Результат пошуку "20n03" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
20N03HL MOT 99+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N03HL MOTO 09+
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N03L INFINEON 09+ TO252-3
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A850498220N03 A850498220N03 Amphenol Interconnect India QPL_October_3.pdf Description: CONN BACKSHELL BANDING SZ20 37
Packaging: Bag
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Unshielded
Type: Backshell, Banding
Shell Size - Insert: 20, 37
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 1.640" (41.66mm)
Cable Opening: 0.820" (20.83mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3067.51 грн
10+ 2586.62 грн
BSC020N03LS G BSC020N03LS G Infineon Technologies Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360955.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.53 грн
10+ 92.86 грн
100+ 64.8 грн
250+ 59.35 грн
500+ 53.83 грн
1000+ 46.17 грн
2500+ 43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360955.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.11 грн
10+ 65.32 грн
100+ 45.2 грн
500+ 42.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 18852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.91 грн
10+ 58.73 грн
100+ 46.72 грн
500+ 39.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LSGATMA1 Infineon Technologies BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MS G BSC020N03MS G Infineon Technologies Infineon_BSC020N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360551.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.16 грн
10+ 96.83 грн
100+ 65.49 грн
500+ 55.56 грн
1000+ 45.27 грн
2500+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 32253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.23 грн
10+ 87.2 грн
100+ 67.85 грн
500+ 53.97 грн
1000+ 43.97 грн
2000+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+43.62 грн
10000+ 40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MSGATMA1 BSC020N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC020N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360551.pdf MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.66 грн
10+ 66.98 грн
100+ 48.59 грн
500+ 43.48 грн
1000+ 40.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC120N03LS G BSC120N03LS G Infineon Technologies Infineon_BSC120N03LS_DS_v02_01_en-1731125.pdf MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.95 грн
10+ 36.83 грн
100+ 21.81 грн
500+ 18.22 грн
1000+ 15.53 грн
2500+ 14.08 грн
5000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC120N03LS_DS_v02_01_en-1731125.pdf MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.67 грн
10+ 36.35 грн
100+ 21.88 грн
500+ 18.29 грн
1000+ 13.87 грн
5000+ 13.39 грн
10000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501189caf1e5e4010 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.57 грн
10+ 32.64 грн
100+ 22.62 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 15.1 грн
2000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03MS G BSC120N03MS G Infineon Technologies Infineon_BSC120N03MSG_DS_v02_01_en-1731225.pdf MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 41.11 грн
100+ 24.36 грн
500+ 20.43 грн
1000+ 17.32 грн
2500+ 16.43 грн
5000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC120N03MSG_DS_v02_01_en-1731225.pdf MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 40.08 грн
100+ 24.02 грн
500+ 20.36 грн
1000+ 14.22 грн
2500+ 14.08 грн
5000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5 Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 28583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.3 грн
10+ 36.38 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.75 грн
1000+ 16.81 грн
2000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 BSC120N03MSGATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5 Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+15.69 грн
10000+ 13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSO220N03MD G BSO220N03MD G Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 20943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 53.89 грн
100+ 36.44 грн
500+ 30.92 грн
1000+ 25.19 грн
2500+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO220N03MDG Infineon 2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 15114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.22 грн
10+ 48.45 грн
100+ 37.68 грн
500+ 29.98 грн
1000+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 68740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.2 грн
10+ 37.46 грн
100+ 27.26 грн
500+ 24.5 грн
1000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDGXUMA1 Infineon Technologies BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.44 грн
5000+ 23.33 грн
12500+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX BXT420N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+11.61 грн
