Результат пошуку "std7" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STD 700 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+91.4 грн
Мінімальне замовлення: 131
STD 720 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 730 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 740 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
на замовлення 24366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 770 BLK Visual Communications Company, LLC LED Spacer Accessories
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics std70n10f4-1850501.pdf MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+158.61 грн
10+ 130.16 грн
100+ 90.41 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+154.36 грн
10+ 128.66 грн
25+ 121.04 грн
100+ 93.36 грн
250+ 81.84 грн
500+ 65.83 грн
1000+ 57.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics cd0021814.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+166.23 грн
87+ 138.56 грн
92+ 130.36 грн
115+ 100.54 грн
250+ 88.13 грн
500+ 70.9 грн
1000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 72
STD70N10F4 STD70N10F4 STMicroelectronics en.CD00218149.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.32 грн
10+ 116.75 грн
100+ 92.94 грн
500+ 73.8 грн
1000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD70N2LH5 STD70N2LH5 STMicroelectronics 1404455962594881cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
STD70N2LH5 STD70N2LH5 STMicroelectronics 1404455962594881cd001.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
393+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 393
STD70N6F3 STD70N6F3 STMicroelectronics en.CD00259396.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.62 грн
10+ 109.27 грн
100+ 86.92 грн
500+ 69.02 грн
1000+ 58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics stb7anm60n-1850389.pdf MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.38 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.25 грн
1000+ 45.82 грн
2500+ 42.65 грн
5000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7ANM60N STD7ANM60N STMicroelectronics en.DM00058125.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 88.35 грн
100+ 68.68 грн
500+ 54.63 грн
1000+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+169.55 грн
10+ 128.51 грн
100+ 101.42 грн
500+ 79.8 грн
1000+ 62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics std7ln80k5-1850530.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.39 грн
10+ 130.95 грн
100+ 90.41 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.42 грн
5000+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.42 грн
500+ 79.8 грн
1000+ 62.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics en.DM00256349.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7LN80K5 STD7LN80K5 STMicroelectronics en.DM00256349.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 7437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.33 грн
10+ 114.66 грн
100+ 91.26 грн
500+ 72.47 грн
1000+ 61.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N52DK3 STD7N52DK3 STMicroelectronics STD7N52DK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+31.74 грн
14+ 25.88 грн
25+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
STD7N52DK3 STD7N52DK3 STMicroelectronics STD7N52DK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+38.09 грн
9+ 32.25 грн
25+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD7N52K3 STD7N52K3 STMicroelectronics std7n52k3-1850475.pdf MOSFET N-channel 525 V 6.3 A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
3+125.6 грн
10+ 111.11 грн
100+ 75.91 грн
500+ 62.11 грн
1000+ 49.07 грн
2500+ 41.68 грн
5000+ 40.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N60M2 STD7N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics std7n60m2-1850597.pdf MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.13 грн
10+ 62.3 грн
100+ 42.17 грн
500+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7N60M2 STD7N60M2 STMicroelectronics en.DM00084275.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 12833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.92 грн
10+ 56 грн
100+ 43.59 грн
500+ 34.67 грн
1000+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7N60M2 STD7N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.77 грн
11+ 73.7 грн
100+ 53.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics 728509398050630dm00128915.pdf STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+49.47 грн
13+ 48.7 грн
25+ 47.94 грн
100+ 45.49 грн
250+ 41.44 грн
500+ 39.13 грн
1000+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics 728509398050630dm00128915.pdf STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+52.45 грн
232+ 51.63 грн
236+ 50.81 грн
250+ 48.2 грн
500+ 43.9 грн
1000+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 229
STD7N65M2 STD7N65M2 STMICROELECTRONICS 1876569.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.99 грн
17+ 46.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
STD7N65M2 STD7N65M2 STMicroelectronics std7n65m2-1850610.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.4 грн
10+ 78.97 грн
100+ 66.11 грн
500+ 55.62 грн
1000+ 45.34 грн
2500+ 41.13 грн
5000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD7N65M2 STD7N65M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001076324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N65M6 STD7N65M6 STMicroelectronics std7n65m6-1850735.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.55 грн
