Результат пошуку "40n6" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKB40N65EH5ATMA1 IKB40N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65EH5_DS_v02_01_EN-1369170.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.09 грн
10+ 258.96 грн
25+ 217.88 грн
100+ 182.01 грн
250+ 176.69 грн
500+ 162.08 грн
1000+ 138.17 грн
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362292.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+313.09 грн
10+ 258.96 грн
25+ 217.88 грн
100+ 182.01 грн
250+ 176.69 грн
500+ 162.08 грн
1000+ 136.84 грн
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945 Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.73 грн
10+ 235.88 грн
100+ 190.82 грн
500+ 159.18 грн
IKB40N65ES5ATMA1 IKB40N65ES5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945 Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.82 грн
2000+ 136.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW40N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362089.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+406.86 грн
10+ 336.88 грн
25+ 275.67 грн
100+ 236.48 грн
240+ 184 грн
480+ 175.36 грн
1200+ 169.39 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff098b2df8 Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+379.39 грн
30+ 289.46 грн
120+ 248.11 грн
IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03 Description: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+382.27 грн
10+ 309.09 грн
240+ 236.16 грн
IKFW40N65ES5XKSA1 IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3361882.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+582 грн
10+ 491.19 грн
25+ 387.26 грн
100+ 356.04 грн
240+ 296.92 грн
480+ 278.32 грн
1200+ 269.69 грн
IKFW40N65ES5XKSA1 IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW40N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174daaa2bc525ee Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.22 грн
30+ 417.42 грн
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKP_IKW40N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa60c5395f31 Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.15 грн
50+ 185.01 грн
100+ 158.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65F5XKSA1 IKP40N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65F5_DS_v01_02_EN-1226869.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.61 грн
10+ 215.42 грн
25+ 176.69 грн
100+ 151.45 грн
250+ 143.48 грн
500+ 132.85 грн
1000+ 108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies 38721313622471488ds_ikp_ikw40n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013afa8ba6fb6078fo..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKx40N65H5_DS_v02_01_EN-1226822.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.27 грн
10+ 158.89 грн
25+ 130.86 грн
100+ 116.91 грн
250+ 114.25 грн
500+ 112.92 грн
1000+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1 IKW40N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3 Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.94 грн
30+ 158.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.09 грн
3+ 341.82 грн
4+ 262.24 грн
9+ 247.71 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+490.91 грн
3+ 425.96 грн
4+ 314.69 грн
9+ 297.26 грн
IKW40N65ES5 IKW40N65ES5 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65ES5_DS_v02_02_EN-1226792.pdf IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.21 грн
10+ 281.11 грн
25+ 231.16 грн
100+ 198.61 грн
240+ 186.66 грн
480+ 175.36 грн
1200+ 155.44 грн
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1 IKW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150144a968a5823 Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.88 грн
30+ 242.02 грн
120+ 207.45 грн
510+ 173.05 грн
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361986.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.26 грн
10+ 270.42 грн
25+ 217.21 грн
100+ 185.99 грн
240+ 180.01 грн
480+ 162.08 грн
1200+ 140.16 грн
IKW40N65ET7XKSA1 IKW40N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5 Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.66 грн
30+ 232.68 грн
120+ 199.43 грн
510+ 166.36 грн
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+352.46 грн
3+ 294.76 грн
4+ 225.57 грн
10+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+422.95 грн
3+ 367.32 грн
4+ 270.69 грн
10+ 255.74 грн
