Результат пошуку "irfu" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFU024NPBF IRFU024NPBF
Код товару: 112197 		IR irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
у наявності: 140 шт
1+45 грн
10+ 40.5 грн
IRFU220B IRFU220B
Код товару: 185591 		Fairchild irfu220b.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
1+38.5 грн
10+ 35.2 грн
IRFU4104 IRFU4104
Код товару: 99521 		IR irfr4104-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
1+33 грн
IRFU9024PBF IRFU9024PBF
Код товару: 49504 		SILI sihfr902.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
очікується: 450 шт
1+18 грн
10+ 16.2 грн
100+ 14.5 грн
IRFU9210 IRFU9210
Код товару: 77978 		IR 91281tg453d4d.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
1+24 грн
10+ 21.6 грн
100+ 19.4 грн
IRFU-9310 International Rectifier/Infineon Р-канальний ПТ; Udss, В = -400; Id = -1,8; Ptot, Вт = 50; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25; Qg, нКл = 13; Rds = 7 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-251AA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU014 IR sihfr014.pdf Транз. Пол. БМ N-HEXFET I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
13+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU014 Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFU014 Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+52.66 грн
246+ 47.53 грн
500+ 44.54 грн
1000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 222
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay Siliconix sihfr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.02 грн
75+ 70.29 грн
150+ 55.7 грн
525+ 44.31 грн
1050+ 36.09 грн
2025+ 33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+47.89 грн
300+ 43.75 грн
600+ 40.71 грн
900+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+58.06 грн
12+ 48.9 грн
100+ 44.26 грн
500+ 39.88 грн
1000+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+61.58 грн
219+ 53.38 грн
500+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay / Siliconix sihfr014.pdf MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.32 грн
10+ 66.03 грн
100+ 46.92 грн
500+ 41.53 грн
1000+ 34.53 грн
3000+ 32.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU014PBF IRFU014PBF VISHAY VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.09 грн
12+ 68.04 грн
100+ 52.03 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFU014PBF IRFU014PBF Vishay sihfr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+74.1 грн
11+ 57.51 грн
100+ 50.04 грн
500+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU024NPBFAKLA1 IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.1 грн
10+ 63.04 грн
100+ 49.02 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 31.76 грн
3000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+44.87 грн
304+ 38.49 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 261
IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+46.94 грн
14+ 41.89 грн
100+ 35.92 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU024NPBFAKLA1 Infineon Technologies irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276 IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFU024PBF Vishay/IR sihfr024.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+128.34 грн
126+ 93.01 грн
149+ 78.73 грн
250+ 75.24 грн
500+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+119.17 грн
10+ 86.37 грн
100+ 73.11 грн
250+ 69.87 грн
500+ 56.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay Siliconix sihfr024.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.05 грн
75+ 88.95 грн
150+ 73.19 грн
525+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2175+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2175
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay sihfr024.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 332
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay Semiconductors sihfr024.pdf MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.52 грн
10+ 85.93 грн
100+ 63.88 грн
250+ 61.93 грн
500+ 55.54 грн
1000+ 48.2 грн
3000+ 46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF IRFU024PBF Vishay 91264.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU1010ZPBF IRFU1010ZPBF International Rectifier IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
562+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 562
IRFU110 IRFU110 Harris Corporation HRISSD99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
919+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 919
IRFU110 Vishay HRISSD99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.15 грн
15+ 24.68 грн
25+ 21.25 грн
39+ 21.22 грн
75+ 19.42 грн
300+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY IRFU110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.78 грн
9+ 30.76 грн
25+ 25.5 грн
39+ 25.46 грн
75+ 23.31 грн
300+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU110PBF IRFU110PBF VISHAY VISH-S-A0001785367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.85 грн
16+ 48.1 грн
100+ 37.08 грн
500+ 32.61 грн
1000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay Siliconix sihfu110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.89 грн
75+ 41.79 грн
150+ 33.12 грн
525+ 26.34 грн
1050+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
423+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 423
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay Semiconductors sihfu110.pdf MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.34 грн
10+ 49.86 грн
100+ 35.88 грн
500+ 31.71 грн
1000+ 31.3 грн
24000+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU110PBF IRFU110PBF Vishay sihfu110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+42.05 грн
17+ 35.74 грн
100+ 31.57 грн
500+ 26.66 грн
1000+ 22.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFU120-VB VBsemi N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFU120ATU ONSEMI FAIRS17422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+69.7 грн
Мінімальне замовлення: 361
IRFU120ATU IRFU120ATU Fairchild Semiconductor FAIRS17422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 300
IRFU120N International Rectifier Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.13 грн
10+ 42.98 грн
