201TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 10 V

на замовлення 1336 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
20+	13.98 грн
100+	6.82 грн
500+	5.33 грн
1000+	3.71 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP231P0201TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.2A / SOT-23

на замовлення 7997 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.25 грн
17+	18.94 грн
100+	7.71 грн
500+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP231P0201TR-G

Description: TOREX - XP231P0201TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 200 mA, 3.2 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.2ohm

на замовлення 2820 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.68 грн
1000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP231P0201TR-G

XP231P0201TR-G SMD P channel transistors

товар відсутній

XP2322GN

Description: YAGEO XSEMI - XP2322GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 833mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2322 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.23 грн
27+	28.54 грн
100+	23.25 грн
500+	18.06 грн
1000+	14.31 грн
3000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 23

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

товар відсутній

XP2322GN

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23S

на замовлення 2965 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	42.55 грн
10+	36.59 грн
100+	23.78 грн
500+	18.67 грн
1000+	14.41 грн
3000+	13.15 грн
9000+	11.43 грн

Мінімальне замовлення: 8

XP2322GN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	23.25 грн
500+	18.06 грн
1000+	14.31 грн
3000+	13.29 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2322GN

Description: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 833mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 20 V

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.52 грн
10+	32.87 грн
100+	22.85 грн
500+	16.74 грн
1000+	13.61 грн

Мінімальне замовлення: 8

XP232N03013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.3A

на замовлення 1914 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.96 грн
18+	17.26 грн
100+	8.5 грн
1000+	4.85 грн
3000+	3.45 грн
9000+	2.99 грн
24000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товар відсутній

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.81 грн
1000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP232N03013R-G

GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET Transistors - FETs, MOSFETs - Single XP232N03013R-G TXP232N03013R-G
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 400 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

200+	3.39 грн

Мінімальне замовлення: 200

XP232N03013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товар відсутній

XP232N03013R-G

Description: TOREX - XP232N03013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

44+	17.14 грн
66+	11.4 грн
125+	5.96 грн
500+	3.81 грн
1000+	1.98 грн

Мінімальне замовлення: 44

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	3.81 грн
1000+	2.87 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP232N03015R-G

Description: TOREX - XP232N03015R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232N0301xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2895 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	10.28 грн
93+	8.05 грн
150+	4.99 грн
500+	3.74 грн
1000+	2.62 грн

Мінімальне замовлення: 73

XP232N0301TR-G

Description: TOREX - XP232N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm

на замовлення 2715 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	26.01 грн
43+	17.59 грн
110+	6.8 грн
500+	4.78 грн
1000+	3 грн

Мінімальне замовлення: 29

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	20.84 грн
20+	13.84 грн
100+	6.75 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP232N0301TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 133-142 дні (днів)

14+	23.09 грн
20+	15.58 грн
100+	5.51 грн
1000+	3.85 грн
3000+	3.06 грн
9000+	2.52 грн
24000+	2.39 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP232N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 10 V

товар відсутній

XP232P05013R-G

Description: TOREX - XP232P05013R-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP232P0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2576 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

84+	8.94 грн
106+	7.08 грн
152+	4.92 грн
500+	3.53 грн
1000+	2.49 грн

Мінімальне замовлення: 84

XP232P05013R-G

на замовлення 1816 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	8.93 грн
1000+	5.37 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP232P0501TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -0.45A / SOT-23

на замовлення 15032 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.96 грн
18+	17.49 грн
100+	6.24 грн
1000+	4.32 грн
3000+	3.39 грн
9000+	2.86 грн
24000+	2.66 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.95ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 2072 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.76 грн
500+	5.95 грн
1000+	3.77 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 11629 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	23.71 грн
18+	15.57 грн
100+	7.59 грн
500+	5.94 грн
1000+	4.13 грн

Мінімальне замовлення: 13

XP232P0501TR-G

Description: TOREX - XP232P0501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 450 mA, 0.95 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm

на замовлення 822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	28.61 грн
39+	19.3 грн
100+	7.45 грн
500+	5.22 грн

Мінімальне замовлення: 27

XP232P0501TR-G

Description: MOSFET P-CH 30V 450MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.96 грн
6000+	3.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

XP2332GEN

Description: XSEMI - XP2332GEN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 mA, 72 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 72ohm

