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NCP803SN463D1T1G NCP803SN463D1T1G ONSEMI MAX803-D.PDF Description: ONSEMI - NCP803SN463D1T1G - Spannungswächter, 1.2-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, SOT-23-3, -40°C bis 105°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: 140
Bauform - digitaler IC: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schwellenspannung: 4.63
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP803SN120T1G NCP803SN120T1G ONSEMI MAX803-D.PDF Description: ONSEMI - NCP803SN120T1G - Spannungswächter, 1.2-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, SOT-23-3, -40°C bis 105°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: 140
Bauform - digitaler IC: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schwellenspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS6673BZ FDS6673BZ ONSEMI 2304382.pdf description Description: ONSEMI - FDS6673BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3050G2 FGD3050G2 ONSEMI FGD3050G2-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3050G2 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3050G2V FGD3050G2V ONSEMI FGD3050G2V-D.PDF Description: ONSEMI - FGD3050G2V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS ONSEMI FQU4N50TU-WS-D.pdf Description: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
FDP86363-F085 FDP86363-F085 ONSEMI fdp86363_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB0190N807L FDB0190N807L ONSEMI fdb0190n807l-d.pdf Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead
товар відсутній
ESD7371HT1G ESD7371HT1G ONSEMI 2578334.pdf Description: ONSEMI - ESD7371HT1G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-323, 2 Pin(s), 300 mW, ESD7371
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 300mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7371
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.25 грн
29+ 25.78 грн
100+ 14.31 грн
500+ 9.13 грн
1000+ 6.45 грн
3000+ 5.49 грн
6000+ 5.05 грн
12000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
DTA114YET1G DTA114YET1G ONSEMI ONSM-S-A0013749789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTA114YET1G DTA114YET1G ONSEMI ONSM-S-A0013749789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTC114YET1G DTC114YET1G ONSEMI ONSM-S-A0013796092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.42 грн
9000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SDTC114YET1G SDTC114YET1G ONSEMI DTC114Y-D.PDF Description: ONSEMI - SDTC114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114YE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSI45030ZT1G NSI45030ZT1G ONSEMI NSI45030Z-D.PDF Description: ONSEMI - NSI45030ZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOT-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX84C8V2LT1G BZX84C8V2LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
на замовлення 38916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+10.8 грн
97+ 7.75 грн
185+ 4.04 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 69
CAT24AA16TDI-GT3 CAT24AA16TDI-GT3 ONSEMI ONSMS17443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - CAT24AA16TDI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, Seriell I2C (2-Draht), 1 MHz, TSOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell I2C (2-Draht)
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
на замовлення 39741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.49 грн
13+ 58.79 грн
100+ 54.1 грн
500+ 43.8 грн
3000+ 34.49 грн
6000+ 33.79 грн
9000+ 33.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZX79C2V4 BZX79C2V4 ONSEMI ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C2V4 - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-204AH
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX79C2V4-T50A BZX79C2V4-T50A ONSEMI ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - BZX79C2V4-T50A - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSQ0165RN FSQ0165RN ONSEMI 2288350.pdf Description: ONSEMI - FSQ0165RN - Schaltnetzteil, 15V Versorgungsspannung, 55.6kHz, 700V, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 700V
Frequenz: 55.6kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.54 грн
10+ 114.01 грн
50+ 101.34 грн
100+ 81.65 грн
250+ 70.9 грн
500+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
ESD7351XV2T1G ESD7351XV2T1G ONSEMI 2907081.pdf Description: ONSEMI - ESD7351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.01 грн
43+ 17.66 грн
101+ 7.4 грн
500+ 4.8 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
ESD7351P2T5G ONSEMI 2907081.pdf Description: ONSEMI - ESD7351P2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-923
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.79 грн
28+ 26.68 грн
100+ 18.18 грн
500+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
ESD7351P2T5G ONSEMI 2907081.pdf Description: ONSEMI - ESD7351P2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
ESD7351XV2T1G ESD7351XV2T1G ONSEMI 2907081.pdf Description: ONSEMI - ESD7351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.8 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
SZESD7351HT1G SZESD7351HT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, SZESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.13 грн
500+ 6.99 грн
3000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
SZESD7351HT1G SZESD7351HT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SZESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, SZESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+34.95 грн
31+ 24.52 грн
100+ 10.13 грн
500+ 6.99 грн
3000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
