Результат пошуку "2N60C" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 275
Мінімальне замовлення: 166
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 501
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 195
Мінімальне замовлення: 226
Мінімальне замовлення: 143
Мінімальне замовлення: 229
Мінімальне замовлення: 190
Мінімальне замовлення: 239
Мінімальне замовлення: 473
Мінімальне замовлення: 630
Мінімальне замовлення: 693
Мінімальне замовлення: 693
Мінімальне замовлення: 11
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HGTP12N60C3D Код товару: 122684 |
Fairchild |
![]() Корпус: TO-220 Vces: 600 V Vce: 1,65 V Ic 25: 24 A Ic 100: 12 А Pd 25: 104 W td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270 |
у наявності: 13 шт
|
|
||||||||||||||
2N60C | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FQD2N60CTM | onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQD2N60CTM | onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
на замовлення 122500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQD2N60CTM | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
FQD2N60CTM | onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 259-268 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQI12N60CTU | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V |
на замовлення 2882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FQP12N60C | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 225W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V |
на замовлення 4340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQP2N60C | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
FQPF2N60C | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V |
на замовлення 21339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FQPF2N60C | ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQU2N60CTU | Fairchild |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
HGT1S12N60C3 | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HGT1S12N60C3D | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 40 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HGT1S12N60C3DS | Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 32 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-263AB Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A Power - Max: 104 W |
на замовлення 565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HGT1S12N60C3R | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: I2PAK (TO-262) Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W |
на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HGT1S12N60C3S9AR4501 | Harris Corporation |
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HGTP12N60C3R | Harris Corporation |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A Supplier Device Package: TO-220-3 Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off) Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V Gate Charge: 71 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A Power - Max: 104 W |
на замовлення 2724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXGN72N60C3H1 | IXYS |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPB02N60C3ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP02N60C3XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 75206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPS02N60C3 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPS02N60C3BKMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO251-3-11 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 41925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
Транзистор польовий FQPF2N60C 2A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 17 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
02N60C3 | INFINEON | 09+ TO251-3 |
на замовлення 2004 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FB22N60C | IR | 2005 TO-3P |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N60C | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N60C | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N60C | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N60CTM | Fairchild |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD2N60C | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD2N60C | FAIRCHILD | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD2N60C | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD2N60C | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF12N60C51W | Fairchild |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQU2N60C | FAIRCHILD |
на замовлення 158000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFP22N60C3 | IR |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRFP22N60C3 | IR | TO-247 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGH32N60CD1 | IXYS | MODULE |
на замовлення 59 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXGR32N60CD1 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MDF2N60TH=FQPF2N60C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP2N60TH=FQP2N60C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PJ2N60CP |
на замовлення 39 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
S12N60C3 |
на замовлення 4222 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPA12N60C3 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPB02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB02N60C3 | INF |
![]() |
на замовлення 2193 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD02N60C3 | infineon |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPD02N60C5 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPN02N60C3 | INF |
![]() |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPN02N60C3 | INFINEON |
![]() |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPS02N60C3 |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPU02N60C3 | infineon |
![]() |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPU02N60C3 | Infineon technologies |
![]() |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SSS2N60C |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
HGTP12N60C3D Код товару: 122684 |
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-220
Vces: 600 V
Vce: 1,65 V
Ic 25: 24 A
Ic 100: 12 А
Pd 25: 104 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 28/270
у наявності: 13 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 185 грн |
10+ | 173 грн |
FQD2N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.98 грн |
10+ | 48.88 грн |
100+ | 33.84 грн |
500+ | 26.53 грн |
1000+ | 22.58 грн |
FQD2N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 122500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 22.26 грн |
5000+ | 20.3 грн |
12500+ | 18.8 грн |
25000+ | 17.47 грн |
FQD2N60CTM |
![]() |
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 24.11 грн |
FQD2N60CTM |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET
MOSFET N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.83 грн |
10+ | 53.57 грн |
100+ | 32.31 грн |
500+ | 26.99 грн |
1000+ | 22.96 грн |
2500+ | 20.4 грн |
5000+ | 20.26 грн |
FQI12N60CTU |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 12A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 2882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
275+ | 74.32 грн |
FQP12N60C |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 225W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 25 V
на замовлення 4340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
166+ | 123.41 грн |
FQP2N60C |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
N-NOSFET 2A 600V 54W 4.7Ω FQP2N60C TFQP2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 25.65 грн |
FQPF12N60C; 12A; 600V; 51W; 0,65R; N-канальный; Корпус: TO-220F; Fairchild |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 666.96 грн |
FQPF2N60C |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 21339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
501+ | 40.91 грн |
FQPF2N60C |
![]() |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C; FQPF2N60C TFQPF2n60c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 46 грн |
FQU2N60CTU |
![]() |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 21.89 грн |
HGT1S12N60C3 |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
195+ | 105 грн |
HGT1S12N60C3D |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
Description: 24A, 600V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
226+ | 90.68 грн |
HGT1S12N60C3DS |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
Description: IGBT, 24A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 32 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 96 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
143+ | 143.18 грн |
HGT1S12N60C3R |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
Description: IGBT 600V 24A I2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 1962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
229+ | 89.32 грн |
HGT1S12N60C3S9AR4501 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 27A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
190+ | 107.73 грн |
HGTP12N60C3R |
![]() |
Виробник: Harris Corporation
Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
Description: IGBT 600V 24A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 12A
Supplier Device Package: TO-220-3
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/120ns
Switching Energy: 400µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 480V, 12A, 25Ohm, 15V
Gate Charge: 71 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 48 A
Power - Max: 104 W
на замовлення 2724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
239+ | 85.91 грн |
IXGN72N60C3H1 |
![]() |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
IGBT Transistors G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 600V 52A
на замовлення 600 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2526.53 грн |
10+ | 2211.75 грн |
SPB02N60C3ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
473+ | 43.64 грн |
SPP02N60C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 75206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
630+ | 32.73 грн |
SPS02N60C3 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
693+ | 29.32 грн |
SPS02N60C3BKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 41925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
693+ | 29.32 грн |
Транзистор польовий FQPF2N60C 2A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 17 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 15.44 грн |
FQB12N60C |
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB02N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB02N60C3 |
![]() |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]