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NL27WZ16DFT2G NL27WZ16DFT2G ONSEMI 1769886.pdf Description: ONSEMI - NL27WZ16DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-363-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTNS3164NZT5G NTNS3164NZT5G ONSEMI ONSM-S-A0013299944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 361mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.35 грн
33+ 23.92 грн
100+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTNS3164NZT5G NTNS3164NZT5G ONSEMI ONSM-S-A0013299944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 361mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP1612A3DR2G NCP1612A3DR2G ONSEMI 2180984.pdf Description: ONSEMI - NCP1612A3DR2G - IC, PFC-Controller, 9.5V-35V & 2mA Versorgung, 9.5V Abschaltung, 0% Tastverhältnis, 20kHz, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.81 грн
11+ 72.54 грн
100+ 45.75 грн
500+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCP1612A1DR2G NCP1612A1DR2G ONSEMI NCP1612-D.PDF Description: ONSEMI - NCP1612A1DR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDD6530A FDD6530A ONSEMI 2729242.pdf Description: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD6530A FDD6530A ONSEMI 2729242.pdf Description: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Verlustleistung: 1.5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E ONSEMI EN2005-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1419S-TD-E 2SA1419S-TD-E ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416S-TD-E 2SA1416S-TD-E ONSEMI EN2005-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416T-TD-E 2SA1416T-TD-E ONSEMI EN2005-D.PDF Description: ONSEMI - 2SA1416T-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1419T-TD-H 2SA1419T-TD-H ONSEMI ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1419
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTHS4101PT1G NTHS4101PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+87.48 грн
11+ 70.84 грн
100+ 52.72 грн
500+ 40.33 грн
1000+ 29.8 грн
3000+ 28.27 грн
6000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCV4333DR2G NCV4333DR2G ONSEMI NCS333-D.PDF Description: ONSEMI - NCV4333DR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV4333DTBR2G NCV4333DTBR2G ONSEMI 3213432.pdf Description: ONSEMI - NCV4333DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.26 грн
10+ 106.06 грн
100+ 69.13 грн
500+ 47.23 грн
2500+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
NCV4333DTBR2G NCV4333DTBR2G ONSEMI 3213432.pdf Description: ONSEMI - NCV4333DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.13 грн
500+ 47.23 грн
2500+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAT54CLT3G BAT54CLT3G ONSEMI 2236825.pdf Description: ONSEMI - BAT54CLT3G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
SB180 SB180 ONSEMI 2304435.pdf Description: ONSEMI - SB180 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTR2101PT1G NTR2101PT1G ONSEMI 2310584.pdf Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 24592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.69 грн
42+ 18.58 грн
100+ 12.77 грн
500+ 9.27 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
BAV70WT1G BAV70WT1G ONSEMI 1910408.pdf Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+9.99 грн
108+ 7.17 грн
256+ 3.03 грн
500+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 78
RSL10-COIN-GEVB RSL10-COIN-GEVB ONSEMI Description: ONSEMI - RSL10-COIN-GEVB - EVAL.BOARD BLE TEMP.SENSOR SIGNALLEUCHTE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCH-RSL10-101Q48-ABG
Kit-Anwendungsbereich: Sensorik - Temperatur
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101Q48-ABG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
NC7SB3257P6X NC7SB3257P6X ONSEMI 2299747.pdf Description: ONSEMI - NC7SB3257P6X - Multiplexer- / Demultiplexer-Busschalter, 1 Kanal, 2:1, 4V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multiplexer-/Demultiplexer-Busschalter
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.49 грн
18+ 45.13 грн
100+ 31.28 грн
500+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
NC7SB3257P6X NC7SB3257P6X ONSEMI 2299747.pdf Description: ONSEMI - NC7SB3257P6X - Multiplexer- / Demultiplexer-Busschalter, 1 Kanal, 2:1, 4V bis 5.5V, SC-70-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.28 грн
500+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25256YI-GT3 CAT25256YI-GT3 ONSEMI 2353979.pdf Description: ONSEMI - CAT25256YI-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.13 грн
13+ 60.39 грн
100+ 48.85 грн
500+ 42.7 грн
3000+ 37.09 грн
6000+ 35.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
CAT25256YI-GT3 CAT25256YI-GT3 ONSEMI 2353979.pdf Description: ONSEMI - CAT25256YI-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.85 грн
500+ 42.7 грн
3000+ 37.09 грн
6000+ 35.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25256XI-T2 CAT25256XI-T2 ONSEMI 2032035.pdf Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CAT25256XI-T2 CAT25256XI-T2 ONSEMI 2032035.pdf Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.8 грн
10+ 109.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
CAT25256HU4I-GT3 CAT25256HU4I-GT3 ONSEMI CAT25256-D.PDF Description: ONSEMI - CAT25256HU4I-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, UDFN-EP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 10
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CAT25256YI-G CAT25256YI-G ONSEMI 2353979.pdf Description: ONSEMI - CAT25256YI-G - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SBAS40-04LT1G SBAS40-04LT1G ONSEMI 2353771.pdf Description: ONSEMI - SBAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+23.07 грн
49+ 15.87 грн
125+ 6.22 грн
500+ 3.74 грн
3000+ 2.65 грн
9000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
NRVUS230T3G NRVUS230T3G ONSEMI murs230t3-d.pdf ONSM-S-A0002809589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NRVUS230T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 2 A, Einfach, 1.3 V, 65 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 65