ESD7351XV2T5G ESD7351XV2T5G ONSEMI ESD7351-D.PDF Description: ONSEMI - ESD7351XV2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD7351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 150
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCS20231SN2T1G NCS20231SN2T1G ONSEMI 3763388.pdf Description: ONSEMI - NCS20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.92 грн
500+ 27.54 грн
3000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
LB1973JA-AH. LB1973JA-AH. ONSEMI 1759721.pdf Description: ONSEMI - LB1973JA-AH. - Motortreiber/Motorsteuerung, Halbbrücke, 1.8V bis 7.5V Versorgungsspannung, 1A/2 Ausgänge, SSOP-16
Ausgangsstrom: 1
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 7.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
LB1938FA-BH LB1938FA-BH ONSEMI 2031950.pdf Description: ONSEMI - LB1938FA-BH - Motortreiber, vorwärts/rückwärts, H-Brücke, 2.2V-10V Versorgungsspannung, 0.8A/1 Ausgang, Micro8-8
Ausgangsstrom: 800
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Bauform - Treiber: Micro8
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
LB1938FA-BH LB1938FA-BH ONSEMI 2031950.pdf Description: ONSEMI - LB1938FA-BH - Motortreiber, vorwärts/rückwärts, H-Brücke, 2.2V-10V Versorgungsspannung, 0.8A/1 Ausgang, Micro8-8
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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LB1973JA-AH. LB1973JA-AH. ONSEMI 1759721.pdf Description: ONSEMI - LB1973JA-AH. - Motortreiber/Motorsteuerung, Halbbrücke, 1.8V bis 7.5V Versorgungsspannung, 1A/2 Ausgänge, SSOP-16
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SS25FA SS25FA ONSEMI 2572329.pdf Description: ONSEMI - SS25FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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FDA18N50 FDA18N50 ONSEMI 1846272.pdf Description: ONSEMI - FDA18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 239
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 239
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
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SI3443DV SI3443DV ONSEMI 712595.pdf Description: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI3443DV SI3443DV ONSEMI 712595.pdf Description: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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ATP113-TL-H ONSEMI 2907342.pdf Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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ATP113-TL-H ONSEMI 2907342.pdf Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK
Verlustleistung: 50
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
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BZX85-C22 BZX85-C22 ONSEMI 2288275.pdf Description: ONSEMI - BZX85-C22 - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 22
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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BZX84C7V5LT1G BZX84C7V5LT1G ONSEMI 2236792.pdf Description: ONSEMI - BZX84C7V5LT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+11.1 грн
96+ 7.82 грн
225+ 3.32 грн
500+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 68
BZX84C7V5.. BZX84C7V5.. ONSEMI 2284128.pdf Description: ONSEMI - BZX84C7V5.. - ZENER DIODE, 350MW
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84C Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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FSUSB31L8X FSUSB31L8X ONSEMI FSUSB31-D.pdf Description: ONSEMI - FSUSB31L8X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPST-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, Micro Pak, 8 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 1 Port
USB-IC: High-Speed-DPST-USB-Switch
Anzahl der Pins: 8
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 4.3
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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FDS6680A FDS6680A ONSEMI 2304255.pdf Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.14 грн
13+ 57.68 грн
100+ 41.13 грн
500+ 34.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6298 FDS6298 ONSEMI 2299838.pdf Description: ONSEMI - FDS6298 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NCV5501DT50G. NCV5501DT50G. ONSEMI NCP5500-D.PDF Description: ONSEMI - NCV5501DT50G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
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NLVVHC1GT125DF1G NLVVHC1GT125DF1G ONSEMI 1749137.pdf Description: ONSEMI - NLVVHC1GT125DF1G - Puffer, nicht invertierend, CMOS-Pegelumsetzer, LSTTL-Eingänge, 3.5ns, SOT-353
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: NLVVHC1GT125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 29580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.39 грн
33+ 23.25 грн
100+ 9.99 грн
500+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 27
NLVVHC1GT125DF1G NLVVHC1GT125DF1G ONSEMI 1749137.pdf Description: ONSEMI - NLVVHC1GT125DF1G - Puffer, nicht invertierend, CMOS-Pegelumsetzer, LSTTL-Eingänge, 3.5ns, SOT-353
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: NLVVHC1GT125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 29580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.99 грн
500+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6303N FDG6303N ONSEMI fdg6303n-d.pdf Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.51 грн
27+ 28.02 грн
100+ 13.86 грн
500+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS351N NDS351N ONSEMI 2572553.pdf Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
A5191HRTLG-XTD A5191HRTLG-XTD ONSEMI 2353981.pdf Description: ONSEMI - A5191HRTLG-XTD - HART-Modem, 3V bis 5.5V, LQFP-32
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 32
IC-Funktion: HART-Modem
IC-Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1246.65 грн
10+ 1146.8 грн
