Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > Всі товари виробника VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION (36668) > Сторінка 180 з 612

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 61 122 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 244 305 366 427 488 549 610 612  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SMAZ5944B-E3/61 SMAZ5944B-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smaz59xb.pdf Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47.1 V
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.46 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.59 грн
500+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMB10J30A-E3/52 SMB10J30A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smb10j5.pdf Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
10+ 35.08 грн
100+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMB10J5.0A-E3/52 SMB10J5.0A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smb10j5.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 108.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.08 грн
10+ 31.48 грн
100+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMBG12CA-E3/52 SMBG12CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SMBG15CA-E3/52 SMBG15CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+50.3 грн
10+ 42.35 грн
100+ 32.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
SMBG24A-E3/52 SMBG24A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMBG5.0CA-E3/52 SMBG5.0CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 51.41 грн
100+ 40 грн
Мінімальне замовлення: 5
SMBG7.5A-E3/52 SMBG7.5A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbg.pdf Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
100+ 25.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMBJ188A-E3/52 SMBJ188A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.62 грн
13+ 22 грн
100+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMBJ188CA-E3/52 SMBJ188CA-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division smbj.pdf Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.02 грн
14+ 20.69 грн
100+ 12.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMCG36A-E3/57T SMCG36A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcg.pdf Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCG60A-E3/57T SMCG60A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcg.pdf Description: TVS DIODE 60VWM 96VC DO215AB
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ11CA-E3/57T SMCJ11CA-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 82.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
10+ 34.53 грн
100+ 24 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMCJ78A-E3/9AT SMCJ78A-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 78V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 126V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
SMCJ8.5A-E3/57T SMCJ8.5A-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ8.5CA-E3/57T SMCJ8.5CA-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division smcj.pdf Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 104.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+43.83 грн
10+ 35.7 грн
100+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
UG4D-E3/54 UG4D-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ug4a.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
10+ 34.6 грн
100+ 24.07 грн
500+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
UH4PDC-M3/86A UH4PDC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC%2CPCC%2CPDC.pdf Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
VB10170C-E3/8W VB10170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb10170c.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
товар відсутній
VB40170C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division vb40170c.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 170 V
товар відсутній
VS-ETH1506-1-M3 VS-ETH1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006-M3 VS-ETH3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
50+ 85.9 грн
100+ 70.67 грн
500+ 56.12 грн
1000+ 47.62 грн
2000+ 45.24 грн
5000+ 42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETL1506-1-M3 VS-ETL1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506FP-M3 VS-ETX1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
100+ 58.07 грн
500+ 46.19 грн
1000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1-M3 VS-ETU1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506sm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506FP-M3 VS-ETL1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
100+ 58.07 грн
500+ 46.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 VS-6EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.2 грн
10+ 48.99 грн
100+ 33.91 грн
500+ 26.59 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH3006FP-M3 VS-ETH3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
50+ 86.7 грн
100+ 71.34 грн
500+ 56.65 грн
1000+ 48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU3006-M3 VS-ETU3006-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8S2TH06I-M VS-8S2TH06I-M Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506-M3 VS-ETL1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.26 грн
50+ 70.59 грн
100+ 55.94 грн
500+ 44.5 грн
1000+ 36.25 грн
2000+ 34.12 грн
5000+ 31.97 грн
10000+ 30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506-M3 VS-ETH1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 VS-ETX0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.45 грн
50+ 58.54 грн
100+ 46.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 VS-ETL0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 VS-ETH0806FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806fp-m3.pdf Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.45 грн
10+ 59.44 грн
100+ 46.23 грн
500+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 VS-ETX0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.7 грн
50+ 54.03 грн
100+ 42.82 грн
500+ 34.06 грн
1000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 VS-ETL0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl0806-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.42 грн
50+ 54.54 грн
100+ 43.22 грн
500+ 34.38 грн
1000+ 28 грн
2000+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth0806m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.7 грн
10+ 54.87 грн
100+ 42.67 грн
500+ 33.94 грн
1000+ 27.65 грн
2000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 VS-ETU3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 VS-EPH3006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-aph3006n3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+384.42 грн
25+ 293.13 грн
100+ 251.28 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+21.43 грн
6000+ 19.55 грн
10000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 VS-ETH3006-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 VS-ETU3006FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
50+ 86.7 грн
100+ 71.34 грн
500+ 56.65 грн
1000+ 48.07 грн
2000+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 VS-ETU1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 VS-ETH1506FP-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506fpm3.pdf Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+96.29 грн
50+ 74.22 грн
100+ 58.81 грн
500+ 46.78 грн
1000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 VS-ETX1506-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 VS-ETX1506-1-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 VS-ETH3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120 грн
