Результат пошуку "Irfbc40" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 167
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 143
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 37
Мінімальне замовлення: 73
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 181
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 142
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 154
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 173
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBC40 Код товару: 163760 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 Монтаж: THT |
у наявності: 100 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFBC40 Код товару: 26834 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60 Монтаж: THT |
у наявності: 20 шт
|
|
|||||||||||||||
IRFBC40 | Siliconix |
N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | VISHAY | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASTRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASTRLPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40ASTRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40LC | Siliconix |
N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40LC TIRFBC40lc кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40LCPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40LCPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 2120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40LCPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB |
на замовлення 2150 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 615 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 691 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFBC40A | IR |
на замовлення 3850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFBC40A | IR | 05+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40AS | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40AS | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40S | IR | 07+ TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40STRLPBF | IR |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NTE2379 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHFBC40-E3 | Vishay Siliconix | IRFBC40PBF TO-220AB |
на замовлення 168 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFBC40APBF Код товару: 41815 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AR Uds,V: 600 V Idd,A: 6,2 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRFBC40S Код товару: 126138 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFBC40 | onsemi / Fairchild | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFBC40PBF |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40 | STMicroelectronics | MOSFET TO-220 N-CH 600V 6.2 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40A | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFBC40APBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
IRFBC40 Код товару: 163760 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
IRFBC40 Код товару: 26834 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
IRFBC40 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.5 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 101.25 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
167+ | 71.69 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 50.08 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.55 грн |
10+ | 78.25 грн |
100+ | 64.8 грн |
1000+ | 64.18 грн |
10000+ | 62.8 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 78.02 грн |
10+ | 70.65 грн |
100+ | 64 грн |
250+ | 61.36 грн |
500+ | 53.63 грн |
1000+ | 50.31 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 66.57 грн |
IRFBC40APBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2394 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
143+ | 83.69 грн |
158+ | 75.78 грн |
175+ | 68.65 грн |
250+ | 65.82 грн |
500+ | 57.53 грн |
1000+ | 53.96 грн |
IRFBC40APBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1729 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.06 грн |
10+ | 111.11 грн |
100+ | 84.2 грн |
250+ | 70.39 грн |
500+ | 68.67 грн |
1000+ | 66.11 грн |
5000+ | 65.49 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 89.86 грн |
10+ | 79.8 грн |
12+ | 73.33 грн |
32+ | 69.01 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.98 грн |
10+ | 95.76 грн |
12+ | 87.99 грн |
32+ | 82.82 грн |
250+ | 80.23 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
37+ | 325.63 грн |
44+ | 273.94 грн |
71+ | 170.55 грн |
100+ | 162.77 грн |
250+ | 149.22 грн |
500+ | 136.41 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
73+ | 164.06 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 152.34 грн |
9+ | 74.03 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 302.37 грн |
10+ | 254.37 грн |
25+ | 158.37 грн |
100+ | 151.14 грн |
250+ | 138.56 грн |
500+ | 126.67 грн |
IRFBC40ASPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 310.79 грн |
10+ | 279.36 грн |
25+ | 183.57 грн |
100+ | 164.25 грн |
250+ | 151.14 грн |
500+ | 147 грн |
IRFBC40ASTRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 75.11 грн |
10+ | 60.53 грн |
25+ | 57.44 грн |
100+ | 52.32 грн |
250+ | 49.4 грн |
500+ | 48.58 грн |
IRFBC40ASTRLPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
181+ | 66.23 грн |
184+ | 65.18 грн |
187+ | 64.14 грн |
190+ | 60.85 грн |
250+ | 55.42 грн |
500+ | 52.31 грн |
IRFBC40ASTRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 319.65 грн |
10+ | 265.08 грн |
25+ | 217.39 грн |
100+ | 186.34 грн |
250+ | 175.98 грн |
500+ | 165.63 грн |
800+ | 147 грн |
IRFBC40LC |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.71 грн |
IRFBC40LCPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 78.36 грн |
10+ | 69.73 грн |
14+ | 59.67 грн |
39+ | 56.07 грн |
IRFBC40LCPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.65 грн |
10+ | 83.68 грн |
14+ | 71.6 грн |
39+ | 67.29 грн |
IRFBC40LCPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.22 грн |
25+ | 173.81 грн |
100+ | 131.81 грн |
IRFBC40LCPBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 316.42 грн |
10+ | 261.9 грн |
25+ | 191.17 грн |
100+ | 169.77 грн |
250+ | 166.32 грн |
500+ | 154.59 грн |
1000+ | 136.65 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.81 грн |
7+ | 58.23 грн |
10+ | 52.48 грн |
19+ | 46.01 грн |
50+ | 43.13 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 70.57 грн |
10+ | 65.86 грн |
100+ | 61.17 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 615 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.56 грн |
10+ | 62.97 грн |
19+ | 55.21 грн |
50+ | 51.76 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.27 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
142+ | 84.3 грн |
164+ | 72.99 грн |
250+ | 72.74 грн |
500+ | 64.84 грн |
1000+ | 56.73 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.38 грн |
10+ | 94.44 грн |
100+ | 69.01 грн |
250+ | 68.67 грн |
500+ | 62.32 грн |
1000+ | 62.25 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
154+ | 77.99 грн |
163+ | 73.62 грн |
170+ | 70.77 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 91.82 грн |
10+ | 78.6 грн |
100+ | 68.05 грн |
250+ | 65.4 грн |
500+ | 55.97 грн |
1000+ | 50.77 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.8 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
173+ | 69.21 грн |
IRFBC40PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 72.42 грн |
10+ | 68.36 грн |
100+ | 65.71 грн |
IRFBC40PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.37 грн |
10+ | 111.11 грн |
100+ | 83.51 грн |
250+ | 78.67 грн |
500+ | 71.77 грн |
1000+ | 61.35 грн |
IRFBC40SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 320.45 грн |
10+ | 265.87 грн |
25+ | 218.08 грн |
100+ | 187.03 грн |
250+ | 176.67 грн |
500+ | 166.32 грн |
1000+ | 142.17 грн |
IRFBC40STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 320.45 грн |
10+ | 265.87 грн |
25+ | 224.98 грн |
100+ | 187.03 грн |
250+ | 181.5 грн |
500+ | 166.32 грн |
800+ | 147 грн |
NTE2379 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 355.35 грн |
3+ | 296.9 грн |
4+ | 245.14 грн |
SiHFBC40-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
IRFBC40PBF TO-220AB
IRFBC40PBF TO-220AB
на замовлення 168 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRFBC40APBF Код товару: 41815 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AR
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1036/42
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFBC40APBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 25A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.14...1.4mm
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]