Результат пошуку "irf741" : 105
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 100
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF7416PBF | International Rectifier Corporation |
 MOSFET, -30V, -10A, SO-8 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
| IRF7416QTRPBF | IOR |
|
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| IRF7416TRPBF | International Rectifier Corporation |
MOSFET, -30V, -10A, SO-8 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||
| IRF7418 | IR | 09+ |
на замовлення 169 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| IRF7418TR | IR | 09+ |
на замовлення 9345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
| AUIRF7416QTR | International Rectifier |
MOSFET P-CH 30V 10A Automotive AUIRF7416QTR International Rectifier TAUIRF7416q кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| HYG260P03LR1S | HUAYI |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF7416; IRF7416TR; HYG260P03LR1S HUAYI THYG260p03lr1s кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
|
NTE2397 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 125W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRF7410 Код товару: 30165 |
IR |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 20 V Id,A: 16 A Rds(on),Om: 0,007 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 8676/91 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||
|
|
IRF7413Z PBF Код товару: 25377 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 30 V Idd,A: 13 A Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 650/22 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||
|
|
IRF7413ZTR Код товару: 122859 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Idd,A: 13 A Rds(on), Ohm: 10 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||
|
|
IRF7410 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410GPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410GTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410HR | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -16A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -12V Drain current: -16A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
| IRF7413 | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||
|
|
IRF7413GTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413QPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|||||||
| IRF7413TR | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||
|
|
IRF7413TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413ZGTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7413ZTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
||||||||
 |
IRF7413ZTRPBFXTMA1 | Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416GTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416QPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416QTRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -10A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
IRF7416TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
| IRF7416PBF |
|
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET, -30V, -10A, SO-8
MOSFET, -30V, -10A, SO-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| IRF7416TRPBF |
|
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET, -30V, -10A, SO-8
MOSFET, -30V, -10A, SO-8
на замовлення 145 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| AUIRF7416QTR |
|
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 30V 10A Automotive AUIRF7416QTR International Rectifier TAUIRF7416q
кількість в упаковці: 5 шт
MOSFET P-CH 30V 10A Automotive AUIRF7416QTR International Rectifier TAUIRF7416q
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 58.47 грн |
| HYG260P03LR1S |
Виробник: HUAYI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF7416; IRF7416TR; HYG260P03LR1S HUAYI THYG260p03lr1s
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8A; 55mOhm; 3W; -55°C ~ 175°C; Similar to: IRF7416; IRF7416TR; HYG260P03LR1S HUAYI THYG260p03lr1s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 9.09 грн |
| NTE2397 |
|
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; Idm: 40A; 125W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 455.35 грн |
| 3+ | 327.55 грн |
| 7+ | 310.16 грн |
| IRF7410 Код товару: 30165 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 16 A
Rds(on),Om: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8676/91
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 20 V
Id,A: 16 A
Rds(on),Om: 0,007 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 8676/91
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF7413Z PBF Код товару: 25377 |
|
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 650/22
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF7413ZTR Код товару: 122859 |
|
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRF7410GPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7410GTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7410HR |
|
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7410TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRF7410TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| IRF7410TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413GTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413TRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRF7413TRPBF | |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
| IRF7413TRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413TRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413ZGTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413ZTRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413ZTRPBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
| IRF7413ZTRPBFXTMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
товар відсутній
| IRF7416GTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7416QTRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
| IRF7416TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRF7416TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
| IRF7416TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2