25+ 1099.11 грн
50+ 1000.54 грн
A5191HRTLG-XTP A5191HRTLG-XTP ONSEMI A5191HRT-D.PDF Description: ONSEMI - A5191HRTLG-XTP - INDUSTRIAL HART-PROTOCOL MODEM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
A5191HRTNG-XTP A5191HRTNG-XTP ONSEMI A5191HRT-D.PDF Description: ONSEMI - A5191HRTNG-XTP - INDUSTRIAL HART-PROTOCOL MODEM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTP190N65S3HF NTP190N65S3HF ONSEMI ntp190n65s3hf-d.pdf Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+336.81 грн
10+ 253.35 грн
100+ 204.92 грн
500+ 168.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
BZX79C11 BZX79C11 ONSEMI 2572341.pdf Description: ONSEMI - BZX79C11 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.33 грн
61+ 12.3 грн
152+ 4.9 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.24 грн
5000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 41
FDD86367-F085 FDD86367-F085 ONSEMI 2859349.pdf Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.5 грн
10+ 113.26 грн
100+ 83.46 грн
500+ 59.92 грн
2500+ 52.57 грн
5000+ 52.12 грн
7500+ 51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD86367-F085 FDD86367-F085 ONSEMI 2859349.pdf Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.46 грн
500+ 59.92 грн
2500+ 52.57 грн
5000+ 52.12 грн
7500+ 51.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86367 FDD86367 ONSEMI FDD86367-D.PDF Description: ONSEMI - FDD86367 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN431AZXA FAN431AZXA ONSEMI 2304259.pdf Description: ONSEMI - FAN431AZXA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe FAN431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 0
Eingangsspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FAN431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+25.78 грн
44+ 16.99 грн
100+ 7.82 грн
500+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 29
FAN4174IS5X FAN4174IS5X ONSEMI 2299965.pdf Description: ONSEMI - FAN4174IS5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 2.3V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 3V/µs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.7MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.34 грн
18+ 42.25 грн
100+ 29.28 грн
500+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
FAN4931IP5X FAN4931IP5X ONSEMI 2299966.pdf Description: ONSEMI - FAN4931IP5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.3V bis 5.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 3
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.7
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.7 грн
13+ 59.91 грн
100+ 42.33 грн
500+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
FAN4174IS5X FAN4174IS5X ONSEMI 2299965.pdf Description: ONSEMI - FAN4174IS5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.28 грн
500+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
NCP803SN463D1T1G MAX803-D.PDF
NCP803SN463D1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN463D1T1G - Spannungswächter, 1.2-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, SOT-23-3, -40°C bis 105°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: 140
Bauform - digitaler IC: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schwellenspannung: 4.63
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NCP803SN120T1G MAX803-D.PDF
NCP803SN120T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP803SN120T1G - Spannungswächter, 1.2-5.5Vin, Active-Low, Open-Drain, SOT-23-3, -40°C bis 105°C
Rücksetzungs-Typ: Aktiv-Low, Open-Drain
Verzögerungszeit: 140
Bauform - digitaler IC: SOT-23
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.2
Anzahl der Überwachungsschaltungen/ Monitore: 1
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Schwellenspannung: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 105
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS6673BZ description 2304382.pdf
FDS6673BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6673BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.5 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.5
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3050G2 FGD3050G2-D.PDF
FGD3050G2
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3050G2 - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FGD3050G2V FGD3050G2V-D.PDF
FGD3050G2V
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGD3050G2V - IGBT SINGLE TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FQU4N50TU-WS FQU4N50TU-WS-D.pdf
FQU4N50TU-WS
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQU4N50TU-WS - MOSFET'S - SINGLE
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
FDP86363-F085 fdp86363_f085-d.pdf
FDP86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP86363-F085 - N-CHANNEL POWERTRENCH® 80V, 110A, 2.8M
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDB0190N807L fdb0190n807l-d.pdf
FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB0190N807L - MOSFET, N-CH, 80V, 270A, 175DEG C, 250W
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 270
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: Power Trench Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead
товар відсутній
ESD7371HT1G 2578334.pdf
ESD7371HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7371HT1G - ESD-Schutzbaustein, 20 V, SOD-323, 2 Pin(s), 300 mW, ESD7371
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Bauform - Diode: SOD-323
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 20V
Betriebsspannung: -
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 300mW
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD7371
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 45654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.25 грн
29+ 25.78 грн
100+ 14.31 грн