70+ 5.18 грн
99+ 3.65 грн
124+ 2.91 грн
250+ 2.6 грн
500+ 2.19 грн
560+ 1.5 грн
1539+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 34
BXT420N03M BXT420N03M BRIDGELUX BXT420N03M.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.94 грн
42+ 6.45 грн
60+ 4.38 грн
100+ 3.49 грн
250+ 3.12 грн
500+ 2.62 грн
560+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor GOFORD-G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.82 грн
10+ 72.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
G020N03T G020N03T Goford Semiconductor GOFORD-G020N03T.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G120N03D3 G120N03D3 Goford Semiconductor GOFORD-G120N03D3.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G120N03D32 G120N03D32 Goford Semiconductor GOFORD-G120N03D32.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
10+ 28.83 грн
100+ 20.04 грн
500+ 14.69 грн
1000+ 11.94 грн
2000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G20N03D2.pdf Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
15+ 20.27 грн
100+ 12.13 грн
500+ 10.54 грн
1000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
G20N03D2 G20N03D2 Goford Semiconductor GOFORD-G20N03D2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2*2-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor GOFORD-G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G20N03K G20N03K Goford Semiconductor GOFORD-G20N03K.pdf Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.58 грн
10+ 30.05 грн
100+ 20.91 грн
500+ 15.32 грн
1000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPB120N03S4L03ATMA1 IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466 Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 286
M85049/82-20N03 M85049/82-20N03 Sunbank / Souriau d38999_ms27_protective_caps-1100573.pdf Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3714.17 грн
5+ 3473.81 грн
10+ 2873.7 грн
25+ 2753.62 грн
50+ 2581.09 грн
100+ 2494.82 грн
250+ 2357.49 грн
M85049/82-20N03 M85049/82-20N03 Amphenol Pcd Backshells_M85049_May2012-519737.pdf Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL BND LOCK ADPTR ST NIC SZ 20
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3331.72 грн
10+ 2876.19 грн
25+ 2393.37 грн
50+ 2316.08 грн
100+ 2238.78 грн
250+ 2115.25 грн
500+ 2053.83 грн
NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-1G onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 952
NTD20N03L27T4 NTD20N03L27T4 onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
889+25.5 грн
Мінімальне замовлення: 889
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G onsemi NTD20N03L27_D-2318501.pdf MOSFET 30V 20A N-Channel
на замовлення 32737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.53 грн
10+ 92.06 грн
100+ 62.59 грн
500+ 53 грн
1000+ 43.2 грн
2500+ 38.65 грн
5000+ 38.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27T4G onsemi NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.26 грн
10+ 83.25 грн
100+ 64.76 грн
500+ 51.51 грн
1000+ 41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTLUS020N03CTAG NTLUS020N03CTAG onsemi ntlus020n03c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 56350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.04 грн
500+ 18.07 грн
1000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS020N03CTAG NTLUS020N03CTAG onsemi NTLUS020N03C_D-2318939.pdf MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.87 грн
3000+ 14.08 грн
6000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS020N03CTAG NTLUS020N03CTAG onsemi ntlus020n03c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.16 грн
6000+ 13.83 грн
9000+ 12.8 грн
30000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RFD20N03 RFD20N03 Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 740
RFD20N03SM RFD20N03SM Harris Corporation HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 701
RFD20N03SM9A RFD20N03SM9A Harris Corporation FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 683
RFD20N03SM9AR4770 RFD20N03SM9AR4770 Fairchild Semiconductor Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR ROHM Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf MOSFET Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.91 грн
10+ 40.95 грн
100+ 24.78 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 15.73 грн
3000+ 13.32 грн
9000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03HZGTR RSQ020N03HZGTR Rohm Semiconductor rsq020n03hzgtr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.79 грн
10+ 36.81 грн
100+ 25.62 грн
500+ 18.77 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03TR RSQ020N03TR Rohm Semiconductor rsq020n03tr-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.05 грн
10+ 37.02 грн
100+ 25.64 грн
500+ 20.1 грн
