Результат пошуку "mn31" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
+1 |
AMN31112J | PANASONIC |
Category: PCB Photoelectric Sensors Description: Sensor: movement; diffuse-reflective; digital; Usup: 3÷6VDC; 5m Manufacturer series: PaPIRs Operating temperature: -20...60°C Number of pins: 3 Supply voltage: 3...6V DC Body colour: white Operation mode: diffuse-reflective Range: 5m Output configuration: digital Current consumption: 170µA Type of sensor: movement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AMN31112J | Panasonic Electric Works | PIR Sensor Digital 5m 3-Pin Carton |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CZ AMN31111J | Panasonic |
PIR Sensor, standard detection type, digital, 5m, 170uA AMN31111J Panasonic CZ AMN31111J кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K |
на замовлення 105718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3110SQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3135LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K |
на замовлення 48164 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 0.31A 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN313DLT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc |
на замовлення 5382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1840 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3150L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Channel |
на замовлення 54551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3150L-7 | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 390 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3150LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 0.35W 28V 1.6A |
на замовлення 22211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-13 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 19161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.32W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Case: SOT363 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 9.6A Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.9A кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss |
на замовлення 264555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDW-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D5L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 59850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D5L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D5UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 8340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 21870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D5UFZ-7B | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W |
на замовлення 18035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN31D6UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V |
на замовлення 2680 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PIMN31,115 | NEXPERIA | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 420mW Automotive 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PIMN31,115 | Nexperia | Digital Transistors PIMN31/SOT457/SC-74 |
на замовлення 25529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PIMN31PAS-QX | Nexperia | Digital Transistors PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PIMN31PAX | Nexperia | Digital Transistors PIMN31PA/SOT1118/HUSON6 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R75MN31505030J | KEMET |
Category: THT Film Capacitors Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5% Type of capacitor: polypropylene Manufacturer series: R75 Capacitance: 0.15µF Body dimensions: 26.5x15x6mm Mounting: THT Tolerance: ±5% Terminal pitch: 22.5mm Operating temperature: -55...105°C Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1 Pulse resistance: 300V/μs Lead length: 25mm Conform to the norm: AEC Q200 Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R75MN31505030J | KEMET |
Category: THT Film Capacitors Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5% Type of capacitor: polypropylene Manufacturer series: R75 Capacitance: 0.15µF Body dimensions: 26.5x15x6mm Mounting: THT Tolerance: ±5% Terminal pitch: 22.5mm Operating temperature: -55...105°C Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1 Pulse resistance: 300V/μs Lead length: 25mm Conform to the norm: AEC Q200 Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R75MN31505030J | KEMET | Film Capacitors 400V 0.15 uF 105C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200 |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R76MN31504030J | KEMET | Film Capacitors 400V 0.15 uF 110C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200 |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3112S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMN3115UDM |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMN3150L |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