50+ 93.08 грн
100+ 76.58 грн
500+ 60.81 грн
1000+ 51.6 грн
2000+ 49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.75 грн
6000+ 31.87 грн
10000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 VS-ETU3006S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etu3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.15 грн
50+ 94.53 грн
100+ 77.78 грн
500+ 61.77 грн
1000+ 52.41 грн
2000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etx1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 VS-ETL1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-etl1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.03 грн
50+ 79.25 грн
100+ 62.81 грн
500+ 49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 VS-ETH1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth1506s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 81.03 грн
100+ 63.01 грн
500+ 50.13 грн
1000+ 40.83 грн
2000+ 38.44 грн
5000+ 36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 VS-5EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-5ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.77 грн
10+ 47.05 грн
100+ 32.58 грн
500+ 25.55 грн
1000+ 21.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 VS-15EWH06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewh06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 VS-15EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 VS-15EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-15ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 VS-8EWL06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewl06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+ 53.9 грн
100+ 41.93 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 VS-8EWX06FNTR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewx06fn-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.85 грн
10+ 61.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
SMAZ5944B-E3/61 smaz59xb.pdf
SMAZ5944B-E3/61
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ZENER 62V 500MW DO214AC
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 62 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 47.1 V
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.46 грн
13+ 22.9 грн
100+ 15.59 грн
500+ 10.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMB10J30A-E3/52 smb10j5.pdf
SMB10J30A-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 30V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 33.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 48.4V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.68 грн
10+ 35.08 грн
100+ 24.31 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMB10J5.0A-E3/52 smb10j5.pdf
SMB10J5.0A-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 108.7A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 1000W (1kW)
Power Line Protection: No
на замовлення 7466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.08 грн
10+ 31.48 грн
100+ 21.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
SMBG12CA-E3/52 smbg.pdf
SMBG12CA-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 30.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 13.3V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 19.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SMBG15CA-E3/52 smbg.pdf
SMBG15CA-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 24.6A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 24.4V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+50.3 грн
10+ 42.35 грн
100+ 32.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
SMBG24A-E3/52 smbg.pdf
SMBG24A-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 15.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 38.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMBG5.0CA-E3/52 smbg.pdf
SMBG5.0CA-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.67 грн
10+ 51.41 грн
100+ 40 грн
Мінімальне замовлення: 5
SMBG7.5A-E3/52 smbg.pdf
SMBG7.5A-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC DO215AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-215AA, SMB Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 46.5A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V
Supplier Device Package: SMBG (DO-215AA)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 8.33V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12.9V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 34.74 грн
100+ 25.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMBJ188A-E3/52 smbj.pdf
SMBJ188A-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
13+ 22 грн
100+ 11.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
SMBJ188CA-E3/52 smbj.pdf
SMBJ188CA-E3/52
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 188VWM 328VC DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 188V
Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 209V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 328V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 2236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.02 грн
14+ 20.69 грн
100+ 12.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
SMCG36A-E3/57T smcg.pdf
SMCG36A-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO215AB
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCG60A-E3/57T smcg.pdf
SMCG60A-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 60VWM 96VC DO215AB
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ11CA-E3/57T smcj.pdf
SMCJ11CA-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 11VWM 18.2VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 82.4A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.39 грн
10+ 34.53 грн
100+ 24 грн
Мінімальне замовлення: 7
SMCJ78A-E3/9AT smcj.pdf
SMCJ78A-E3/9AT
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 78VWM 126VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 11.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 78V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 86.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 126V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
товар відсутній
SMCJ8.5A-E3/57T smcj.pdf
SMCJ8.5A-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5V 14.4V DO214AB
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SMCJ8.5CA-E3/57T smcj.pdf
SMCJ8.5CA-E3/57T
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO214AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 104.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: DO-214AB (SMCJ)
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 9.44V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 14.4V
Power - Peak Pulse: 1500W (1.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.83 грн
10+ 35.7 грн
100+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
UG4D-E3/54 ug4a.pdf
UG4D-E3/54
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 10354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.68 грн
10+ 34.6 грн
100+ 24.07 грн
500+ 17.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
UH4PDC-M3/86A UH4PBC%2CPCC%2CPDC.pdf
UH4PDC-M3/86A
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY GP 200V 2A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 2A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній
VB10170C-E3/8W vb10170c.pdf
VB10170C-E3/8W
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO236
товар відсутній
VB40170C-E3/8W vb40170c.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE ARRAY SCHOTTKY 170V TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 170 V
