Результат пошуку "Irfbc40" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFBC40
Код товару: 163760 		Siliconix irfbc40-datasheet.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
1+24 грн
IRFBC40 IRFBC40
Код товару: 26834 		IR 91115.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
1+28 грн
10+ 25.2 грн
IRFBC40 Siliconix 91115.pdf description N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC40APBF VISHAY IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+172.99 грн
110+ 106.13 грн
127+ 91.93 грн
250+ 87.84 грн
500+ 75.36 грн
1000+ 71.63 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRFBC40APBF IRFBC40APBF VISHAY VISH-S-A0013276560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+172.88 грн
10+ 109.54 грн
100+ 88.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 221
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Semiconductors IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+156.54 грн
10+ 103.13 грн
100+ 70.41 грн
250+ 68.42 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 61.78 грн
10000+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+161.09 грн
10+ 98.83 грн
100+ 85.6 грн
250+ 81.79 грн
500+ 70.18 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay Siliconix IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.95 грн
50+ 124.53 грн
100+ 102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBC40APBF IRFBC40APBF Vishay 91112.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+64.97 грн
12+ 49.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40APBF-BE3 IRFBC40APBF-BE3 Vishay Siliconix 91112.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.95 грн
50+ 124.53 грн
100+ 102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF-BE3 IRFBC40APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91112.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+158.87 грн
10+ 104.65 грн
100+ 79.71 грн
250+ 65.5 грн
500+ 64.9 грн
1000+ 62.37 грн
10000+ 61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.49 грн
10+ 76.8 грн
12+ 71.27 грн
32+ 67.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF VISHAY sihfbc40.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+107.78 грн
10+ 92.17 грн
12+ 85.52 грн
32+ 80.54 грн
250+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+300.69 грн
10+ 268.13 грн
25+ 182.01 грн
100+ 162.08 грн
250+ 149.46 грн
500+ 143.48 грн
1000+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.14 грн
50+ 219.72 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+148.22 грн
9+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+318.23 грн
44+ 266.3 грн
70+ 168.19 грн
100+ 160.54 грн
250+ 147.19 грн
500+ 139.84 грн
Мінімальне замовлення: 37
IRFBC40ASPBF IRFBC40ASPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.5 грн
10+ 247.28 грн
25+ 156.18 грн
100+ 149.07 грн
250+ 136.68 грн
500+ 129.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.08 грн
10+ 58.89 грн
25+ 55.88 грн
100+ 50.91 грн
250+ 48.07 грн
500+ 47.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.14 грн
10+ 232.77 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+307.66 грн
10+ 255.14 грн
25+ 209.24 грн
100+ 179.35 грн
250+ 169.39 грн
500+ 159.42 грн
800+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASTRLPBF IRFBC40ASTRLPBF Vishay sihfbc40.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+64.44 грн
184+ 63.42 грн
187+ 62.41 грн
190+ 59.21 грн
250+ 53.92 грн
500+ 50.9 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRFBC40LC Siliconix IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf description N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40LC TIRFBC40lc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.42 грн
10+ 67.12 грн
14+ 58.12 грн
39+ 54.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF VISHAY IRFBC40LC.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.99 грн
10+ 80.54 грн
14+ 69.75 грн
39+ 65.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay Siliconix IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.55 грн
50+ 216.96 грн
100+ 185.97 грн
500+ 155.14 грн
1000+ 132.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+296.67 грн
49+ 241.52 грн
100+ 213.94 грн
250+ 202.27 грн
500+ 175.35 грн
1000+ 149.71 грн
2000+ 141.11 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay Semiconductors IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.56 грн
10+ 252.09 грн
25+ 180.68 грн
100+ 160.09 грн
250+ 156.1 грн
500+ 145.47 грн
1000+ 128.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay sihfbc40lc.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40LCPBF IRFBC40LCPBF Vishay 91114.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+329.17 грн
10+ 276.26 грн
25+ 224.89 грн
100+ 192.1 грн
250+ 174.4 грн
500+ 156.75 грн
1000+ 139.4 грн
2000+ 131.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF-BE3 IRFBC40LCPBF-BE3 Vishay / Siliconix 91114.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.56 грн
10+ 252.09 грн
25+ 184 грн
100+ 163.41 грн
250+ 160.09 грн
500+ 148.79 грн
1000+ 131.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF-BE3 IRFBC40LCPBF-BE3 Vishay Siliconix 91114.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.55 грн
50+ 216.96 грн
100+ 185.97 грн
500+ 155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.34 грн
7+ 56.05 грн
10+ 50.51 грн
19+ 44.98 грн
50+ 42.21 грн
250+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBC40PBF Vishay/IR 91115.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+70.57 грн
10+ 65.86 грн
100+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY IRFBC40PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.84 грн
10+ 60.61 грн
19+ 53.97 грн
50+ 50.65 грн
250+ 49.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+110.79 грн
200+ 101.23 грн
400+ 94.19 грн
600+ 85.67 грн
Мінімальне замовлення: 106
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+73.35 грн
10+ 67.78 грн
100+ 65.29 грн
250+ 62.17 грн
500+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+121.17 грн
112+ 104.46 грн
250+ 101.12 грн
500+ 89.45 грн
1000+ 74.62 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.71 грн
13+ 47.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay Semiconductors 91115.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.04 грн
10+ 103.89 грн
100+ 77.05 грн
250+ 75.06 грн
500+ 68.42 грн
1000+ 61.78 грн
10000+ 59.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+151.75 грн
10+ 112.84 грн
100+ 97.28 грн
250+ 90.8 грн
500+ 77.12 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+79 грн
160+ 72.99 грн
166+ 70.31 грн
250+ 66.95 грн
500+ 61.48 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFBC40PBF IRFBC40PBF VISHAY VISH-S-A0013276629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+154.99 грн
10+ 105.07 грн
100+ 84.2 грн
500+ 71.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
229+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 229
IRFBC40PBF IRFBC40PBF Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.21 грн
50+ 120.42 грн
100+ 99.08 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 66.76 грн
2000+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40PBF-BE3 IRFBC40PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91115.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.69 грн
10+ 110 грн
100+ 81.04 грн
250+ 78.38 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.05 грн
2000+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF-BE3 IRFBC40PBF-BE3 Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.21 грн
50+ 120.42 грн
100+ 99.08 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF VISHAY VISH-S-A0013572234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.85 грн
10+ 235.47 грн
100+ 190.76 грн
500+ 166.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40SPBF IRFBC40SPBF Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.44 грн
10+ 255.91 грн
25+ 209.91 грн
100+ 180.01 грн
250+ 170.05 грн
500+ 160.09 грн
1000+ 136.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Vishay Semiconductors sihfbc40.pdf MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.44 грн
10+ 255.91 грн
25+ 216.55 грн
100+ 180.01 грн
250+ 174.7 грн
500+ 160.09 грн
800+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40STRLPBF IRFBC40STRLPBF Vishay Siliconix sihfbc40.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+288.14 грн
10+ 232.77 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40A IR IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf description
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC40A IR IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf description 05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC40AS IR sihfbc40.pdf 07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC40
Код товару: 163760		 description irfbc40-datasheet.pdf
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+24 грн
IRFBC40
Код товару: 26834		 description 91115.pdf
IRFBC40
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
Монтаж: THT
у наявності: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+28 грн
10+ 25.2 грн
IRFBC40 description 91115.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
Виробник: VISHAY
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
68+172.99 грн
110+ 106.13 грн
127+ 91.93 грн
250+ 87.84 грн
500+ 75.36 грн
1000+ 71.63 грн
Мінімальне замовлення: 68
IRFBC40APBF VISH-S-A0013276560-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+172.88 грн
10+ 109.54 грн
100+ 88.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
221+52.79 грн
Мінімальне замовлення: 221
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+156.54 грн
10+ 103.13 грн
100+ 70.41 грн
250+ 68.42 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 61.78 грн
10000+ 60.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+161.09 грн
10+ 98.83 грн
100+ 85.6 грн
250+ 81.79 грн
500+ 70.18 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40APBF IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.95 грн
50+ 124.53 грн
100+ 102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF sihfbc40.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.2 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFBC40APBF 91112.pdf
IRFBC40APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+64.97 грн
12+ 49.02 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40APBF-BE3 91112.pdf
IRFBC40APBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.95 грн
50+ 124.53 грн
100+ 102.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40APBF-BE3 91112.pdf
IRFBC40APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.87 грн
10+ 104.65 грн
100+ 79.71 грн
250+ 65.5 грн
500+ 64.9 грн
1000+ 62.37 грн
10000+ 61.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.49 грн
10+ 76.8 грн
12+ 71.27 грн
32+ 67.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.78 грн
10+ 92.17 грн
12+ 85.52 грн
32+ 80.54 грн
250+ 78.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.69 грн
10+ 268.13 грн
25+ 182.01 грн
100+ 162.08 грн
250+ 149.46 грн
500+ 143.48 грн
1000+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.14 грн
50+ 219.72 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+159.63 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+148.22 грн
9+ 72.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
37+318.23 грн
44+ 266.3 грн
70+ 168.19 грн
100+ 160.54 грн
250+ 147.19 грн
500+ 139.84 грн
Мінімальне замовлення: 37
IRFBC40ASPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+295.5 грн
10+ 247.28 грн
25+ 156.18 грн
100+ 149.07 грн
250+ 136.68 грн
500+ 129.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.08 грн
10+ 58.89 грн
25+ 55.88 грн
100+ 50.91 грн
250+ 48.07 грн
500+ 47.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASTRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.14 грн
10+ 232.77 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASTRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+307.66 грн