DMN3150LW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
KD-QMN31121SA |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PIMN31 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PIMN31,115 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ROM-MN3138RL-R | RAYTRON | 2005 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ROM-N3132SR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ROM-N3138SR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TMN3101 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
TX-AMN3110-B1 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MN3101 Код товару: 36973 |
Мікросхеми > Таймери |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MN3102 Код товару: 48354 |
Мікросхеми > Аналогові |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MN3105 Код товару: 91725 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми 8542 39 90 00 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
MN31PW02M005 | Amphenol SINE Systems | Sensor Cables / Actuator Cables Mini 7/8 3POS RCPTCL MALE 16AWG .5M |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MN31PW02M010 | Amphenol Sine Systems | Cable Assembly Circular 1m 16AWG Circular 3 Straight |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AMN31111J | Panasonic Electric Works | Passive Infrared Human Detection Sensor With Built-In Amp |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AMN31111J | Panasonic Industrial Devices | Board Mount Motion & Position Sensors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AMN31112J | Panasonic Industrial Devices | Board Mount Motion & Position Sensors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3110LCP3-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.2A 3-Pin X2-DSN T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3110S-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.6nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3110S-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.6nC Case: SOT23 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3110S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3110SQ-7 | Diodes Inc | N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
DMN3112S-7 | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
AMN31112J |
Виробник: PANASONIC
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: movement; diffuse-reflective; digital; Usup: 3÷6VDC; 5m
Manufacturer series: PaPIRs
Operating temperature: -20...60°C
Number of pins: 3
Supply voltage: 3...6V DC
Body colour: white
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 5m
Output configuration: digital
Current consumption: 170µA
Type of sensor: movement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PCB Photoelectric Sensors
Description: Sensor: movement; diffuse-reflective; digital; Usup: 3÷6VDC; 5m
Manufacturer series: PaPIRs
Operating temperature: -20...60°C
Number of pins: 3
Supply voltage: 3...6V DC
Body colour: white
Operation mode: diffuse-reflective
Range: 5m
Output configuration: digital
Current consumption: 170µA
Type of sensor: movement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1121.59 грн |
2+ | 870.08 грн |
4+ | 791.96 грн |
100+ | 761.91 грн |
AMN31112J |
Виробник: Panasonic Electric Works
PIR Sensor Digital 5m 3-Pin Carton
PIR Sensor Digital 5m 3-Pin Carton
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 753.96 грн |
CZ AMN31111J |
Виробник: Panasonic
PIR Sensor, standard detection type, digital, 5m, 170uA AMN31111J Panasonic CZ AMN31111J
кількість в упаковці: 2 шт
PIR Sensor, standard detection type, digital, 5m, 170uA AMN31111J Panasonic CZ AMN31111J
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 641.38 грн |
DMN3110S-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 SOT23,3K
на замовлення 105718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.58 грн |
12+ | 26.95 грн |
100+ | 19.29 грн |
500+ | 16.02 грн |
1000+ | 13.02 грн |
3000+ | 11.02 грн |
DMN3110SQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 27.49 грн |
15+ | 21.11 грн |
100+ | 10.21 грн |
1000+ | 6.94 грн |
3000+ | 6.08 грн |
9000+ | 5.47 грн |
24000+ | 5.41 грн |
DMN3135LVT-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K
на замовлення 48164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.64 грн |
13+ | 24.88 грн |
100+ | 11.88 грн |
500+ | 10.21 грн |
1000+ | 9.15 грн |
3000+ | 8.28 грн |
DMN313DLT-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 0.31A 3-Pin SOT-523 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 0.31A 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.86 грн |
