Результат пошуку "irf71" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Semiconductors 91041.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.25 грн
10+ 46.45 грн
100+ 33.11 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+54.34 грн
264+ 44.49 грн
500+ 41.9 грн
Мінімальне замовлення: 216
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
279+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 279
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+43.45 грн
16+ 36.91 грн
100+ 31.21 грн
500+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF710PBF IRF710PBF Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 6658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.22 грн
50+ 55.84 грн
100+ 44.25 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.67 грн
2000+ 26.99 грн
5000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF710PBF IRF710PBF VISHAY VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+61.34 грн
17+ 45.46 грн
100+ 34.97 грн
500+ 31.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF710PBF IRF710PBF Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF710PBF-BE3 IRF710PBF-BE3 Vishay / Siliconix 91041.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.67 грн
10+ 46.22 грн
100+ 34.18 грн
500+ 31.24 грн
1000+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF710PBF-BE3 IRF710PBF-BE3 Vishay 91041.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+44.67 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 37.98 грн
1500+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 262
IRF710PBF-BE3 IRF710PBF-BE3 Vishay Siliconix 91041.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.22 грн
50+ 55.84 грн
100+ 44.25 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.67 грн
2000+ 26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710SPBF IRF710SPBF VISHAY irf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.91 грн
10+ 37.28 грн
26+ 31.29 грн
72+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF710SPBF IRF710SPBF VISHAY irf710s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.9 грн
10+ 46.45 грн
26+ 37.55 грн
72+ 35.05 грн
1000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710SPBF IRF710SPBF Vishay Semiconductors sihf710s.pdf MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.6 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.86 грн
5000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF710STRLPBF IRF710STRLPBF Vishay Siliconix sihf710s.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF711 IRF711 Harris Corporation HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRF712S2497 IRF712S2497 Harris Corporation Description: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRF710 PBF Vishay/IR TO-220AB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7101 International Rectifier Corporation description (MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,1.4A,SO-8)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7101TR IR 04+
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7101TR IOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IR IRF7102.pdf 09+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IOR IRF7102.pdf
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF IRF7102.pdf
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IOR IRF7102.pdf 09+ SO-8
на замовлення 8891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IOR IRF7102.pdf SOP-8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102TR IR 09+
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102TR IR 04+
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IR description 09+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IR description
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IR description SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IOR description
на замовлення 123828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IR description 05+ SOP-8;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IOR description 09+
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IR description 09+
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 IOR description 09+ SO-8
на замовлення 123948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103/IR IR 08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103PBF                     IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103TRPBF International Rectifier Corporation irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 description (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7104TRPBF irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7104TRPBF International Rectifier Corporation irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace description (MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7105 International Rectifier Corporation description (HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7105TR IR 09+
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR IOR
на замовлення 10041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR IRC 07+;
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR IOR 00+
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR IR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR/IR IR 08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TRPBF irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0 description IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7106 IRF irf7106.pdf
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7106 IR irf7106.pdf 09+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108 IR 09+
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108 IRF
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108 IOR
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108 IOR 09+ SO-8
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7130TR
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7134TR 04+ SOP
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7136TR
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7169 IOR 09+
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF7103QTR AUIRF7103QTR Infineon Technologies auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 396
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.25 грн
10+ 46.45 грн
100+ 33.11 грн
500+ 31.18 грн
1000+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
216+54.34 грн
264+ 44.49 грн
500+ 41.9 грн
Мінімальне замовлення: 216
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
279+41.98 грн
Мінімальне замовлення: 279
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.45 грн
16+ 36.91 грн
100+ 31.21 грн
500+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 6658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.22 грн
50+ 55.84 грн
100+ 44.25 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.67 грн
2000+ 26.99 грн
5000+ 25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRF710PBF VISH-S-A0013276556-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF710PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRF710PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.5 A, 3.6 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+61.34 грн
17+ 45.46 грн
100+ 34.97 грн
500+ 31.5 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF710PBF 91041.pdf
IRF710PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRF710PBF-BE3 91041.pdf
IRF710PBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.67 грн
10+ 46.22 грн
100+ 34.18 грн
500+ 31.24 грн
1000+ 29.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF710PBF-BE3 91041.pdf
IRF710PBF-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
262+44.67 грн
500+ 40.82 грн
1000+ 37.98 грн
1500+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 262
IRF710PBF-BE3 91041.pdf
IRF710PBF-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.22 грн
50+ 55.84 грн
100+ 44.25 грн
500+ 35.2 грн
1000+ 28.67 грн
2000+ 26.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710SPBF irf710s.pdf
IRF710SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.91 грн
10+ 37.28 грн
26+ 31.29 грн
72+ 29.21 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF710SPBF irf710s.pdf
IRF710SPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.2A; Idm: 6A; 36W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 36W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.9 грн
10+ 46.45 грн
26+ 37.55 грн
72+ 35.05 грн
1000+ 33.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF710SPBF sihf710s.pdf
IRF710SPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.6 грн
10+ 89.06 грн
100+ 60.75 грн
500+ 51.47 грн
1000+ 41.86 грн
5000+ 39.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF710STRLPBF sihf710s.pdf
IRF710STRLPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF711 HRISD017-4-336.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF711
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 25 V
на замовлення 6031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRF712S2497
IRF712S2497
Виробник: Harris Corporation
Description: 1.7A, 400V, 5OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRF710 PBF
Виробник: Vishay/IR
TO-220AB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7101 description
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,DUAL,N-CH,LL,1.4W,20V,1.4A,SO-8)
на замовлення 2235 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7101TR
Виробник: IR
04+
на замовлення 116 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7101TR
Виробник: IOR
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF7102.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF7102.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 8037 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF7102.pdf
Виробник: IRF
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF7102.pdf
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 8891 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102 IRF7102.pdf
Виробник: IOR
SOP-8
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102TR
Виробник: IR
09+
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7102TR
Виробник: IR
04+
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IR
09+ TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IOR
на замовлення 123828 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IR
05+ SOP-8;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IOR
09+
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IR
09+
на замовлення 733 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103 description
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 123948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103PBF                    
Виробник: IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
на замовлення 108 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7104TRPBF description irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace
Виробник: International Rectifier Corporation
(MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
на замовлення 23116 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7105 description
Виробник: International Rectifier Corporation
(HEXFET,DUAL,N+P-CH,LL,2W,25V,2A,SO-8)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7105TR
Виробник: IR
09+
на замовлення 2694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR
Виробник: IOR
на замовлення 10041 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR
Виробник: IRC
07+;
на замовлення 588000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR
Виробник: IOR
00+
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR
Виробник: IR
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TR/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f118ff1ad0
IRF7105TRPBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7106 irf7106.pdf
Виробник: IRF
на замовлення 8865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7106 irf7106.pdf
Виробник: IR
09+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108
Виробник: IR
09+
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108
Виробник: IRF
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108
Виробник: IOR
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7108
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7130TR
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7134TR
04+ SOP
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7136TR
на замовлення 26500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7169
Виробник: IOR
09+
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF7103QTR auirf7103q.pdf?fileId=5546d462533600a4015355acf87713cc
AUIRF7103QTR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 77212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
396+51.39 грн
Мінімальне замовлення: 396
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]