Результат пошуку "fds44" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDS4410 FDS4410 ONSEMI FAIRS16176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1002+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 1002
FDS4410 FDS4410 Fairchild Semiconductor FAIRS16176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435A FDS4435A ONSEMI FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435A FDS4435A Fairchild Semiconductor FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435A FDS4435A onsemi FDS4435A.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI FDS4435BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.63 грн
12+ 29.76 грн
25+ 25.73 грн
37+ 22.25 грн
101+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI FDS4435BZ.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.96 грн
8+ 37.09 грн
25+ 30.88 грн
37+ 26.7 грн
101+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.1 грн
5000+ 18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.15 грн
16+ 37.43 грн
25+ 36.2 грн
100+ 27.74 грн
250+ 24.69 грн
500+ 19.77 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+38.17 грн
19+ 31.45 грн
100+ 25.47 грн
500+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.74 грн
5000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
301+38.98 грн
378+ 30.98 грн
393+ 29.78 грн
500+ 23.95 грн
1000+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 301
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 2304326.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 36103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.15 грн
19+ 41.27 грн
100+ 28.31 грн
500+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS4435BZ FDS4435BZ ONSEMI 673294.pdf description Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 36103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.31 грн
500+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4435BZ FDS4435BZ ON Semiconductor fds4435bz-d.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.08 грн
5000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ FDS4435BZ onsemi / Fairchild FDS4435BZ_D-2313190.pdf description MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 84263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.23 грн
10+ 37.77 грн
100+ 24.9 грн
500+ 20.9 грн
1000+ 17.09 грн
2500+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZ ON-Semicoductor FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.1 грн
5+ 82.76 грн
14+ 59.11 грн
38+ 55.63 грн
500+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FDS4465.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+124.92 грн
5+ 103.13 грн
14+ 70.93 грн
38+ 66.76 грн
500+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+125.32 грн
130+ 90.46 грн
131+ 89.55 грн
179+ 63.36 грн
250+ 46.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.29 грн
5000+ 46.37 грн
10000+ 46.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 FDS4465 onsemi / Fairchild FDS4465_D-2312907.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 13167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.17 грн
10+ 85.99 грн
100+ 52.67 грн
500+ 47.93 грн
1000+ 43.33 грн
2500+ 41.79 грн
5000+ 40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+116.37 грн
10+ 84 грн
25+ 83.16 грн
100+ 58.83 грн
250+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4465 FDS4465 ONSEMI FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
506+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 506
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.88 грн
5000+ 49.83 грн
10000+ 49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 FDS4465 ON Semiconductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 FDS4465 onsemi fds4465-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 ON-Semicoductor fds4465-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4470 FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.07 грн
5+ 105.71 грн
10+ 81.37 грн
28+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470 FDS4470 ONSEMI fds4470-d.pdf FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+153.68 грн
5+ 131.73 грн
10+ 97.64 грн
28+ 92.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS4470 FDS4470 Fairchild Semiconductor FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 190052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 FDS4470 ONSEMI 269755.pdf description Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.39 грн
500+ 70.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4470 FDS4470 ON Semiconductor fds4470-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+82.2 грн
10+ 75.57 грн
25+ 74.81 грн
100+ 66.22 грн
250+ 53.69 грн
500+ 51.03 грн
1000+ 50.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4470 FDS4470 onsemi / Fairchild FDS4470_D-2312786.pdf description MOSFET SO-8
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.38 грн
10+ 94.43 грн
100+ 69.43 грн
250+ 63.96 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 53.41 грн
2500+ 51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470 FDS4470 ON Semiconductor fds4470-d.pdf description Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+88.52 грн
144+ 81.38 грн
146+ 80.57 грн
159+ 71.31 грн
250+ 57.82 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 54.21 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDS4470 FDS4470 ONSEMI ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.8 грн
10+ 107.85 грн
100+ 79.39 грн
500+ 70.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4470 FDS4470 onsemi fds4470-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 FDS4470 ONSEMI FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 FDS4470 onsemi fds4470-d.pdf description Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4480 FDS4480 onsemi fds4480-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4480 FDS4480 onsemi / Fairchild FDS4480_D-2313252.pdf MOSFET SO-8
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
4+79.45 грн
10+ 64.88 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.31 грн
2500+ 29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4488 FDS4488 onsemi FDS4488_Rev_C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4488 FDS4488 ONSEMI FAIRS44744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+31.6 грн
Мінімальне замовлення: 729
FDS4488 FDS4488 Fairchild Semiconductor FAIRS44744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410ANL FAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410NL FAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410_NL FAIRCHILD 05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416 FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416 FSC 09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420 FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420 FSC 09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420A FSC SOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4425-NL FDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NL FAIRCHILD 09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410 FAIRS16176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4410
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1002+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 1002
FDS4410 FAIRS16176-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4410
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V
на замовлення 76100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435A FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4435A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 25372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+83.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435A FAIRS44106-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4435A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435A FDS4435A.pdf
FDS4435A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 15 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ description FDS4435BZ.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.63 грн
