Продукція > INFINEON > Всі товари виробника INFINEON (22440) > Сторінка 259 з 374

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 37 74 111 148 185 222 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 296 333 370 374  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLS3036-7PPBF IRLS3036-7PPBF INFINEON INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IPA80R900P7XKSA1 IPA80R900P7XKSA1 INFINEON 2327416.pdf Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.06 грн
10+ 96.61 грн
100+ 73.17 грн
500+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
AUIPS6031RTRL AUIPS6031RTRL INFINEON 2064119.pdf Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
AUIPS6031RTRL AUIPS6031RTRL INFINEON 2064119.pdf Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BGSX22G6U10E6327XTSA1 BGSX22G6U10E6327XTSA1 INFINEON 3328471.pdf Description: INFINEON - BGSX22G6U10E6327XTSA1 - HF-Switch, 400MHz bis 7.125GHz, PG-ULGA-10, 1.6V bis 3.6V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: PG-ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.64 грн
12+ 64.33 грн
100+ 49.35 грн
500+ 40.54 грн
1000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
SGP02N120XKSA1 SGP02N120XKSA1 INFINEON 1648178.pdf Description: INFINEON - SGP02N120XKSA1 - IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 6.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 62
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.48 грн
10+ 161.77 грн
100+ 129.56 грн
500+ 114.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR8743PBF IRLR8743PBF INFINEON 28241.pdf description Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IGW40N65H5FKSA1 IGW40N65H5FKSA1 INFINEON INFN-S-A0001300424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 255
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+261.37 грн
10+ 234.41 грн
100+ 160.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R125CFD7XKSA1 IPA60R125CFD7XKSA1 INFINEON 2643888.pdf Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.36 грн
10+ 193.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI90R1K2C3XKSA2 IPI90R1K2C3XKSA2 INFINEON 83160.pdf Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.54 грн
10+ 130.31 грн
100+ 104.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPA90R1K2C3XKSA2 IPA90R1K2C3XKSA2 INFINEON 83077.pdf Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.5 грн
10+ 138.55 грн
100+ 111.59 грн
500+ 84.15 грн
1000+ 62.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 INFINEON Infineon-Evaluation_board_EVAL_100W_DRIVE_CFD2_how_to_measure_motor_parameters-ATI-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece6705b33 Description: INFINEON - EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CFD-Superjunction-MOSFET, Motortreiber, 100W, BLDC, PMSM
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10950.78 грн
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.37 грн
50+ 73.24 грн
100+ 55.27 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR7540TRPBF IRFR7540TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.27 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
S29AL008J70TFI010 S29AL008J70TFI010 INFINEON S29AL008D_00.pdf Description: INFINEON - S29AL008J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.54 грн
10+ 116.08 грн
25+ 113.84 грн
50+ 102.92 грн
100+ 93.08 грн
250+ 92.44 грн
500+ 91.8 грн
1000+ 91.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
REFPSSICDP2TOBO1 REFPSSICDP2TOBO1 INFINEON 3049629.pdf Description: INFINEON - REFPSSICDP2TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC60H12AH/IMZ120R045M1, bipolare Stromversorgungsfunktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, bipolare Stromversorgung, 1EDC60H12AH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC60H12AH, IMZ120R045M1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4257.64 грн
REFPSSICDP1TOBO1 REFPSSICDP1TOBO1 INFINEON 3049629.pdf Description: INFINEON - REFPSSICDP1TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20I12MH/IMZ120R045M1, Miller-Clamp-Funktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, Miller-Clamp, 1EDC20I12MH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC20I12MH, IMZ120R045M1
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4210.45 грн
BSP317PH6327XTSA1 BSP317PH6327XTSA1 INFINEON INFNS19469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+73.24 грн
13+ 61.41 грн
100+ 38.57 грн
500+ 29.97 грн
1000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
BAT240AE6327HTSA1 BAT240AE6327HTSA1 INFINEON INFNS11227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT240AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Zwei in Reihe, 240 V, 400 mA, 900 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 900
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 240
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BAT240
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BAT240AE6327HTSA1 BAT240AE6327HTSA1 INFINEON INFNS11227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT240AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Zwei in Reihe, 240 V, 400 mA, 900 mV, 1 A, 125 °C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BAT68E6327HTSA1 BAT68E6327HTSA1 INFINEON INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+35.72 грн
27+ 28.76 грн
100+ 17.52 грн
500+ 12.17 грн
1000+ 8.47 грн
3000+ 8.28 грн
6000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.31 грн
23+ 32.73 грн
100+ 22.77 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 10.85 грн
5000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAT6804WH6327XTSA1 BAT6804WH6327XTSA1 INFINEON INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.77 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 10.85 грн
