Результат пошуку "20n03" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 9
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
20N03HL | MOT | 99+ |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N03HL | MOTO | 09+ |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
20N03L | INFINEON | 09+ TO252-3 |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC020N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC020N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC020N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 10218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC120N03LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 11652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC120N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 7221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC120N03MS G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 17824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSC120N03MSGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 17008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSO220N03MD G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 20943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSO220N03MDG | Infineon |
2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSO220N03MDGXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M |
на замовлення 68738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXT420N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXT420N03M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 70mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5705 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/82-20N03 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells Backshell |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/82-20N03 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL BND LOCK ADPTR ST NIC SZ 20 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTD20N03L27T4G | onsemi | MOSFET 30V 20A N-Channel |
на замовлення 35237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTLUS020N03CTAG | onsemi | MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN |
на замовлення 2609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSQ020N03HZGTR | ROHM Semiconductor | MOSFET Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101. |
на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSQ020N03TR | ROHM Semiconductor | MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A |
на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RTQ020N03TR | ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQM120N03-1m5L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX | TAI-SEM |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.9nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX RFG | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.3A Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.4nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM320N03CX RFG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 19225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WA 20N0390k | MYG |
Varistor voltage: 390V; operating voltage: 250VAC; 320VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 180.0J Varistor JVR-20N 391K WA 20N0390k кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMB020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN5060-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMB020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN5060-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMQ020N03LG4 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Case: PDFN3030-8 Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
020N03LSG | INFINEON |
на замовлення 1176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
120N03SG | INFINEON | 07+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AP20N03H |
на замовлення 44200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AP20N03S | ADVANEEO | 2002 TO-252 |
на замовлення 2066 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03LS | INF | 09+ |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03LS G | Infineon |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSC020N03LSG | INFINEON | 09+ SOP8 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03LSG | Infineon technologies |
на замовлення 4248 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSC020N03LSG | INF | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03LSG | INFINEON |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSC020N03MSG | infineon | 08+ |
на замовлення 150000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC020N03MSG | Infineon technologies |
на замовлення 3442 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSC120N03LS | INF | 09+ |
на замовлення 176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC120N03MS | INFINEON | 09+ TO-92 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSC120N03SG | INFINEON | 07+ |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | INF | 07+; |
на замовлення 21320 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | infineon | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | Infineon | 0427+ |
на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | INFINEON | TO252 |
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | infineon | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03L | INFINEON | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03LG | INF | 07+; |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPD20N03LP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ME20N03 |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MIE20N03ASTR |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MTB20N03 |
на замовлення 1910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSC020N03LS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.74 грн |
10+ | 90.58 грн |
100+ | 63.21 грн |
250+ | 57.89 грн |
500+ | 52.51 грн |
1000+ | 45.04 грн |
2500+ | 42.81 грн |
BSC020N03LSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.64 грн |
10+ | 51.71 грн |
100+ | 41.4 грн |
BSC020N03MS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.23 грн |
10+ | 94.45 грн |
100+ | 63.88 грн |
500+ | 54.19 грн |
1000+ | 44.16 грн |
2500+ | 43.15 грн |
BSC020N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 10218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.82 грн |
10+ | 71.07 грн |
100+ | 50.56 грн |
500+ | 44.7 грн |
1000+ | 39.18 грн |
BSC120N03LS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 11652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.92 грн |
10+ | 35.92 грн |
100+ | 21.27 грн |
500+ | 17.77 грн |
