Результат пошуку "7N20" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 199
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 888
Мінімальне замовлення: 888
Мінімальне замовлення: 503
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 105
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
7N-20.000MBP-T | TXC CORPORATION |
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Enable/Disable Type: TCXO Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±280ppb Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 10mA Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm) Part Status: Active Frequency: 20 MHz Base Resonator: Crystal |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7N-20.000MBP-T | TXC CORPORATION |
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Function: Enable/Disable Type: TCXO Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Frequency Stability: ±280ppb Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 10mA Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm) Part Status: Active Frequency: 20 MHz Base Resonator: Crystal |
на замовлення 4188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7N20070004 | TXC CORPORATION |
Description: XTAL OSC TCXO 20MHZ 3.3V CMOS SM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) Mounting Type: Surface Mount Output: CMOS Type: TCXO Operating Temperature: -40°C ~ 105°C Frequency Stability: ±250ppb Voltage - Supply: 3.3V Current - Supply (Max): 10mA Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm) Frequency: 20 MHz Base Resonator: Crystal |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
7N20 | FSC | QFN?? |
на замовлення 777 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
130 V; d7мм; (JVR-7N201K); Классиф. напряж.: 200V; Напряж.срабатывания: 130VAC; ±10%; 0,25 Вт |
на замовлення 199 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
A8504947N20 | Amphenol Interconnect India |
Description: CONN CABLE CLAMP SZ20 21 SILVER Features: Strain Relief Packaging: Bag Color: Silver Material: Aluminum Alloy Shielding: Unshielded Type: Cable Clamp Shell Size - Insert: 20, 21 Cable Exit: 90° Plating: Electroless Nickel Diameter - Outside: 1.500" (38.10mm) Cable Opening: 0.340" ~ 0.700" (8.64mm ~ 17.78mm) Part Status: Active Primary Material: Metal |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(20M) | OMRON Electronic Components |
Category: Microswitches SNAP ACTION Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO Type of switch: microswitch SNAP ACTION DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC Switches features: without lever Contacts configuration: SPST-NO Max. contact resistance:: 100mΩ Switching method: OFF-(ON) Number of positions: 2 Stable positions number: 1 IP rating: IP40 Leads: for PCB Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm Mechanical durability: 20000000 cycles Operating temperature: -25...65°C Operating Force: 0.59N Min. insulation resistance: 0.1GΩ Terminal pitch: 5.08mm Contact material: silver Mounting: PCB Manufacturer series: D2FC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 332 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(20M) | Omron Electronics | Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 20M ops, White Mechanical mouse switch |
на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(20M) | Omron Electronics Inc-EMC Div |
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V Packaging: Bag Current Rating (Amps): 1mA (DC) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -25°C ~ 65°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round (Pin Plunger) Operating Force: 60gf Ingress Protection: IP40 Release Force: 24gf Differential Travel: 0.005" (0.13mm) Overtravel: 0.008" (0.2mm) Operating Position: 0.272" (6.9mm) Part Status: Active Voltage Rating - DC: 6 V |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD7N20TM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FDD7N20TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 200V N-CH MOSFET |
на замовлення 57288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDD7N20TM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQD7N20LTM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 6941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQD7N20LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQD7N20LTM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF7N20 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 3159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF7N20L | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQU7N20TU | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
на замовлення 19077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 10143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20N3G | Infineon |
N-MOSFET 200V 88A 300W 10.7mΩ IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 7495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
