Результат пошуку "STP4" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 273
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 307
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 262
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP43N60DM2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
на замовлення 5996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N10F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A |
на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N40DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm |
на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N40DM2AG | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N40DM2AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N40DM2AG | STMicroelectronics | MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N60DM2AG | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 136A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 93mΩ Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N60DM6 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N60DM6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 22A Power dissipation: 210W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 78mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm |
на замовлення 7502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 80W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 387 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp |
на замовлення 746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V |
на замовлення 2218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP45NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 26 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP45NF06 | ST |
N-MOSFET 38A 60V 80W STP45NF06 TSTP45NF06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP46N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP46NF30 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP46NF30 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP46NF30 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 300V 42A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP46NF30 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4CMPQTR | STMicroelectronics |
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 30MA 20QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-UFQFN Voltage - Output: 3.8V Mounting Type: Surface Mount Number of Outputs: 4 Type: DC DC Regulator Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Applications: Backlight Current - Output / Channel: 30mA Internal Switch(s): Yes Topology: Switched Capacitor (Charge Pump) Supplier Device Package: 20-QFN (3.2x1.8) Dimming: PWM Voltage - Supply (Min): 2.7V Voltage - Supply (Max): 5.5V Part Status: Active |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4CMPQTR | STMicroelectronics | LED Lighting Drivers 4-Ch LV Constant 30 mA LED Driver |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 189-198 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4LN80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4LN80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | STMicroelectronics | MOSFET PowerMESH MOSFET |
на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N150 | ST |
N-MOSFET 4A 1500V 160W 7Ω STP40NF10 TSTP4N150 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N52K3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V |
на замовлення 2203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N52K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N62K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4N90K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK50ZD | ST MICROELECTRONICS | MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Power dissipation: 70W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP4NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
STP43N60DM2 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP43N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.085 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 475.12 грн |
10+ | 352.6 грн |
100+ | 284.62 грн |
500+ | 242.79 грн |
STP45N10F7 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 5996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 138.2 грн |
11+ | 68.8 грн |
100+ | 68.58 грн |
500+ | 63.47 грн |
1000+ | 58.4 грн |
STP45N10F7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.09 грн |
10+ | 64.41 грн |
100+ | 51.81 грн |
250+ | 51.14 грн |
500+ | 48.55 грн |
1000+ | 47.08 грн |
2000+ | 45.35 грн |
STP45N40DM2AG |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N40DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 38 A, 0.063 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 497.53 грн |
5+ | 408.63 грн |
10+ | 319.73 грн |
50+ | 285.8 грн |
100+ | 252.93 грн |
250+ | 251.65 грн |
STP45N40DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 400V 38A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 662.37 грн |
25+ | 482.43 грн |
50+ | 427.97 грн |
100+ | 388.3 грн |
