Результат пошуку "13n6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
A8L-11-13N6 A8L-11-13N6 Omron Electronics en-a8l-1664376.pdf Rocker Switches Rocker Switch
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.49 грн
10+ 232.99 грн
100+ 164.07 грн
300+ 138.83 грн
1200+ 124.88 грн
2700+ 122.22 грн
5100+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
A8L-21-13N6 A8L-21-13N6 Omron Electronics en-a8l-1664376.pdf Rocker Switches Rocker Switch
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.49 грн
10+ 232.99 грн
100+ 164.07 грн
300+ 138.83 грн
1200+ 124.88 грн
2700+ 122.22 грн
5100+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
ATFC-0201-3N6B-T ABRACON ATFC-0201.pdf Category: Unclassified
Description: ATFC-0201-3N6B-T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FCP13N60N FCP13N60N Fairchild Semiconductor FAIRS45894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 116
SGP13N60UFDTU SGP13N60UFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS27474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 229
SGP13N60UFTU SGP13N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1211+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1211
SGS13N60UFDTU SGS13N60UFDTU Fairchild Semiconductor FAIRS18599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 13A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 118409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
544+37 грн
Мінімальне замовлення: 544
SGW13N60UFDTM SGW13N60UFDTM Fairchild Semiconductor FAIRS17388-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 163
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics stb13n60m2-1850166.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.97 грн
10+ 132.92 грн
100+ 92.33 грн
250+ 88.35 грн
500+ 77.05 грн
1000+ 65.5 грн
2000+ 62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.61 грн
10+ 121.02 грн
100+ 96.35 грн
500+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 STB13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+71.83 грн
2000+ 65.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.dm00286120.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics std13n60dm2-1850491.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.87 грн
10+ 105.42 грн
100+ 73.07 грн
250+ 71.74 грн
500+ 60.58 грн
1000+ 51.94 грн
2500+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00286120.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.28 грн
10+ 95.28 грн
100+ 75.86 грн
500+ 60.24 грн
1000+ 51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 STD13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00286120.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.85 грн
5+ 83.72 грн
12+ 71.27 грн
32+ 67.12 грн
100+ 66.43 грн
500+ 65.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.82 грн
5+ 104.33 грн
12+ 85.52 грн
32+ 80.54 грн
100+ 79.71 грн
500+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics dm00070267.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.37 грн
10+ 107.39 грн
100+ 85.49 грн
500+ 67.89 грн
1000+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 STD13N60M2 STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.14 грн
10+ 117.64 грн
100+ 81.7 грн
250+ 80.38 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 58.59 грн
2500+ 55.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N65M2 STD13N65M2 STMicroelectronics en.DM00153162.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.25 грн
10+ 91.4 грн
100+ 72.77 грн
500+ 57.78 грн
1000+ 49.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N65M2 STD13N65M2 STMicroelectronics std13n65m2-1850319.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.57 грн
10+ 76.39 грн
100+ 54.67 грн
500+ 48.09 грн
1000+ 44.04 грн
2500+ 43.97 грн
5000+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.8 грн
10+ 85.11 грн
11+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+135.92 грн
3+ 118.13 грн
10+ 102.13 грн
11+ 93.83 грн
29+ 88.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics stf13n60dm2-1850620.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.72 грн
10+ 110 грн
100+ 79.05 грн
250+ 78.38 грн
500+ 67.75 грн
1000+ 56.4 грн
2000+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 STF13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00285795.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.06 грн
50+ 100.21 грн
100+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.72 грн
10+ 81.65 грн
12+ 70.58 грн
32+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.54 грн
10+ 97.98 грн
12+ 84.69 грн
32+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics 690272105093487dm00070271.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070271.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.25 грн
50+ 88.47 грн
100+ 72.79 грн
500+ 57.8 грн
1000+ 49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 STF13N60M2 STMicroelectronics stf13n60m2-1850540.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.07 грн
10+ 80.21 грн
100+ 63.04 грн
500+ 55.13 грн
1000+ 49.02 грн
2000+ 47.3 грн
5000+ 45.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N65M2 STF13N65M2 STMicroelectronics stf13n65m2-1850510.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+103.85 грн
10+ 87.85 грн
100+ 67.09 грн
250+ 52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics stfh13n60m2-1850882.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+114.7 грн
10+ 97.01 грн
100+ 74.4 грн
500+ 73.73 грн
920+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFH13N60M2 STFH13N60M2 STMicroelectronics en.DM00292908.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.64 грн
46+ 121.36 грн
138+ 99.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU13N65M2 STFU13N65M2 STMicroelectronics stfu13n65m2-1850918.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.52 грн
10+ 105.42 грн
100+ 75.06 грн
250+ 72.4 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 53.87 грн
2000+ 51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00290959.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+62.01 грн
6000+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics stl13n60dm2-1851008.pdf MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.24 грн
10+ 120.7 грн
100+ 83.7 грн
250+ 77.05 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.92 грн
3000+ 56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 STL13N60DM2 STMicroelectronics en.DM00290959.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.24 грн
10+ 110.02 грн
100+ 87.54 грн
500+ 69.52 грн
1000+ 58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M2 STL13N60M2 STMicroelectronics en.DM00116759.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.18 грн