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	25.11 грн
500+	19.58 грн
1000+	15.46 грн
3000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2332GEN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.99 грн
25+	30.85 грн
100+	25.11 грн
500+	19.58 грн
1000+	15.46 грн
3000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 21

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товар відсутній

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

27+	27.72 грн
37+	20.34 грн
100+	10.51 грн
500+	6.27 грн
1000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 27

XP233N05013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товар відсутній

XP233N05013R-G

Description: TOREX - XP233N05013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP233N0501xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 1515 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	10.51 грн
500+	6.27 грн
1000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP233N05013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.5A

на замовлення 1800 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

13+	24.49 грн
18+	17.8 грн
100+	8.77 грн
1000+	4.52 грн
3000+	3.52 грн
9000+	3.12 грн
24000+	2.86 грн

Мінімальне замовлення: 13

XP233N0501TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.5A; Idm: 1A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

45+	6.35 грн
65+	4.29 грн
100+	3.3 грн
340+	2.89 грн
500+	2.76 грн
930+	2.72 грн
3000+	2.61 грн

Мінімальне замовлення: 45

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

товар відсутній

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm

на замовлення 315 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.18 грн
42+	17.88 грн
100+	10.28 грн

Мінімальне замовлення: 25

XP233N0501TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.5A / SOT-23

на замовлення 8400 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
19+	16.19 грн
100+	8.9 грн
1000+	4.78 грн
3000+	3.39 грн
9000+	2.59 грн
24000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP233N0501TR-G

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

75+	5.29 грн
105+	3.44 грн
130+	2.75 грн
340+	2.41 грн
500+	2.3 грн
930+	2.27 грн

Мінімальне замовлення: 75

XP233N0501TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

на замовлення 70 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
19+	14.6 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP233N0501TR-G

Description: TOREX - XP233N0501TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.6 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	11.1 грн
500+	6.7 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP233P1501TR-G

MOSFET General-purpose P-channel MOSFET , -30V / -1.5A / SOT-23

на замовлення 2826 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.04 грн
13+	24.14 грн
100+	13.09 грн
1000+	7.84 грн
3000+	5.98 грн
9000+	5.31 грн
24000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.13ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	14.68 грн
500+	9.96 грн
1000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP233P1501TR-G

Description: TOREX - XP233P1501TR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.13 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm

на замовлення 1455 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	39.72 грн
29+	26.45 грн
100+	14.68 грн
500+	9.96 грн
1000+	5.75 грн

Мінімальне замовлення: 19

XP23429C

на замовлення 17 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2344GN

Description: MOSFET N+P 30V/-30V 3.3A/-2.3A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

товар відсутній

XP2344GN

Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.75 грн
500+	14.18 грн
1000+	10.54 грн
3000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2344GN

Description: MOSFET N+P 30V/-30V 3.3A/-2.3A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 10 V

товар відсутній

XP2344GN

Description: XSEMI - XP2344GN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.4 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2344 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.43 грн
26+	28.91 грн
100+	19.75 грн
500+	14.18 грн
1000+	10.54 грн
3000+	9.39 грн

Мінімальне замовлення: 22

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

товар відсутній

XP234N08013R-G

MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A

на замовлення 1179 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	33.17 грн
14+	21.85 грн
100+	10.76 грн
1000+	6.24 грн
3000+	4.38 грн
9000+	3.79 грн
24000+	3.52 грн

Мінімальне замовлення: 10

XP234N08013R-G

Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP234N08013R-G

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm

на замовлення 2975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	21.91 грн
52+	14.38 грн
103+	7.3 грн
500+	4.77 грн
1000+	2.55 грн

Мінімальне замовлення: 35

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP234N0801TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.8A; Idm: 1.6A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.8A
Pulsed drain current: 1.6A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP234N0801TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 0.8A / SOT-23

на замовлення 1878 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	27.36 грн
18+	17.26 грн
100+	8.5 грн
1000+	5.51 грн
3000+	3.72 грн
9000+	2.99 грн
24000+	2.79 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP234N0801TR-G

товар відсутній

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP234N0801TR-G

Description: GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

29+	26.38 грн
39+	19.37 грн
100+	12.07 грн
500+	8.03 грн
1000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 29

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

товар відсутній

XP235N2001TR-G

Description: TOREX - XP235N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	12.07 грн
500+	8.03 грн
1000+	5.72 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP235N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V