500+ 9.13 грн
1000+ 6.45 грн
3000+ 5.49 грн
6000+ 5.05 грн
12000+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
DTA114YET1G ONSM-S-A0013749789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTA114YET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTA114YET1G ONSM-S-A0013749789-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTA114YET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach PNP
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
Widerstandsverhältnis R1/R2: 0.21
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
DTC114YET1G ONSM-S-A0013796092-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DTC114YET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.42 грн
9000+ 1.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SDTC114YET1G DTC114Y-D.PDF
SDTC114YET1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SDTC114YET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
Dauer-Kollektorstrom Ic: 100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Basis-Eingangswiderstand R1: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - HF-Transistor: SC-75
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114YE
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NSI45030ZT1G NSI45030Z-D.PDF
NSI45030ZT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSI45030ZT1G - LED-Treiber, AC/DC, 30mA, -55 bis 150°C, 1 Ausgang, 45V, AEC-Q101, SOT-223-4
Schaltfrequenz: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Eingangsspannung, max.: 45
Bauform - Treiber: SOT-223
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX84C8V2LT1G 2236792.pdf
BZX84C8V2LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C8V2LT1G - Zener-Diode, 8.2 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
на замовлення 38916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
69+10.8 грн
97+ 7.75 грн
185+ 4.04 грн
500+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 69
CAT24AA16TDI-GT3 ONSMS17443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
CAT24AA16TDI-GT3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT24AA16TDI-GT3 - EEPROM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, Seriell I2C (2-Draht), 1 MHz, TSOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOT-23
Speicherdichte: 16Kbit
usEccn: EAR99
Taktfrequenz, max.: 1MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Schnittstellen: Seriell I2C (2-Draht)
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 2K x 8 Bit
на замовлення 39741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+63.49 грн
13+ 58.79 грн
100+ 54.1 грн
500+ 43.8 грн
3000+ 34.49 грн
6000+ 33.79 грн
9000+ 33.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
BZX79C2V4 ONSM-S-A0012500524-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C2V4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C2V4 - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-204AH
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX79
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX79C2V4-T50A ONSM-S-A0003579732-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BZX79C2V4-T50A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C2V4-T50A - Zener-Diode, 2.4 V, 500 mW, DO-35 (DO-204AH), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 2.4
Verlustleistung: 500
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-35 (DO-204AH)
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FSQ0165RN 2288350.pdf
FSQ0165RN
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSQ0165RN - Schaltnetzteil, 15V Versorgungsspannung, 55.6kHz, 700V, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - Controller-IC: DIP
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 700V
Frequenz: 55.6kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 0V
euEccn: NLR
Eingangsspannung: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 15V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+147.54 грн
10+ 114.01 грн
50+ 101.34 грн
100+ 81.65 грн
250+ 70.9 грн
500+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 6
ESD7351XV2T1G 2907081.pdf
ESD7351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+26.01 грн
43+ 17.66 грн
101+ 7.4 грн
500+ 4.8 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 29
ESD7351P2T5G 2907081.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351P2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: SOD-923
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.79 грн
28+ 26.68 грн
100+ 18.18 грн
500+ 8.23 грн
Мінімальне замовлення: 23
ESD7351P2T5G 2907081.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351P2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-923, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
ESD7351XV2T1G 2907081.pdf
ESD7351XV2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351XV2T1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 8720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.8 грн
3000+ 3.39 грн
Мінімальне замовлення: 500
SZESD7351HT1G ONSM-S-A0013750099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, SZESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.13 грн
500+ 6.99 грн
3000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
SZESD7351HT1G ONSM-S-A0013750099-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SZESD7351HT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZESD7351HT1G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-323, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, SZESD7351
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 7445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+34.95 грн
31+ 24.52 грн
100+ 10.13 грн
500+ 6.99 грн
3000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 22
ESD7351XV2T5G ESD7351-D.PDF
