Результат пошуку "irfu" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Siliconix sihfr120.pdf description Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
75+ 53.05 грн
150+ 42.03 грн
525+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120PBF IRFU120PBF Vishay Semiconductors sihfr120.pdf description MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 55.08 грн
100+ 37.26 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120PBF IRFU120PBF VISHAY VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.5 грн
13+ 60.06 грн
100+ 43.07 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 32.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU130ATU ONSEMI FAIRS17423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFU130ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRFU130ATU IRFU130ATU Fairchild Semiconductor FAIRS17423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 12356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRFU13N20D International Rectifier Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU1920 Harris Corporation Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRFU1N60A Siliconix sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU1N60A Siliconix sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF VISHAY VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.64 грн
11+ 70.94 грн
100+ 47.17 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 30.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay Siliconix sihfr1n6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.6 грн
75+ 78.03 грн
150+ 61.84 грн
525+ 49.19 грн
1050+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay Semiconductors sihfr1n6.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 86.32 грн
100+ 51.68 грн
500+ 43.71 грн
1000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU1N60APBF IRFU1N60APBF Vishay sihfr1n6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+14.47 грн
158+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFU210PBF IRFU210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.08 грн
21+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU210PBF IRFU210PBF Vishay sihfr210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 387
IRFU210PBF IRFU210PBF Vishay Siliconix sihfr210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 11870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.82 грн
75+ 69.36 грн
150+ 54.96 грн
525+ 43.72 грн
1050+ 35.62 грн
2025+ 33.53 грн
5025+ 31.41 грн
10050+ 29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU210PBF IRFU210PBF VISHAY VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.17 грн
100+ 40.46 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU210PBF IRFU210PBF Vishay Semiconductors sihfr210.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+53.32 грн
10+ 45.76 грн
100+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU214PBF IRFU214PBF Vishay Siliconix sihfr214.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.82 грн
75+ 69.36 грн
150+ 54.96 грн
525+ 43.72 грн
1050+ 35.62 грн
2025+ 33.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU214PBF IRFU214PBF Vishay Semiconductors sihfr214.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.1 грн
10+ 76.39 грн
100+ 52.48 грн
500+ 44.51 грн
1000+ 34.08 грн
3000+ 32.48 грн
6000+ 32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU220 Harris Corporation HRISSD91-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 13114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRFU220BTU ONSEMI FAIRS15986-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFU220BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
401+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 401
IRFU220BTU-AM002 IRFU220BTU-AM002 ON Semiconductor irfu220b-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5040+25.94 грн
10080+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5040
IRFU220N International Rectifier IRFR220N, IRFU220N.pdf N-MOSFET 5A 200V 43W IRFU220N TIRFU220n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.26 грн
9+ 39.86 грн
25+ 33.35 грн
30+ 27.61 грн
80+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.31 грн
6+ 49.67 грн
25+ 40.02 грн
30+ 33.13 грн
80+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+25.83 грн
453+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 451
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.86 грн
14+ 55.74 грн
100+ 40.39 грн
500+ 32.11 грн
1000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.7 грн
14+ 42.18 грн
100+ 36.06 грн
500+ 29.47 грн
1000+ 22.69 грн
3000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.43 грн
25+ 23.99 грн
100+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+29.11 грн
414+ 28.14 грн
416+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
75+ 53.82 грн
150+ 42.65 грн
525+ 33.93 грн
1050+ 27.64 грн
2025+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
257+45.44 грн
300+ 38.85 грн
500+ 32.91 грн
1000+ 26.4 грн
3000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 257
IRFU220NPBF IRFU220NPBF Infineon Technologies Infineon_IRFR220N_DataSheet_v01_01_EN-3363236.pdf MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
6+61.3 грн
10+ 50.04 грн
100+ 35.67 грн
500+ 30.95 грн
1000+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.61 грн
13+ 27.95 грн
25+ 24.84 грн
38+ 21.48 грн
103+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY sihfr220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.54 грн
8+ 34.84 грн
25+ 29.81 грн
38+ 25.77 грн
103+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Siliconix sihfr220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.16 грн
75+ 76.29 грн
150+ 60.46 грн
525+ 48.09 грн
1050+ 39.18 грн
2025+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+45.6 грн
305+ 38.23 грн
500+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 256
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.57 грн
14+ 42.34 грн
100+ 35.49 грн
500+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU220PBF IRFU220PBF VISHAY VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+70.42 грн
13+ 58.2 грн
100+ 34.8 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay Semiconductors sihfr220.pdf MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.03 грн
10+ 58.06 грн
100+ 34.47 грн
500+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220PBF IRFU220PBF Vishay sihfr220.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRFU221 Harris Corporation HRISSD91-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 701
IRFU224PBF IRFU224PBF Vishay Semiconductors sihfr224.pdf MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+110.05 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.99 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.72 грн