1000+ | 15.15 грн |
2500+ | 13.73 грн |
5000+ | 12.25 грн |
BSC120N03LSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.62 грн |
10+ | 35.46 грн |
100+ | 21.34 грн |
500+ | 17.84 грн |
1000+ | 13.53 грн |
5000+ | 13.06 грн |
10000+ | 12.25 грн |
BSC120N03MS G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.02 грн |
10+ | 40.1 грн |
100+ | 23.76 грн |
500+ | 19.93 грн |
1000+ | 16.9 грн |
2500+ | 16.02 грн |
5000+ | 13.6 грн |
BSC120N03MSGATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 39A TDSON-8 OptiMOS 3M
на замовлення 17008 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.02 грн |
10+ | 39.09 грн |
100+ | 23.43 грн |
500+ | 19.86 грн |
1000+ | 13.87 грн |
2500+ | 13.73 грн |
5000+ | 13.6 грн |
BSO220N03MD G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 20943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.03 грн |
10+ | 52.56 грн |
100+ | 35.54 грн |
500+ | 30.16 грн |
1000+ | 24.57 грн |
2500+ | 21.81 грн |
BSO220N03MDG |
Виробник: Infineon
2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg
кількість в упаковці: 10 шт
2N-MOSFET 30V 6A 22mΩ 1.4W BSO220N03MDGXUMA1 BSO220N03MDG INFINEON TBSO220n03mdg
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 16.62 грн |
BSO220N03MDGXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
на замовлення 68738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.82 грн |
10+ | 36.54 грн |
100+ | 26.59 грн |
500+ | 23.9 грн |
1000+ | 21.81 грн |
BXT420N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 2.6 грн |
165+ | 2.18 грн |
495+ | 1.68 грн |
1355+ | 1.58 грн |
BXT420N03M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.6A; Idm: 16A; 1.1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 3.12 грн |
100+ | 2.72 грн |
495+ | 2.01 грн |
1355+ | 1.9 грн |
12000+ | 1.82 грн |
M85049/82-20N03 |
Виробник: Sunbank / Souriau
Circular MIL Spec Backshells Backshell
Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3622.91 грн |
5+ | 3388.45 грн |
10+ | 2803.1 грн |
25+ | 2685.96 грн |
50+ | 2517.67 грн |
100+ | 2433.52 грн |
250+ | 2299.56 грн |
M85049/82-20N03 |
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL BND LOCK ADPTR ST NIC SZ 20
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL BND LOCK ADPTR ST NIC SZ 20
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3249.86 грн |
10+ | 2805.52 грн |
25+ | 2334.57 грн |
50+ | 2259.17 грн |
100+ | 2183.78 грн |
250+ | 2063.28 грн |
500+ | 2003.37 грн |
NTD20N03L27T4G |
Виробник: onsemi
MOSFET 30V 20A N-Channel
MOSFET 30V 20A N-Channel
на замовлення 35237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.74 грн |
10+ | 89.8 грн |
100+ | 61.06 грн |
500+ | 51.7 грн |
1000+ | 42.14 грн |
2500+ | 37.7 грн |
5000+ | 37.43 грн |
NTLUS020N03CTAG |
Виробник: onsemi
MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
MOSFET T6 30V NCH 1.6X1.6 UDFN
на замовлення 2609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.33 грн |
10+ | 36.15 грн |
100+ | 24.77 грн |
1000+ | 23.83 грн |
3000+ | 13.73 грн |
6000+ | 12.99 грн |
9000+ | 12.45 грн |
RSQ020N03HZGTR |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
MOSFET Automotive Nch 30V 2A Small Signal MOSFET. RSQ020N03HZG is a MOSFET for switching applications. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.73 грн |
10+ | 39.95 грн |
100+ | 24.17 грн |
500+ | 18.92 грн |
1000+ | 15.35 грн |
3000+ | 12.99 грн |
9000+ | 12.05 грн |
RSQ020N03TR |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A
MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 30V, 2A
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.02 грн |
10+ | 40.18 грн |
100+ | 24.17 грн |
500+ | 20.13 грн |
1000+ | 17.17 грн |
3000+ | 15.28 грн |
6000+ | 14.47 грн |
RTQ020N03TR |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.92 грн |
10+ | 34.53 грн |
100+ | 20.94 грн |
500+ | 16.36 грн |
1000+ | 13.26 грн |
3000+ | 11.17 грн |
9000+ | 10.37 грн |
SQM120N03-1m5L_GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
MOSFET 30V 120A 375W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 267.81 грн |
10+ | 222.18 грн |
25+ | 182.43 грн |
100+ | 156.85 грн |
250+ | 147.43 грн |
500+ | 127.23 грн |
800+ | 111.75 грн |
TSM320N03CX |
Виробник: TAI-SEM
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 40mOhm; 5,5A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; TSM320N03CX RFG TSM320N03CX TTSM320n03cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.4 грн |
TSM320N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 38.29 грн |
25+ | 22.79 грн |
TSM320N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 400mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.84 грн |
12+ | 30.71 грн |
25+ | 23.28 грн |
45+ | 18.58 грн |
122+ | 17.6 грн |
TSM320N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 45.94 грн |
25+ | 28.4 грн |
43+ | 23.14 грн |
118+ | 21.88 грн |
500+ | 21.71 грн |
3000+ | 21.04 грн |
TSM320N03CX RFG |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.4nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 45.94 грн |
25+ | 28.4 грн |
43+ | 23.14 грн |
118+ | 21.88 грн |
500+ | 21.71 грн |
3000+ | 21.04 грн |
TSM320N03CX RFG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 30V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 19225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.52 грн |
12+ | 27.87 грн |
100+ | 13.53 грн |
1000+ | 9.22 грн |
3000+ | 8.08 грн |
9000+ | 7.27 грн |
24000+ | 7.14 грн |
WA 20N0390k |
Виробник: MYG
Varistor voltage: 390V; operating voltage: 250VAC; 320VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 180.0J Varistor JVR-20N 391K WA 20N0390k
кількість в упаковці: 50 шт
Varistor voltage: 390V; operating voltage: 250VAC; 320VDC; power: 1W; tolerance: 10%; maximum energy: 1/100us - 180.0J Varistor JVR-20N 391K WA 20N0390k
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.78 грн |
WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 48.33 грн |
12+ | 30.22 грн |
25+ | 27.21 грн |
39+ | 21.32 грн |
WMB020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58 грн |
10+ | 37.66 грн |
25+ | 32.65 грн |
39+ | 25.58 грн |
107+ | 24.15 грн |
6000+ | 23.31 грн |
12000+ | 23.14 грн |
WMQ020N03LG4 |
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; PDFN3030-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PDFN3030-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 46.82 грн |
14+ | 26.23 грн |
25+ | 23.7 грн |
37+ | 22.72 грн |
100+ | 20.9 грн |
BSC020N03LSG |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSC020N03MSG |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 3442 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]