Результат пошуку "6N80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQA6N80 FQA6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FQAF6N80 Fairchild Semiconductor FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM ON-Semicoductor fqb6n80-d.pdf N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.97 грн
10+ 89.86 грн
26+ 84.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C ONSEMI FQP6N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+181.16 грн
10+ 111.98 грн
26+ 101.79 грн
500+ 99.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C onsemi / Fairchild FQPF6N80C_D-2313685.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.72 грн
10+ 138.1 грн
100+ 98.69 грн
250+ 98 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 66.74 грн
5000+ 65.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.51 грн
50+ 124.11 грн
100+ 102.11 грн
500+ 81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQP6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C ON-Semicoductor fqpf6n80c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C FQPF6N80C onsemi fqpf6n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.04 грн
50+ 118.31 грн
100+ 97.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF6N80C FQPF6N80C ON Semiconductor fqpf6n80c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 100741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.18 грн
27+ 10.86 грн
32+ 9.03 грн
50+ 7.3 грн
100+ 6.56 грн
250+ 5.55 грн
500+ 4.88 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird Performance Materials hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 55501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.7 грн
37+ 8.73 грн
100+ 6.76 грн
250+ 5.73 грн
500+ 5.04 грн
1000+ 4.28 грн
3000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 LAIRD 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 15000
HI1206N800R-10 HI1206N800R-10 Laird-Signal Integrity Products hi1206n800r-10-datasheet Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.52 грн
6000+ 4.2 грн
9000+ 4 грн
15000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IXFH16N80P IXFH16N80P IXYS media-3320744.pdf MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+669.08 грн
10+ 601.59 грн
30+ 458.94 грн
120+ 414.77 грн
270+ 410.63 грн
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.88 грн
10+ 62.97 грн
100+ 48.98 грн
500+ 38.97 грн
1000+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors siha6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.93 грн
10+ 65.71 грн
100+ 45.27 грн
500+ 42.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 SIHA6N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.15 грн
50+ 59.06 грн
100+ 46.8 грн
500+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHB6N80AE-GE3 SIHB6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb6n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.36 грн
50+ 106.28 грн
100+ 87.45 грн
500+ 69.44 грн
1000+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 SIHB6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihb6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 163.49 грн
100+ 113.18 грн
250+ 104.21 грн
500+ 94.55 грн
1000+ 80.06 грн
5000+ 74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.96 грн
75+ 47.7 грн
150+ 37.8 грн
525+ 30.07 грн
1050+ 29.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 SIHD6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.39 грн
10+ 49.44 грн
100+ 36.09 грн
500+ 33.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 Vishay sihd6n80ae.pdf Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihd6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.89 грн
10+ 88.89 грн
100+ 63.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 SIHD6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihd6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.29 грн
10+ 79.29 грн
100+ 63.13 грн
500+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
50+ 86.68 грн
100+ 68.69 грн
500+ 54.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.38 грн
10+ 96.83 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.38 грн
1000+ 45.82 грн
2000+ 43.13 грн
5000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp6n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.25 грн
50+ 125.03 грн
100+ 102.87 грн
500+ 81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 SIHP6N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 124.6 грн
100+ 93.86 грн
250+ 90.41 грн
500+ 86.96 грн
1000+ 86.27 грн
2500+ 84.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 SIHP6N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp6n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.33 грн
10+ 143.65 грн
100+ 99.38 грн
250+ 92.48 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihu6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.06 грн
10+ 83.33 грн
100+ 56.52 грн
500+ 47.9 грн
1000+ 38.99 грн
6000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 SIHU6N80E-GE3 Vishay Siliconix sihu6n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.28 грн
10+ 123.86 грн
100+ 98.56 грн
500+ 78.26 грн
1000+ 66.4 грн
3000+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.61 грн