200+ | 338.69 грн |
500+ | 302.63 грн |
1000+ | 284.29 грн |
STP45N40DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 400V 38A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 425.73 грн |
50+ | 327.21 грн |
100+ | 292.78 грн |
500+ | 242.43 грн |
1000+ | 218.19 грн |
2000+ | 204.45 грн |
STP45N40DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 462.27 грн |
10+ | 435.75 грн |
25+ | 307 грн |
100+ | 275.03 грн |
500+ | 246.4 грн |
1000+ | 224.42 грн |
2000+ | 214.43 грн |
STP45N60DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 457.94 грн |
3+ | 292.73 грн |
8+ | 276.78 грн |
STP45N60DM2AG |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 93mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 549.52 грн |
3+ | 364.79 грн |
8+ | 332.14 грн |
STP45N60DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 448.23 грн |
3+ | 287.18 грн |
8+ | 271.23 грн |
STP45N60DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 95A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 537.87 грн |
3+ | 357.88 грн |
8+ | 325.48 грн |
STP45N60DM6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.3 грн |
10+ | 367.6 грн |
25+ | 227.08 грн |
100+ | 221.09 грн |
250+ | 217.76 грн |
500+ | 212.43 грн |
1000+ | 209.77 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 509.48 грн |
3+ | 366.26 грн |
7+ | 346.15 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 22A
Power dissipation: 210W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 78mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 611.38 грн |
3+ | 456.42 грн |
7+ | 415.38 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.68 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 522.98 грн |
50+ | 402.09 грн |
100+ | 359.76 грн |
500+ | 297.9 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 7502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 638.72 грн |
5+ | 553.56 грн |
10+ | 467.65 грн |
50+ | 414.82 грн |
100+ | 364.98 грн |
250+ | 353.46 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 615.33 грн |
21+ | 567.82 грн |
25+ | 486.99 грн |
50+ | 464.84 грн |
100+ | 395.14 грн |
250+ | 367.64 грн |
500+ | 283.46 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 571.13 грн |
10+ | 527.04 грн |
25+ | 452.01 грн |
50+ | 431.46 грн |
100+ | 366.76 грн |
250+ | 341.23 грн |
500+ | 263.11 грн |
STP45N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 567.93 грн |
10+ | 531.48 грн |
25+ | 385.58 грн |
100+ | 348.28 грн |
250+ | 341.62 грн |
500+ | 307 грн |
1000+ | 264.38 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 83.67 грн |
9+ | 40.03 грн |
10+ | 35.17 грн |
27+ | 30.52 грн |
73+ | 28.86 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 26A; 80W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 26A
Power dissipation: 80W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 100.4 грн |
6+ | 49.88 грн |
10+ | 42.2 грн |
27+ | 36.63 грн |
73+ | 34.63 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 41.79 грн |
15+ | 39.72 грн |
100+ | 37.12 грн |
250+ | 19.52 грн |
500+ | 17.89 грн |
1000+ | 17 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
273+ | 42.8 грн |
292+ | 39.99 грн |
536+ | 21.81 грн |
541+ | 20.81 грн |
1000+ | 19.08 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 38 Amp
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.65 грн |
10+ | 91.9 грн |
100+ | 65.66 грн |
250+ | 63.8 грн |
500+ | 56.67 грн |
1000+ | 46.62 грн |
2000+ | 44.68 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.14 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.5 грн |
50+ | 85.05 грн |
100+ | 69.96 грн |
500+ | 55.56 грн |
1000+ | 47.14 грн |
2000+ | 44.78 грн |
STP45NF06 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP45NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 26 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP45NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 26 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 127.74 грн |
10+ | 96.37 грн |
100+ | 71.57 грн |
500+ | 59.03 грн |
1000+ | 44.31 грн |
STP45NF06 |
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.9 грн |
STP46N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ 36 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 463.05 грн |
10+ | 392.1 грн |
100+ | 283.69 грн |
500+ | 250.39 грн |
1000+ | 229.08 грн |
STP46NF30 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 218.35 грн |
10+ | 216.18 грн |
25+ | 173.84 грн |
100+ | 144.08 грн |
500+ | 118.77 грн |
1000+ | 98.91 грн |
STP46NF30 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 300V 42A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 235.15 грн |
51+ | 232.81 грн |
63+ | 187.22 грн |
100+ | 155.17 грн |
500+ | 127.9 грн |
1000+ | 106.51 грн |
STP46NF30 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 300V 42A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 300V 42A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.86 грн |
50+ | 155.36 грн |
100+ | 133.17 грн |
500+ | 111.08 грн |
1000+ | 95.11 грн |