ESD7351XV2T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD7351XV2T5G - ESD-Schutzbaustein, 10 V, SOD-523, 2 Pin(s), 3.3 V, 150 mW, ESD7351
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: SOD-523
Begrenzungsspannung Vc, max.: 10
Betriebsspannung: 3.3
Verlustleistung Pd: 150
Produktpalette: ESD7351
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
NCS20231SN2T1G 3763388.pdf
NCS20231SN2T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 5605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+42.92 грн
500+ 27.54 грн
3000+ 24.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
LB1973JA-AH. 1759721.pdf
LB1973JA-AH.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1973JA-AH. - Motortreiber/Motorsteuerung, Halbbrücke, 1.8V bis 7.5V Versorgungsspannung, 1A/2 Ausgänge, SSOP-16
Ausgangsstrom: 1
Motortyp: Halbbrücke
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1.8
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 16
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 7.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
LB1938FA-BH 2031950.pdf
LB1938FA-BH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1938FA-BH - Motortreiber, vorwärts/rückwärts, H-Brücke, 2.2V-10V Versorgungsspannung, 0.8A/1 Ausgang, Micro8-8
Ausgangsstrom: 800
Motortyp: H-Brücke
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Ausgangsspannung: -
Betriebstemperatur, min.: -30
Versorgungsspannung, min.: 2.2
Bauform - Treiber: Micro8
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 10
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
LB1938FA-BH 2031950.pdf
LB1938FA-BH
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1938FA-BH - Motortreiber, vorwärts/rückwärts, H-Brücke, 2.2V-10V Versorgungsspannung, 0.8A/1 Ausgang, Micro8-8
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
LB1973JA-AH. 1759721.pdf
LB1973JA-AH.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LB1973JA-AH. - Motortreiber/Motorsteuerung, Halbbrücke, 1.8V bis 7.5V Versorgungsspannung, 1A/2 Ausgänge, SSOP-16
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SS25FA 2572329.pdf
SS25FA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SS25FA - Schottky-Gleichrichterdiode, 50 V, 2 A, Einfach, SOD-123FA, 2 Pin(s), 700 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123FA
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 700mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
товар відсутній
FDA18N50 1846272.pdf
FDA18N50
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDA18N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.22 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 239
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 239
Bauform - Transistor: TO-3PN
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товар відсутній
SI3443DV 712595.pdf
SI3443DV
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SI3443DV 712595.pdf
SI3443DV
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SI3443DV - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.054 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 4
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
Verlustleistung: 1.6
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
ATP113-TL-H 2907342.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 35
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: ATPAK
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0225
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
ATP113-TL-H 2907342.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ATP113-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK
Verlustleistung: 50
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0225
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
BZX85-C22 2288275.pdf
BZX85-C22
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX85-C22 - Zener-Diode, 22 V, 1 W, DO-41 (DO-204AL), 2 Pin(s), 200 °C
Zener-Spannung, nom.: 22
Verlustleistung: 1
Anzahl der Pins: 2
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1
Betriebstemperatur, max.: 200
Produktpalette: BZX85C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товар відсутній
BZX84C7V5LT1G 2236792.pdf
BZX84C7V5LT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C7V5LT1G - Zener-Diode, 7.5 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 7.5V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+11.1 грн
96+ 7.82 грн
225+ 3.32 грн
500+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 68
BZX84C7V5.. 2284128.pdf
BZX84C7V5..
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C7V5.. - ZENER DIODE, 350MW
Zener-Spannung, nom.: 7.5
Verlustleistung: 350
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84C Series
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
FSUSB31L8X FSUSB31-D.pdf
FSUSB31L8X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSUSB31L8X - USB-Schnittstelle, High-Speed-DPST-USB-Switch, USB 2.0, 3 V, 4.3 V, Micro Pak, 8 Pin(s)
USB-Version: USB 2.0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Ports: 1 Port
USB-IC: High-Speed-DPST-USB-Switch
Anzahl der Pins: 8
Übertragungsrate: 480
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 4.3
Bauform - Schnittstellenbaustein: Micro Pak
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
FDS6680A 2304255.pdf
FDS6680A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+74.14 грн
13+ 57.68 грн
100+ 41.13 грн
500+ 34.53 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDS6298 2299838.pdf
FDS6298
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6298 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 13
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0074
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
NCV5501DT50G. NCP5500-D.PDF
NCV5501DT50G.