100+ 114.29 грн
500+ 62.39 грн
1000+ 53.49 грн
2500+ 44.1 грн
5000+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 STD7N80K5 STMICROELECTRONICS 2371909.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.71 грн
500+ 69.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5-1850598.pdf MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+151.37 грн
10+ 123.81 грн
100+ 86.27 грн
250+ 79.36 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 61.49 грн
2500+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.73 грн
5000+ 58.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.86 грн
10+ 111.28 грн
100+ 88.57 грн
500+ 70.33 грн
1000+ 59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 STD7N80K5 STMICROELECTRONICS 2371909.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.97 грн
10+ 110.71 грн
100+ 86.71 грн
500+ 69.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+118.66 грн
110+ 109.69 грн
129+ 93.04 грн
200+ 84.81 грн
500+ 78.26 грн
1000+ 67.95 грн
2000+ 64.02 грн
2500+ 63.85 грн
Мінімальне замовлення: 101
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.DM00334284.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.17 грн
10+ 143.27 грн
100+ 114.04 грн
500+ 90.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics std7n90k5-1850736.pdf MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.85 грн
10+ 159.52 грн
100+ 110.42 грн
250+ 105.59 грн
500+ 93.17 грн
1000+ 80.06 грн
2500+ 74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7N90K5 STD7N90K5 STMicroelectronics en.dm00334284.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+150.57 грн
99+ 121.65 грн
106+ 113.68 грн
200+ 108.65 грн
500+ 89.92 грн
1000+ 81.03 грн
2000+ 78.89 грн
Мінімальне замовлення: 80
STD7N95K5AG STMicroelectronics std7n95k5ag-2887692.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.29 грн
10+ 165.08 грн
100+ 114.56 грн
250+ 105.59 грн
500+ 95.93 грн
1000+ 86.96 грн
2500+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
29+21.98 грн
31+ 20.51 грн
100+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.98 грн
10+ 87.7 грн
100+ 68.26 грн
500+ 54.3 грн
1000+ 44.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics en.CD00003040.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.07 грн
5000+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMICROELECTRONICS 2307473.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD7NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.7 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+132.39 грн
10+ 99.87 грн
100+ 74.17 грн
500+ 58.3 грн
1000+ 38.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4-1850502.pdf MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.58 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.11 грн
500+ 55.97 грн
1000+ 45.62 грн
2500+ 41.68 грн
5000+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NK40ZT4 STD7NK40ZT4 STMicroelectronics std7nk40zt4.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics std7nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.5 грн
5000+ 51.52 грн
10000+ 51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics std7nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.76 грн
5000+ 55.54 грн
10000+ 54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics std7nm60n-1850531.pdf MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.2 грн
10+ 128.57 грн
100+ 89.03 грн
250+ 88.34 грн
500+ 75.22 грн
1000+ 63.7 грн
2500+ 60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.CD00252114.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.97 грн
5000+ 60.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.cd00252114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N STD7NM60N STMicroelectronics en.CD00252114.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.08 грн
10+ 115.31 грн
100+ 91.73 грн
500+ 72.84 грн
1000+ 61.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NM60N ST en.CD00252114.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
STD7NM80 STD7NM80 STMicroelectronics en.CD00126772.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.78 грн
10+ 212.22 грн
100+ 171.69 грн
500+ 143.22 грн
1000+ 122.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7NM80 STD7NM80 STMicroelectronics en.cd00126772.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.47 грн
5000+ 109.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD 700 BLK
Виробник: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
131+91.4 грн
Мінімальне замовлення: 131
STD 720 BLK
Виробник: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
на замовлення 24640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 730 BLK
Виробник: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
на замовлення 16297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 740 BLK
Виробник: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
на замовлення 24366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD 770 BLK
Виробник: Visual Communications Company, LLC
LED Spacer Accessories
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
184+65.04 грн
204+ 58.74 грн
336+ 35.62 грн
500+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 184
STD70N10F4 std70n10f4-1850501.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 100V-0.015ohms 60A
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+158.61 грн
10+ 130.16 грн
100+ 90.41 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+154.36 грн
10+ 128.66 грн