на замовлення 6590 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20N3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 7879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 |
на замовлення 5578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 8811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB107N20NAXT | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 |
на замовлення 3902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB117N20NFD | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2 |
на замовлення 2919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2 |
на замовлення 2152 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPB117N20NFDATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V |
на замовлення 3604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPF067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA Supplier Device Package: PG-TO263-7-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V |
на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPF067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPT067N20NM6ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH >=100V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V |
на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
LPC47N207-JN | SMSC |
Description: IRDA HOT DOCKING CHIP WITH UART Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 22964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
M85049/47N20 | Glenair | Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters STRAIN RLF SH SZ REF 20/21 NI |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHS0603N17N2003JE | Vishay Dale |
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0603 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0603 (1608 Metric) Mounting Type: Surface Mount B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 200k Resistance Tolerance: ±5% B25/75: 4247K Part Status: Active |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHS0603N17N2003JE | Vishay / Dale | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5% |
на замовлення 3565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHS0805N17N2003JE | Vishay Dale |
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0805 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 0805 (2012 Metric) Mounting Type: Surface Mount B Value Tolerance: ±3% Resistance in Ohms @ 25°C: 200k Resistance Tolerance: ±5% B25/75: 4247K Part Status: Active |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NTHS0805N17N2003JE | Vishay / Dale | NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5% |
на замовлення 1004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RC0075FS-7N200RP | YAGEO |
Description: RES 200 OHM 1% 0.02W NONSTANDARD Power (Watts): 0.02W Tolerance: ±1% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 009005 (0301 Metric) Temperature Coefficient: ±200ppm/°C Size / Dimension: 0.012" L x 0.006" W (0.30mm x 0.15mm) Composition: Thick Film Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Ratings: 7C1 RoHS w/out Exemption (100% Pb-Free) Number of Terminations: 2 Supplier Device Package: 0075 Height - Seated (Max): 0.006" (0.14mm) Part Status: Active Resistance: 200 Ohms |
на замовлення 6525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1012 | RELPOL |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 12V DC Contact current max.: 12A AC contacts rating @R: 12A / 250V AC DC contacts rating @R: 12A / 24V DC Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC Relay variant: miniature Mounting: PCB; socket Coil resistance: 360Ω Coil voltage min.: 8.4V DC Coil voltage max.: 30.6V DC Operate time: 7ms Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm Release time: 3ms Coil power consumption: 480mW IP rating: IP67 Operating temperature: -40...70°C Relay series: RM87N Contact resistance: 100mΩ Terminal pitch: 3.5mm Related items: GD35; GZM92; GZT92 OEM number: 600180 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 499 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1012 | Altech | Industrial Relays Miniature relay, SPDT |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1024 | RELPOL |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW Mounting: PCB; socket IP rating: IP67 Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm Operating temperature: -40...70°C Related items: GD35; GZM92; GZT92 Coil resistance: 1.44kΩ Contacts configuration: SPDT AC contacts rating @R: 12A / 250V AC DC contacts rating @R: 12A / 24V DC Type of relay: electromagnetic Relay variant: miniature Relay series: RM87N Rated coil voltage: 24V DC Coil voltage min.: 16.8V DC Coil voltage max.: 61.2V DC Coil power consumption: 480mW Operate time: 7ms Release time: 3ms Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC Contact current max.: 12A Contact resistance: 100mΩ OEM number: 600181 Terminal pitch: 3.5mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 967 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1024 | Altech | Industrial Relays Miniature relay, SPDT |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1024 | RELPOL |
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-1024 | RELPOL |
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-5024 | RELPOL |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67 Type of relay: electromagnetic Contacts configuration: SPDT Rated coil voltage: 24V AC Contact current max.: 12A AC contacts rating @R: 12A / 250V AC DC contacts rating @R: 12A / 24V DC Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC Relay variant: miniature Mounting: PCB; socket Coil resistance: 400Ω Coil voltage min.: 19.2V AC Coil voltage max.: 28.8V AC Operate time: 7ms Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm Release time: 3ms Coil power consumption: 0.75VA IP rating: IP67 Operating temperature: -40...70°C Relay series: RM87N Contact resistance: 100mΩ Terminal pitch: 3.5mm Related items: GD35; GZM92; GZT92 OEM number: 604688 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-5230 | RELPOL |
Category: Miniature Electromagnetic Relays Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 230VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67 Mounting: PCB; socket Operating temperature: -40...70°C Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm IP rating: IP67 Relay series: RM87N OEM number: 604695 Related items: GD35; GZM92; GZT92 Type of relay: electromagnetic Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC Relay variant: miniature Rated coil voltage: 230V AC Coil voltage min.: 184V AC Coil voltage max.: 276V AC Coil power consumption: 0.75VA Operate time: 7ms Release time: 3ms Contact current max.: 12A Contact resistance: 100mΩ Terminal pitch: 3.5mm Coil resistance: 38.5kΩ Contacts configuration: SPDT AC contacts rating @R: 12A / 250V AC DC contacts rating @R: 12A / 24V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
RM87N-2011-35-5230 | Altech | Industrial Relays Miniature relay, SPDT |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUP57N20-33-E3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 33A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 451 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUP57N20-33-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 200V 57A 300W |
на замовлення 8744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SUP57N20-33-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V |
на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
XC6127N20ANR-G | Torex Semiconductor Ltd |
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SSOT24 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82 Mounting Type: Surface Mount Output: Open Drain or Open Collector Type: Voltage Detector Reset: Active Low Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Number of Voltages Monitored: 1 Reset Timeout: 42.5ms Minimum Voltage - Threshold: 2V Supplier Device Package: SSOT-24 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
XR-B7N2-0604D | Quantic X-Microwave | Signal Conditioning Band Pass Filter, B274MB1S [PCB: 1150] |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
7N-20.000MBP-T |
Виробник: TXC CORPORATION
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±280ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±280ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 672.78 грн |
7N-20.000MBP-T |
Виробник: TXC CORPORATION
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±280ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
Description: XTAL OSC TCXO 20.0000MHZ CMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Function: Enable/Disable
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±280ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.079" (2.00mm)
Part Status: Active
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 4188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 672.56 грн |
7N20070004 |
Виробник: TXC CORPORATION
Description: XTAL OSC TCXO 20MHZ 3.3V CMOS SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±250ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
Description: XTAL OSC TCXO 20MHZ 3.3V CMOS SM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: CMOS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C
Frequency Stability: ±250ppb
Voltage - Supply: 3.3V
Current - Supply (Max): 10mA
Height - Seated (Max): 0.067" (1.70mm)
Frequency: 20 MHz
Base Resonator: Crystal
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 842.14 грн |
10+ | 759.05 грн |
50+ | 732.86 грн |
130 V; d7мм; (JVR-7N201K); Классиф. напряж.: 200V; Напряж.срабатывания: 130VAC; ±10%; 0,25 Вт |
на замовлення 199 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
199+ | 3.33 грн |
A8504947N20 |
Виробник: Amphenol Interconnect India
Description: CONN CABLE CLAMP SZ20 21 SILVER
Features: Strain Relief
Packaging: Bag
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Unshielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 20, 21
Cable Exit: 90°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 1.500" (38.10mm)
Cable Opening: 0.340" ~ 0.700" (8.64mm ~ 17.78mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
Description: CONN CABLE CLAMP SZ20 21 SILVER
Features: Strain Relief
Packaging: Bag
Color: Silver
Material: Aluminum Alloy
Shielding: Unshielded
Type: Cable Clamp
Shell Size - Insert: 20, 21
Cable Exit: 90°
Plating: Electroless Nickel
Diameter - Outside: 1.500" (38.10mm)
Cable Opening: 0.340" ~ 0.700" (8.64mm ~ 17.78mm)
Part Status: Active
Primary Material: Metal
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1247.4 грн |
10+ | 1040.88 грн |
25+ | 986.51 грн |
D2FC-F-7N(20M) |
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 20000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Mounting: PCB
Manufacturer series: D2FC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 20000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Mounting: PCB
Manufacturer series: D2FC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 332 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38 грн |
10+ | 34.58 грн |
25+ | 30.56 грн |
35+ | 27.98 грн |
95+ | 26.49 грн |
250+ | 25.41 грн |
D2FC-F-7N(20M) |
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 20M ops, White Mechanical mouse switch
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 20M ops, White Mechanical mouse switch
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.04 грн |
10+ | 33 грн |
100+ | 24.18 грн |
1000+ | 20.53 грн |
5000+ | 19.53 грн |
10000+ | 19.13 грн |
D2FC-F-7N(20M) |
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Part Status: Active
Voltage Rating - DC: 6 V
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.77 грн |
10+ | 28.85 грн |
25+ | 27.37 грн |
50+ | 24.42 грн |
100+ | 23.27 грн |
250+ | 22.25 грн |
500+ | 19.64 грн |
1000+ | 18.52 грн |
FDD7N20TM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FDD7N20TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 200V N-CH MOSFET
MOSFET 200V N-CH MOSFET
на замовлення 57288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.52 грн |
10+ | 50.26 грн |
100+ | 30.89 грн |
500+ | 25.84 грн |
1000+ | 21.99 грн |
2500+ | 19.6 грн |
5000+ | 19 грн |
FDD7N20TM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.33 грн |
10+ | 45.81 грн |
100+ | 31.71 грн |
500+ | 24.87 грн |
1000+ | 21.16 грн |
FQD7N20LTM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.77 грн |
10+ | 47.26 грн |
100+ | 32.76 грн |
500+ | 25.69 грн |
1000+ | 21.86 грн |
FQD7N20LTM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 60.52 грн |
10+ | 47.44 грн |
100+ | 31.29 грн |
500+ | 26.11 грн |
1000+ | 22.25 грн |
2500+ | 19.79 грн |
5000+ | 18.67 грн |
FQD7N20LTM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 21.54 грн |
5000+ | 19.65 грн |
FQPF7N20 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
888+ | 22.87 грн |
FQPF7N20L |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
888+ | 22.87 грн |
FQU7N20TU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 19077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
503+ | 40.37 грн |
IPB107N20N3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 10143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 566.5 грн |
10+ | 478.2 грн |
25+ | 377.3 грн |
100+ | 346.74 грн |
250+ | 326.15 грн |
500+ | 313.53 грн |
1000+ | 265.7 грн |
IPB107N20N3G |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 200V 88A 300W 10.7mΩ IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 200V 88A 300W 10.7mΩ IPB107N20N3G INFINEON TIPB107n20n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 233.87 грн |
IPB107N20N3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 7495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 300.09 грн |
2000+ | 270.78 грн |
IPB107N20N3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2 OptiMOS 3
на замовлення 6590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 512.25 грн |
10+ | 442.3 грн |
25+ | 376.63 грн |
100+ | 328.14 грн |
250+ | 326.15 грн |
500+ | 297.59 грн |
1000+ | 269.02 грн |
IPB107N20N3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 528.85 грн |
10+ | 436.68 грн |
100+ | 363.89 грн |
500+ | 301.32 грн |
IPB107N20NA |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
на замовлення 5578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 680.42 грн |
10+ | 574.45 грн |
25+ | 453.69 грн |
100+ | 416.49 грн |
250+ | 392.58 грн |
500+ | 376.63 грн |
1000+ | 319.51 грн |
IPB107N20NAATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 669.15 грн |
2+ | 428.31 грн |
6+ | 404.78 грн |
IPB107N20NAATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 802.99 грн |
2+ | 533.74 грн |
6+ | 485.74 грн |
1000+ | 479.93 грн |
IPB107N20NAATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
MOSFET Mosfet, DCtoDC Nchannel 200V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 478.16 грн |
10+ | 404.1 грн |
100+ | 315.52 грн |
IPB107N20NAATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 330.11 грн |
IPB107N20NAATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 8811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 446.22 грн |
10+ | 368.39 грн |
100+ | 317.89 грн |
IPB107N20NAXT |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
MOSFET N-Ch 200V 88A D2PAK-2
на замовлення 3902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 680.42 грн |
10+ | 574.45 грн |
25+ | 453.69 грн |
100+ | 416.49 грн |
250+ | 392.58 грн |
500+ | 367.33 грн |
1000+ | 330.8 грн |
IPB117N20NFD |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 458.01 грн |
10+ | 379.66 грн |
25+ | 311.54 грн |
100+ | 267.03 грн |
250+ | 251.75 грн |
500+ | 239.13 грн |
1000+ | 203.26 грн |
IPB117N20NFDATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 220.81 грн |
2000+ | 200.21 грн |
IPB117N20NFDATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
MOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 458.01 грн |
10+ | 378.89 грн |
25+ | 326.15 грн |
100+ | 267.03 грн |
500+ | 237.14 грн |
1000+ | 207.25 грн |
IPB117N20NFDATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 84A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6650 pF @ 100 V
на замовлення 3604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 427.54 грн |
10+ | 345.28 грн |
100+ | 279.36 грн |
500+ | 233.04 грн |
IPF067N20NM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 253µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 578.43 грн |
10+ | 477.37 грн |
100+ | 397.8 грн |
500+ | 329.4 грн |
IPF067N20NM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 619.2 грн |
10+ | 522.51 грн |
25+ | 412.5 грн |
100+ | 378.63 грн |
250+ | 356.71 грн |
500+ | 334.12 грн |
1000+ | 300.91 грн |
IPT067N20NM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH >=100V
MOSFET TRENCH >=100V
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 651.75 грн |
10+ | 550.77 грн |
25+ | 434.42 грн |
100+ | 399.22 грн |
250+ | 375.31 грн |
500+ | 352.06 грн |
1000+ | 316.85 грн |
IPT067N20NM6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 126A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 251µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 100 V
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 608.61 грн |
10+ | 502.48 грн |
100+ | 418.75 грн |
500+ | 346.75 грн |
1000+ | 312.08 грн |
LPC47N207-JN |
на замовлення 22964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
105+ | 193.08 грн |
M85049/47N20 |
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters STRAIN RLF SH SZ REF 20/21 NI
Circular MIL Spec Strain Reliefs & Adapters STRAIN RLF SH SZ REF 20/21 NI
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11822.91 грн |
2+ | 10020.8 грн |
5+ | 7830.27 грн |
10+ | 6764.14 грн |
25+ | 4948.06 грн |
NTHS0603N17N2003JE |
Виробник: Vishay Dale
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
Part Status: Active
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
Part Status: Active
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.98 грн |
10+ | 50.03 грн |
25+ | 40.05 грн |
100+ | 34.44 грн |
NTHS0603N17N2003JE |
Виробник: Vishay / Dale
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 541.7 грн |
10+ | 427.78 грн |
25+ | 344.09 грн |
100+ | 297.59 грн |
250+ | 288.29 грн |
500+ | 278.99 грн |
1000+ | 260.39 грн |
NTHS0805N17N2003JE |
Виробник: Vishay Dale
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0805
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
Part Status: Active
Description: THERM NTC 200KOHM 4247K 0805
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
B Value Tolerance: ±3%
Resistance in Ohms @ 25°C: 200k
Resistance Tolerance: ±5%
B25/75: 4247K
Part Status: Active
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.42 грн |
10+ | 34.46 грн |
25+ | 27.59 грн |
NTHS0805N17N2003JE |
Виробник: Vishay / Dale
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 200Kohms 5%
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 595.95 грн |
10+ | 470.56 грн |
25+ | 377.96 грн |
100+ | 326.81 грн |
250+ | 316.85 грн |
500+ | 306.22 грн |
1000+ | 286.3 грн |
RC0075FS-7N200RP |
Виробник: YAGEO
Description: RES 200 OHM 1% 0.02W NONSTANDARD
Power (Watts): 0.02W
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 009005 (0301 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.012" L x 0.006" W (0.30mm x 0.15mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Ratings: 7C1 RoHS w/out Exemption (100% Pb-Free)