STP46NF30 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
MOSFET N-Ch 300V 0.063Ohm 42A pwr MOSFET
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 221.42 грн |
10+ | 190.69 грн |
25+ | 150.5 грн |
100+ | 128.53 грн |
250+ | 125.86 грн |
500+ | 114.54 грн |
1000+ | 97.89 грн |
STP4CMPQTR |
Виробник: STMicroelectronics
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 30MA 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFQFN
Voltage - Output: 3.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 20-QFN (3.2x1.8)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM 30MA 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-UFQFN
Voltage - Output: 3.8V
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 4
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 30mA
Internal Switch(s): Yes
Topology: Switched Capacitor (Charge Pump)
Supplier Device Package: 20-QFN (3.2x1.8)
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
Part Status: Active
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.91 грн |
10+ | 122.85 грн |
25+ | 115.9 грн |
100+ | 92.66 грн |
250+ | 87 грн |
500+ | 76.13 грн |
1000+ | 62.04 грн |
STP4CMPQTR |
Виробник: STMicroelectronics
LED Lighting Drivers 4-Ch LV Constant 30 mA LED Driver
LED Lighting Drivers 4-Ch LV Constant 30 mA LED Driver
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.83 грн |
10+ | 137.08 грн |
25+ | 111.88 грн |
100+ | 95.89 грн |
250+ | 89.9 грн |
500+ | 78.58 грн |
1000+ | 65.06 грн |
STP4LN80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 99.41 грн |
50+ | 76.82 грн |
100+ | 63.2 грн |
500+ | 50.19 грн |
STP4LN80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 593.9 грн |
3+ | 373.2 грн |
6+ | 352.39 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 403.84 грн |
50+ | 307.04 грн |
100+ | 251.64 грн |
250+ | 206.62 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 385.79 грн |
10+ | 347.57 грн |
25+ | 287.72 грн |
100+ | 251.02 грн |
250+ | 224.7 грн |
500+ | 200.26 грн |
1000+ | 192.22 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 354.91 грн |
34+ | 349.99 грн |
62+ | 184.27 грн |
100+ | 168.92 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.47 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 355.86 грн |
50+ | 271.72 грн |
100+ | 232.9 грн |
500+ | 194.28 грн |
1000+ | 166.36 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 329.41 грн |
10+ | 328.02 грн |
25+ | 324.85 грн |
50+ | 171.03 грн |
100+ | 156.79 грн |
STP4N150 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET PowerMESH MOSFET
MOSFET PowerMESH MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 386.91 грн |
10+ | 343.09 грн |
25+ | 247.06 грн |
100+ | 223.75 грн |
250+ | 216.43 грн |
500+ | 200.45 грн |
1000+ | 192.46 грн |
STP4N150 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 361.7 грн |
STP4N52K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.37 грн |
50+ | 73.03 грн |
100+ | 57.87 грн |
500+ | 46.04 грн |
1000+ | 37.5 грн |
2000+ | 35.3 грн |
STP4N52K3 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
MOSFET N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.22 грн |
10+ | 67.7 грн |
100+ | 48.68 грн |
500+ | 43.29 грн |
1000+ | 37.49 грн |
2000+ | 34.36 грн |
5000+ | 33.23 грн |
STP4N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
307+ | 38.03 грн |
STP4N62K3 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 35.31 грн |
STP4N80K5 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 119.53 грн |
11+ | 74.11 грн |
100+ | 53.64 грн |
500+ | 47.52 грн |
1000+ | 40.53 грн |
STP4N80K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.87 грн |
10+ | 76.58 грн |
100+ | 58.34 грн |
250+ | 52.14 грн |
500+ | 49.41 грн |
1000+ | 49.01 грн |
2000+ | 45.75 грн |
STP4N90K5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
MOSFET N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ 3 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.28 грн |
10+ | 90.37 грн |
100+ | 73.25 грн |
250+ | 69.26 грн |
500+ | 66.59 грн |
1000+ | 61.93 грн |
2000+ | 59.14 грн |
STP4NK50ZD |
Виробник: ST MICROELECTRONICS
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
MOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 178.62 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; 70W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 68.73 грн |
8+ | 48.07 грн |
10+ | 39.12 грн |
23+ | 35.72 грн |
50+ | 35.59 грн |
62+ | 33.78 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
262+ | 44.66 грн |
276+ | 42.36 грн |
278+ | 41.99 грн |
500+ | 39.68 грн |
1000+ | 33.51 грн |
2000+ | 30.76 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP4NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 130.73 грн |
10+ | 97.12 грн |
100+ | 73.66 грн |
500+ | 59.24 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 41.46 грн |
100+ | 39.32 грн |
250+ | 38.97 грн |
500+ | 36.84 грн |
1000+ | 31.1 грн |
2000+ | 28.55 грн |
STP4NK60Z |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 20.04 грн |