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SB20-03P-TD-E SB20-03P-TD-E ONSEMI EN2985-D.PDF Description: ONSEMI - SB20-03P-TD-E - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSQ0765RSUDTU FSQ0765RSUDTU ONSEMI FSQ0765RS-D.pdf Description: ONSEMI - FSQ0765RSUDTU - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NJW21193G NJW21193G ONSEMI ONSM-S-A0013303284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQPF2N70 FQPF2N70 ONSEMI FQPF2N70-D.pdf Description: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
74AC04SCX 74AC04SCX ONSEMI 2287649.pdf Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
NCV317BTG NCV317BTG ONSEMI 2160677.pdf Description: ONSEMI - NCV317BTG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, bis zu 40V Eingangsspannung, 1.2V-37 V/1.5Aout, TO-220-3
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: TO-220
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Adj 1.5A Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDD86102LZ FDD86102LZ ONSEMI 2304362.pdf Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.32 грн
10+ 94.45 грн
100+ 70.3 грн
500+ 55.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD86102 FDD86102 ONSEMI 2304877.pdf Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.26 грн
10+ 88.26 грн
100+ 69.99 грн
500+ 52.77 грн
2500+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD ONSEMI 3168451.pdf Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC ONSEMI AFGHL75T65SQDC-D.PDF Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+801.28 грн
5+ 700.64 грн
10+ 599.99 грн
50+ 528.38 грн
100+ 460.53 грн
250+ 406.12 грн
AFGHL75T65SQDT AFGHL75T65SQDT ONSEMI 2912993.pdf Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+512.51 грн
10+ 421.93 грн
25+ 386.32 грн
100+ 324.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGHL50T65SQ AFGHL50T65SQ ONSEMI 3005706.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGB40T65SQDN AFGB40T65SQDN ONSEMI 2711337.pdf Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 238
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGHL50T65SQDC AFGHL50T65SQDC ONSEMI 2850016.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+826.83 грн
5+ 691.35 грн
10+ 555.86 грн
50+ 496.03 грн
100+ 438.63 грн
250+ 420.05 грн
AFGHL40T65SQD AFGHL40T65SQD ONSEMI 3005705.pdf Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY120T65SPD AFGY120T65SPD ONSEMI 3168452.pdf Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+925.92 грн
5+ 841.54 грн
10+ 756.38 грн
50+ 663.53 грн
100+ 576.66 грн
250+ 558.08 грн
AFGHL40T65SQ AFGHL40T65SQ ONSEMI 3005704.pdf Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 239 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 239W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+401.03 грн
10+ 246.19 грн
100+ 219.09 грн
500+ 193.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGHL75T65SQD AFGHL75T65SQD ONSEMI 2912992.pdf Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGHL50T65SQD AFGHL50T65SQD ONSEMI 3005707.pdf Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD ONSEMI AFGY100T65SPD-D.PDF Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 650V, 120A, To-247, AEC-Q101, 1.6Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 660
Anzahl der Pins: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
NDFPD1N150CG NDFPD1N150CG ONSEMI ena2236-d.pdf Description: ONSEMI - NDFPD1N150CG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FQP19N20C FQP19N20C ONSEMI ONSM-S-A0003585108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 139
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 8776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144 грн
10+ 117.68 грн
100+ 89.03 грн
500+ 68.22 грн
1000+ 46.25 грн
5000+ 43.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP5800 FDP5800 ONSEMI 2304317.pdf Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.64 грн
10+ 150.19 грн
100+ 106.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP054N10 FDP054N10 ONSEMI fdp054n10-d.pdf Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SPZT751T1G SPZT751T1G ONSEMI pzt751t1-d.pdf Description: ONSEMI - SPZT751T1G - HIGH CURRENT PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSP42BU KSP42BU ONSEMI ONSM-S-A0003589576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSP42BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.21 грн
36+ 21.99 грн
100+ 9.21 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.11 грн
5000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
BCW72LT1G BCW72LT1G ONSEMI 1841986.pdf Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+14.09 грн
81+ 9.6 грн
192+ 4.03 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
NL27WZ16DFT2G 1769886.pdf
NL27WZ16DFT2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NL27WZ16DFT2G - Puffer, 1.65V bis 5.5V, SOT-363-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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NTNS3164NZT5G ONSM-S-A0013299944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTNS3164NZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 361mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.35 грн
33+ 23.92 грн
100+ 11.77 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTNS3164NZT5G ONSM-S-A0013299944-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTNS3164NZT5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTNS3164NZT5G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 361 mA, 0.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 361mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 155mW
Bauform - Transistor: SOT-883
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP1612A3DR2G 2180984.pdf
NCP1612A3DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1612A3DR2G - IC, PFC-Controller, 9.5V-35V & 2mA Versorgung, 9.5V Abschaltung, 0% Tastverhältnis, 20kHz, SOIC-10