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5FKSA1 Infineon Technologies 5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5 Infineon Part_Number_Guide_Web.pdf IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+204.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies 38721313622471488ds_ikp_ikw40n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013afa8ba6fb6078fo..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1 IKW40N65H5FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKx40N65H5_DS_v02_01_EN-1226822.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.76 грн
10+ 297.16 грн
25+ 232.49 грн
100+ 199.28 грн
240+ 192.63 грн
480+ 151.45 грн
1200+ 142.82 грн
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362148.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+452.58 грн
10+ 375.07 грн
25+ 307.55 грн
100+ 263.71 грн
240+ 248.43 грн
480+ 233.82 грн
1200+ 199.94 грн
IKW40N65RH5XKSA1 IKW40N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW40N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc16a3d630f8 Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.51 грн
30+ 322.46 грн
120+ 276.4 грн
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.77 грн
3+ 254.63 грн
5+ 195.13 грн
12+ 184.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N65WR5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+365.73 грн
3+ 317.31 грн
5+ 234.15 грн
12+ 221.7 грн
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw40n65wr5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW40N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3362491.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.99 грн
10+ 230.7 грн
25+ 174.04 грн
100+ 159.42 грн
240+ 128.2 грн
480+ 100.97 грн
1200+ 94.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+385.93 грн
10+ 320.07 грн
25+ 262.38 грн
100+ 225.18 грн
240+ 211.9 грн
480+ 199.28 грн
1200+ 170.71 грн
IKWH40N65EH7XKSA1 IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+359.99 грн
10+ 291.1 грн
IKWH40N65WR6XKSA1 IKWH40N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH40N65WR6_DataSheet_v01_30_EN-3362226.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.22 грн
10+ 194.79 грн
25+ 146.8 грн
100+ 126.21 грн
240+ 118.9 грн
480+ 114.25 грн
1200+ 90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1 IKWH40N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH40N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63a0e76fd7 Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.91 грн
30+ 154.09 грн
120+ 132.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA40N65EH7XKSA1 IKZA40N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA40N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a3517207d IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.08 грн
10+ 387.3 грн
25+ 317.52 грн
100+ 272.35 грн
240+ 256.4 грн
480+ 241.79 грн
1200+ 207.25 грн
IRFPS40N60K Siliconix Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+324.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXKR40N60C IXKR40N60C IXYS media-3321413.pdf MOSFET 40 Amps 600V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1831.25 грн
10+ 1604.18 грн
30+ 1301.95 грн
60+ 1260.1 грн
120+ 1256.11 грн
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4 IXYS IXXH40N65B4.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+455.14 грн
3+ 394.91 грн
4+ 303.07 грн
9+ 286.46 грн
IXXX140N65B4H1 IXXX140N65B4H1 IXYS media-3320517.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1506.54 грн
10+ 1096.19 грн
MIW40N65RA-BP MIW40N65RA-BP Micro Commercial Co MIW40N65RA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 650V 40A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.66 грн
10+ 264.94 грн
100+ 214.36 грн
500+ 178.82 грн
NGTB40N65FL2WG NGTB40N65FL2WG onsemi ngtb40n65fl2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434 грн
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H onsemi nth4ln040n65s3h-d.pdf Description: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+871.6 грн
10+ 771.44 грн
30+ 739.49 грн
120+ 581.44 грн
270+ 543.93 грн
510+ 506.42 грн
1020+ 472.29 грн
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H onsemi NTH4LN040N65S3H_D-2492243.pdf MOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1019.86 грн
10+ 924.32 грн
25+ 772.53 грн
50+ 747.95 грн
100+ 736.66 грн
450+ 626.4 грн
900+ 553.33 грн
NTHL040N65S3F NTHL040N65S3F onsemi nthl040n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.36 грн
30+ 835.07 грн
120+ 785.94 грн
NTHL040N65S3HF NTHL040N65S3HF onsemi NTHL040N65S3HF_D-2318762.pdf MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1201.97 грн
10+ 1044.25 грн
25+ 792.46 грн
50+ 773.2 грн
100+ 761.9 грн
250+ 754.6 грн
450+ 711.42 грн
NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F onsemi NVH4L040N65S3F_D-2319861.pdf MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+967.16 грн