10+ 101.65 грн
100+ 80.9 грн
500+ 64.24 грн
1000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.03 грн
10+ 99.92 грн
100+ 79.52 грн
500+ 63.14 грн
1000+ 53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 STL13N60M6 STMicroelectronics stl13n60m6-1588884.pdf MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ 7 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
3+134.07 грн
10+ 109.24 грн
100+ 75.73 грн
250+ 73.07 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 54.4 грн
3000+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N65M2 STL13N65M2 STMicroelectronics en.DM00152696.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.78 грн
10+ 104.48 грн
100+ 83.15 грн
500+ 66.03 грн
1000+ 56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.78 грн
50+ 100.8 грн
100+ 82.94 грн
500+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 STP13N60M2 STMicroelectronics stp13n60m2-1851446.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.49 грн
10+ 110.77 грн
100+ 79.05 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 53.94 грн
2000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU13N60M2 STU13N60M2 STMicroelectronics en.DM00070267.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.06 грн
75+ 82.74 грн
150+ 68.07 грн
525+ 54.06 грн
1050+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU13N60M2 STU13N60M2 STMicroelectronics stp13n60m2-1851446.pdf MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+114.7 грн
10+ 90.9 грн
100+ 65.5 грн
250+ 62.37 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 43.38 грн
3000+ 42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP13N60N ON Semiconductor FAIRS45894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf13n60nt-d.pdf
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF13N60C Fairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF13N60NT ON Semiconductor fcpf13n60nt-d.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G13N60UFD
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF13N65BTH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP13N65BTH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFF13N60
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH13N60UFD
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP13N60UF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP13N60UFD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGS13N60UF
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
A8L-11-13N6 en-a8l-1664376.pdf
A8L-11-13N6
Виробник: Omron Electronics
Rocker Switches Rocker Switch
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.49 грн
10+ 232.99 грн
100+ 164.07 грн
300+ 138.83 грн
1200+ 124.88 грн
2700+ 122.22 грн
5100+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
A8L-21-13N6 en-a8l-1664376.pdf
A8L-21-13N6
Виробник: Omron Electronics
Rocker Switches Rocker Switch
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.49 грн
10+ 232.99 грн
100+ 164.07 грн
300+ 138.83 грн
1200+ 124.88 грн
2700+ 122.22 грн
5100+ 120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
ATFC-0201-3N6B-T ATFC-0201.pdf
Виробник: ABRACON
Category: Unclassified
Description: ATFC-0201-3N6B-T
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000
FCP13N60N FAIRS45894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP13N60N
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
116+174.25 грн
Мінімальне замовлення: 116
SGP13N60UFDTU FAIRS27474-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP13N60UFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT 600V 13A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 229
SGP13N60UFTU FAIRS17573-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP13N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1211+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 1211
SGS13N60UFDTU FAIRS18599-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGS13N60UFDTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 13A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 118409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
544+37 грн
Мінімальне замовлення: 544
SGW13N60UFDTM FAIRS17388-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGW13N60UFDTM
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/70ns
Switching Energy: 85µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 300V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 25 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
163+124.46 грн
Мінімальне замовлення: 163
STB13N60M2 STB13N60M2.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STB13N60M2 stb13n60m2-1850166.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.97 грн
10+ 132.92 грн
100+ 92.33 грн
250+ 88.35 грн
500+ 77.05 грн
1000+ 65.5 грн
2000+ 62.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 en.DM00082928.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.61 грн
10+ 121.02 грн
100+ 96.35 грн
500+ 76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB13N60M2 en.DM00082928.pdf
STB13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+71.83 грн
2000+ 65.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STD13N60DM2 en.dm00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD13N60DM2 std13n60dm2-1850491.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.87 грн
10+ 105.42 грн
100+ 73.07 грн
250+ 71.74 грн
500+ 60.58 грн
1000+ 51.94 грн
2500+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 en.DM00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.28 грн
10+ 95.28 грн
100+ 75.86 грн
500+ 60.24 грн
1000+ 51.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60DM2 en.DM00286120.pdf
STD13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.85 грн
5+ 83.72 грн
12+ 71.27 грн
32+ 67.12 грн
100+ 66.43 грн
500+ 65.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD13N60M2 STB13N60M2.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.82 грн
5+ 104.33 грн
12+ 85.52 грн
32+ 80.54 грн
100+ 79.71 грн
500+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 dm00070267.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 6169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.37 грн
10+ 107.39 грн
100+ 85.49 грн
500+ 67.89 грн
1000+ 57.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N60M2 en.DM00082928.pdf
STD13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.14 грн
10+ 117.64 грн
100+ 81.7 грн
250+ 80.38 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 58.59 грн
2500+ 55.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N65M2 en.DM00153162.pdf
STD13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.25 грн
10+ 91.4 грн
100+ 72.77 грн
500+ 57.78 грн
1000+ 49.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD13N65M2 std13n65m2-1850319.pdf