5000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
PVN012APBF PVN012APBF INFINEON 2290906.pdf Description: INFINEON - PVN012APBF - MOSFET-Relais, 20V DC, 4A, 0R05, SPST-NO
Relaisanschlüsse: PC-Pin
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
Lastspannung, max.: 20
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 4
Produktpalette: HEXFET PVN012
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 0.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282ZE3230AKSA2 INFINEON BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t Description: INFINEON - BTS282ZE3230AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 52 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.24 грн
5+ 483.81 грн
10+ 436.62 грн
50+ 370.66 грн
100+ 310.05 грн
250+ 303.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVT212SPBF PVT212SPBF INFINEON 2290907.pdf Description: INFINEON - PVT212SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 150 V, 550 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 150V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVT212PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+720.47 грн
5+ 640.33 грн
10+ 559.45 грн
50+ 493.06 грн
100+ 430.74 грн
250+ 383.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVT212PBF PVT212PBF INFINEON IRSDS10633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - PVT212PBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 150 V, 550 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 150V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVT212PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+585.66 грн
5+ 513.76 грн
10+ 469.58 грн
50+ 422.13 грн
100+ 376.82 грн
250+ 323.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPAN70R360P7SXKSA1 IPAN70R360P7SXKSA1 INFINEON Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3 Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+94.36 грн
11+ 71.45 грн
100+ 52.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPA70R360P7SXKSA1 IPA70R360P7SXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002815943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.61 грн
10+ 77.14 грн
100+ 56.84 грн
500+ 45.34 грн
1000+ 33.12 грн
5000+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF250P225 IRF250P225 INFINEON 2718799.pdf Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+496.54 грн
5+ 399.93 грн
10+ 303.31 грн
50+ 272.61 грн
100+ 242.65 грн
250+ 216.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF250P224 IRF250P224 INFINEON 2718798.pdf Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.009 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.17 грн
5+ 654.56 грн
10+ 554.95 грн
50+ 490.97 грн
100+ 430.74 грн
250+ 396.07 грн
IRG4PH20KPBF IRG4PH20KPBF INFINEON 140368.pdf Description: INFINEON - IRG4PH20KPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IDH08G65C6XKSA1 IDH08G65C6XKSA1 INFINEON 2343075.pdf Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.54 грн
10+ 250.14 грн
100+ 205.21 грн
500+ 164.12 грн
1000+ 148.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDW12G65C5XKSA1 IDW12G65C5XKSA1 INFINEON INFNS19611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+527.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDP30E120XKSA1 IDP30E120XKSA1 INFINEON INFNS14029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IDP30E120XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 380 ns, 102 A
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 102
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.15
Sperrverzögerungszeit: 380
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: IDP30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPA50R800CEXKSA2 IPA50R800CEXKSA2 INFINEON 2354534.pdf Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.4W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+57.67 грн
16+ 47.41 грн
100+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048 Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.76 грн
16+ 49.13 грн
100+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1607PBF IRF1607PBF INFINEON 2335168.pdf Description: INFINEON - IRF1607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 142 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 142
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON 696831.pdf Description: INFINEON - IR2214SSPBF - Halbbrückentreiber, 2A, 11.5V bis 20V, SSOP-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 11.5V
Quellstrom: 2A
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 440ns
Ausgabeverzögerung: 440ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+684.52 грн
10+ 573.68 грн
25+ 546.72 грн
100+ 376.92 грн
2200+ 327.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVX6012PBF PVX6012PBF INFINEON 2877082.pdf description Description: INFINEON - PVX6012PBF - MOSFET-Relais, 400V DC, 1A, SPST-NO
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 1A
Produktpalette: HEXFET PVX6012PBF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-14 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: -ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2301.45 грн
5+ 2040.82 грн
10+ 2003.37 грн
20+ 1823.42 грн
IRFH8318TR2PBF. IRFH8318TR2PBF. INFINEON 1911919.pdf Description: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 3 - 168 hours
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327XTSA1 INFINEON INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm
на замовлення 47740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.75 грн
35+ 21.64 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 3.93 грн