12+ 29.76 грн
25+ 25.73 грн
37+ 22.25 грн
101+ 20.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4435BZ description FDS4435BZ.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.8A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.96 грн
8+ 37.09 грн
25+ 30.88 грн
37+ 26.7 грн
101+ 25.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.1 грн
5000+ 18.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ description FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 18
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+48.15 грн
16+ 37.43 грн
25+ 36.2 грн
100+ 27.74 грн
250+ 24.69 грн
500+ 19.77 грн
1000+ 15.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+38.17 грн
19+ 31.45 грн
100+ 25.47 грн
500+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS4435BZ description FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4435BZ
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1845 pF @ 15 V
на замовлення 22288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.74 грн
5000+ 16.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
301+38.98 грн
378+ 30.98 грн
393+ 29.78 грн
500+ 23.95 грн
1000+ 17.22 грн
Мінімальне замовлення: 301
FDS4435BZ description 2304326.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 36103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+54.15 грн
19+ 41.27 грн
100+ 28.31 грн
500+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
FDS4435BZ description 673294.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4435BZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.8 A, 0.016 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
на замовлення 36103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+28.31 грн
500+ 22.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4435BZ description fds4435bz-d.pdf
FDS4435BZ
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.08 грн
5000+ 16.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4435BZ description FDS4435BZ_D-2313190.pdf
FDS4435BZ
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET
на замовлення 84263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.23 грн
10+ 37.77 грн
100+ 24.9 грн
500+ 20.9 грн
1000+ 17.09 грн
2500+ 16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS4435BZ description FAIRS27615-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC FDS4435BZ-F085 FDS4435BZ TFDS4435bz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 30
FDS4465 FDS4465.pdf
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+104.1 грн
5+ 82.76 грн
14+ 59.11 грн
38+ 55.63 грн
500+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4465 FDS4465.pdf
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -13.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -13.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 10.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 719 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.92 грн
5+ 103.13 грн
14+ 70.93 грн
38+ 66.76 грн
500+ 65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+125.32 грн
130+ 90.46 грн
131+ 89.55 грн
179+ 63.36 грн
250+ 46.17 грн
Мінімальне замовлення: 94
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.29 грн
5000+ 46.37 грн
10000+ 46.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 FDS4465_D-2312907.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8
на замовлення 13167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.17 грн
10+ 85.99 грн
100+ 52.67 грн
500+ 47.93 грн
1000+ 43.33 грн
2500+ 41.79 грн
5000+ 40.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+116.37 грн
10+ 84 грн
25+ 83.16 грн
100+ 58.83 грн
250+ 42.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDS4465 FAIR-S-A0002363634-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4465
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4465 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
506+50.33 грн
Мінімальне замовлення: 506
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.88 грн
5000+ 49.83 грн
10000+ 49.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS4465 fds4465-d.pdf
FDS4465
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4465 fds4465-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-Pin SOIC FDS4465-F085 FDS4465 TFDS4465
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+57.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDS4470 description fds4470-d.pdf FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.07 грн
5+ 105.71 грн
10+ 81.37 грн
28+ 77.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470 description fds4470-d.pdf FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.68 грн
5+ 131.73 грн
10+ 97.64 грн
28+ 92.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDS4470 description FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4470
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 190052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 description 269755.pdf
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+79.39 грн
500+ 70.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+82.2 грн
10+ 75.57 грн
25+ 74.81 грн
100+ 66.22 грн
250+ 53.69 грн
500+ 51.03 грн
1000+ 50.33 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS4470 description FDS4470_D-2312786.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.38 грн
10+ 94.43 грн
100+ 69.43 грн
250+ 63.96 грн
500+ 57.88 грн
1000+ 53.41 грн
2500+ 51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
133+88.52 грн
144+ 81.38 грн
146+ 80.57 грн
159+ 71.31 грн
250+ 57.82 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 54.21 грн
Мінімальне замовлення: 133
FDS4470 description ONSM-S-A0003584107-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+140.8 грн
10+ 107.85 грн
100+ 79.39 грн
500+ 70.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 description FAIRS24663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4470
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4470 description fds4470-d.pdf
FDS4470
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 6091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4480 fds4480-d.pdf
FDS4480
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1686 pF @ 20 V
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4480 FDS4480_D-2313252.pdf
FDS4480
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SO-8
на замовлення 9874 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.45 грн
10+ 64.88 грн
100+ 43.93 грн
500+ 37.25 грн
1000+ 30.31 грн
2500+ 29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
FDS4488 FDS4488_Rev_C.pdf
FDS4488
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4488 FAIRS44744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4488
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS4488 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
729+31.6 грн
Мінімальне замовлення: 729
FDS4488 FAIRS44744-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS4488
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 0.0079A, 30V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 927 pF @ 15 V
на замовлення 117757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS4410-NL
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410ANL
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410NL
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4410_NL
Виробник: FAIRCHILD
05+06+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416
Виробник: FSC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4416
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420
Виробник: FSC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420
Виробник: FSC
09+ SO-8
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4420A
Виробник: FSC
SOP-8
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4425-NL
Виробник: FDS
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435(LF)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS4435-NL
Виробник: FAIRCHILD
09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]