товар відсутній

XP235N2001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2A; Idm: 4A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP235N2001TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 2897 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	35.34 грн
13+	23.76 грн
100+	10.43 грн
1000+	7.71 грн
3000+	5.85 грн
9000+	5.18 грн
24000+	4.85 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP235N2001TR-G

товар відсутній

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	9.69 грн
500+	6.99 грн
1000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP236N2001TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 30V / 2A / SOT-23

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	36.73 грн
13+	24.14 грн
100+	10.63 грн
1000+	8.3 грн
3000+	5.98 грн
9000+	5.31 грн
24000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 9

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

товар відсутній

XP236N2001TR-G

Description: TOREX - XP236N2001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.08 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm

на замовлення 1178 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	32.34 грн
36+	21.16 грн
100+	9.69 грн
500+	6.99 грн
1000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 24

XP236N2001TR-G

Description: MOSFET N-CH 30V 2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V

товар відсутній

XP2401

PANASONIC

SOT23-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2401-(TX)

PANASONIC

97+

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2401-(TX)(7R)

на замовлення 1850 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2401-TX

PANASONIC

09+

на замовлення 3018 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2401/7R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2401TX

PAN

00+ SOP-5

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP241YVIT2

на замовлення 2342 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP24M00000S408

Description: CRYSTAL 24MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP24M57600S408

Description: CRYSTAL 24.576MHZ 30ppm, 8pF 2 P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 24.576 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP2501

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2501-(TX)

на замовлення 2300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2501-(TX).SO

PANA

SOT25/SOT353

на замовлення 2769 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

товар відсутній

XP2530AGY

Description: YAGEO XSEMI - XP2530AGY - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.3 A, 2.3 A, 0.072 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.136W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.072ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.136W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	67.36 грн
15+	52.83 грн
100+	37.63 грн
500+	29.61 грн
1000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP2530AGY

Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.136W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 2.3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320pF @ 15V, 260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3A, 10V, 150mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	57.48 грн
10+	45.81 грн
100+	35.61 грн
500+	28.33 грн
1000+	23.08 грн

Мінімальне замовлення: 5

XP2530AGY

на замовлення 2995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.63 грн
500+	29.61 грн
1000+	20.95 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2530AGY

MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	61.3 грн
10+	49.58 грн
100+	33.55 грн
500+	28.43 грн
1000+	23.18 грн
3000+	21.79 грн
6000+	20.72 грн

Мінімальне замовлення: 6

XP2581

на замовлення 10 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP25M00000S408

Description: CRYSTAL 25MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 25 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP261N70023R-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.3A; 0.35W; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товар відсутній

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP261N70023R-G

товар відсутній

XP261N70023R-G

MOSFET N-CHANNEL 60V 0.15A

на замовлення 7290 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

15+	20.92 грн
22+	14.21 грн
100+	7.84 грн
1000+	3.52 грн
3000+	3.06 грн
9000+	2.26 грн
24000+	2.19 грн

Мінімальне замовлення: 15

XP261N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товар відсутній

XP261N70023R-G

Description: TOREX - XP261N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 20 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP261N70025R-G

Description: TOREX - XP261N70025R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 45 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	1.94 грн
1000+	1.72 грн
2500+	1.28 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP261N70027R-G

Description: TOREX - XP261N70027R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 7985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

323+	2.31 грн
334+	2.24 грн
345+	2.16 грн
500+	1.94 грн
1000+	1.72 грн
2500+	1.28 грн

Мінімальне замовлення: 323

XP261N7002TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.15A / SOT-23

на замовлення 7501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

16+	20.15 грн
23+	13.6 грн
100+	7.51 грн
1000+	3.59 грн
3000+	2.86 грн
9000+	2.19 грн
24000+	2.06 грн

Мінімальне замовлення: 16

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товар відсутній

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.6 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP261N7002TR-G

Description: TOREX - XP261N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 mA, 3 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm

на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

34+	22.21 грн
50+	15.05 грн
100+	8.87 грн
500+	5.6 грн

Мінімальне замовлення: 34

XP261N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18 pF @ 20 V

товар відсутній

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товар відсутній

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	6.91 грн
1000+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP262N70023R-G

MOSFET N-CHANNEL 60V 0.3A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	28.13 грн
19+	16.81 грн
100+	9.3 грн
1000+	4.98 грн
3000+	3.59 грн
9000+	2.72 грн
24000+	2.59 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP262N70023R-G