4+ 109.99 грн
10+ 97.05 грн
11+ 83.39 грн
28+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3 SPA06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+157.93 грн
3+ 137.06 грн
10+ 116.46 грн
11+ 100.07 грн
28+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 SPA06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.61 грн
10+ 130.95 грн
100+ 89.72 грн
250+ 86.27 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.72 грн
10+ 89.68 грн
100+ 63.7 грн
500+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.02 грн
50+ 79.94 грн
100+ 65.79 грн
500+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPA06N80C3XKSA1 Infineon Technologies spa06n80c3_rev2.91_a.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.16 грн
5000+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.63 грн
10+ 106.75 грн
100+ 84.94 грн
500+ 67.45 грн
1000+ 57.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 SPD06N80C3ATMA1 Infineon Technologies Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.51 грн
10+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173 Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+171.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.74 грн
8+ 106.4 грн
22+ 100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 SPP06N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP06N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.95 грн
3+ 172.9 грн
8+ 127.67 грн
22+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 SPP06N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf description MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
10+ 126.98 грн
100+ 87.65 грн
250+ 81.44 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 63.28 грн
2500+ 60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 Infineon description Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies spp06n80c3_rev2.91.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.04 грн
10+ 96.83 грн
100+ 76.6 грн
500+ 68.67 грн
1000+ 58.94 грн
2500+ 58.87 грн
5000+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 SPP06N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.33 грн
50+ 110.79 грн
100+ 91.15 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 61.42 грн
2000+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics 725201003193875dm00085379.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 STB6N80K5 STMicroelectronics stb6n80k5-1850256.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.56 грн
10+ 123.02 грн
100+ 85.58 грн
250+ 78.67 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 60.04 грн
2000+ 57.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.78 грн
5000+ 62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.45 грн
10+ 134.13 грн
100+ 93.17 грн
250+ 92.48 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 66.74 грн
2500+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 STD6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+150.05 грн
10+ 120.27 грн
100+ 95.7 грн
500+ 75.99 грн
1000+ 64.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 STF6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085454.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.73 грн
50+ 128.68 грн
100+ 105.88 грн
500+ 84.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 STP6N80K5 STMicroelectronics en.DM00085379.pdf MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.79 грн
10+ 88.89 грн
100+ 74.53 грн
250+ 73.15 грн
500+ 72.46 грн
1000+ 68.67 грн
5000+ 66.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.55 грн
7+ 57.01 грн
10+ 45.79 грн
34+ 24.73 грн
93+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMK06N80M3 WAYON WMx06N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.04 грн
10+ 54.95 грн
34+ 29.68 грн
93+ 28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
FQA6N80 FAIRS09594-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQA6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 6.3A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 3.15A, 10V
Power Dissipation (Max): 185W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
254+82.02 грн
Мінімальне замовлення: 254
FQAF6N80 FAIRS09690-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQAF6N80
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 173
FQB6N80TM fqb6n80-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
N-MOSFET 5.8A 800V 158W 1.95Ω FQB6N80TM TFQB6n80tm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.97 грн
10+ 89.86 грн
26+ 84.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP6N80C FQP6N80C.pdf
FQP6N80C
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; 158W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 158W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 267 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.16 грн
10+ 111.98 грн
26+ 101.79 грн
500+ 99.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C FQPF6N80C_D-2313685.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.72 грн
10+ 138.1 грн
100+ 98.69 грн
250+ 98 грн
500+ 84.2 грн
1000+ 66.74 грн
5000+ 65.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQP6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.51 грн
