Результат пошуку "P110N" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 51
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P110NQ08LT | NXP | 08+ |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCP110N65F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V Power Dissipation (Max): 357W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF1/8 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF112 BK007 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF114 BK003 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF12 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF12 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF14 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF14 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF18 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF34 BK002 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GRP110NF34 BK005 | Alpha Wire | Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3G | Infineon |
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 88A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 11063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NA | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NAAKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NAAKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP110N20NAXK | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP110N15T2 | IXYS | MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP110N055T2 | IXYS | MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET POWER MOSFET |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N04PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V |
на замовлення 1554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUJ-E1B-AY | Renesas |
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP110N055PUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTP110N65S3HF | onsemi | MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, TO-220 |
на замовлення 799 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+2 |
PP110N-S | SUPERTRONIC |
Category: Multipurpose Enclosures Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black Enclosure material: ABS Dimension Z: 28mm Dimension X: 55mm Dimension Y: 103mm Type of enclosure: multipurpose Body colour: black |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
+2 |
PP110N-S | SUPERTRONIC |
Category: Multipurpose Enclosures Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black Enclosure material: ABS Dimension Z: 28mm Dimension X: 55mm Dimension Y: 103mm Type of enclosure: multipurpose Body colour: black кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
RP110N151C-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181B-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181B5-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N181D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N201D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N221D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N251D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 2842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N261C-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N281D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N331B-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RP110N331D-TR-FE | Nisshinbo | LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator |
на замовлення 1967 шт: термін постачання 168-177 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP110N8F6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP110N65F | ON Semiconductor |
на замовлення 715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPP110N20N3 G | Infineon |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NP110N03PUG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG-E1 |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N04PDG-E1-AY | RENESAS | TO263 |
на замовлення 1578 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP110N04PUG |
на замовлення 4099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N055PUG | NEC | 08+; |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP110N055PUG-E1/-A |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP110N055PUG-E1/-AY/JM |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
FCP110N65F |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 321.76 грн |
50+ | 245.24 грн |
100+ | 210.2 грн |
500+ | 192.94 грн |
GRP110NF1/8 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 100ft 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9861.5 грн |
5+ | 9126.18 грн |
10+ | 7236.02 грн |
25+ | 6879.91 грн |
50+ | 6877.15 грн |
100+ | 6719.11 грн |
GRP110NF112 BK007 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1-1/2in GRP110NF 50ft SPOOL BLACK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25032.18 грн |
5+ | 24525.37 грн |
10+ | 21011.02 грн |
25+ | 20536.21 грн |
50+ | 20062.78 грн |
GRP110NF114 BK003 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1 1/4in BLACK NF 250ft SPOOL BLACK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 73578.03 грн |
10+ | 66526.92 грн |
25+ | 57278.76 грн |
50+ | 57277.38 грн |
100+ | 57276.69 грн |
250+ | 57274.61 грн |
500+ | 57267.71 грн |
GRP110NF12 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 500FT 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 76106.2 грн |
GRP110NF12 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/2in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 23673.08 грн |
5+ | 22310.3 грн |
10+ | 18992.39 грн |
25+ | 18720.48 грн |
50+ | 18407.16 грн |
GRP110NF14 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40165.82 грн |
5+ | 38923.77 грн |
10+ | 31903.35 грн |
25+ | 30755.66 грн |
50+ | 30525.85 грн |
100+ | 30223.57 грн |
GRP110NF14 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/4in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13185.98 грн |
5+ | 12430.94 грн |
10+ | 10153.2 грн |
25+ | 9645.26 грн |
50+ | 9427.87 грн |
100+ | 9210.48 грн |
GRP110NF18 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 1/8in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28565.99 грн |
5+ | 27899.97 грн |
10+ | 22764.64 грн |
25+ | 21946.15 грн |
50+ | 21781.9 грн |
100+ | 21565.89 грн |
GRP110NF34 BK002 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 3/4in BLACK NF 500ft SPOOL BLACK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 119399.24 грн |
