Результат пошуку "irfu" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 218
Мінімальне замовлення: 185
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 91
Мінімальне замовлення: 2175
Мінімальне замовлення: 199
Мінімальне замовлення: 562
Мінімальне замовлення: 919
Мінімальне замовлення: 75
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 310
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 361
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 420
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 224
Мінімальне замовлення: 260
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU024NPBF Код товару: 112197 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 17 A Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 370/20 Монтаж: THT |
у наявності: 140 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFU220B Код товару: 185591 |
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 200 V Idd,A: 2,9 A Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 300/12 Монтаж: THT |
у наявності: 95 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFU4104 Код товару: 99521 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 40 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59 Монтаж: THT |
у наявності: 3 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFU9024PBF Код товару: 49504 |
SILI |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 60 V Id,A: 8,8 A Rds(on),Om: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 570/19 Монтаж: THT |
у наявності: 16 шт
очікується:
300 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFU9210 Код товару: 77978 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-251 Uds,V: 200 V Id,A: 1,9 A Rds(on),Om: 3,0 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9 Монтаж: THT |
у наявності: 244 шт
|
|
|||||||||||||||||||
IRFU-9310 | International Rectifier/Infineon | Р-канальний ПТ; Udss, В = -400; Id = -1,8; Ptot, Вт = 50; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25; Qg, нКл = 13; Rds = 7 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-251AA |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014 | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm |
на замовлення 284 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp |
на замовлення 3712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFU014PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024NPBFAKLA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
на замовлення 4193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024NPBFAKLA1 | Infineon Technologies | IRFU024NPBFAKLA1 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK |
на замовлення 14844 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU024PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU1010ZPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
на замовлення 4825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110 | Harris Corporation |
Description: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110 | Vishay |
N-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110 кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.7A Power dissipation: 25W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1835 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 4263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU110PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK |
на замовлення 10189 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120-VB | VBsemi |
N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120ATU | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120ATU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK |
на замовлення 7 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.1A Power dissipation: 39W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.21Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 5055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 9385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 35427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 5345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC |
на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.9A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 16nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU120PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFU024NPBF Код товару: 112197 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
у наявності: 140 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 45 грн |
10+ | 40.5 грн |
IRFU220B Код товару: 185591 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38.5 грн |
10+ | 35.2 грн |
IRFU4104 Код товару: 99521 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 33 грн |
IRFU9024PBF Код товару: 49504 |
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
очікується:
300 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18 грн |
10+ | 16.2 грн |
100+ | 14.5 грн |
IRFU9210 Код товару: 77978 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 24 грн |
10+ | 21.6 грн |
100+ | 19.4 грн |
IRFU-9310 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = -400; Id = -1,8; Ptot, Вт = 50; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25; Qg, нКл = 13; Rds = 7 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-251AA
Р-канальний ПТ; Udss, В = -400; Id = -1,8; Ptot, Вт = 50; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25; Qg, нКл = 13; Rds = 7 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-251AA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 48.19 грн |
IRFU014 |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 21.16 грн |
IRFU014 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 27.7 грн |
IRFU014 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.7 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.86 грн |
12+ | 51.07 грн |
100+ | 45.82 грн |
500+ | 41.02 грн |
1000+ | 32.73 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 3712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 79.39 грн |
10+ | 66.11 грн |
100+ | 47.2 грн |
500+ | 42.03 грн |
1000+ | 35.06 грн |
3000+ | 33.4 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.22 грн |