10+ 255.14 грн
25+ 209.24 грн
100+ 179.35 грн
250+ 169.39 грн
500+ 159.42 грн
800+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40ASTRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40ASTRLPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+64.44 грн
184+ 63.42 грн
187+ 62.41 грн
190+ 59.21 грн
250+ 53.92 грн
500+ 50.9 грн
Мінімальне замовлення: 181
IRFBC40LC description IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 6.2A 600V 125W 1.2Ω IRFBC40LC TIRFBC40lc
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.42 грн
10+ 67.12 грн
14+ 58.12 грн
39+ 54.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 153 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.99 грн
10+ 80.54 грн
14+ 69.75 грн
39+ 65.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.55 грн
50+ 216.96 грн
100+ 185.97 грн
500+ 155.14 грн
1000+ 132.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF 91114.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+296.67 грн
49+ 241.52 грн
100+ 213.94 грн
250+ 202.27 грн
500+ 175.35 грн
1000+ 149.71 грн
2000+ 141.11 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFBC40LCPBF IRFBC40LC_SiHFBC40LC.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.56 грн
10+ 252.09 грн
25+ 180.68 грн
100+ 160.09 грн
250+ 156.1 грн
500+ 145.47 грн
1000+ 128.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF sihfbc40lc.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+38.21 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40LCPBF 91114.pdf
IRFBC40LCPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 4834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+329.17 грн
10+ 276.26 грн
25+ 224.89 грн
100+ 192.1 грн
250+ 174.4 грн
500+ 156.75 грн
1000+ 139.4 грн
2000+ 131.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF-BE3 91114.pdf
IRFBC40LCPBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+304.56 грн
10+ 252.09 грн
25+ 184 грн
100+ 163.41 грн
250+ 160.09 грн
500+ 148.79 грн
1000+ 131.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40LCPBF-BE3 91114.pdf
IRFBC40LCPBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.55 грн
50+ 216.96 грн
100+ 185.97 грн
500+ 155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.34 грн
7+ 56.05 грн
10+ 50.51 грн
19+ 44.98 грн
50+ 42.21 грн
250+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFBC40PBF 91115.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 600; Id = 6,2 А; Ptot, Вт = 125; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 3,7 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+70.57 грн
10+ 65.86 грн
100+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40PBF IRFBC40PBF.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 625 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.84 грн
10+ 60.61 грн
19+ 53.97 грн
50+ 50.65 грн
250+ 49.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
106+110.79 грн
200+ 101.23 грн
400+ 94.19 грн
600+ 85.67 грн
Мінімальне замовлення: 106
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+73.35 грн
10+ 67.78 грн
100+ 65.29 грн
250+ 62.17 грн
500+ 57.08 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+121.17 грн
112+ 104.46 грн
250+ 101.12 грн
500+ 89.45 грн
1000+ 74.62 грн
Мінімальне замовлення: 97
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+62.71 грн
13+ 47.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.04 грн
10+ 103.89 грн
100+ 77.05 грн
250+ 75.06 грн
500+ 68.42 грн
1000+ 61.78 грн
10000+ 59.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+151.75 грн
10+ 112.84 грн
100+ 97.28 грн
250+ 90.8 грн
500+ 77.12 грн
1000+ 66.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 3564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
148+79 грн
160+ 72.99 грн
166+ 70.31 грн
250+ 66.95 грн
500+ 61.48 грн
Мінімальне замовлення: 148
IRFBC40PBF VISH-S-A0013276629-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+154.99 грн
10+ 105.07 грн
100+ 84.2 грн
500+ 71.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
229+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 229
IRFBC40PBF 91115.pdf
IRFBC40PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.21 грн
50+ 120.42 грн
100+ 99.08 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 66.76 грн
2000+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40PBF-BE3 91115.pdf
IRFBC40PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+145.69 грн
10+ 110 грн
100+ 81.04 грн
250+ 78.38 грн
500+ 70.41 грн
1000+ 59.05 грн
2000+ 58.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40PBF-BE3 91115.pdf
IRFBC40PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.21 грн
50+ 120.42 грн
100+ 99.08 грн
500+ 78.68 грн
1000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40SPBF VISH-S-A0013572234-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBC40SPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+330.85 грн
10+ 235.47 грн
100+ 190.76 грн
500+ 166.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFBC40SPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+308.44 грн
10+ 255.91 грн
25+ 209.91 грн
100+ 180.01 грн
250+ 170.05 грн
500+ 160.09 грн
1000+ 136.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40STRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40STRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+308.44 грн
10+ 255.91 грн
25+ 216.55 грн
100+ 180.01 грн
250+ 174.7 грн
500+ 160.09 грн
800+ 141.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFBC40STRLPBF sihfbc40.pdf
IRFBC40STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+288.14 грн
10+ 232.77 грн
100+ 188.33 грн
IRFBC40A description IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
Виробник: IR
на замовлення 3850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC40A description IRFBC40A_SiHFBC40A.pdf
Виробник: IR
05+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFBC40AS sihfbc40.pdf
Виробник: IR
07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]