25+ 121.04 грн
100+ 93.36 грн
250+ 81.84 грн
500+ 65.83 грн
1000+ 57.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD70N10F4 cd0021814.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
72+166.23 грн
87+ 138.56 грн
92+ 130.36 грн
115+ 100.54 грн
250+ 88.13 грн
500+ 70.9 грн
1000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 72
STD70N10F4 en.CD00218149.pdf
STD70N10F4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.32 грн
10+ 116.75 грн
100+ 92.94 грн
500+ 73.8 грн
1000+ 62.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD70N2LH5 1404455962594881cd001.pdf
STD70N2LH5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 21
STD70N2LH5 1404455962594881cd001.pdf
STD70N2LH5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 25V 48A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
393+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 393
STD70N6F3 en.CD00259396.pdf
STD70N6F3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 2315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.62 грн
10+ 109.27 грн
100+ 86.92 грн
500+ 69.02 грн
1000+ 58.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7ANM60N stb7anm60n-1850389.pdf
STD7ANM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.38 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.25 грн
1000+ 45.82 грн
2500+ 42.65 грн
5000+ 41.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7ANM60N en.DM00058125.pdf
STD7ANM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.98 грн
10+ 88.35 грн
100+ 68.68 грн
500+ 54.63 грн
1000+ 44.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7LN80K5 SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD7LN80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+169.55 грн
10+ 128.51 грн
100+ 101.42 грн
500+ 79.8 грн
1000+ 62.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7LN80K5 std7ln80k5-1850530.pdf
STD7LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.39 грн
10+ 130.95 грн
100+ 90.41 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 64.8 грн
2500+ 61.42 грн
5000+ 58.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7LN80K5 SGST-S-A0001422161-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD7LN80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7LN80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+101.42 грн
500+ 79.8 грн
1000+ 62.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7LN80K5 en.DM00256349.pdf
STD7LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7LN80K5 en.DM00256349.pdf
STD7LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
на замовлення 7437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.33 грн
10+ 114.66 грн
100+ 91.26 грн
500+ 72.47 грн
1000+ 61.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N52DK3 STD7N52DK3.pdf
STD7N52DK3
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+31.74 грн
14+ 25.88 грн
25+ 25.09 грн
Мінімальне замовлення: 13
STD7N52DK3 STD7N52DK3.pdf
STD7N52DK3
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.09 грн
9+ 32.25 грн
25+ 30.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD7N52K3 std7n52k3-1850475.pdf
STD7N52K3
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 525 V 6.3 A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.6 грн
10+ 111.11 грн
100+ 75.91 грн
500+ 62.11 грн
1000+ 49.07 грн
2500+ 41.68 грн
5000+ 40.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N60M2 SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD7N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+53.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N60M2 std7n60m2-1850597.pdf
STD7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.13 грн
10+ 62.3 грн
100+ 42.17 грн
500+ 36.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7N60M2 en.DM00084275.pdf
STD7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7N60M2 en.DM00084275.pdf
STD7N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
на замовлення 12833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.92 грн
10+ 56 грн
100+ 43.59 грн
500+ 34.67 грн
1000+ 34.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD7N60M2 SGST-S-A0005414790-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD7N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+96.77 грн
11+ 73.7 грн
100+ 53.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD7N65M2 728509398050630dm00128915.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMicroelectronics
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+49.47 грн
13+ 48.7 грн
25+ 47.94 грн
100+ 45.49 грн
250+ 41.44 грн
500+ 39.13 грн
1000+ 38.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
STD7N65M2 728509398050630dm00128915.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMicroelectronics
STD7N65M2 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+52.45 грн
232+ 51.63 грн
236+ 50.81 грн
250+ 48.2 грн
500+ 43.9 грн
1000+ 41.44 грн
Мінімальне замовлення: 229
STD7N65M2 1876569.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.99 грн
17+ 46.45 грн
Мінімальне замовлення: 14
STD7N65M2 std7n65m2-1850610.pdf
STD7N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ 5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.4 грн
10+ 78.97 грн
100+ 66.11 грн
500+ 55.62 грн
1000+ 45.34 грн
2500+ 41.13 грн
5000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD7N65M2 SGST-S-A0001076324-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD7N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N65M6 std7n65m6-1850735.pdf