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 9.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 35V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.81 грн
11+ 72.54 грн
100+ 45.75 грн
500+ 31.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCP1612A1DR2G NCP1612-D.PDF
NCP1612A1DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1612A1DR2G - PFC CONTROLLER
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDD6530A 2729242.pdf
FDD6530A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 21
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 33
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 900
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
FDD6530A 2729242.pdf
FDD6530A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD6530A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 21 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товар відсутній
2SA1419S-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1419S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Verlustleistung: 1.5
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416S-TD-E EN2005-D.PDF
2SA1416S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1419S-TD-E ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1419S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 140
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 1.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416S-TD-E EN2005-D.PDF
2SA1416S-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1416S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
Verlustleistung: 500
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1416T-TD-E EN2005-D.PDF
2SA1416T-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1416T-TD-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
2SA1419T-TD-H ONSMS36084-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2SA1419T-TD-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SA1419T-TD-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 1.5 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: 2SA1419
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTHS4101PT1G ONSM-S-A0013669916-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTHS4101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: ChipFET
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+87.48 грн
11+ 70.84 грн
100+ 52.72 грн
500+ 40.33 грн
1000+ 29.8 грн
3000+ 28.27 грн
6000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
NCV4333DR2G NCS333-D.PDF
NCV4333DR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4333DR2G - Operationsverstärker, 4 Verstärker, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, SOIC, 14 Pin(s)
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 0.15
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: -
Bandbreite: 350
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCV4333DTBR2G 3213432.pdf
NCV4333DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4333DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+136.26 грн
10+ 106.06 грн
100+ 69.13 грн
500+ 47.23 грн
2500+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
NCV4333DTBR2G 3213432.pdf
NCV4333DTBR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4333DTBR2G - Operationsverstärker, RRIO, 4 Kanäle, 350 kHz, 0.15 V/µs, 1.8V bis 5.5V, WTSSOP, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Driftfrei
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.8V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 0.15V/µs
Qualifikation: 0
IC-Gehäuse / Bauform: WTSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 350kHz
Eingangsoffsetspannung: 6µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 60pA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+69.13 грн
500+ 47.23 грн
2500+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
BAT54CLT3G 2236825.pdf
BAT54CLT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54CLT3G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
товар відсутній
SB180 2304435.pdf
SB180
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB180 - Schottky-Gleichrichterdiode, 80 V, 1 A, Einfach, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 850 mV
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 850
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: SB
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NTR2101PT1G 2310584.pdf
NTR2101PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTR2101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 3.7 A, 0.052 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
MSL: -999
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 960mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 24592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+23.69 грн
42+ 18.58 грн
100+ 12.77 грн
500+ 9.27 грн
1000+ 6.34 грн
Мінімальне замовлення: 33
BAV70WT1G 1910408.pdf
BAV70WT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAV70WT1G - Kleinsignaldiode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 70 V, 150 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 70V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAV70
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 17570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
78+9.99 грн
108+ 7.17 грн
256+ 3.03 грн
500+ 2.76 грн
Мінімальне замовлення: 78
RSL10-COIN-GEVB
RSL10-COIN-GEVB
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RSL10-COIN-GEVB - EVAL.BOARD BLE TEMP.SENSOR SIGNALLEUCHTE
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: NCH-RSL10-101Q48-ABG
Kit-Anwendungsbereich: Sensorik - Temperatur
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: On Semiconductor
Lieferumfang des Kits: Evaluationsboard NCH-RSL10-101Q48-ABG
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Bluetooth Low Energy, SoC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
NC7SB3257P6X 2299747.pdf
NC7SB3257P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SB3257P6X - Multiplexer- / Demultiplexer-Busschalter, 1 Kanal, 2:1, 4V bis 5.5V, SC-70-6
Logik-IC-Sockelnummer: -