50+ 124.11 грн
100+ 102.11 грн
500+ 81.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP6N80C fqpf6n80c.pdf
FQP6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP6N80C fqpf6n80c-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB FQP6N80C TFQP6n80c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQPF6N80C fqpf6n80c-d.pdf
FQPF6N80C
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 25 V
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.04 грн
50+ 118.31 грн
100+ 97.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF6N80C fqpf6n80c.pdf
FQPF6N80C
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 100741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+14.18 грн
27+ 10.86 грн
32+ 9.03 грн
50+ 7.3 грн
100+ 6.56 грн
250+ 5.55 грн
500+ 4.88 грн
1000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 22
HI1206N800R-10 hi1206n800r_10_datasheet-2947039.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads 80ohms 100MHz 3A Monolithic 1206 SMD
на замовлення 55501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.7 грн
37+ 8.73 грн
100+ 6.76 грн
250+ 5.73 грн
500+ 5.04 грн
1000+ 4.28 грн
3000+ 4.14 грн
Мінімальне замовлення: 21
HI1206N800R-10 40849355371245752hi1206n800r-10.pdf
HI1206N800R-10
Виробник: LAIRD
Ferrite Beads High Current Chip 80Ohm 25% 100MHz 3A 0.035Ohm DCR 1206 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 15000
HI1206N800R-10 hi1206n800r-10-datasheet
HI1206N800R-10
Виробник: Laird-Signal Integrity Products
Description: FERRITE BEAD 80 OHM 1206 1LN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1206 (3216 Metric)
Filter Type: Power, Signal Line
Size / Dimension: 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Height (Max): 0.043" (1.10mm)
Current Rating (Max): 3A
DC Resistance (DCR) (Max): 35mOhm
Part Status: Active
Number of Lines: 1
Impedance @ Frequency: 80 Ohms @ 100 MHz
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.52 грн
6000+ 4.2 грн
9000+ 4 грн
15000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IXFH16N80P media-3320744.pdf
IXFH16N80P
Виробник: IXYS
MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+669.08 грн
10+ 601.59 грн
30+ 458.94 грн
120+ 414.77 грн
270+ 410.63 грн
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.3W (Ta), 33W (Tc)
FET Type: N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.88 грн
10+ 62.97 грн
100+ 48.98 грн
500+ 38.97 грн
1000+ 31.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+82.93 грн
10+ 65.71 грн
100+ 45.27 грн
500+ 42.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHA6N80AE-GE3 siha6n80ae.pdf
SIHA6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.15 грн
50+ 59.06 грн
100+ 46.8 грн
500+ 37.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHB6N80AE-GE3 sihb6n80ae.pdf
SIHB6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.36 грн
50+ 106.28 грн
100+ 87.45 грн
500+ 69.44 грн
1000+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB6N80E-GE3 sihb6n80e.pdf
SIHB6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.07 грн
10+ 163.49 грн
100+ 113.18 грн
250+ 104.21 грн
500+ 94.55 грн
1000+ 80.06 грн
5000+ 74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 3019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.96 грн
75+ 47.7 грн
150+ 37.8 грн
525+ 30.07 грн
1050+ 29.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
SIHD6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V DPAK (TO-252)
на замовлення 4177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.39 грн
10+ 49.44 грн
100+ 36.09 грн
500+ 33.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHD6N80AE-GE3 sihd6n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.89 грн
10+ 88.89 грн
100+ 63.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD6N80E-GE3 sihd6n80e.pdf
SIHD6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.29 грн
10+ 79.29 грн
100+ 63.13 грн
500+ 53.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.98 грн
50+ 86.68 грн
100+ 68.69 грн
500+ 54.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 sihp6n80ae.pdf
SIHP6N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.38 грн
10+ 96.83 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.38 грн
1000+ 45.82 грн
2000+ 43.13 грн
5000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.25 грн
50+ 125.03 грн
100+ 102.87 грн
500+ 81.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-BE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.33 грн
10+ 124.6 грн
100+ 93.86 грн
250+ 90.41 грн
500+ 86.96 грн
1000+ 86.27 грн
2500+ 84.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP6N80E-GE3 sihp6n80e.pdf
SIHP6N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.33 грн
10+ 143.65 грн
100+ 99.38 грн
250+ 92.48 грн
500+ 83.51 грн
1000+ 72.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHU6N80AE-GE3 sihu6n80ae.pdf
SIHU6N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
на замовлення 5653 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.06 грн
10+ 83.33 грн
100+ 56.52 грн
500+ 47.9 грн
1000+ 38.99 грн
6000+ 36.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU6N80E-GE3 sihu6n80e.pdf
SIHU6N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.28 грн
