на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 24.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6680A ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDS6680A за ціною від 14.9 грн до 123.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6680A | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm |
на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 15 V |
на замовлення 5906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V |
на замовлення 28546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6680A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0095 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm |
на замовлення 10320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDS6680A | Виробник : Fairchild |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 12,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS6680A TFDS6680a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDS6680/A | Виробник : FSC |
на замовлення 11982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDS6680/A | Виробник : FSC | 09+ SO-8 |
на замовлення 12982 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FDS6680A | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |