Результат пошуку "2N60C" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTP12N60C3D HGTP12N60C3D
Код товару: 122684 		Fairchild hgtp12n60c3d-1010383.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
1+185 грн
10+ 173 грн
2N60C CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60CTM FQD2N60CTM onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.98 грн
10+ 48.88 грн
100+ 33.84 грн
500+ 26.53 грн
1000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD2N60CTM FQD2N60CTM onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.26 грн
5000+ 20.3 грн
12500+ 18.8 грн
25000+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2N60CTM Fairchild fqu2n60c-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
FQD2N60CTM FQD2N60CTM onsemi / Fairchild FQU2N60C_D-2313846.pdf MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
5+62.83 грн
10+ 53.57 грн
100+ 32.31 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 22.96 грн
2500+ 20.4 грн
5000+ 20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQI12N60CTU FQI12N60CTU Fairchild Semiconductor FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQP12N60C FQP12N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
166+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQP2N60C ON-Semicoductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+666.96 грн
FQPF2N60C FQPF2N60C Fairchild Semiconductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 21339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
501+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 501
FQPF2N60C ON-Semicoductor FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+46 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQU2N60CTU Fairchild fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
HGT1S12N60C3 HGT1S12N60C3 Harris Corporation HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+105 грн
Мінімальне замовлення: 195
HGT1S12N60C3D HGT1S12N60C3D Harris Corporation HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 226
HGT1S12N60C3DS HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 143
HGT1S12N60C3R HGT1S12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501 HGT1S12N60C3S9AR4501 Harris Corporation Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 190
HGTP12N60C3R HGTP12N60C3R Harris Corporation HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 239
IXGN72N60C3H1 IXGN72N60C3H1 IXYS media-3322241.pdf IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
1+2526.53 грн
10+ 2211.75 грн
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3ATMA1 Infineon Technologies SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 473
SPP02N60C3XKSA1 SPP02N60C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 75206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 630
SPS02N60C3 SPS02N60C3 Infineon Technologies SPS02N60C3.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 693
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3BKMA1 Infineon Technologies SPS02N60C3_rev2.3_2013-07-31.pdf Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 41925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
693+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 693
Транзистор польовий FQPF2N60C 2A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
11+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
02N60C3 INFINEON 09+ TO251-3
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FB22N60C IR 2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTM Fairchild FQB12N60C.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C FAIRCHILD 07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C FAIRCHILD SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C FAIRCHILD TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C fairchild to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60C51W Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N60C FAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP22N60C3 IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP22N60C3 IR TO-247
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH32N60CD1 IXYS MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGR32N60CD1 IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF2N60TH=FQPF2N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP2N60TH=FQP2N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJ2N60CP
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S12N60C3
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA12N60C3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 INF spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 08+
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 INFINEON spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 infineon spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 INFINEON spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 INFINEON spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C5
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPN02N60C3 INF SPN02N60C3.pdf 09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPN02N60C3 INFINEON SPN02N60C3.pdf SOT223 10+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPU02N60C3 infineon Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPU02N60C3 Infineon technologies Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS2N60C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTP12N60C3D
Код товару: 122684		 hgtp12n60c3d-1010383.pdf
HGTP12N60C3D
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+185 грн
10+ 173 грн
2N60C
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60CTM fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.98 грн
10+ 48.88 грн
100+ 33.84 грн
500+ 26.53 грн
1000+ 22.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD2N60CTM fqu2n60c-d.pdf
FQD2N60CTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.26 грн
5000+ 20.3 грн
12500+ 18.8 грн
25000+ 17.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD2N60CTM fqu2n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.11 грн
Мінімальне замовлення: 25
FQD2N60CTM FQU2N60C_D-2313846.pdf
FQD2N60CTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.83 грн
10+ 53.57 грн
100+ 32.31 грн
500+ 26.99 грн
1000+ 22.96 грн
2500+ 20.4 грн
5000+ 20.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQI12N60CTU FAIRS25683-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQI12N60CTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
275+74.32 грн
Мінімальне замовлення: 275
FQP12N60C FAIRS46957-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQP12N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
166+123.41 грн
Мінімальне замовлення: 166
FQP2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+25.65 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+666.96 грн
FQPF2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FQPF2N60C
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 21339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
501+40.91 грн
Мінімальне замовлення: 501
FQPF2N60C FAIRS46442-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+46 грн
Мінімальне замовлення: 20
FQU2N60CTU fqu2n60c-d.pdf
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 30
HGT1S12N60C3 HRISS480-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
195+105 грн
Мінімальне замовлення: 195
HGT1S12N60C3D HRISS481-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3D
Виробник: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
226+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 226
HGT1S12N60C3DS FAIRS45387-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3DS
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 143
HGT1S12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGT1S12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+89.32 грн
Мінімальне замовлення: 229
HGT1S12N60C3S9AR4501
HGT1S12N60C3S9AR4501
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+107.73 грн
Мінімальне замовлення: 190
HGTP12N60C3R HRISSC99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HGTP12N60C3R
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
239+85.91 грн
Мінімальне замовлення: 239
IXGN72N60C3H1 media-3322241.pdf
IXGN72N60C3H1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2526.53 грн
10+ 2211.75 грн
SPB02N60C3ATMA1 SPB02N60C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42e153f494d
SPB02N60C3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
473+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 473
SPP02N60C3XKSA1 Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_07-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f
SPP02N60C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 75206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
630+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 630
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
SPS02N60C3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 693
SPS02N60C3BKMA1 SPS02N60C3_rev2.3_2013-07-31.pdf
SPS02N60C3BKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 41925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
693+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 693
Транзистор польовий FQPF2N60C 2A 600V N-ch TO-220F
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 11
02N60C3
Виробник: INFINEON
09+ TO251-3
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FB22N60C
Виробник: IR
2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB12N60CTM FQB12N60C.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD2N60C
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF12N60C51W
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU2N60C
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 158000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP22N60C3
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP22N60C3
Виробник: IR
TO-247
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH32N60CD1
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGR32N60CD1
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF2N60TH=FQPF2N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP2N60TH=FQP2N60C
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PJ2N60CP
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
S12N60C3
на замовлення 4222 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA12N60C3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INF
08+
на замовлення 2193 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB02N60C3 spp_b02n60c3.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: infineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C3 spd_u02n60c3_rev.2.4.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD02N60C5
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPN02N60C3 SPN02N60C3.pdf
Виробник: INF
09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPN02N60C3 SPN02N60C3.pdf
Виробник: INFINEON
SOT223 10+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPS02N60C3 SPS02N60C3.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPU02N60C3 Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
Виробник: infineon
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPU02N60C3 Infineon-SPD_U02N60C3-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d79214883
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS2N60C
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]