10+ 123.86 грн
100+ 98.56 грн
500+ 78.26 грн
1000+ 66.4 грн
3000+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.61 грн
4+ 109.99 грн
10+ 97.05 грн
11+ 83.39 грн
28+ 79.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3
SPA06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 39W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 39W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.93 грн
3+ 137.06 грн
10+ 116.46 грн
11+ 100.07 грн
28+ 94.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA06N80C3 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.61 грн
10+ 130.95 грн
100+ 89.72 грн
250+ 86.27 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 Infineon_SPA06N80C3_DS_v02_92_EN-1732185.pdf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.72 грн
10+ 89.68 грн
100+ 63.7 грн
500+ 59.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 SPP_A06N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a601163854727600cf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 13207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.02 грн
50+ 79.94 грн
100+ 65.79 грн
500+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPA06N80C3XKSA1 spa06n80c3_rev2.91_a.pdf
SPA06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.16 грн
5000+ 55.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 5257spd06n80c3_rev.2.92.pdffolderiddb3a3043156fd5730115c736bcc70ff2fi.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.63 грн
10+ 106.75 грн
100+ 84.94 грн
500+ 67.45 грн
1000+ 57.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon_SPD06N80C3_DataSheet_v02_94_EN-3363740.pdf
SPD06N80C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 33023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.51 грн
10+ 62.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPD06N80C3ATMA1 Infineon-SPD06N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f1dffc5130173
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPD06N80C3ATMA1, SPD06N80C3BTMA1 SPD06N80C3 TSPD06n80c3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+171.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.74 грн
8+ 106.4 грн
22+ 100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description SPP06N80C3.pdf
SPP06N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; 83W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.95 грн
3+ 172.9 грн
8+ 127.67 грн
22+ 120.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP06N80C3 description Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.39 грн
10+ 126.98 грн
100+ 87.65 грн
250+ 81.44 грн
500+ 73.15 грн
1000+ 63.28 грн
2500+ 60.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3 description
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; SPP06N80C3 TSPP06N80C3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
SPP06N80C3XKSA1 spp06n80c3_rev2.91.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
SPP06N80C3XKSA1 Infineon_SPP06N80C3_DS_v02_91_en-1732179.pdf
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.04 грн
10+ 96.83 грн
100+ 76.6 грн
500+ 68.67 грн
1000+ 58.94 грн
2500+ 58.87 грн
5000+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP06N80C3XKSA1 Infineon-SPP06N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a304340f610c2014101afea0d5580
SPP06N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.33 грн
50+ 110.79 грн
100+ 91.15 грн
500+ 72.39 грн
1000+ 61.42 грн
2000+ 58.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N80K5 725201003193875dm00085379.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N80K5 stb6n80k5-1850256.pdf
STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.56 грн
10+ 123.02 грн
100+ 85.58 грн
250+ 78.67 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 60.04 грн
2000+ 57.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+67.78 грн
5000+ 62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.45 грн
10+ 134.13 грн
100+ 93.17 грн
250+ 92.48 грн
500+ 77.98 грн
1000+ 66.74 грн
2500+ 63.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD6N80K5 en.DM00085379.pdf
STD6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255 pF @ 100 V
на замовлення 11037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.05 грн
10+ 120.27 грн
100+ 95.7 грн
500+ 75.99 грн
1000+ 64.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF6N80K5 en.DM00085454.pdf
STF6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.73 грн
50+ 128.68 грн
100+ 105.88 грн
500+ 84.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP6N80K5 en.DM00085379.pdf
STP6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.79 грн
10+ 88.89 грн
100+ 74.53 грн
250+ 73.15 грн
500+ 72.46 грн
1000+ 68.67 грн
5000+ 66.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+73.55 грн
7+ 57.01 грн
10+ 45.79 грн
34+ 24.73 грн
93+ 23.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
WMK06N80M3 WMx06N80M3.pdf
WMK06N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 5A; 50W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 50W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.04 грн
10+ 54.95 грн
34+ 29.68 грн
93+ 28.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]