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0075
Height - Seated (Max): 0.006" (0.14mm)
Part Status: Active
Resistance: 200 Ohms
Description: RES 200 OHM 1% 0.02W NONSTANDARD
Power (Watts): 0.02W
Tolerance: ±1%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 009005 (0301 Metric)
Temperature Coefficient: ±200ppm/°C
Size / Dimension: 0.012" L x 0.006" W (0.30mm x 0.15mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Ratings: 7C1 RoHS w/out Exemption (100% Pb-Free)
Number of Terminations: 2
Supplier Device Package: 0075
Height - Seated (Max): 0.006" (0.14mm)
Part Status: Active
Resistance: 200 Ohms
на замовлення 6525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.08 грн |
10+ | 34.94 грн |
50+ | 25.73 грн |
100+ | 21.44 грн |
500+ | 16.73 грн |
1000+ | 15.29 грн |
5000+ | 12.58 грн |
RM87N-2011-35-1012 |
Виробник: RELPOL
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 12V DC
Contact current max.: 12A
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB; socket
Coil resistance: 360Ω
Coil voltage min.: 8.4V DC
Coil voltage max.: 30.6V DC
Operate time: 7ms
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Release time: 3ms
Coil power consumption: 480mW
IP rating: IP67
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM87N
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Related items: GD35; GZM92; GZT92
OEM number: 600180
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 12VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 12V DC
Contact current max.: 12A
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB; socket
Coil resistance: 360Ω
Coil voltage min.: 8.4V DC
Coil voltage max.: 30.6V DC
Operate time: 7ms
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Release time: 3ms
Coil power consumption: 480mW
IP rating: IP67
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM87N
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Related items: GD35; GZM92; GZT92
OEM number: 600180
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 367.51 грн |
5+ | 232.81 грн |
12+ | 211.73 грн |
500+ | 203.43 грн |
RM87N-2011-35-1012 |
Виробник: Altech
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 468.86 грн |
10+ | 343.75 грн |
20+ | 249.1 грн |
RM87N-2011-35-1024 |
Виробник: RELPOL
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW
Mounting: PCB; socket
IP rating: IP67
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: GD35; GZM92; GZT92
Coil resistance: 1.44kΩ
Contacts configuration: SPDT
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Type of relay: electromagnetic
Relay variant: miniature
Relay series: RM87N
Rated coil voltage: 24V DC
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 61.2V DC
Coil power consumption: 480mW
Operate time: 7ms
Release time: 3ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Contact current max.: 12A
Contact resistance: 100mΩ
OEM number: 600181
Terminal pitch: 3.5mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VDC; 12A; 12A/250VAC; 480mW
Mounting: PCB; socket
IP rating: IP67
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Operating temperature: -40...70°C
Related items: GD35; GZM92; GZT92
Coil resistance: 1.44kΩ
Contacts configuration: SPDT
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Type of relay: electromagnetic
Relay variant: miniature
Relay series: RM87N
Rated coil voltage: 24V DC
Coil voltage min.: 16.8V DC
Coil voltage max.: 61.2V DC
Coil power consumption: 480mW
Operate time: 7ms
Release time: 3ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Contact current max.: 12A
Contact resistance: 100mΩ
OEM number: 600181
Terminal pitch: 3.5mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 967 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 363.94 грн |
5+ | 229.36 грн |
12+ | 209.24 грн |
500+ | 200.94 грн |
RM87N-2011-35-1024 |
Виробник: Altech
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 406.86 грн |
10+ | 381.18 грн |
20+ | 330.8 грн |
100+ | 312.87 грн |
260+ | 306.22 грн |
500+ | 300.24 грн |
1000+ | 294.93 грн |
RM87N-2011-35-1024 |
Виробник: RELPOL
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w
кількість в упаковці: 10 шт
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 171.95 грн |
RM87N-2011-35-1024 |
Виробник: RELPOL
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w
кількість в упаковці: 20 шт
12A; 24V; SPDT; coil power 400mW; 29,0 x 12,7 x 15,7mm; IP67 SMT, for sockets equivalent: RM87N 2011-35-1024 miniature relay P RM87p024-10w
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 171.95 грн |
RM87N-2011-35-5024 |
Виробник: RELPOL
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V AC
Contact current max.: 12A
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB; socket
Coil resistance: 400Ω
Coil voltage min.: 19.2V AC
Coil voltage max.: 28.8V AC
Operate time: 7ms
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Release time: 3ms