10+ | 60.19 грн |
100+ | 51.73 грн |
500+ | 45.11 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 88.26 грн |
12+ | 69.75 грн |
100+ | 53.34 грн |
500+ | 44 грн |
1000+ | 32.12 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.82 грн |
75+ | 71.05 грн |
150+ | 56.31 грн |
525+ | 44.79 грн |
1050+ | 36.49 грн |
2025+ | 34.35 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 16.67 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
218+ | 54.99 грн |
243+ | 49.35 грн |
500+ | 45.81 грн |
1000+ | 38.07 грн |
IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFU014PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
185+ | 64.88 грн |
215+ | 55.76 грн |
500+ | 50.42 грн |
IRFU024NPBFAKLA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.63 грн |
10+ | 63.69 грн |
100+ | 49.55 грн |
500+ | 39.41 грн |
1000+ | 32.11 грн |
3000+ | 30.22 грн |
IRFU024NPBFAKLA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IRFU024NPBFAKLA1
IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 37.67 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 207.99 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 38.08 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK
на замовлення 14844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.6 грн |
10+ | 87.3 грн |
100+ | 64.8 грн |
250+ | 62.94 грн |
500+ | 56.73 грн |
1000+ | 49.62 грн |
3000+ | 47.2 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 122.17 грн |
10+ | 85.7 грн |
100+ | 72.83 грн |
250+ | 69.61 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.46 грн |
75+ | 89.92 грн |
150+ | 73.98 грн |
525+ | 58.75 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFU024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
91+ | 131.57 грн |
130+ | 92.3 грн |
153+ | 78.43 грн |
250+ | 74.96 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2175+ | 55.81 грн |
IRFU024PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
199+ | 60.16 грн |
IRFU1010ZPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
562+ | 36.53 грн |
IRFU110 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
919+ | 22.74 грн |
IRFU110 |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
75+ | 14.52 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.61 грн |
15+ | 25.3 грн |
25+ | 21.78 грн |
39+ | 21.7 грн |
75+ | 19.91 грн |
300+ | 19.7 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.53 грн |
9+ | 31.53 грн |
25+ | 26.14 грн |
39+ | 26.04 грн |
75+ | 23.9 грн |
300+ | 23.64 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 67.51 грн |
16+ | 49.32 грн |
100+ | 38.01 грн |
500+ | 33.43 грн |
1000+ | 30.26 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 25.99 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFU110PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.5 грн |
75+ | 42.24 грн |
150+ | 33.48 грн |
525+ | 26.63 грн |
1050+ | 26.34 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 41.36 грн |
17+ | 35.81 грн |
100+ | 30.39 грн |
500+ | 25.92 грн |
1000+ | 22.72 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
310+ | 38.6 грн |
366+ | 32.76 грн |
500+ | 28.97 грн |
1000+ | 26.45 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 14.49 грн |
IRFU110PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 10189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.95 грн |
10+ | 44.76 грн |
100+ | 32.44 грн |
500+ | 32.09 грн |
24000+ | 30.23 грн |
IRFU120-VB |
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 29.46 грн |
IRFU120ATU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 68.92 грн |
IRFU120ATU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
361+ | 71.46 грн |
IRFU120N |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.79 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.52 грн |
10+ | 44.07 грн |
29+ | 29.62 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 89.14 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 21.82 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.82 грн |
10+ | 54.92 грн |
29+ | 35.54 грн |
79+ | 33.64 грн |
525+ | 32.87 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 5055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.46 грн |
75+ | 50.23 грн |
150+ | 36.45 грн |
525+ | 28.58 грн |
1050+ | 24.33 грн |
2025+ | 21.67 грн |
5025+ | 20.19 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
420+ | 28.55 грн |
472+ | 25.4 грн |
511+ | 23.42 грн |
1000+ | 19.36 грн |
3000+ | 17.63 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 28.08 грн |
23+ | 26.49 грн |
100+ | 23.56 грн |
500+ | 20.95 грн |
1000+ | 16.63 грн |
3000+ | 15.7 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 77.03 грн |
13+ | 61.7 грн |
100+ | 40.64 грн |
500+ | 31.56 грн |
1000+ | 25.75 грн |
5000+ | 22.36 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
224+ | 53.55 грн |
320+ | 37.4 грн |
350+ | 34.21 грн |
352+ | 32.79 грн |
500+ | 24.67 грн |
1000+ | 22.22 грн |
3000+ | 20.85 грн |
6000+ | 19.66 грн |
12000+ | 18.38 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
260+ | 46.08 грн |
328+ | 36.49 грн |
500+ | 31.49 грн |
1000+ | 23.47 грн |
3000+ | 21.15 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 5345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.86 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 48.67 грн |
14+ | 42.79 грн |
100+ | 33.88 грн |
500+ | 28.2 грн |
1000+ | 20.18 грн |
3000+ | 18.86 грн |
IRFU120NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.14 грн |
10+ | 53.97 грн |
100+ | 34.3 грн |
500+ | 28.78 грн |
1000+ | 21.53 грн |
3000+ | 21.12 грн |
6000+ | 21.05 грн |
IRFU120PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.29 грн |
9+ | 39.97 грн |
25+ | 35.37 грн |
28+ | 30.64 грн |
76+ | 28.97 грн |
IRFU120PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.9A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.75 грн |
6+ | 49.81 грн |
25+ | 42.44 грн |
28+ | 36.77 грн |
76+ | 34.76 грн |
IRFU120PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.52 грн |
13+ | 62.4 грн |
100+ | 44.75 грн |
500+ | 36.81 грн |
1000+ | 33.38 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]