Результат пошуку "irfu" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1233
Мінімальне замовлення: 1025
Мінімальне замовлення: 210
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 160
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 166
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 179
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 123
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 325
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 298
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 717
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 252
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1110
Мінімальне замовлення: 1336
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 159
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 135
Мінімальне замовлення: 195
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU320PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp |
на замовлення 5766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU320PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2654 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU330BTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU330BTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 4090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC |
на замовлення 3451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3410PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V |
на замовлення 3201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
на замовлення 12738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3607PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V |
на замовлення 723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910 | International Rectifier |
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: THT Gate charge: 29.3nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU3910PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC |
на замовлення 4179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4105Z | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4105ZPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420 | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420A | Siliconix |
N-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420A | Siliconix |
N-MOSFET 3.3A 500V 83W IRFU420A TIRFU420a кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp |
на замовлення 2851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.5A Power dissipation: 42W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3010 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp |
на замовлення 13176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU420PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU430APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU430APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
на замовлення 1347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU430BTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU430BTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 6609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 143W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 56A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC |
на замовлення 15550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 8680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 10265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRFU4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRFU320PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
MOSFET N-Chan 400V 3.1 Amp
на замовлення 5766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.31 грн |
10+ | 67.2 грн |
100+ | 47.39 грн |
500+ | 42.28 грн |
6000+ | 39.78 грн |
IRFU320PBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFU320PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.1 A, 1.8 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 100.44 грн |
10+ | 77.78 грн |
100+ | 58.3 грн |
500+ | 46.98 грн |
1000+ | 40.65 грн |
IRFU330BTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - IRFU330BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1233+ | 20.24 грн |
IRFU330BTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1025+ | 19.77 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
210+ | 55.75 грн |
252+ | 46.48 грн |
500+ | 40.52 грн |
1000+ | 31.28 грн |
3000+ | 27.49 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.6 грн |
12+ | 52.14 грн |
100+ | 43.44 грн |
500+ | 36.52 грн |
1000+ | 27.07 грн |
3000+ | 24.67 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.74 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 31A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
160+ | 73.05 грн |
188+ | 62.16 грн |
219+ | 53.3 грн |
232+ | 48.68 грн |
500+ | 42.21 грн |
1000+ | 38.02 грн |
3000+ | 35.18 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
MOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC
на замовлення 3451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.89 грн |
10+ | 63.94 грн |
100+ | 44.09 грн |
500+ | 37.36 грн |
1000+ | 28.68 грн |
3000+ | 27.26 грн |
9000+ | 26.93 грн |
IRFU3410PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 31A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
на замовлення 3201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 75.73 грн |
75+ | 58.27 грн |
150+ | 46.18 грн |
525+ | 36.73 грн |
1050+ | 29.92 грн |
2025+ | 28.17 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 67.74 грн |
10+ | 61.28 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
166+ | 70.73 грн |
192+ | 60.92 грн |
500+ | 54.67 грн |
1000+ | 45.76 грн |
3000+ | 36.93 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.16 грн |
10+ | 66.03 грн |
100+ | 56.87 грн |
500+ | 49.22 грн |
1000+ | 39.55 грн |
3000+ | 33.11 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
179+ | 65.46 грн |
190+ | 61.67 грн |
199+ | 58.85 грн |
203+ | 55.62 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 109.36 грн |
10+ | 88.15 грн |
100+ | 71.21 грн |
500+ | 59.29 грн |
1000+ | 45.33 грн |
3000+ | 41.51 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.25 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
на замовлення 12738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.66 грн |
10+ | 90.58 грн |
100+ | 63.21 грн |
500+ | 55.4 грн |
1000+ | 46.05 грн |
3000+ | 44.36 грн |
9000+ | 43.69 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFU3607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 56 A, 0.00734 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00734ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 116.3 грн |