5+ | 113783.22 грн |
10+ | 97575.47 грн |
25+ | 95506.46 грн |
50+ | 93451.25 грн |
100+ | 91323.58 грн |
250+ | 91319.44 грн |
GRP110NF34 BK005 |
Виробник: Alpha Wire
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
Spiral Wraps, Sleeves, Tubing & Conduit 0.625in BLACK NF 100ft SPOOL BLACK
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 34166.63 грн |
5+ | 33611.08 грн |
10+ | 28801.9 грн |
25+ | 28243.59 грн |
50+ | 27592.1 грн |
IPP110N20N3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 589.37 грн |
10+ | 497.62 грн |
25+ | 392.68 грн |
100+ | 360.94 грн |
250+ | 339.54 грн |
500+ | 317.46 грн |
1000+ | 300.21 грн |
IPP110N20N3G |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 336.1 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 508.64 грн |
3+ | 335 грн |
7+ | 316.31 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 610.37 грн |
3+ | 417.46 грн |
7+ | 379.57 грн |
500+ | 365.77 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 549.45 грн |
50+ | 422.55 грн |
100+ | 378.06 грн |
500+ | 313.06 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 588.57 грн |
25+ | 463.49 грн |
100+ | 359.56 грн |
250+ | 358.87 грн |
500+ | 316.77 грн |
1000+ | 296.76 грн |
IPP110N20N3GXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 264.9 грн |
IPP110N20NA |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 496.78 грн |
25+ | 391.27 грн |
100+ | 327.81 грн |
IPP110N20NAAKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 463.6 грн |
50+ | 356.42 грн |
100+ | 330.27 грн |
IPP110N20NAAKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 317.23 грн |
IPP110N20NAXK |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 706.12 грн |
10+ | 596.03 грн |
25+ | 470.67 грн |
100+ | 432.02 грн |
250+ | 407.18 грн |
500+ | 380.95 грн |
1000+ | 343.68 грн |
IXFP110N15T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 390.5 грн |
10+ | 322.22 грн |
100+ | 222.91 грн |
500+ | 199.45 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.93 грн |
9+ | 97.77 грн |
24+ | 92.74 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 176.51 грн |
3+ | 153.19 грн |
9+ | 117.32 грн |
24+ | 111.28 грн |
250+ | 108.7 грн |
IXTP110N055T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.83 грн |
10+ | 180.16 грн |
100+ | 122.84 грн |
250+ | 111.8 грн |
500+ | 102.14 грн |
1000+ | 98.69 грн |
NP110N04PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET POWER MOSFET
MOSFET POWER MOSFET
на замовлення 793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 416.26 грн |
10+ | 344.44 грн |
25+ | 289.85 грн |
100+ | 242.93 грн |
250+ | 234.64 грн |
500+ | 215.32 грн |
800+ | 173.22 грн |
NP110N04PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 297 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15750 pF @ 25 V
на замовлення 1554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 388.94 грн |
10+ | 314.01 грн |
100+ | 254.04 грн |
NP110N055PUJ-E1B-AY |
Виробник: Renesas
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
Description: NP110N055PUJ-E1B-AY - SWITCHINGN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14250 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 417.99 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 336.55 грн |
10+ | 279.36 грн |
25+ | 234.64 грн |
100+ | 196.69 грн |
250+ | 189.79 грн |
500+ | 184.26 грн |
800+ | 149.07 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 189.99 грн |
NP110N055PUK-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 294 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16050 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 314.29 грн |
10+ | 254.41 грн |
100+ | 205.82 грн |
NTP110N65S3HF |
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, TO-220
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FRFET, 650 V, 30 A, 110 mohm, TO-220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 467.79 грн |
10+ | 420.63 грн |
25+ | 317.46 грн |
100+ | 272.6 грн |
250+ | 264.32 грн |
500+ | 242.93 грн |
800+ | 195.31 грн |
PP110N-S |
Виробник: SUPERTRONIC
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 258.58 грн |
5+ | 173.25 грн |
PP110N-S |
Виробник: SUPERTRONIC
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multipurpose Enclosures
Description: Enclosure: multipurpose; X: 55mm; Y: 103mm; Z: 28mm; ABS; black
Enclosure material: ABS
Dimension Z: 28mm
Dimension X: 55mm
Dimension Y: 103mm
Type of enclosure: multipurpose
Body colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 310.29 грн |
5+ | 215.9 грн |
14+ | 196.69 грн |
RP110N151C-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N181B-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N181B5-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N181D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 17.81 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N201D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 2284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 17.53 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N221D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N251D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 2842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N261C-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N281D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N331B-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply current LDO Regulator
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
RP110N331D-TR-FE |
Виробник: Nisshinbo
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
LDO Voltage Regulators Low voltage Low supply Regulator
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.4 грн |
10+ | 36.9 грн |
100+ | 24.64 грн |
500+ | 19.46 грн |
1000+ | 15.6 грн |
3000+ | 14.08 грн |
6000+ | 13.11 грн |
STP110N10F7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.7 грн |
10+ | 153.17 грн |
100+ | 111.11 грн |
500+ | 96.62 грн |
1000+ | 84.89 грн |
2000+ | 80.75 грн |
5000+ | 76.6 грн |
STP110N10F7 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
Description: MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 50 V
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.37 грн |
50+ | 147.24 грн |
100+ | 121.15 грн |
500+ | 96.2 грн |
STP110N8F6 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.64 грн |
50+ | 101 грн |
100+ | 83.1 грн |
500+ | 65.99 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]