29+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU120NPBF International Rectifier/Infineon irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+89.14 грн
10+ 62.4 грн
100+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.15 грн
10+ 53.57 грн
29+ 34.84 грн
79+ 32.9 грн
525+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+44.95 грн
328+ 35.59 грн
500+ 30.72 грн
1000+ 22.89 грн
2500+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 260
IRFU120NPBF IRFU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.14 грн
13+ 60.19 грн
100+ 39.65 грн
500+ 30.78 грн
1000+ 25.11 грн
5000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.47 грн
14+ 41.74 грн
100+ 33.05 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 19.68 грн
2500+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+27.83 грн
472+ 24.75 грн
512+ 22.83 грн
1000+ 18.87 грн
2500+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 420
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.62 грн
75+ 49.68 грн
150+ 36.06 грн
525+ 28.28 грн
1050+ 24.07 грн
2025+ 21.43 грн
5025+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+63.54 грн
10+ 52.64 грн
100+ 33.46 грн
500+ 28.07 грн
1000+ 21 грн
3000+ 20.6 грн
6000+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF IRFU120NPBF Infineon Technologies infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
339+34.43 грн
371+ 31.51 грн
373+ 31.32 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 21.28 грн
3000+ 19.18 грн
6000+ 18.09 грн
12000+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 339
IRFU024NPBF
Код товару: 112197		 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c
IRFU024NPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 17 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 370/20
Монтаж: THT
у наявності: 140 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+45 грн
10+ 40.5 грн
IRFU220B
Код товару: 185591		 irfu220b.pdf
IRFU220B
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Idd,A: 2,9 A
Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/12
Монтаж: THT
у наявності: 95 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+38.5 грн
10+ 35.2 грн
IRFU4104
Код товару: 99521		 irfr4104-datasheet.pdf
IRFU4104
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 5,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2950/59
Монтаж: THT
у наявності: 3 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+33 грн
IRFU9024PBF
Код товару: 49504		 sihfr902.pdf
IRFU9024PBF
Виробник: SILI
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 60 V
Id,A: 8,8 A
Rds(on),Om: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
Монтаж: THT
у наявності: 16 шт
очікується: 450 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+18 грн
10+ 16.2 грн
100+ 14.5 грн
IRFU9210
Код товару: 77978		 91281tg453d4d.pdf
IRFU9210
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-251
Uds,V: 200 V
Id,A: 1,9 A
Rds(on),Om: 3,0 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 170/8.9
Монтаж: THT
у наявності: 244 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+24 грн
10+ 21.6 грн
100+ 19.4 грн
IRFU-9310
Виробник: International Rectifier/Infineon
Р-канальний ПТ; Udss, В = -400; Id = -1,8; Ptot, Вт = 50; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ -25; Qg, нКл = 13; Rds = 7 Ом; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = -3 В; TO-251AA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 48.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU014 sihfr014.pdf
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET I-PAK Udss=60V; Id=7,7A; Pdmax=25W; Rds=0,2 Ohm
на замовлення 284 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+20.64 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU014 sihfr014.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFU014 sihfr014.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+27.02 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
222+52.66 грн
246+ 47.53 грн
500+ 44.54 грн
1000+ 37.27 грн
Мінімальне замовлення: 222
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 3686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.02 грн
75+ 70.29 грн
150+ 55.7 грн
525+ 44.31 грн
1050+ 36.09 грн
2025+ 33.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
244+47.89 грн
300+ 43.75 грн
600+ 40.71 грн
900+ 37.03 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.06 грн
12+ 48.9 грн
100+ 44.26 грн
500+ 39.88 грн
1000+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+61.58 грн
219+ 53.38 грн
500+ 48.91 грн
Мінімальне замовлення: 190
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.32 грн
10+ 66.03 грн
100+ 46.92 грн
500+ 41.53 грн
1000+ 34.53 грн
3000+ 32.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU014PBF VISH-S-A0013857022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU014PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU014PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8.4 A, 0.2 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+86.09 грн
12+ 68.04 грн
100+ 52.03 грн
500+ 42.91 грн
1000+ 31.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFU014PBF sihfr014.pdf
IRFU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+74.1 грн
11+ 57.51 грн
100+ 50.04 грн
500+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
IRFU024NPBFAKLA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
на замовлення 4193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.1 грн
10+ 63.04 грн
100+ 49.02 грн
500+ 38.99 грн
1000+ 31.76 грн
3000+ 29.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: Infineon Technologies
IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
261+44.87 грн
304+ 38.49 грн
500+ 34.39 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 261
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: Infineon Technologies
PLANAR 40<-<100V
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 26
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: Infineon Technologies
IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.94 грн
14+ 41.89 грн
100+ 35.92 грн
500+ 30.96 грн
1000+ 24.79 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU024NPBFAKLA1 irfr024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cf721203c&redirId=112276
Виробник: Infineon Technologies
IRFU024NPBFAKLA1