3000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310BTU IRFU310BTU Fairchild Semiconductor FAIRS18331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 850mA,10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 180715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2219
IRFU310BTU ONSEMI FAIRS18331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFU310BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 180715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2671+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 2671
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY IRFU310PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.42 грн
5+ 51.74 грн
25+ 31.64 грн
36+ 27.41 грн
97+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF Vishay Semiconductors sihfr310.pdf MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.4 грн
10+ 85.56 грн
100+ 57.52 грн
500+ 48.76 грн
1000+ 38.93 грн
3000+ 38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF VISHAY VISH-S-A0013857032-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.5 грн
10+ 87.93 грн
100+ 64.53 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+49.18 грн
10+ 36.81 грн
25+ 34.18 грн
27+ 29.75 грн
74+ 28.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY IRFU320PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+59.02 грн
6+ 45.87 грн
25+ 41.02 грн
27+ 35.7 грн
74+ 34.04 грн
300+ 33.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU320PBF IRFU320PBF Vishay Siliconix sihfr320.pdf Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.72 грн
75+ 75.48 грн
150+ 59.82 грн
525+ 47.58 грн
1050+ 38.76 грн
2025+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF IRFU320PBF Vishay Semiconductors sihfr320.pdf MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.97 грн
10+ 66.31 грн
100+ 46.76 грн
500+ 41.72 грн
6000+ 39.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU320PBF IRFU320PBF VISHAY VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.11 грн
10+ 76.75 грн
100+ 57.53 грн
500+ 46.36 грн
1000+ 40.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU330BTU ONSEMI FAIRS18333-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1233
IRFU330BTU IRFU330BTU Fairchild Semiconductor FAIRS18333-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1025
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.98 грн
75+ 53.05 грн
150+ 42.03 грн
525+ 33.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120PBF description sihfr120.pdf
IRFU120PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.51 грн
10+ 55.08 грн
100+ 37.26 грн
500+ 34.01 грн
1000+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU120PBF description VISH-S-A0013857027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU120PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU120PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.27 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+77.5 грн
13+ 60.06 грн
100+ 43.07 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 32.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFU130ATU FAIRS17423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU130ATU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
891+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 891
IRFU130ATU FAIRS17423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU130ATU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
на замовлення 12356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 740
IRFU13N20D
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU1920
Виробник: Harris Corporation
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
606+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 606
IRFU1N60A sihfr1n6.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU1N60A sihfr1n6.pdf
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A IRFU1N60A TIRFU1N60A
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRFU1N60APBF VISH-S-A0013857011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU1N60APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU1N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.4 A, 7 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.64 грн
11+ 70.94 грн
100+ 47.17 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 30.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 840mA, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 229 pF @ 25 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.6 грн
75+ 78.03 грн
150+ 61.84 грн
525+ 49.19 грн
1050+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.5 грн
10+ 86.32 грн
100+ 51.68 грн
500+ 43.71 грн
1000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFU1N60APBF sihfr1n6.pdf
IRFU1N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+14.47 грн
158+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 40
IRFU210PBF sihfr210.pdf
IRFU210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.08 грн
21+ 27.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU210PBF sihfr210.pdf
IRFU210PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
387+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 387
IRFU210PBF sihfr210.pdf
IRFU210PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 11870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.82 грн
75+ 69.36 грн
150+ 54.96 грн
525+ 43.72 грн
1050+ 35.62 грн
2025+ 33.53 грн
5025+ 31.41 грн
10050+ 29.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU210PBF VISH-S-A0012662170-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU210PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU210PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 2618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.17 грн
100+ 40.46 грн
500+ 35.08 грн
1000+ 18.39 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU210PBF sihfr210.pdf
IRFU210PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 2043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.32 грн
10+ 45.76 грн
100+ 35.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU214PBF sihfr214.pdf
IRFU214PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.2A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 3155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+89.82 грн
75+ 69.36 грн
150+ 54.96 грн
525+ 43.72 грн
1050+ 35.62 грн
2025+ 33.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU214PBF sihfr214.pdf
IRFU214PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.1 грн
10+ 76.39 грн
100+ 52.48 грн
500+ 44.51 грн
1000+ 34.08 грн
3000+ 32.48 грн
6000+ 32.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU220 HRISSD91-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 4.6A 200V 0.800 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 13114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
346+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 346