Description: TOREX - XP262N70023R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP261N7002xx-G
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 2140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	30.63 грн
32+	23.85 грн
100+	11.55 грн
500+	6.91 грн
1000+	4.67 грн

Мінімальне замовлення: 25

XP262N70023R-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323-3A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 1997 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	22.28 грн
19+	15.15 грн
100+	7.38 грн
500+	5.78 грн
1000+	4.01 грн

Мінімальне замовлення: 13

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm

на замовлення 1626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	25.48 грн
44+	17.21 грн
112+	6.66 грн
500+	4.68 грн
1000+	2.94 грн

Мінімальне замовлення: 30

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

на замовлення 1870 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

14+	21.56 грн
20+	13.98 грн
100+	6.82 грн
500+	5.33 грн
1000+	3.71 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP262N7002TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 7502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

14+	23.09 грн
20+	15.58 грн
100+	5.51 грн
1000+	3.85 грн
3000+	3.06 грн
9000+	2.52 грн
24000+	2.32 грн

Мінімальне замовлення: 14

XP262N7002TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товар відсутній

XP262N7002TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 0.6A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт

товар відсутній

XP262N7002TR-G

Description: TOREX - XP262N7002TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 3626 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	4.91 грн
1000+	3.13 грн
3000+	2.75 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP262N7002TR-G

товар відсутній

XP263N1001TR-G

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1A; Idm: 2A; 0.4W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate

товар відсутній

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 9380 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

21+	35.77 грн
30+	24.89 грн
100+	10.21 грн
500+	7.89 грн
1000+	5.75 грн
5000+	5.11 грн

Мінімальне замовлення: 21

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 23754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	30.18 грн
14+	20.41 грн
100+	10.3 грн
500+	8.56 грн
1000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 10

XP263N1001TR-G

товар відсутній

XP263N1001TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 20 V

на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.6 грн
6000+	6.21 грн
9000+	5.5 грн

Мінімальне замовлення: 3000

XP263N1001TR-G

Description: TOREX - XP263N1001TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1 A, 0.18 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)

на замовлення 11815 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	8.94 грн
500+	7.4 грн
1000+	6 грн
3000+	5.17 грн
6000+	4.6 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP263N1001TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 1A / SOT-23

на замовлення 5848 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

10+	32.47 грн
14+	22.69 грн
100+	8.83 грн
1000+	6.91 грн
3000+	5.98 грн
9000+	5.31 грн
24000+	4.92 грн

Мінімальне замовлення: 10

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 400mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP26
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

500+	5.12 грн
1000+	2.43 грн

Мінімальне замовлення: 500

XP264N0301TR-G

товар відсутній

XP264N0301TR-G

Description: TOREX - XP264N0301TR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.1 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm

на замовлення 2985 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

33+	22.88 грн
53+	14.31 грн
100+	8.2 грн
500+	5.12 грн
1000+	2.43 грн

Мінімальне замовлення: 33

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товар відсутній

XP264N0301TR-G

MOSFET General-purpose N-channel MOSFET , 60V / 0.3A / SOT-23

на замовлення 2852 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

12+	25.96 грн
19+	16.19 грн
100+	8.9 грн
1000+	4.78 грн
3000+	3.12 грн
9000+	2.59 грн
24000+	2.46 грн

Мінімальне замовлення: 12

XP264N0301TR-G

товар відсутній

XP264N0301TR-G

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 20 V

товар відсутній

XP27M00000S408

Description: CRYSTAL 27MHZ 30ppm, 8pF 2 Pads.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 27 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	39.46 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP28M63636S408

Description: CRYSTAL 28.63636MHZ 30ppm, 8pF 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Load Capacitance: 8pF
Size / Dimension: 0.236" L x 0.138" W (6.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±30ppm
Frequency Tolerance: ±30ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.047" (1.20mm)
Part Status: Active
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 28.63636 MHz

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	42.07 грн

Мінімальне замовлення: 2000

XP2943CP

на замовлення 27 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

XP2E2Z11

Saia-Burgess

Basic / Snap Action Switches Door switch

товар відсутній

XP2E2Z11

Category: Door Switches
Description: Switch: door; 16A/400VAC; 3N; Features: with pin
Type of switch: door
AC contacts rating @R: 16A / 400V AC
Operating Force: 3N
Switches features: with pin
Stable positions number: 1