10+ 844.11 грн
25+ 670.9 грн
50+ 638.35 грн
100+ 631.05 грн
250+ 577.24 грн
450+ 525.43 грн
NVHL040N65S3F NVHL040N65S3F onsemi NVHL040N65S3F_D-2319637.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.16 грн
10+ 964.8 грн
25+ 692.82 грн
100+ 652.3 грн
250+ 648.98 грн
450+ 590.53 грн
900+ 542.03 грн
NVHL040N65S3F NVHL040N65S3F onsemi nvhl040n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+931.96 грн
30+ 726.51 грн
120+ 683.78 грн
SIHA240N60E-GE3 SIHA240N60E-GE3 Vishay / Siliconix siha240n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.59 грн
10+ 132.92 грн
100+ 99.64 грн
250+ 94.99 грн
500+ 89.01 грн
1000+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD240N60E-GE3 SIHD240N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihd240n60e.pdf MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.69 грн
10+ 145.14 грн
100+ 100.97 грн
250+ 99.64 грн
500+ 84.36 грн
1000+ 68.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD240N60E-GE3 SIHD240N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.55 грн
10+ 131.95 грн
100+ 105.01 грн
500+ 83.39 грн
1000+ 70.75 грн
3000+ 67.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay Siliconix sihfps40n60k.pdf Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.06 грн
30+ 359.18 грн
120+ 321.36 грн
SIHFPS40N60K-GE3 SIHFPS40N60K-GE3 Vishay / Siliconix sihfps40n60k.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+499.85 грн
10+ 491.95 грн
25+ 342.76 грн
100+ 306.22 грн
480+ 269.69 грн
960+ 238.47 грн
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg40n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+477.38 грн
10+ 413.27 грн
25+ 317.52 грн
100+ 290.28 грн
250+ 275.67 грн
500+ 256.4 грн
1000+ 233.82 грн
SIHG40N60E-GE3 SIHG40N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg40n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.5 грн
25+ 342.51 грн
100+ 306.46 грн
500+ 253.76 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.79 грн
10+ 146.76 грн
100+ 118.72 грн
500+ 99.04 грн
1000+ 84.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH240N60E-T1-GE3 SIHH240N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh240n60e.pdf MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+171.27 грн
10+ 144.38 грн
25+ 123.55 грн
100+ 113.59 грн
250+ 111.6 грн
500+ 100.97 грн
1000+ 87.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB40N65EH5ATMA1 Infineon_IKB40N65EH5_DS_v02_01_EN-1369170.pdf
IKB40N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.09 грн
10+ 258.96 грн
25+ 217.88 грн
100+ 182.01 грн
250+ 176.69 грн
500+ 162.08 грн
1000+ 138.17 грн
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon_IKB40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362292.pdf
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 7688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.09 грн
10+ 258.96 грн
25+ 217.88 грн
100+ 182.01 грн
250+ 176.69 грн
500+ 162.08 грн
1000+ 136.84 грн
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 9192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+291.73 грн
10+ 235.88 грн
100+ 190.82 грн
500+ 159.18 грн
IKB40N65ES5ATMA1 Infineon-IKB40N65ES5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462625a528f0162a922451d6945
IKB40N65ES5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.74V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+150.82 грн
2000+ 136.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon_IKFW40N60DH3E_DataSheet_v02_01_EN-3362089.pdf
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.86 грн
10+ 336.88 грн
25+ 275.67 грн
100+ 236.48 грн
240+ 184 грн
480+ 175.36 грн
1200+ 169.39 грн
IKFW40N60DH3EXKSA1 Infineon-IKFW40N60DH3E-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016034ff098b2df8
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-AI
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/144ns
Switching Energy: 870µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 107 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 111 W
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.39 грн
30+ 289.46 грн
120+ 248.11 грн
IKFW40N65DH5XKSA1 Infineon-IKFW40N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972f3891f03
Виробник: Infineon Technologies
Description: HOME APPLIANCES 14 PG-HSIP247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/105ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 14Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 53 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.27 грн
10+ 309.09 грн
240+ 236.16 грн
IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW40N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3361882.pdf