IRFU220BTU FAIRS15986-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU220BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
401+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 401
IRFU220BTU-AM002 irfu220b-d.pdf
IRFU220BTU-AM002
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 4.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5040+25.94 грн
10080+ 24.99 грн
Мінімальне замовлення: 5040
IRFU220N IRFR220N, IRFU220N.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 5A 200V 43W IRFU220N TIRFU220n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.4 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFU220NPBF irfr220n.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.26 грн
9+ 39.86 грн
25+ 33.35 грн
30+ 27.61 грн
80+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220NPBF irfr220n.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.31 грн
6+ 49.67 грн
25+ 40.02 грн
30+ 33.13 грн
80+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
451+25.83 грн
453+ 25.75 грн
Мінімальне замовлення: 451
IRFU220NPBF INFN-S-A0012838703-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU220NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 3657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.86 грн
14+ 55.74 грн
100+ 40.39 грн
500+ 32.11 грн
1000+ 27.59 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.7 грн
14+ 42.18 грн
100+ 36.06 грн
500+ 29.47 грн
1000+ 22.69 грн
3000+ 21.02 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.43 грн
25+ 23.99 грн
100+ 23.91 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+29.11 грн
414+ 28.14 грн
416+ 28.03 грн
Мінімальне замовлення: 400
IRFU220NPBF irfr220npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d8a7b206f
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.98 грн
75+ 53.82 грн
150+ 42.65 грн
525+ 33.93 грн
1050+ 27.64 грн
2025+ 26.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220NPBF infineon-irfr220n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
257+45.44 грн
300+ 38.85 грн
500+ 32.91 грн
1000+ 26.4 грн
3000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 257
IRFU220NPBF Infineon_IRFR220N_DataSheet_v01_01_EN-3363236.pdf
IRFU220NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.3 грн
10+ 50.04 грн
100+ 35.67 грн
500+ 30.95 грн
1000+ 24.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.61 грн
13+ 27.95 грн
25+ 24.84 грн
38+ 21.48 грн
103+ 20.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4.8A; Idm: 19A; 42W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 538 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.54 грн
8+ 34.84 грн
25+ 29.81 грн
38+ 25.77 грн
103+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.16 грн
75+ 76.29 грн
150+ 60.46 грн
525+ 48.09 грн
1050+ 39.18 грн
2025+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
256+45.6 грн
305+ 38.23 грн
500+ 33.08 грн
Мінімальне замовлення: 256
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.57 грн
14+ 42.34 грн
100+ 35.49 грн
500+ 29.61 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRFU220PBF VISH-S-A0013857036-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU220PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 4.8 A, 0.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.42 грн
13+ 58.2 грн
100+ 34.8 грн
500+ 30.03 грн
1000+ 27.15 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.03 грн
10+ 58.06 грн
100+ 34.47 грн
500+ 32.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU220PBF sihfr220.pdf
IRFU220PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+17.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRFU221 HRISSD91-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
701+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 701
IRFU224PBF sihfr224.pdf
IRFU224PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET I-PAK
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+110.05 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.99 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.72 грн
3000+ 39.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310BTU FAIRS18331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU310BTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 850mA,10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 180715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 2219
IRFU310BTU FAIRS18331-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU310BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 180715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2671+9.84 грн
Мінімальне замовлення: 2671
IRFU310PBF IRFU310PBF.pdf
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF IRFU310PBF.pdf
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 1.1A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.42 грн
5+ 51.74 грн
25+ 31.64 грн
36+ 27.41 грн
97+ 25.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF sihfr310.pdf
IRFU310PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.4 грн
10+ 85.56 грн
100+ 57.52 грн
500+ 48.76 грн
1000+ 38.93 грн
3000+ 38 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU310PBF VISH-S-A0013857032-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU310PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 1.7 A, 3.6 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+115.5 грн
10+ 87.93 грн
100+ 64.53 грн
500+ 50.79 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFU320PBF IRFU320PBF.pdf
IRFU320PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+49.18 грн
10+ 36.81 грн
25+ 34.18 грн
27+ 29.75 грн
74+ 28.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU320PBF IRFU320PBF.pdf
IRFU320PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 116 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.02 грн
6+ 45.87 грн
25+ 41.02 грн
27+ 35.7 грн
74+ 34.04 грн
300+ 33.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFU320PBF sihfr320.pdf
IRFU320PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.72 грн
75+ 75.48 грн
150+ 59.82 грн
525+ 47.58 грн
1050+ 38.76 грн
2025+ 36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFU320PBF sihfr320.pdf
IRFU320PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.97 грн
10+ 66.31 грн
100+ 46.76 грн
500+ 41.72 грн
6000+ 39.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFU320PBF VISH-S-A0013857050-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFU320PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.11 грн
10+ 76.75 грн
100+ 57.53 грн
500+ 46.36 грн
1000+ 40.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFU330BTU FAIRS18333-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1233+19.97 грн
Мінімальне замовлення: 1233
IRFU330BTU FAIRS18333-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRFU330BTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 1025
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]