5000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
SPW55N80C3FKSA1 SPW55N80C3FKSA1 INFINEON 1849675.pdf Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.27 грн
5+ 943.65 грн
10+ 856.02 грн
50+ 751.06 грн
IRF6201TRPBF IRF6201TRPBF INFINEON 1303271.pdf Description: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF6201TRPBF IRF6201TRPBF INFINEON 1303271.pdf Description: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1 IKP40N65H5XKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299966-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.79 грн
10+ 264.37 грн
25+ 252.39 грн
100+ 207.93 грн
500+ 167.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLV49611TBXALA1 TLV49611TBXALA1 INFINEON INFN-S-A0001301377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - TLV49611TBXALA1 - Hall-Effekt-Schalter, Signalspeicher, 20 G, -20 G, 3 V, 26 V, TO-92
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Einschaltpunkt, typ.: 20G
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -20G
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: TO-92
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 26V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.93 грн
20+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFB7740PBF IRFB7740PBF INFINEON 1868657.pdf Description: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.57 грн
24+ 32.2 грн
100+ 21.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFP640FH6327XTSA1 BFP640FH6327XTSA1 INFINEON INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFP640FESDH6327XTSA1 BFP640FESDH6327XTSA1 INFINEON 1932476.pdf Description: INFINEON - BFP640FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 110
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 46
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CY7C1041G30-10ZSXI CY7C1041G30-10ZSXI INFINEON 2309588.pdf Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+688.26 грн
10+ 589.4 грн
25+ 576.67 грн
50+ 507.66 грн
100+ 442.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10ZSXIT CY7C1041GN30-10ZSXIT INFINEON 2309589.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 435.87 грн
50+ 386.66 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
500+ 313.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10ZSXIT CY7C1041GN30-10ZSXIT INFINEON 2309589.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+453.1 грн
25+ 435.87 грн
50+ 386.66 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
500+ 313.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
CY7C1041GN30-10ZSXI CY7C1041GN30-10ZSXI INFINEON 2309589.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.32 грн
10+ 402.92 грн
25+ 393.93 грн
50+ 347.72 грн
100+ 304.28 грн
250+ 295.93 грн
500+ 272.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041G30-10BVXI CY7C1041G30-10BVXI INFINEON 2675607.pdf Description: INFINEON - CY7C1041G30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 443.36 грн
50+ 390.14 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041G30-10ZSXE CY7C1041G30-10ZSXE INFINEON 2675607.pdf Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+719.72 грн
10+ 618.61 грн
25+ 603.63 грн
50+ 529.22 грн
100+ 459.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN-10ZSXI CY7C1041GN-10ZSXI INFINEON 2309589.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+545.97 грн
10+ 460.59 грн
25+ 451.6 грн
50+ 397.09 грн
100+ 345.36 грн
250+ 335.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10BVXI CY7C1041GN30-10BVXI INFINEON 2309589.pdf Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 397.68 грн
50+ 363.71 грн
100+ 329.95 грн
250+ 313.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4127PBF IRFP4127PBF INFINEON IRSD-S-A0000590632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.8 грн
10+ 259.13 грн
100+ 186.48 грн
500+ 169.68 грн
1000+ 152.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLS3036-7PPBF description INFN-S-A0004146155-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLS3036-7PPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLS3036-7PPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 180 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IPA80R900P7XKSA1 2327416.pdf
IPA80R900P7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA80R900P7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+131.06 грн
10+ 96.61 грн
100+ 73.17 грн
500+ 56.12 грн
Мінімальне замовлення: 6
AUIPS6031RTRL 2064119.pdf
AUIPS6031RTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
Durchlasswiderstand: 0.046
Überhitzungsschutz: Ja
Strombegrenzung: 16
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Polarität der Eingänge On / Enable: -
Leistungsschaltertyp: High-Side
Eingangsspannung: 5.5
Anzahl der Pins: 5
Produktpalette: -
Bauform - Leistungsverteilungsschalter: TO-252 (DPAK)
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
AUIPS6031RTRL 2064119.pdf
AUIPS6031RTRL
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AUIPS6031RTRL - IC, Leistungsverteilungsschalter, High-Side, 1 Ausgang, 5.5Vin, 16A, 0.046 Ohm, TO-252-5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BGSX22G6U10E6327XTSA1 3328471.pdf
BGSX22G6U10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BGSX22G6U10E6327XTSA1 - HF-Switch, 400MHz bis 7.125GHz, PG-ULGA-10, 1.6V bis 3.6V
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Bauform - HF-IC: PG-ULGA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 5A991.g
Frequenz, min.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 7.125GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+75.64 грн
12+ 64.33 грн
100+ 49.35 грн
500+ 40.54 грн