DMN313DLT-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
MOSFET FET BVDSS 25V 30V N-Ch Enh Mode 0.5nc
на замовлення 5382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.43 грн |
21+ | 14.97 грн |
100+ | 5.34 грн |
1000+ | 3.74 грн |
3000+ | 2.87 грн |
9000+ | 2.4 грн |
24000+ | 2.27 грн |
DMN3150L-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 9.89 грн |
55+ | 6.68 грн |
100+ | 5.91 грн |
160+ | 5.08 грн |
435+ | 4.8 грн |
DMN3150L-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.86 грн |
35+ | 8.32 грн |
100+ | 7.09 грн |
160+ | 6.09 грн |
435+ | 5.76 грн |
DMN3150L-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Channel
MOSFET N-Channel
на замовлення 54551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.16 грн |
17+ | 19.04 грн |
100+ | 6.41 грн |
1000+ | 5.74 грн |
3000+ | 5.07 грн |
9000+ | 4.87 грн |
24000+ | 4.67 грн |
DMN3150L-7 |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 3.8A 85mΩ 1.4W DMN3150L-7 Diodes TDMN3150l
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 3.1 грн |
DMN3150LW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 0.35W 28V 1.6A
MOSFET 0.35W 28V 1.6A
на замовлення 22211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.04 грн |
13+ | 24.95 грн |
100+ | 11.82 грн |
1000+ | 7.54 грн |
3000+ | 7.14 грн |
DMN3190LDW-13 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 3.62 грн |
DMN3190LDW-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 19161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.45 грн |
16+ | 20.27 грн |
100+ | 7.08 грн |
1000+ | 5.07 грн |
2500+ | 4.41 грн |
10000+ | 3.67 грн |
20000+ | 3.54 грн |
DMN3190LDW-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT363
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT363
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 10.93 грн |
65+ | 5.49 грн |
100+ | 4.87 грн |
190+ | 4.31 грн |
520+ | 4.03 грн |
DMN3190LDW-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT363
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.9A; Idm: 9.6A; 0.32W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.32W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Case: SOT363
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 9.6A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.9A
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 13.12 грн |
40+ | 6.85 грн |
100+ | 5.84 грн |
190+ | 5.17 грн |
520+ | 4.84 грн |
DMN3190LDW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 20Vgss
на замовлення 264555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.64 грн |
24+ | 13.21 грн |
100+ | 5.74 грн |
1000+ | 5.07 грн |
3000+ | 4.41 грн |
9000+ | 3.81 грн |
24000+ | 3.4 грн |
DMN3190LDW-7 |
Виробник: Diodes Inc
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.4 грн |
DMN3190LDWQ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R 3K
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.34 грн |
12+ | 25.87 грн |
100+ | 12.75 грн |
1000+ | 11.08 грн |
3000+ | 5.14 грн |
9000+ | 4.47 грн |
24000+ | 4.41 грн |
DMN31D5L-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 59850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.79 грн |
17+ | 18.12 грн |
100+ | 10.01 грн |
1000+ | 4.47 грн |
2500+ | 3.94 грн |
10000+ | 3.14 грн |
50000+ | 2.8 грн |
DMN31D5L-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 4793 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.79 грн |
17+ | 18.12 грн |
100+ | 6.48 грн |
1000+ | 4.47 грн |
3000+ | 3.47 грн |
9000+ | 2.6 грн |
24000+ | 2.54 грн |
DMN31D5UDA-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.67 грн |
28+ | 11.36 грн |
100+ | 4.01 грн |
1000+ | 2.47 грн |
2500+ | 2.27 грн |
10000+ | 1.87 грн |
20000+ | 1.74 грн |
DMN31D5UDJ-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 21870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.64 грн |
14+ | 22.5 грн |
100+ | 8.08 грн |
1000+ | 5.01 грн |
2500+ | 4.87 грн |
10000+ | 3.54 грн |
20000+ | 3.4 грн |
DMN31D5UFZ-7B |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode FET 12Vgss 1.05W
на замовлення 18035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.79 грн |
16+ | 20.42 грн |
100+ | 9.68 грн |
1000+ | 6.21 грн |
2500+ | 5.94 грн |
10000+ | 5.21 грн |
20000+ | 5.14 грн |
DMN31D6UT-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 2680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.21 грн |
20+ | 15.43 грн |
100+ | 8.48 грн |
1000+ | 3.87 грн |
3000+ | 3 грн |
9000+ | 2.47 грн |
24000+ | 2.34 грн |
PIMN31,115 |
Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 420mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 420mW Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.25 грн |