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFU024PBF sihfr024.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 14 A; Ptot, Вт = 2,5; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 640 пФ @ 25 D; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 8.4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 62.4 грн
100+ 38.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+128.34 грн
126+ 93.01 грн
149+ 78.73 грн
250+ 75.24 грн
500+ 61.09 грн
Мінімальне замовлення: 91
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.17 грн
10+ 86.37 грн
100+ 73.11 грн
250+ 69.87 грн
500+ 56.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.05 грн
75+ 88.95 грн
150+ 73.19 грн
525+ 58.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2175+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2175
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 332
IRFU024PBF sihfr024.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET I-PAK
на замовлення 14944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.52 грн
10+ 85.93 грн
100+ 63.88 грн
250+ 61.93 грн
500+ 55.54 грн
1000+ 48.2 грн
3000+ 46.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU024PBF 91264.pdf
IRFU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU1010ZPBF IRSDS11230-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU1010ZPBF
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 4825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
562+36.14 грн
Мінімальне замовлення: 562
IRFU110 HRISSD99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU110
Виробник: Harris Corporation
Description: 4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
919+22.5 грн
Мінімальне замовлення: 919
IRFU110 HRISSD99-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Vishay
N-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRFU110PBF IRFU110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.15 грн
15+ 24.68 грн
25+ 21.25 грн
39+ 21.22 грн
75+ 19.42 грн
300+ 19.28 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU110PBF IRFU110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1835 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.78 грн
9+ 30.76 грн
25+ 25.5 грн
39+ 25.46 грн
75+ 23.31 грн
300+ 23.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU110PBF VISH-S-A0001785367-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU110PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.3 A, 0.54 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+65.85 грн
16+ 48.1 грн
100+ 37.08 грн
500+ 32.61 грн
1000+ 29.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.89 грн
75+ 41.79 грн
150+ 33.12 грн
525+ 26.34 грн
1050+ 26.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
423+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 423
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 10175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.34 грн
10+ 49.86 грн
100+ 35.88 грн
500+ 31.71 грн
1000+ 31.3 грн
24000+ 29.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU110PBF sihfu110.pdf
IRFU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+42.05 грн
17+ 35.74 грн
100+ 31.57 грн
500+ 26.66 грн
1000+ 22.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFU120-VB
Виробник: VBsemi
N-MOSFET 7.7A 100V 2.5W IRFU120 TIRFU120
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+28.73 грн
Мінімальне замовлення: 30
IRFU120ATU FAIRS17422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU120ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
361+69.7 грн
Мінімальне замовлення: 361
IRFU120ATU FAIRS17422-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU120ATU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
на замовлення 3363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 300
IRFU120N
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+22.23 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.13 грн
10+ 42.98 грн
29+ 29.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 9,4 А; Ptot, Вт = 48; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 330 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 210 мОм @ 5.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; I-PAK
на замовлення 7 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+89.14 грн
10+ 62.4 грн
100+ 21.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU120NPBF irfr120n.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.1A
Power dissipation: 39W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.15 грн
10+ 53.57 грн
29+ 34.84 грн
79+ 32.9 грн
525+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
260+44.95 грн
328+ 35.59 грн
500+ 30.72 грн
1000+ 22.89 грн
2500+ 19.9 грн
Мінімальне замовлення: 260
IRFU120NPBF INFN-S-A0012837725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU120NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.4 A, 0.21 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 9385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+75.14 грн
13+ 60.19 грн
100+ 39.65 грн
500+ 30.78 грн
1000+ 25.11 грн
5000+ 21.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU120NPBF infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.47 грн
14+ 41.74 грн
100+ 33.05 грн
500+ 27.51 грн
1000+ 19.68 грн
2500+ 17.74 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU120NPBF infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
420+27.83 грн
472+ 24.75 грн
512+ 22.83 грн
1000+ 18.87 грн
2500+ 16.78 грн
Мінімальне замовлення: 420
IRFU120NPBF infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.62 грн
75+ 49.68 грн
150+ 36.06 грн
525+ 28.28 грн
1050+ 24.07 грн
2025+ 21.43 грн
5025+ 19.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF Infineon_IRFR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363096.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 9.1A 210mOhm 16.7nC
на замовлення 1709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.54 грн
10+ 52.64 грн
100+ 33.46 грн
500+ 28.07 грн
1000+ 21 грн
3000+ 20.6 грн
6000+ 20.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120NPBF infineon-irfr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 35427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
339+34.43 грн
371+ 31.51 грн
373+ 31.32 грн
500+ 24.57 грн
1000+ 21.28 грн
3000+ 19.18 грн
6000+ 18.09 грн
12000+ 16.93 грн
Мінімальне замовлення: 339
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]