STD13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.57 грн
10+ 76.39 грн
100+ 54.67 грн
500+ 48.09 грн
1000+ 44.04 грн
2500+ 43.97 грн
5000+ 39.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.8 грн
10+ 85.11 грн
11+ 78.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60DM2 stf13n60dm2.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7A; Idm: 44A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.365Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+135.92 грн
3+ 118.13 грн
10+ 102.13 грн
11+ 93.83 грн
29+ 88.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
STF13N60DM2 stf13n60dm2-1850620.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.310 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.72 грн
10+ 110 грн
100+ 79.05 грн
250+ 78.38 грн
500+ 67.75 грн
1000+ 56.4 грн
2000+ 53.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60DM2 en.DM00285795.pdf
STF13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.06 грн
50+ 100.21 грн
100+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.72 грн
10+ 81.65 грн
12+ 70.58 грн
32+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N60M2 stf13n60m2.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 7A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 479 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.54 грн
10+ 97.98 грн
12+ 84.69 грн
32+ 79.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 690272105093487dm00070271.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
STF13N60M2 en.DM00070271.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.25 грн
50+ 88.47 грн
100+ 72.79 грн
500+ 57.8 грн
1000+ 49.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF13N60M2 stf13n60m2-1850540.pdf
STF13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+103.07 грн
10+ 80.21 грн
100+ 63.04 грн
500+ 55.13 грн
1000+ 49.02 грн
2000+ 47.3 грн
5000+ 45.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF13N65M2 stf13n65m2-1850510.pdf
STF13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.85 грн
10+ 87.85 грн
100+ 67.09 грн
250+ 52.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFH13N60M2 stfh13n60m2-1850882.pdf
STFH13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.35 Ohm typ 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creep
на замовлення 1452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.7 грн
10+ 97.01 грн
100+ 74.4 грн
500+ 73.73 грн
920+ 73.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STFH13N60M2 en.DM00292908.pdf
STFH13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.64 грн
46+ 121.36 грн
138+ 99.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
STFU13N65M2 stfu13n65m2-1850918.pdf
STFU13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra narr
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+132.52 грн
10+ 105.42 грн
100+ 75.06 грн
250+ 72.4 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 53.87 грн
2000+ 51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 en.DM00290959.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.01 грн
6000+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60DM2 stl13n60dm2-1851008.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.24 грн
10+ 120.7 грн
100+ 83.7 грн
250+ 77.05 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.92 грн
3000+ 56.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60DM2 en.DM00290959.pdf
STL13N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 100 V
на замовлення 11207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.24 грн
10+ 110.02 грн
100+ 87.54 грн
500+ 69.52 грн
1000+ 58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M2 en.DM00116759.pdf
STL13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.18 грн
10+ 101.65 грн
100+ 80.9 грн
500+ 64.24 грн
1000+ 54.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 stl13n60m6.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+56.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL13N60M6 stl13n60m6.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 415mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 509 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+125.03 грн
10+ 99.92 грн
100+ 79.52 грн
500+ 63.14 грн
1000+ 53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N60M6 stl13n60m6-1588884.pdf
STL13N60M6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ 7 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.07 грн
10+ 109.24 грн
100+ 75.73 грн
250+ 73.07 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 54.4 грн
3000+ 50.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL13N65M2 en.DM00152696.pdf
STL13N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 475mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 100 V
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.78 грн
10+ 104.48 грн
100+ 83.15 грн
500+ 66.03 грн
1000+ 56.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 en.DM00070267.pdf
STP13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.78 грн
50+ 100.8 грн
100+ 82.94 грн
500+ 65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP13N60M2 stp13n60m2-1851446.pdf
STP13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 1779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+139.49 грн
10+ 110.77 грн
100+ 79.05 грн
250+ 67.09 грн
500+ 57.99 грн
1000+ 53.94 грн
2000+ 53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU13N60M2 en.DM00070267.pdf
STU13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.06 грн
75+ 82.74 грн
150+ 68.07 грн
525+ 54.06 грн
1050+ 45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
STU13N60M2 stp13n60m2-1851446.pdf
STU13N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.7 грн
10+ 90.9 грн
100+ 65.5 грн
250+ 62.37 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 43.38 грн
3000+ 42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP13N60N FAIRS45894-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf13n60nt-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF13N60C
Виробник: Fairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF13N60NT fcpf13n60nt-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G13N60UFD
на замовлення 690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF13N65BTH
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP13N65BTH
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFF13N60
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH13N60UFD
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP13N60UF
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP13N60UFD
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGS13N60UF
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]