1000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03TR RSQ020N03TR ROHM Semiconductor rsq020n03tr-e.pdf MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.18 грн
10+ 41.19 грн
100+ 24.78 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 17.6 грн
3000+ 15.67 грн
6000+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTQ020N03TR RTQ020N03TR ROHM Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.95 грн
10+ 35.4 грн
100+ 21.46 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 13.6 грн
3000+ 11.46 грн
9000+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
RTQ020N03TR RTQ020N03TR Rohm Semiconductor datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.82 грн
10+ 31.85 грн
100+ 22.13 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQM120N03-1m5L_GE3 SQM120N03-1m5L_GE3 Vishay Semiconductors sqm120n031m5l.pdf MOSFET 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+274.56 грн
10+ 227.78 грн
25+ 187.03 грн
100+ 160.8 грн
250+ 151.14 грн
500+ 130.43 грн
800+ 114.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSM320N03CX TAI-SEM Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX RFG TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM320N03CX_C1811.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.1 грн
12+ 31.49 грн
25+ 23.87 грн
45+ 19.05 грн
122+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
20N03HL
Виробник: MOT
99+
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N03HL
Виробник: MOTO
09+
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
20N03L
Виробник: INFINEON
09+ TO252-3
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A850498220N03 QPL_October_3.pdf
A850498220N03
Виробник: Amphenol Interconnect India
Description: CONN BACKSHELL BANDING SZ20 37
Packaging: Bag
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Unshielded
Type: Backshell, Banding
Shell Size - Insert: 20, 37
Cable Exit: 180°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 1.640" (41.66mm)
Cable Opening: 0.820" (20.83mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3067.51 грн
10+ 2586.62 грн
BSC020N03LS G Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360955.pdf
BSC020N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.53 грн
10+ 92.86 грн
100+ 64.8 грн
250+ 59.35 грн
500+ 53.83 грн
1000+ 46.17 грн
2500+ 43.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03LSGATMA1 Infineon_BSC020N03LS_G_DataSheet_v02_00_EN-3360955.pdf
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.11 грн
10+ 65.32 грн
100+ 45.2 грн
500+ 42.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 18852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.91 грн
10+ 58.73 грн
100+ 46.72 грн
500+ 39.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC020N03LSGATMA1 BSC020N03LS_rev1.27.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b427641b3c1f
BSC020N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MS G Infineon_BSC020N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360551.pdf
BSC020N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.16 грн
10+ 96.83 грн
100+ 65.49 грн
500+ 55.56 грн
1000+ 45.27 грн
2500+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1 Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e
BSC020N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 32253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.23 грн
10+ 87.2 грн
100+ 67.85 грн
500+ 53.97 грн
1000+ 43.97 грн
2000+ 41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC020N03MSGATMA1 Infineon-BSC020N03MSG-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de4cd99d033e
BSC020N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 15 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.62 грн
10000+ 40.06 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC020N03MSGATMA1 Infineon_BSC020N03MS_G_DataSheet_v02_01_EN-3360551.pdf
BSC020N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.66 грн
10+ 66.98 грн
100+ 48.59 грн
500+ 43.48 грн
1000+ 40.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC120N03LS G Infineon_BSC120N03LS_DS_v02_01_en-1731125.pdf
BSC120N03LS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.95 грн
10+ 36.83 грн
100+ 21.81 грн
500+ 18.22 грн
1000+ 15.53 грн
2500+ 14.08 грн
5000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03LSGATMA1 Infineon_BSC120N03LS_DS_v02_01_en-1731125.pdf
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 6719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.67 грн
10+ 36.35 грн
100+ 21.88 грн
500+ 18.29 грн
1000+ 13.87 грн
5000+ 13.39 грн
10000+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03LSGATMA1 Infineon-BSC120N03LS-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501189caf1e5e4010
BSC120N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 7721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.57 грн
10+ 32.64 грн
100+ 22.62 грн
500+ 17.74 грн
1000+ 15.1 грн