STD7N65M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.55 грн
100+ 114.29 грн
500+ 62.39 грн
1000+ 53.49 грн
2500+ 44.1 грн
5000+ 42.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 2371909.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.71 грн
500+ 69.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD7N80K5 std7n80k5-1850598.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.37 грн
10+ 123.81 грн
100+ 86.27 грн
250+ 79.36 грн
500+ 71.77 грн
1000+ 61.49 грн
2500+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+62.73 грн
5000+ 58.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.86 грн
10+ 111.28 грн
100+ 88.57 грн
500+ 70.33 грн
1000+ 59.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 2371909.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.95 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.95ohm
SVHC: No SVHC
на замовлення 8579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+150.97 грн
10+ 110.71 грн
100+ 86.71 грн
500+ 69.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD7N80K5 std7n80k5.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
101+118.66 грн
110+ 109.69 грн
129+ 93.04 грн
200+ 84.81 грн
500+ 78.26 грн
1000+ 67.95 грн
2000+ 64.02 грн
2500+ 63.85 грн
Мінімальне замовлення: 101
STD7N90K5 en.DM00334284.pdf
STD7N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.17 грн
10+ 143.27 грн
100+ 114.04 грн
500+ 90.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7N90K5 std7n90k5-1850736.pdf
STD7N90K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ 7 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.85 грн
10+ 159.52 грн
100+ 110.42 грн
250+ 105.59 грн
500+ 93.17 грн
1000+ 80.06 грн
2500+ 74.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7N90K5 en.dm00334284.pdf
STD7N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+150.57 грн
99+ 121.65 грн
106+ 113.68 грн
200+ 108.65 грн
500+ 89.92 грн
1000+ 81.03 грн
2000+ 78.89 грн
Мінімальне замовлення: 80
STD7N95K5AG std7n95k5ag-2887692.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 0.95 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.29 грн
10+ 165.08 грн
100+ 114.56 грн
250+ 105.59 грн
500+ 95.93 грн
1000+ 86.96 грн
2500+ 75.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
Виробник: STMicroelectronics
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 5,4 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 535 @ 25; Qg, нКл = 26 @ 10 В; Rds = 1 Ом @ 2,7 А, 10 В; Ugs(th) = 4,5V @ 50 мкА; Р, Вт = 70; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; D-PAK
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+21.98 грн
31+ 20.51 грн
100+ 19.05 грн
Мінімальне замовлення: 29
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 5243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.98 грн
10+ 87.7 грн
100+ 68.26 грн
500+ 54.3 грн
1000+ 44.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NK40ZT4 en.CD00003040.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.07 грн
5000+ 42.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 2307473.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD7NK40ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 2.7 A, 0.85 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+132.39 грн
10+ 99.87 грн
100+ 74.17 грн
500+ 58.3 грн
1000+ 38.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4-1850502.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.58 грн
10+ 98.41 грн
100+ 66.11 грн
500+ 55.97 грн
1000+ 45.62 грн
2500+ 41.68 грн
5000+ 40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NK40ZT4 std7nk40zt4.pdf
STD7NK40ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 5.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.5 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N std7nm60n.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.5 грн
5000+ 51.52 грн
10000+ 51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N std7nm60n.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.76 грн
5000+ 55.54 грн
10000+ 54.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N std7nm60n-1850531.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
на замовлення 3517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+156.2 грн
10+ 128.57 грн
100+ 89.03 грн
250+ 88.34 грн
500+ 75.22 грн
1000+ 63.7 грн
2500+ 60.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+64.97 грн
5000+ 60.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N en.cd00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
STD7NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
на замовлення 11347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.08 грн
10+ 115.31 грн
100+ 91.73 грн
500+ 72.84 грн
1000+ 61.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7NM60N en.CD00252114.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 900mOhm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; STD7NM60N TSTD7NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 79 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 20
STD7NM80 en.CD00126772.pdf
STD7NM80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 4293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.78 грн
10+ 212.22 грн
100+ 171.69 грн
500+ 143.22 грн
1000+ 122.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD7NM80 en.cd00126772.pdf
STD7NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+110.47 грн
5000+ 109.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]