1000+ 30.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
SGP02N120XKSA1 1648178.pdf
SGP02N120XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SGP02N120XKSA1 - IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1
DC-Kollektorstrom: 6.2
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 62
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+189.48 грн
10+ 161.77 грн
100+ 129.56 грн
500+ 114.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLR8743PBF description 28241.pdf
IRLR8743PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8743PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 160 A, 0.0031 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 160
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 135
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.9
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IGW40N65H5FKSA1 INFN-S-A0001300424-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IGW40N65H5FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IGW40N65H5FKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65
DC-Kollektorstrom: 40
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650
Verlustleistung Pd: 255
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+261.37 грн
10+ 234.41 грн
100+ 160.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPA60R125CFD7XKSA1 2643888.pdf
IPA60R125CFD7XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA60R125CFD7XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.104 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+270.36 грн
10+ 193.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPI90R1K2C3XKSA2 83160.pdf
IPI90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPI90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900
Dauer-Drainstrom Id: 5.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 83
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: CoolMOS C3
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.94
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.54 грн
10+ 130.31 грн
100+ 104.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IPA90R1K2C3XKSA2 83077.pdf
IPA90R1K2C3XKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA90R1K2C3XKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 5.1 A, 0.94 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.94ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+174.5 грн
10+ 138.55 грн
100+ 111.59 грн
500+ 84.15 грн
1000+ 62.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 Infineon-Evaluation_board_EVAL_100W_DRIVE_CFD2_how_to_measure_motor_parameters-ATI-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece6705b33
EVAL100WDRIVECFD2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - EVAL100WDRIVECFD2TOBO1 - Evaluationsboard, CoolMOS-CFD-Superjunction-MOSFET, Motortreiber, 100W, BLDC, PMSM
tariffCode: 84733020
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10950.78 грн
IRFR7540TRPBF INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.37 грн
50+ 73.24 грн
100+ 55.27 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRFR7540TRPBF INFN-S-A0012813702-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFR7540TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFR7540TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.004 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
на замовлення 6692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+55.27 грн
500+ 46.25 грн
1000+ 38.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
S29AL008J70TFI010 S29AL008D_00.pdf
S29AL008J70TFI010
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - S29AL008J70TFI010 - Flash-Speicher, Parallel-NOR, 8 Mbit, 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit, CFI, TSOP, 48 Pin(s)
tariffCode: 85423261
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Flash-Speicher: Parallel-NOR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
Speicherdichte: 8Mbit
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 70ns
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.7V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Schnittstellen: CFI
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 1M x 8 Bit / 512K x 16 Bit
на замовлення 2238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+147.54 грн
10+ 116.08 грн
25+ 113.84 грн
50+ 102.92 грн
100+ 93.08 грн
250+ 92.44 грн
500+ 91.8 грн
1000+ 91.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
REFPSSICDP2TOBO1 3049629.pdf
REFPSSICDP2TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFPSSICDP2TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC60H12AH/IMZ120R045M1, bipolare Stromversorgungsfunktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, bipolare Stromversorgung, 1EDC60H12AH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC60H12AH, IMZ120R045M1
Produktpalette: -
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4257.64 грн
REFPSSICDP1TOBO1 3049629.pdf
REFPSSICDP1TOBO1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - REFPSSICDP1TOBO1 - Evaluationsboard, 1EDC20I12MH/IMZ120R045M1, Miller-Clamp-Funktion, SiC-MOSFET
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Power-Management
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Referenzdesign-Tochterplatine, Miller-Clamp, 1EDC20I12MH, 2x IMZ120R045M1
Prozessorhersteller: Infineon
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: SiC­MOSFET
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: 1EDC20I12MH, IMZ120R045M1
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4210.45 грн