2000+ 13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSC120N03MS G Infineon_BSC120N03MSG_DS_v02_01_en-1731225.pdf
BSC120N03MS G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 41.11 грн
100+ 24.36 грн
500+ 20.43 грн
1000+ 17.32 грн
2500+ 16.43 грн
5000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 Infineon_BSC120N03MSG_DS_v02_01_en-1731225.pdf
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 40.08 грн
100+ 24.02 грн
500+ 20.36 грн
1000+ 14.22 грн
2500+ 14.08 грн
5000+ 13.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 28583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.3 грн
10+ 36.38 грн
100+ 25.19 грн
500+ 19.75 грн
1000+ 16.81 грн
2000+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC120N03MSGATMA1 Infineon-BSC120N03MSG-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304313d846880113de761b1d03a5
BSC120N03MSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+15.69 грн
10000+ 13.99 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSO220N03MD G BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf
BSO220N03MD G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 20943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.67 грн
10+ 53.89 грн
100+ 36.44 грн
500+ 30.92 грн
1000+ 25.19 грн
2500+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO220N03MDG
Виробник: Infineon
2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 40
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 15114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.22 грн
10+ 48.45 грн
100+ 37.68 грн
500+ 29.98 грн
1000+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1_1-1226026.pdf
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 68740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.2 грн
10+ 37.46 грн
100+ 27.26 грн
500+ 24.5 грн
1000+ 22.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MD_rev1.1.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a30431b0626df011b0d922ec17e5c
BSO220N03MDGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Part Status: Active
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+25.44 грн
5000+ 23.33 грн
12500+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
BXT420N03M BXT420N03M.pdf
BXT420N03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+11.61 грн
70+ 5.18 грн
99+ 3.65 грн
124+ 2.91 грн
250+ 2.6 грн
500+ 2.19 грн
560+ 1.5 грн
1539+ 1.42 грн
Мінімальне замовлення: 34
BXT420N03M BXT420N03M.pdf
BXT420N03M
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5080 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.94 грн
42+ 6.45 грн
60+ 4.38 грн
100+ 3.49 грн
250+ 3.12 грн
500+ 2.62 грн
560+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 20
G020N03T GOFORD-G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.82 грн
10+ 72.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
G020N03T GOFORD-G020N03T.pdf
G020N03T
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6005 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
G120N03D3 GOFORD-G120N03D3.pdf
G120N03D3
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1077 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 5000
G120N03D32 GOFORD-G120N03D32.pdf
G120N03D32
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1089pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.09 грн
10+ 28.83 грн
100+ 20.04 грн
500+ 14.69 грн
1000+ 11.94 грн
2000+ 10.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
G20N03D2 GOFORD-G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<24M@10V,RD(MAX)<29M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 4572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.88 грн
15+ 20.27 грн
100+ 12.13 грн
500+ 10.54 грн
1000+ 7.16 грн
Мінімальне замовлення: 12
G20N03D2 GOFORD-G20N03D2.pdf
G20N03D2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2*2-6L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
G20N03K GOFORD-G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
G20N03K GOFORD-G20N03K.pdf
G20N03K
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<20M@10V,RD(MAX)<24M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 923 pF @ 15 V
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.58 грн
10+ 30.05 грн
100+ 20.91 грн
500+ 15.32 грн
1000+ 12.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon-IPB120N03S4L-03-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46249a28d750149a3606cf60466
IPB120N03S4L03ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
286+72.37 грн
Мінімальне замовлення: 286
M85049/82-20N03 d38999_ms27_protective_caps-1100573.pdf
M85049/82-20N03
Виробник: Sunbank / Souriau
Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3714.17 грн
5+ 3473.81 грн
10+ 2873.7 грн
25+ 2753.62 грн
50+ 2581.09 грн
100+ 2494.82 грн
250+ 2357.49 грн
M85049/82-20N03 Backshells_M85049_May2012-519737.pdf
M85049/82-20N03
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL BND LOCK ADPTR ST NIC SZ 20