PIMN31,115 |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PIMN31/SOT457/SC-74
Digital Transistors PIMN31/SOT457/SC-74
на замовлення 25529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
15+ | 20.73 грн |
100+ | 9.35 грн |
1000+ | 7.08 грн |
3000+ | 6.21 грн |
9000+ | 5.67 грн |
24000+ | 5.34 грн |
PIMN31PAS-QX |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6
Digital Transistors PIMN31PAS-Q/SOT1118/HUSON6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.45 грн |
13+ | 24.64 грн |
100+ | 14.62 грн |
1000+ | 8.21 грн |
3000+ | 7.54 грн |
9000+ | 6.61 грн |
24000+ | 6.08 грн |
PIMN31PAX |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PIMN31PA/SOT1118/HUSON6
Digital Transistors PIMN31PA/SOT1118/HUSON6
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.97 грн |
14+ | 23.34 грн |
100+ | 13.82 грн |
1000+ | 7.74 грн |
3000+ | 7.08 грн |
9000+ | 6.28 грн |
24000+ | 5.74 грн |
R75MN31505030J |
Виробник: KEMET
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5%
Type of capacitor: polypropylene
Manufacturer series: R75
Capacitance: 0.15µF
Body dimensions: 26.5x15x6mm
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -55...105°C
Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1
Pulse resistance: 300V/μs
Lead length: 25mm
Conform to the norm: AEC Q200
Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5%
Type of capacitor: polypropylene
Manufacturer series: R75
Capacitance: 0.15µF
Body dimensions: 26.5x15x6mm
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -55...105°C
Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1
Pulse resistance: 300V/μs
Lead length: 25mm
Conform to the norm: AEC Q200
Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 38.94 грн |
19+ | 18.71 грн |
R75MN31505030J |
Виробник: KEMET
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5%
Type of capacitor: polypropylene
Manufacturer series: R75
Capacitance: 0.15µF
Body dimensions: 26.5x15x6mm
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -55...105°C
Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1
Pulse resistance: 300V/μs
Lead length: 25mm
Conform to the norm: AEC Q200
Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT Film Capacitors
Description: Capacitor: polypropylene; R75; 0.15uF; 26.5x15x6mm; THT; ±5%
Type of capacitor: polypropylene
Manufacturer series: R75
Capacitance: 0.15µF
Body dimensions: 26.5x15x6mm
Mounting: THT
Tolerance: ±5%
Terminal pitch: 22.5mm
Operating temperature: -55...105°C
Climate class: 55/105/56; IEC 60068-1
Pulse resistance: 300V/μs
Lead length: 25mm
Conform to the norm: AEC Q200
Max. operating voltage: 220V AC; 400V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 46.73 грн |
12+ | 23.31 грн |
50+ | 16.02 грн |
66+ | 14.69 грн |
181+ | 13.85 грн |
R75MN31505030J |
Виробник: KEMET
Film Capacitors 400V 0.15 uF 105C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200
Film Capacitors 400V 0.15 uF 105C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 37.7 грн |
15+ | 21.8 грн |
100+ | 15.42 грн |
500+ | 12.82 грн |
1000+ | 12.35 грн |
R76MN31504030J |
Виробник: KEMET
Film Capacitors 400V 0.15 uF 110C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200
Film Capacitors 400V 0.15 uF 110C 5% 2 Pin LS=22.5 mm AEC-Q200
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.34 грн |
10+ | 64.57 грн |
100+ | 42.13 грн |
500+ | 31.24 грн |
1000+ | 27.97 грн |
2500+ | 26.57 грн |
5000+ | 26.04 грн |
MN31PW02M005 |
Виробник: Amphenol SINE Systems
Sensor Cables / Actuator Cables Mini 7/8 3POS RCPTCL MALE 16AWG .5M
Sensor Cables / Actuator Cables Mini 7/8 3POS RCPTCL MALE 16AWG .5M
товар відсутній
MN31PW02M010 |
Виробник: Amphenol Sine Systems
Cable Assembly Circular 1m 16AWG Circular 3 Straight
Cable Assembly Circular 1m 16AWG Circular 3 Straight
товар відсутній
AMN31111J |
Виробник: Panasonic Electric Works
Passive Infrared Human Detection Sensor With Built-In Amp
Passive Infrared Human Detection Sensor With Built-In Amp
товар відсутній
AMN31111J |
Виробник: Panasonic Industrial Devices
Board Mount Motion & Position Sensors
Board Mount Motion & Position Sensors
товар відсутній
AMN31112J |
Виробник: Panasonic Industrial Devices
Board Mount Motion & Position Sensors
Board Mount Motion & Position Sensors
товар відсутній
DMN3110S-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.6nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.6nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
товар відсутній
DMN3110S-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.6nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.6nC
Case: SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN3110SQ-7 |
Виробник: Diodes Inc
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товар відсутній