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV5501DT50G. - LDO VOLTAGE REGULATORS
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
NLVVHC1GT125DF1G 1749137.pdf
NLVVHC1GT125DF1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT125DF1G - Puffer, nicht invertierend, CMOS-Pegelumsetzer, LSTTL-Eingänge, 3.5ns, SOT-353
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: NLVVHC1GT125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 29580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.39 грн
33+ 23.25 грн
100+ 9.99 грн
500+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 27
NLVVHC1GT125DF1G 1749137.pdf
NLVVHC1GT125DF1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLVVHC1GT125DF1G - Puffer, nicht invertierend, CMOS-Pegelumsetzer, LSTTL-Eingänge, 3.5ns, SOT-353
tariffCode: 85423990
Logik-IC-Sockelnummer: -
rohsCompliant: YES
Logik-IC-Familie: -
Bauform - Logikbaustein: SC-88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
Logikfamilie / Sockelnummer: NLVVHC1GT125
euEccn: NLR
Logikbaustein: Puffer, nicht invertierend
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 29580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.99 грн
500+ 8.1 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6303N fdg6303n-d.pdf
FDG6303N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDG6303N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 500 mA, 0.34 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.34ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.51 грн
27+ 28.02 грн
100+ 13.86 грн
500+ 12.59 грн
Мінімальне замовлення: 21
NDS351N 2572553.pdf
NDS351N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDS351N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.135 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 500
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
A5191HRTLG-XTD 2353981.pdf
A5191HRTLG-XTD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - A5191HRTLG-XTD - HART-Modem, 3V bis 5.5V, LQFP-32
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Versorgungsspannung, min.: 3
Anzahl der Pins: 32
IC-Funktion: HART-Modem
IC-Bauform: LQFP
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Betriebstemperatur, max.: 85
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1246.65 грн
10+ 1146.8 грн
25+ 1099.11 грн
50+ 1000.54 грн
A5191HRTLG-XTP A5191HRT-D.PDF
A5191HRTLG-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - A5191HRTLG-XTP - INDUSTRIAL HART-PROTOCOL MODEM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
A5191HRTNG-XTP A5191HRT-D.PDF
A5191HRTNG-XTP
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - A5191HRTNG-XTP - INDUSTRIAL HART-PROTOCOL MODEM
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTP190N65S3HF ntp190n65s3hf-d.pdf
NTP190N65S3HF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+336.81 грн
10+ 253.35 грн
100+ 204.92 грн
500+ 168.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
BZX79C11 2572341.pdf
BZX79C11
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX79C11 - Zener-Diode, 11 V, 500 mW, DO-204AH, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
на замовлення 5788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+18.33 грн
61+ 12.3 грн
152+ 4.9 грн
500+ 3.49 грн
1000+ 2.24 грн
5000+ 2.04 грн
Мінімальне замовлення: 41
FDD86367-F085 2859349.pdf
FDD86367-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+153.5 грн
10+ 113.26 грн
100+ 83.46 грн
500+ 59.92 грн
2500+ 52.57 грн
5000+ 52.12 грн
7500+ 51.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD86367-F085 2859349.pdf
FDD86367-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 227W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 23511 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+83.46 грн
500+ 59.92 грн
2500+ 52.57 грн
5000+ 52.12 грн
7500+ 51.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDD86367 FDD86367-D.PDF
FDD86367
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD86367 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
FAN431AZXA 2304259.pdf
FAN431AZXA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN431AZXA - Spannungsreferenz, Shunt, einstellbar, Baureihe FAN431A, 2.495V auf 36V, TO-226AA-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Referenzspannung, max.: 36V
IC-Gehäuse / Bauform: TO-226AA
Referenzspannung, min.: 2.495V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -25°C
Temperaturkoeffizient: 0
Eingangsspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FAN431A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 1%
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+25.78 грн
44+ 16.99 грн
100+ 7.82 грн
500+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 29
FAN4174IS5X 2299965.pdf
FAN4174IS5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4174IS5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
rohsCompliant: YES
Versorgungsspannung: 2.3V bis 5.25V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Bauform - Verstärker: SOT-23
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Spannungsanstieg: 3V/µs
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.7MHz
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+51.34 грн
18+ 42.25 грн
100+ 29.28 грн
500+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
FAN4931IP5X 2299966.pdf
FAN4931IP5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4931IP5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SC-70, 5 Pin(s)
Versorgungsspannung: 2.3V bis 5.25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SC-70
Betriebstemperatur, min.: -40
Spannungsanstieg: 3
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bandbreite: 3.7
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl der Verstärker: 1 Verstärker
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.7 грн
13+ 59.91 грн
100+ 42.33 грн
500+ 23.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
FAN4174IS5X 2299965.pdf
FAN4174IS5X
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FAN4174IS5X - Operationsverstärker, einfach, 1 Verstärker, 3.7 MHz, 3 V/µs, 2.3V bis 5.25V, SOT-23, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.28 грн
500+ 21.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
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