IKFW40N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+582 грн
10+ 491.19 грн
25+ 387.26 грн
100+ 356.04 грн
240+ 296.92 грн
480+ 278.32 грн
1200+ 269.69 грн
IKFW40N65ES5XKSA1 Infineon-IKFW40N65ES5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174daaa2bc525ee
IKFW40N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 60A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/124ns
Switching Energy: 560µJ (on), 320µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 13Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 106 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+543.22 грн
30+ 417.42 грн
IKP40N65F5XKSA1 DS_IKP_IKW40N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013afa60c5395f31
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 74A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 360µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 255 W
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.15 грн
50+ 185.01 грн
100+ 158.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65F5XKSA1 Infineon_IKW40N65F5_DS_v01_02_EN-1226869.pdf
IKP40N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.61 грн
10+ 215.42 грн
25+ 176.69 грн
100+ 151.45 грн
250+ 143.48 грн
500+ 132.85 грн
1000+ 108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP40N65H5XKSA1 38721313622471488ds_ikp_ikw40n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013afa8ba6fb6078fo..pdf
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP40N65H5XKSA1 Infineon_IKx40N65H5_DS_v02_01_EN-1226822.pdf
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.27 грн
10+ 158.89 грн
25+ 130.86 грн
100+ 116.91 грн
250+ 114.25 грн
500+ 112.92 грн
1000+ 106.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60DTPXKSA1 Infineon-IKW40N60DTP-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cbc2c3c17cc3
IKW40N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 67A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/222ns
Switching Energy: 1.06mJ (on), 610µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
Gate Charge: 177 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 246 W
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.94 грн
30+ 158.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.09 грн
3+ 341.82 грн
4+ 262.24 грн
9+ 247.71 грн
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3.pdf
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.91 грн
3+ 425.96 грн
4+ 314.69 грн
9+ 297.26 грн
IKW40N65ES5 Infineon_IKW40N65ES5_DS_v02_02_EN-1226792.pdf
IKW40N65ES5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Trenchstop 5 IGBT
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+340.21 грн
10+ 281.11 грн
25+ 231.16 грн
100+ 198.61 грн
240+ 186.66 грн
480+ 175.36 грн
1200+ 155.44 грн
IKW40N65ES5XKSA1 infineon-ikw40n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 79A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65ES5XKSA1 Infineon-IKW40N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef20150144a968a5823
IKW40N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/130ns
Switching Energy: 860µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 79 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 230 W
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.88 грн
30+ 242.02 грн
120+ 207.45 грн
510+ 173.05 грн
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon_IKW40N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361986.pdf
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 12362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.26 грн
10+ 270.42 грн
25+ 217.21 грн
100+ 185.99 грн
240+ 180.01 грн
480+ 162.08 грн
1200+ 140.16 грн
IKW40N65ET7XKSA1 Infineon-IKW40N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bec5a657f5
IKW40N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 76A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/310ns
Switching Energy: 1.05mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 235 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 76 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 230.8 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.66 грн
30+ 232.68 грн
120+ 199.43 грн
510+ 166.36 грн
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+352.46 грн
3+ 294.76 грн
4+ 225.57 грн
10+ 213.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65F5FKSA1 IKW40N65F5-DTE.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.95 грн
3+ 367.32 грн
4+ 270.69 грн
10+ 255.74 грн
IKW40N65F5FKSA1 5344518085860906dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8d59de15defileiddb3a30433af5291.pdf