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3331.72 грн
10+ 2876.19 грн
25+ 2393.37 грн
50+ 2316.08 грн
100+ 2238.78 грн
250+ 2115.25 грн
500+ 2053.83 грн
NTD20N03L27-1G NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf
NTD20N03L27-1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 952
NTD20N03L27T4 NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf
NTD20N03L27T4
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
889+25.5 грн
Мінімальне замовлення: 889
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf
NTD20N03L27T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27_D-2318501.pdf
NTD20N03L27T4G
Виробник: onsemi
MOSFET 30V 20A N-Channel
на замовлення 32737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.53 грн
10+ 92.06 грн
100+ 62.59 грн
500+ 53 грн
1000+ 43.2 грн
2500+ 38.65 грн
5000+ 38.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTD20N03L27T4G NTD20N03L27%2CNVD20N03L27.pdf
NTD20N03L27T4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.26 грн
10+ 83.25 грн
100+ 64.76 грн
500+ 51.51 грн
1000+ 41.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTLUS020N03CTAG ntlus020n03c-d.pdf
NTLUS020N03CTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 56350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.31 грн
10+ 33.28 грн
100+ 23.04 грн
500+ 18.07 грн
1000+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS020N03CTAG NTLUS020N03C_D-2318939.pdf
NTLUS020N03CTAG
Виробник: onsemi
MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.4 грн
10+ 37.06 грн
100+ 22.36 грн
500+ 18.7 грн
1000+ 15.87 грн
3000+ 14.08 грн
6000+ 13.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
NTLUS020N03CTAG ntlus020n03c-d.pdf
NTLUS020N03CTAG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFN (1.6x1.6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 15 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+15.16 грн
6000+ 13.83 грн
9000+ 12.8 грн
30000+ 11.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RFD20N03 HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 10550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 740
RFD20N03SM HRISSD05-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 8441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 701
RFD20N03SM9A FAIRS43779-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
RFD20N03SM9A
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
на замовлення 4911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
RFD20N03SM9AR4761
Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
683+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 683
RFD20N03SM9AR4770
RFD20N03SM9AR4770
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 20A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
355+58.58 грн
Мінімальне замовлення: 355
RSQ020N03HZGTR rsq020n03hzgtr-e.pdf
RSQ020N03HZGTR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.91 грн
10+ 40.95 грн
100+ 24.78 грн
500+ 19.39 грн
1000+ 15.73 грн
3000+ 13.32 грн
9000+ 12.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03HZGTR rsq020n03hzgtr-e.pdf
RSQ020N03HZGTR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.79 грн
10+ 36.81 грн
100+ 25.62 грн
500+ 18.77 грн
1000+ 15.26 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03TR rsq020n03tr-e.pdf
RSQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 10 V
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.05 грн
10+ 37.02 грн
100+ 25.64 грн
500+ 20.1 грн
1000+ 17.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
RSQ020N03TR rsq020n03tr-e.pdf
RSQ020N03TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+47.18 грн
10+ 41.19 грн
100+ 24.78 грн
500+ 20.63 грн
1000+ 17.6 грн
3000+ 15.67 грн
6000+ 14.84 грн
Мінімальне замовлення: 7
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.04 грн
6000+ 11.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.95 грн
10+ 35.4 грн
100+ 21.46 грн
500+ 16.77 грн
1000+ 13.6 грн
3000+ 11.46 грн
9000+ 10.63 грн
Мінімальне замовлення: 8
RTQ020N03TR datasheet?p=RTQ020N03&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RTQ020N03TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 10 V
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.82 грн
10+ 31.85 грн
100+ 22.13 грн
500+ 16.22 грн
1000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
SQM120N03-1m5L_GE3 sqm120n031m5l.pdf
SQM120N03-1m5L_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+274.56 грн
10+ 227.78 грн
25+ 187.03 грн
100+ 160.8 грн
250+ 151.14 грн
500+ 130.43 грн
800+ 114.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
TSM320N03CX
Виробник: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
TSM320N03CX RFG TSM320N03CX_C1811.pdf
TSM320N03CX RFG
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+51.1 грн
12+ 31.49 грн
25+ 23.87 грн
45+ 19.05 грн
122+ 17.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]