Logik-IC-Familie: NC7S
Bauform - Logikbaustein: SC-70
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Anzahl der Kanäle: 1
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 4
Logikfamilie / Sockelnummer: -
Logiktyp: Multiplexer-/Demultiplexer-Busschalter
Leitungskonfiguration: 2:1
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+52.49 грн
18+ 45.13 грн
100+ 31.28 грн
500+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 15
NC7SB3257P6X 2299747.pdf
NC7SB3257P6X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7SB3257P6X - Multiplexer- / Demultiplexer-Busschalter, 1 Kanal, 2:1, 4V bis 5.5V, SC-70-6
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+31.28 грн
500+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25256YI-GT3 2353979.pdf
CAT25256YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256YI-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+69.13 грн
13+ 60.39 грн
100+ 48.85 грн
500+ 42.7 грн
3000+ 37.09 грн
6000+ 35.9 грн
Мінімальне замовлення: 12
CAT25256YI-GT3 2353979.pdf
CAT25256YI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256YI-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 6070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+48.85 грн
500+ 42.7 грн
3000+ 37.09 грн
6000+ 35.9 грн
Мінімальне замовлення: 100
CAT25256XI-T2 2032035.pdf
CAT25256XI-T2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
CAT25256XI-T2 2032035.pdf
CAT25256XI-T2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256XI-T2 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Seriell SPI, 5 MHz, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Speicherdichte: 256Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 5MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell SPI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+137.8 грн
10+ 109.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
CAT25256HU4I-GT3 CAT25256-D.PDF
CAT25256HU4I-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256HU4I-GT3 - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 10 MHz, UDFN-EP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: UDFN-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 10
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
CAT25256YI-G 2353979.pdf
CAT25256YI-G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT25256YI-G - EEPROM, 256 Kbit, 32K x 8 bit, Seriell SPI, 5 MHz, TSSOP, 8 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: TSSOP
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: 32K x 8 bit
Anzahl der Pins: 8
Speichergröße: 256
Produktpalette: 256Kbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
товар відсутній
SBAS40-04LT1G 2353771.pdf
SBAS40-04LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SBAS40-04LT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 200mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 120mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+23.07 грн
49+ 15.87 грн
125+ 6.22 грн
500+ 3.74 грн
3000+ 2.65 грн
9000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
NRVUS230T3G murs230t3-d.pdf ONSM-S-A0002809589-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NRVUS230T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS230T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 2 A, Einfach, 1.3 V, 65 ns, 35 A
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.3
Sperrverzögerungszeit: 65
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SB20-03P-TD-E EN2985-D.PDF
SB20-03P-TD-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB20-03P-TD-E - SCHOTTKY RECTIFIERS
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSQ0765RSUDTU FSQ0765RS-D.pdf
FSQ0765RSUDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0765RSUDTU - POWER LOAD DISTRIBUTION SWITCHES
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
NJW21193G ONSM-S-A0013303284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NJW21193G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NJW21193G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 16 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 8
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 4
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQPF2N70 FQPF2N70-D.pdf
FQPF2N70
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF2N70 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 2 A, 5 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 28
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
74AC04SCX 2287649.pdf
74AC04SCX
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74AC04SCX - Inverter, 74AC04, 6 Eingänge, 24mA, 2V bis 6V, SOIC-14
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74AC
Bauform - Logikbaustein: SOIC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 24mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: 74AC04
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товар відсутній
NCV317BTG 2160677.pdf
NCV317BTG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BTG - Linearer Spannungsregler, einstellbar, bis zu 40V Eingangsspannung, 1.2V-37 V/1.5Aout, TO-220-3
Ausgang: Einstellbar
Feste Ausgangsspannung, nom.: -
Ausgangsstrom: 1.5
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37
Betriebstemperatur, min.: -55
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2
Eingangsspannung, max.: 40
Bauform - Linearregler: TO-220
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Adj 1.5A Linear Voltage Regulators
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
FDD86102LZ 2304362.pdf
FDD86102LZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102LZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+122.32 грн
10+ 94.45 грн
100+ 70.3 грн
500+ 55.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDD86102 2304877.pdf
FDD86102
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 36 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 9945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+112.26 грн
10+ 88.26 грн
100+ 69.99 грн