IKW40N65F5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 255000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65H5 Part_Number_Guide_Web.pdf
Виробник: Infineon
IGBT Chip N-CH Trench Field Stop 650V 74A 255W   IKW40N65H5FKSA1 TIKW40n65h5
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+204.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW40N65H5FKSA1 38721313622471488ds_ikp_ikw40n65h51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013afa8ba6fb6078fo..pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 74A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65H5FKSA1 Infineon_IKx40N65H5_DS_v02_01_EN-1226822.pdf
IKW40N65H5FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+341.76 грн
10+ 297.16 грн
25+ 232.49 грн
100+ 199.28 грн
240+ 192.63 грн
480+ 151.45 грн
1200+ 142.82 грн
IKW40N65RH5XKSA1 Infineon_IKW40N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362148.pdf
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.58 грн
10+ 375.07 грн
25+ 307.55 грн
100+ 263.71 грн
240+ 248.43 грн
480+ 233.82 грн
1200+ 199.94 грн
IKW40N65RH5XKSA1 Infineon-IKW40N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc16a3d630f8
IKW40N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 74A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.51 грн
30+ 322.46 грн
120+ 276.4 грн
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.77 грн
3+ 254.63 грн
5+ 195.13 грн
12+ 184.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW40N65WR5XKSA1 IKW40N65WR5.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+365.73 грн
3+ 317.31 грн
5+ 234.15 грн
12+ 221.7 грн
IKW40N65WR5XKSA1 infineon-ikw40n65wr5-ds-v02_01-en.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW40N65WR5XKSA1 Infineon_IKW40N65WR5_DataSheet_v01_30_EN-3362491.pdf
IKW40N65WR5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+247.99 грн
10+ 230.7 грн
25+ 174.04 грн
100+ 159.42 грн
240+ 128.2 грн
480+ 100.97 грн
1200+ 94.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084
IKWH40N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.93 грн
10+ 320.07 грн
25+ 262.38 грн
100+ 225.18 грн
240+ 211.9 грн
480+ 199.28 грн
1200+ 170.71 грн
IKWH40N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH40N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a52292084
IKWH40N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 40A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/141ns
Switching Energy: 970µJ (on), 420µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 12.5Ohm, 15V
Gate Charge: 81 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 208 W
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.99 грн
10+ 291.1 грн
IKWH40N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH40N65WR6_DataSheet_v01_30_EN-3362226.pdf
IKWH40N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.22 грн
10+ 194.79 грн
25+ 146.8 грн
100+ 126.21 грн
240+ 118.9 грн
480+ 114.25 грн
1200+ 90.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH40N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH40N65WR6-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce63a0e76fd7
IKWH40N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/353ns
Switching Energy: 1.09mJ (on), 570µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 27Ohm, 15V
Gate Charge: 117 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 175 W
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.91 грн
30+ 154.09 грн
120+ 132.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA40N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA40N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189251a3517207d
IKZA40N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.08 грн
10+ 387.3 грн
25+ 317.52 грн
100+ 272.35 грн
240+ 256.4 грн
480+ 241.79 грн
1200+ 207.25 грн
IRFPS40N60K
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C; IRFPS40N60K TIRFPS40n60k
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+324.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXKR40N60C media-3321413.pdf
IXKR40N60C
Виробник: IXYS
MOSFET 40 Amps 600V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1831.25 грн
10+ 1604.18 грн
30+ 1301.95 грн
60+ 1260.1 грн
120+ 1256.11 грн
IXXH40N65B4 IXXH40N65B4.pdf
IXXH40N65B4
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 455W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 67ns
Turn-off time: 252ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 183 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.14 грн
3+ 394.91 грн
4+ 303.07 грн
9+ 286.46 грн
IXXX140N65B4H1 media-3320517.pdf