товар відсутній
VS-ETH1506-1-M3 vs-eth1506s-m3.pdf
VS-ETH1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006-M3 vs-eth3006-m3.pdf
VS-ETH3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.38 грн
50+ 85.9 грн
100+ 70.67 грн
500+ 56.12 грн
1000+ 47.62 грн
2000+ 45.24 грн
5000+ 42.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETL1506-1-M3 vs-etl1506s-m3.pdf
VS-ETL1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506FP-M3 vs-etx1506fpm3.pdf
VS-ETX1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
100+ 58.07 грн
500+ 46.19 грн
1000+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETU1506-1-M3 vs-etu1506sm3.pdf
VS-ETU1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506FP-M3 vs-etl1506fpm3.pdf
VS-ETL1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
100+ 58.07 грн
500+ 46.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-6EWH06FNTR-M3 vs-6ewh06fn-m3.pdf
VS-6EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 27 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.2 грн
10+ 48.99 грн
100+ 33.91 грн
500+ 26.59 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH3006FP-M3 vs-eth3006fpm3.pdf
VS-ETH3006FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.09 грн
50+ 86.7 грн
100+ 71.34 грн
500+ 56.65 грн
1000+ 48.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU3006-M3 vs-etu3006-m3.pdf
VS-ETU3006-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-8S2TH06I-M
VS-8S2TH06I-M
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506-M3 vs-etl1506-m3.pdf
VS-ETL1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 14757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.26 грн
50+ 70.59 грн
100+ 55.94 грн
500+ 44.5 грн
1000+ 36.25 грн
2000+ 34.12 грн
5000+ 31.97 грн
10000+ 30.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506-M3 vs-eth1506-m3.pdf
VS-ETH1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX0806FP-M3 vs-etx0806fpm3.pdf
VS-ETX0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.45 грн
50+ 58.54 грн
100+ 46.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETL0806FP-M3 vs-etl0806fpm3.pdf
VS-ETL0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH0806FP-M3 vs-eth0806fp-m3.pdf
VS-ETH0806FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 8A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+75.45 грн
10+ 59.44 грн
100+ 46.23 грн
500+ 36.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETX0806-M3 vs-etx0806-m3.pdf
VS-ETX0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.7 грн
50+ 54.03 грн
100+ 42.82 грн
500+ 34.06 грн
1000+ 27.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETL0806-M3 vs-etl0806-m3.pdf
VS-ETL0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 600 V
на замовлення 4489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.42 грн
50+ 54.54 грн
100+ 43.22 грн
500+ 34.38 грн
1000+ 28 грн
2000+ 26.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETH0806-M3 vs-eth0806m3.pdf
VS-ETH0806-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.7 грн
10+ 54.87 грн
100+ 42.67 грн
500+ 33.94 грн
1000+ 27.65 грн
2000+ 26.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-ETU3006-1-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-EPH3006-N3 vs-aph3006n3.pdf
VS-EPH3006-N3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.42 грн
25+ 293.13 грн
100+ 251.28 грн
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+21.43 грн
6000+ 19.55 грн
10000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETH3006-1-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
VS-ETH3006-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETU3006FP-M3 vs-etu3006fpm3.pdf
VS-ETU3006FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 30A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.09 грн
50+ 86.7 грн
100+ 71.34 грн
500+ 56.65 грн
1000+ 48.07 грн
2000+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETU1506FP-M3 vs-etu1506fpm3.pdf
VS-ETU1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.9 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.85 грн
10+ 74.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-ETH1506FP-M3 vs-eth1506fpm3.pdf
VS-ETH1506FP-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 600V 15A TO220-2FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.29 грн
50+ 74.22 грн
100+ 58.81 грн
500+ 46.78 грн
1000+ 38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506-M3 vs-etx1506-m3.pdf
VS-ETX1506-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETX1506-1-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
VS-ETX1506-1-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-262-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETH3006S-M3 vs-eth3006s-m3.pdf
VS-ETH3006S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120 грн
50+ 93.08 грн
100+ 76.58 грн
500+ 60.81 грн
1000+ 51.6 грн
2000+ 49.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.75 грн
6000+ 31.87 грн
10000+ 30.39 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-ETU3006S-M3 vs-etu3006s-m3.pdf
VS-ETU3006S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 70 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.15 грн
50+ 94.53 грн
100+ 77.78 грн
500+ 61.77 грн
1000+ 52.41 грн
2000+ 49.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETX1506S-M3 vs-etx1506s-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V
товар відсутній
VS-ETL1506S-M3 vs-etl1506s-m3.pdf
VS-ETL1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 210 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.03 грн
50+ 79.25 грн
100+ 62.81 грн
500+ 49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH1506S-M3 vs-eth1506s-m3.pdf
VS-ETH1506S-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 29 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V
на замовлення 6827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+102.75 грн
10+ 81.03 грн
100+ 63.01 грн
500+ 50.13 грн
1000+ 40.83 грн
2000+ 38.44 грн
5000+ 36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-5EWH06FNTR-M3 vs-5ewh06fn-m3.pdf
VS-5EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 42206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.77 грн
10+ 47.05 грн
100+ 32.58 грн
500+ 25.55 грн
1000+ 21.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 2000
VS-15EWH06FNTR-M3 vs-15ewh06fn-m3.pdf
VS-15EWH06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 6194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWL06FNTR-M3 vs-15ewl06fn-m3.pdf
VS-15EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 20473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-15EWX06FNTR-M3 vs-15ewx06fn-m3.pdf
VS-15EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.2 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 600 V
на замовлення 29215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.07 грн
10+ 66.22 грн
100+ 51.47 грн
500+ 40.95 грн
1000+ 33.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
VS-8EWL06FNTR-M3 vs-8ewl06fn-m3.pdf
VS-8EWL06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 3423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.98 грн
10+ 53.9 грн
100+ 41.93 грн
500+ 33.36 грн
1000+ 27.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
VS-8EWX06FNTR-M3 vs-8ewx06fn-m3.pdf
VS-8EWX06FNTR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.85 грн
10+ 61.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 61 122 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 244 305 366 427 488 549 610 612  [ Наступна Сторінка >> ]