на замовлення 64 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	654.25 грн
2+	446.3 грн
5+	422.08 грн

XP2E2Z11

на замовлення 64 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)

1+	785.1 грн
2+	556.16 грн
5+	506.5 грн
500+	486.57 грн

XP2N1K2EN1

Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	19.9 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2N1K2EN1

Description: XSEMI - XP2N1K2EN1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2N1K2E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

22+	34.72 грн
26+	29.14 грн
100+	19.9 грн

Мінімальне замовлення: 22

XP2P038N

Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.22 грн
500+	24.29 грн
1000+	19.23 грн
3000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2P038N

MOSFET P-CH -20V -5A SOT-23

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 203-212 дні (днів)

6+	52.47 грн
10+	45.53 грн
100+	30.42 грн
500+	24.05 грн
1000+	19.26 грн
3000+	16.47 грн

Мінімальне замовлення: 6

XP2P038N

Description: XSEMI - XP2P038N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.038 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.38W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P038 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	44.71 грн
20+	38.38 грн
100+	31.22 грн
500+	24.29 грн
1000+	19.23 грн
3000+	17.88 грн

Мінімальне замовлення: 17

XP2P053N

MOSFET P-CH -20V -4. 2A SOT-23S

на замовлення 2999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

11+	29.53 грн
13+	24.22 грн
100+	14.35 грн
1000+	8.04 грн
3000+	7.37 грн
9000+	6.51 грн
24000+	5.91 грн

Мінімальне замовлення: 11

XP2P053N

Description: YAGEO XSEMI - XP2P053N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.053 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP2P053 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	33.23 грн
28+	27.05 грн
100+	16.39 грн
500+	11.56 грн
1000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 23

XP2P053N

OMRON ELECTRONIC COMPONENTS

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	16.39 грн
500+	11.56 грн
1000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 100

XP2U-001

Omron

Testing Socket for Devices with USB Type C Connectors

товар відсутній

XP2U-001

Description: OMRON ELECTRONIC COMPONENTS - XP2U-001 - USB TYPE C MOUNTED DEVICE TEST SOCKET
tariffCode: 85366990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kontakte: 24Contacts
USB-Version: USB 3.1
euEccn: NLR
hazardous: false
Betriebstemperatur: +5°C to +40°C
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strom USB-Prüfsteckverbinder: 0.25A/1.25A
directShipCharge: 25
Spannung USB-Prüfsteckverbinder: 20VDC/ 20VAC
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)

на замовлення 33 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	12380.11 грн
5+	11927.05 грн
10+	11472.5 грн
25+	10192.9 грн

XP2U-001

Omron Electronics Inc-EMC Div

Description: XP2U-001 IS A LONG-LIFE TEST SOC
Packaging: Box
For Use With/Related Products: USB - C
Accessory Type: Test Socket

на замовлення 111 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	10569.85 грн
10+	9431.63 грн
25+	9092.36 грн
50+	8469.13 грн

XP2U-001

Omron Electronics

Test Sockets Test Socket USB Type C

на замовлення 69 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	11481.15 грн
10+	10487.54 грн
20+	8725.69 грн
100+	8725.03 грн

XP2U001

Omron

Testing Socket for Devices with USB Type C Connectors

товар відсутній

XP2Z11

Category: Door Switches
Description: Switch: door; Pos: 2; SPST-NO + SPST-NC; 16A/400VAC; 3N; IP40
Type of switch: door
Number of positions: 2
Contacts configuration: SPST-NO + SPST-NC
AC contacts rating @R: 16A / 400V AC
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Switching method: ON-(ON)
Operating temperature: -20...85°C
Body dimensions: 30x12x32mm
Contact plating: silver plated
Operating Force: 3N
Switches features: with pin
IP rating: IP40
Mechanical durability: 10000000 cycles
Contact material: bronze
Key stroke: 3mm
Stable positions number: 1

на замовлення 550 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	388.23 грн
4+	217.27 грн
11+	204.81 грн

XP2Z11

Saia-Burgess

Basic / Snap Action Switches Door switch

на замовлення 272 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	475.83 грн
10+	375.84 грн
25+	310.21 грн
100+	261.05 грн
250+	244.45 грн
500+	233.15 грн
1040+	224.52 грн

XP2Z11