IXXX140N65B4H1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1506.54 грн
10+ 1096.19 грн
MIW40N65RA-BP MIW40N65RA(TO-247AB).pdf
MIW40N65RA-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 650V 40A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/124ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.66 грн
10+ 264.94 грн
100+ 214.36 грн
500+ 178.82 грн
NGTB40N65FL2WG ngtb40n65fl2w-d.pdf
NGTB40N65FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 84ns/177ns
Switching Energy: 970µJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 366 W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434 грн
NTH4LN040N65S3H nth4ln040n65s3h-d.pdf
NTH4LN040N65S3H
Виробник: onsemi
Description: NTH4LN040N65S3H
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 6.8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6513 pF @ 400 V
на замовлення 2228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+871.6 грн
10+ 771.44 грн
30+ 739.49 грн
120+ 581.44 грн
270+ 543.93 грн
510+ 506.42 грн
1020+ 472.29 грн
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H_D-2492243.pdf
NTH4LN040N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 FAST, 40MOHM, TO-247-4
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1019.86 грн
10+ 924.32 грн
25+ 772.53 грн
50+ 747.95 грн
100+ 736.66 грн
450+ 626.4 грн
900+ 553.33 грн
NTHL040N65S3F nthl040n65s3f-d.pdf
NTHL040N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 6.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1071.36 грн
30+ 835.07 грн
120+ 785.94 грн
NTHL040N65S3HF NTHL040N65S3HF_D-2318762.pdf
NTHL040N65S3HF
Виробник: onsemi
MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1201.97 грн
10+ 1044.25 грн
25+ 792.46 грн
50+ 773.2 грн
100+ 761.9 грн
250+ 754.6 грн
450+ 711.42 грн
NVH4L040N65S3F NVH4L040N65S3F_D-2319861.pdf
NVH4L040N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 FRFET AUTO, 40MOHM, TO-247-4L
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+967.16 грн
10+ 844.11 грн
25+ 670.9 грн
50+ 638.35 грн
100+ 631.05 грн
250+ 577.24 грн
450+ 525.43 грн
NVHL040N65S3F NVHL040N65S3F_D-2319637.pdf
NVHL040N65S3F
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.16 грн
10+ 964.8 грн
25+ 692.82 грн
100+ 652.3 грн
250+ 648.98 грн
450+ 590.53 грн
900+ 542.03 грн
NVHL040N65S3F nvhl040n65s3f-d.pdf
NVHL040N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 65A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+931.96 грн
30+ 726.51 грн
120+ 683.78 грн
SIHA240N60E-GE3 siha240n60e.pdf
SIHA240N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.59 грн
10+ 132.92 грн
100+ 99.64 грн
250+ 94.99 грн
500+ 89.01 грн
1000+ 83.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD240N60E-GE3 sihd240n60e.pdf
SIHD240N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.69 грн
10+ 145.14 грн
100+ 100.97 грн
250+ 99.64 грн
500+ 84.36 грн
1000+ 68.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD240N60E-GE3 sihd240n60e.pdf
SIHD240N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 3070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.55 грн
10+ 131.95 грн
100+ 105.01 грн
500+ 83.39 грн
1000+ 70.75 грн
3000+ 67.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: POWER MOSFET SUPER-247, 130 M @
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7970 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+467.06 грн
30+ 359.18 грн
120+ 321.36 грн
SIHFPS40N60K-GE3 sihfps40n60k.pdf
SIHFPS40N60K-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+499.85 грн
10+ 491.95 грн
25+ 342.76 грн
100+ 306.22 грн
480+ 269.69 грн
960+ 238.47 грн
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+477.38 грн
10+ 413.27 грн
25+ 317.52 грн
100+ 290.28 грн
250+ 275.67 грн
500+ 256.4 грн
1000+ 233.82 грн
SIHG40N60E-GE3 sihg40n60e.pdf
SIHG40N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 329W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4436 pF @ 100 V
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+445.5 грн
25+ 342.51 грн
100+ 306.46 грн
500+ 253.76 грн
SIHH240N60E-T1-GE3 sihh240n60e.pdf
SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 12A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 783 pF @ 100 V
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.79 грн
10+ 146.76 грн
100+ 118.72 грн
500+ 99.04 грн
1000+ 84.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH240N60E-T1-GE3 sihh240n60e.pdf
SIHH240N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.27 грн
10+ 144.38 грн
25+ 123.55 грн
100+ 113.59 грн
250+ 111.6 грн
500+ 100.97 грн
1000+ 87.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]