10+ | 89.86 грн |
100+ | 70 грн |
500+ | 57.71 грн |
1000+ | 43.43 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 75V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
123+ | 94.93 грн |
153+ | 76.68 грн |
500+ | 66.22 грн |
1000+ | 52.73 грн |
3000+ | 46.57 грн |
IRFU3607PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.23 грн |
75+ | 84.4 грн |
150+ | 69.44 грн |
525+ | 55.14 грн |
IRFU3910 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 25.14 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.03 грн |
9+ | 42.56 грн |
11+ | 33.94 грн |
27+ | 30.64 грн |
74+ | 28.96 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.43 грн |
5+ | 53.04 грн |
10+ | 40.73 грн |
27+ | 36.77 грн |
74+ | 34.75 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFU3910PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16 A, 0.115 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 75.37 грн |
13+ | 58.45 грн |
100+ | 45.54 грн |
500+ | 35.55 грн |
1000+ | 29.52 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.02 грн |
21+ | 28.03 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 41.34 грн |
16+ | 36.63 грн |
100+ | 34.28 грн |
500+ | 29.37 грн |
1000+ | 22.18 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
325+ | 35.99 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 13.35 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
298+ | 39.23 грн |
318+ | 36.72 грн |
500+ | 32.62 грн |
1000+ | 25.66 грн |
IRFU3910PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
MOSFET MOSFT 100V 15A 115mOhm 29.3nC
на замовлення 4179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.44 грн |
10+ | 60.93 грн |
100+ | 41.94 грн |
500+ | 35.54 грн |
1000+ | 27.06 грн |
3000+ | 25.98 грн |
6000+ | 25.45 грн |
IRFU4105Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 27.37 грн |
IRFU4105ZPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
717+ | 28.64 грн |
IRFU420 |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; IRFU420 IRFU420 TIRFU420
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 17.95 грн |
IRFU420A |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 28.73 грн |
IRFU420A |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 28.73 грн |
IRFU420APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
на замовлення 2851 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.74 грн |
10+ | 89.8 грн |
100+ | 63.21 грн |
250+ | 58.09 грн |
500+ | 52.71 грн |
1000+ | 46.65 грн |
IRFU420APBF |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: VISHAY - IRFU420APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3.3 A, 3 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 120.83 грн |
10+ | 91.37 грн |
100+ | 65.17 грн |
500+ | 54.91 грн |
1000+ | 44.86 грн |
IRFU420PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.19 грн |
13+ | 28.61 грн |
25+ | 26.65 грн |
36+ | 23.14 грн |
99+ | 21.74 грн |
300+ | 21.32 грн |
IRFU420PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.5A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.5A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.03 грн |
8+ | 35.65 грн |
25+ | 31.98 грн |
36+ | 27.77 грн |
99+ | 26.09 грн |
300+ | 25.58 грн |
IRFU420PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp
MOSFET N-Chan 500V 2.4 Amp
на замовлення 13176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.12 грн |
10+ | 50.01 грн |
100+ | 41.53 грн |
1000+ | 40.05 грн |
3000+ | 39.04 грн |
IRFU420PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
252+ | 46.49 грн |
271+ | 43.08 грн |
IRFU420PBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 2.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 47.33 грн |
14+ | 41.76 грн |
100+ | 38.98 грн |
IRFU430APBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.43 грн |
10+ | 102.03 грн |
100+ | 81.2 грн |
IRFU430APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 1347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.65 грн |
10+ | 112.25 грн |
100+ | 77.42 грн |
250+ | 72.03 грн |
500+ | 65.1 грн |
1000+ | 55.6 грн |
3000+ | 52.78 грн |
IRFU430BTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1110+ | 18.41 грн |
IRFU430BTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - IRFU430BTU - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 6609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1336+ | 18.8 грн |
IRFU4510 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 50.62 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.93 грн |
15+ | 56.1 грн |
41+ | 53.29 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 143W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.12 грн |
5+ | 90.88 грн |
15+ | 67.32 грн |
41+ | 63.95 грн |
450+ | 61.43 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRFU4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.0111 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 116.3 грн |
10+ | 85.33 грн |
100+ | 70.91 грн |
500+ | 59.32 грн |
1000+ | 48.22 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
MOSFET 100V 64A 14.5mOhm HEXFET 140W 50nC
на замовлення 15550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.24 грн |
10+ | 82.06 грн |
100+ | 64.49 грн |
250+ | 61.93 грн |
500+ | 57.29 грн |
1000+ | 50.15 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 8680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
159+ | 73.73 грн |
166+ | 70.52 грн |
187+ | 62.64 грн |
200+ | 57.78 грн |
500+ | 53.06 грн |
1000+ | 48.11 грн |
2000+ | 46.69 грн |
3000+ | 46.35 грн |
6000+ | 46.27 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.47 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 102.25 грн |
10+ | 80.71 грн |
100+ | 71.94 грн |
250+ | 66.29 грн |
500+ | 57.21 грн |
1000+ | 45.72 грн |
3000+ | 44.39 грн |
9000+ | 44.19 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 10265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
135+ | 86.92 грн |
151+ | 77.47 грн |
250+ | 74.04 грн |
500+ | 64.63 грн |
1000+ | 51.29 грн |
3000+ | 47.8 грн |
9000+ | 47.59 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
195+ | 59.96 грн |
207+ | 56.65 грн |
250+ | 55.35 грн |
500+ | 50.63 грн |
1000+ | 42.98 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 56A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3031 pF @ 50 V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.25 грн |
75+ | 96.85 грн |
150+ | 79.69 грн |
525+ | 63.28 грн |
1050+ | 53.69 грн |
IRFU4510PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.25 грн |
11+ | 55.98 грн |
100+ | 52.89 грн |
250+ | 49.83 грн |
500+ | 44.46 грн |
1000+ | 38.53 грн |