Coil power consumption: 0.75VA
IP rating: IP67
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM87N
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Related items: GD35; GZM92; GZT92
OEM number: 604688
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 24VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V AC
Contact current max.: 12A
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Mounting: PCB; socket
Coil resistance: 400Ω
Coil voltage min.: 19.2V AC
Coil voltage max.: 28.8V AC
Operate time: 7ms
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
Release time: 3ms
Coil power consumption: 0.75VA
IP rating: IP67
Operating temperature: -40...70°C
Relay series: RM87N
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Related items: GD35; GZM92; GZT92
OEM number: 604688
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 480.18 грн |
4+ | 301.79 грн |
10+ | 274.84 грн |
RM87N-2011-35-5230 |
Виробник: RELPOL
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 230VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67
Mounting: PCB; socket
Operating temperature: -40...70°C
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
IP rating: IP67
Relay series: RM87N
OEM number: 604695
Related items: GD35; GZM92; GZT92
Type of relay: electromagnetic
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Rated coil voltage: 230V AC
Coil voltage min.: 184V AC
Coil voltage max.: 276V AC
Coil power consumption: 0.75VA
Operate time: 7ms
Release time: 3ms
Contact current max.: 12A
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Coil resistance: 38.5kΩ
Contacts configuration: SPDT
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Miniature Electromagnetic Relays
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 230VAC; 12A; 12A/250VAC; IP67
Mounting: PCB; socket
Operating temperature: -40...70°C
Body dimensions: 28.5x12.7x15.7mm
IP rating: IP67
Relay series: RM87N
OEM number: 604695
Related items: GD35; GZM92; GZT92
Type of relay: electromagnetic
Switched voltage: max. 250V DC; max. 440V AC
Relay variant: miniature
Rated coil voltage: 230V AC
Coil voltage min.: 184V AC
Coil voltage max.: 276V AC
Coil power consumption: 0.75VA
Operate time: 7ms
Release time: 3ms
Contact current max.: 12A
Contact resistance: 100mΩ
Terminal pitch: 3.5mm
Coil resistance: 38.5kΩ
Contacts configuration: SPDT
AC contacts rating @R: 12A / 250V AC
DC contacts rating @R: 12A / 24V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 717.14 грн |
3+ | 455.27 грн |
7+ | 414.33 грн |
500+ | 398.55 грн |
RM87N-2011-35-5230 |
Виробник: Altech
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
Industrial Relays Miniature relay, SPDT
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 829.22 грн |
10+ | 726.47 грн |
20+ | 579.23 грн |
60+ | 567.94 грн |
100+ | 550.01 грн |
260+ | 532.07 грн |
500+ | 513.47 грн |
SUP57N20-33-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.47 грн |
8+ | 109.33 грн |
10+ | 108.63 грн |
21+ | 103.1 грн |
250+ | 98.95 грн |
SUP57N20-33-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 33A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 33A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 451 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.94 грн |
3+ | 163.83 грн |
8+ | 131.19 грн |
10+ | 130.36 грн |
21+ | 123.72 грн |
250+ | 118.74 грн |
SUP57N20-33-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V 57A 300W
MOSFET 200V 57A 300W
на замовлення 8744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 295.26 грн |
10+ | 260.49 грн |
25+ | 189.98 грн |
100+ | 169.39 грн |
250+ | 165.4 грн |
500+ | 149.46 грн |
1000+ | 134.84 грн |
SUP57N20-33-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 302.51 грн |
50+ | 230.84 грн |
100+ | 197.87 грн |
XC6127N20ANR-G |
Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SSOT24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Voltage Detector
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 42.5ms Minimum
Voltage - Threshold: 2V
Supplier Device Package: SSOT-24
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC SUPERVISOR 1 CHANNEL SSOT24
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-82
Mounting Type: Surface Mount
Output: Open Drain or Open Collector
Type: Voltage Detector
Reset: Active Low
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Number of Voltages Monitored: 1
Reset Timeout: 42.5ms Minimum
Voltage - Threshold: 2V
Supplier Device Package: SSOT-24
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 38.8 грн |
10+ | 32.18 грн |
25+ | 30.06 грн |
XR-B7N2-0604D |
Виробник: Quantic X-Microwave
Signal Conditioning Band Pass Filter, B274MB1S [PCB: 1150]
Signal Conditioning Band Pass Filter, B274MB1S [PCB: 1150]
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 12780.77 грн |
10+ | 12283.46 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]