500+ 52.77 грн
2500+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
AFGY100T65SPD 3168451.pdf
AFGY100T65SPD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 100 A, 1.6 V, 660 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 660
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGHL75T65SQDC AFGHL75T65SQDC-D.PDF
AFGHL75T65SQDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDC - IGBT, 75 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 75A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+801.28 грн
5+ 700.64 грн
10+ 599.99 грн
50+ 528.38 грн
100+ 460.53 грн
250+ 406.12 грн
AFGHL75T65SQDT 2912993.pdf
AFGHL75T65SQDT
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQDT - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+512.51 грн
10+ 421.93 грн
25+ 386.32 грн
100+ 324.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGHL50T65SQ 3005706.pdf
AFGHL50T65SQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 mW, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 268
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGB40T65SQDN 2711337.pdf
AFGB40T65SQDN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGB40T65SQDN 2711337.pdf
AFGB40T65SQDN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGB40T65SQDN - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6
Verlustleistung Pd: 238
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
DC-Kollektorstrom: 80
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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AFGHL50T65SQDC 2850016.pdf
AFGHL50T65SQDC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQDC - IGBT, 100 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 238W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 100A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+826.83 грн
5+ 691.35 грн
10+ 555.86 грн
50+ 496.03 грн
100+ 438.63 грн
250+ 420.05 грн
AFGHL40T65SQD 3005705.pdf
AFGHL40T65SQD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 238
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGY120T65SPD 3168452.pdf
AFGY120T65SPD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY120T65SPD - IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 714W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+925.92 грн
5+ 841.54 грн
10+ 756.38 грн
50+ 663.53 грн
100+ 576.66 грн
250+ 558.08 грн
AFGHL40T65SQ 3005704.pdf
AFGHL40T65SQ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL40T65SQ - IGBT, 80 A, 1.6 V, 239 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 239W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+401.03 грн
10+ 246.19 грн
100+ 219.09 грн
500+ 193.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
AFGHL75T65SQD 2912992.pdf
AFGHL75T65SQD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL75T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 375 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Verlustleistung: 375
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
AFGHL50T65SQD 3005707.pdf
AFGHL50T65SQD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGHL50T65SQD - IGBT, 80 A, 1.6 V, 268 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+227.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
AFGY100T65SPD AFGY100T65SPD-D.PDF
AFGY100T65SPD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AFGY100T65SPD - IGBT, 650V, 120A, To-247, AEC-Q101, 1.6Vsat
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Verlustleistung: 660
Anzahl der Pins: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6
Kollektorstrom: 120
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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NDFPD1N150CG ena2236-d.pdf
NDFPD1N150CG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDFPD1N150CG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 100 mA, 100 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5
Dauer-Drainstrom Id: 100
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 20
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 100
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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FQP19N20C ONSM-S-A0003585108-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQP19N20C
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQP19N20C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.14 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 19
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 139
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 8776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144 грн
10+ 117.68 грн
100+ 89.03 грн
500+ 68.22 грн
1000+ 46.25 грн
5000+ 43.6 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP5800 2304317.pdf
FDP5800
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
на замовлення 303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+196.64 грн
10+ 150.19 грн
100+ 106.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDP054N10 fdp054n10-d.pdf
FDP054N10
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP054N10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0046 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 263
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
SPZT751T1G pzt751t1-d.pdf
SPZT751T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT751T1G - HIGH CURRENT PNP BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
KSP42BU ONSM-S-A0003589576-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
KSP42BU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSP42BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.21 грн
36+ 21.99 грн
100+ 9.21 грн
500+ 6.51 грн
1000+ 4.11 грн
5000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 25
BCW72LT1G 1841986.pdf
BCW72LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BCW72LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+14.09 грн
81+ 9.6 грн
192+ 4.03 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 55
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