BSP317PH6327XTSA1 INFNS19469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSP317PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP317PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 430 mA, 3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+73.24 грн
13+ 61.41 грн
100+ 38.57 грн
500+ 29.97 грн
1000+ 21.38 грн
Мінімальне замовлення: 11
BAT240AE6327HTSA1 INFNS11227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT240AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT240AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Zwei in Reihe, 240 V, 400 mA, 900 mV, 1 A, 125 °C
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 1
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 900
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 400
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 240
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: BAT240
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BAT240AE6327HTSA1 INFNS11227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT240AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT240AE6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, AEC-Q101, Zwei in Reihe, 240 V, 400 mA, 900 mV, 1 A, 125 °C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BAT68E6327HTSA1 INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT68E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT68E6327HTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+35.72 грн
27+ 28.76 грн
100+ 17.52 грн
500+ 12.17 грн
1000+ 8.47 грн
3000+ 8.28 грн
6000+ 8.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
BAT6804WH6327XTSA1 INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+42.31 грн
23+ 32.73 грн
100+ 22.77 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 10.85 грн
5000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
BAT6804WH6327XTSA1 INFNS15410-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAT6804WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BAT6804WH6327XTSA1 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zwei in Reihe, 8 V, 130 mA, 500 mV, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: -A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zwei in Reihe
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
Sperrverzögerungszeit: -ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 130mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 8V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT68
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.77 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 10.85 грн
5000+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
PVN012APBF 2290906.pdf
PVN012APBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVN012APBF - MOSFET-Relais, 20V DC, 4A, 0R05, SPST-NO
Relaisanschlüsse: PC-Pin
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1
Durchlassstrom If: 25
Isolationsspannung: 4
Lasttyp: AC/DC
Lastspannung, max.: 20
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 4
Produktpalette: HEXFET PVN012
I/O-Kapazität: 1
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 0.05
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z_DS_13.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a3043405f2978014071d29660203c&ack=t
BTS282ZE3230AKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BTS282ZE3230AKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 49 V, 52 A, 0.0058 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 49V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TEMPFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+530.24 грн
5+ 483.81 грн
10+ 436.62 грн
50+ 370.66 грн
100+ 310.05 грн
250+ 303.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVT212SPBF 2290907.pdf
PVT212SPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT212SPBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 150 V, 550 mA, DIP-6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: Gull-Wing
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 150V
Relaismontage: Oberflächenmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVT212PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Durchlasswiderstand, max.: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+720.47 грн
5+ 640.33 грн
10+ 559.45 грн
50+ 493.06 грн
100+ 430.74 грн
250+ 383.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVT212PBF IRSDS10633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PVT212PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVT212PBF - MOSFET-Relais, SPST-NO (1 Form A), AC/DC, 150 V, 550 mA, DIP-6, Durchsteckmontage
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 1µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 4kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 150V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 550mA
Produktpalette: HEXFET PVT212PbF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-6
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+585.66 грн
5+ 513.76 грн
10+ 469.58 грн
50+ 422.13 грн
100+ 376.82 грн
250+ 323.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPAN70R360P7SXKSA1 Infineon-IPAN70R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015ad1977e2820c3
IPAN70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPAN70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+94.36 грн
11+ 71.45 грн
100+ 52.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
IPA70R360P7SXKSA1 INFN-S-A0002815943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPA70R360P7SXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA70R360P7SXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.5W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 6209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+99.61 грн
10+ 77.14 грн
100+ 56.84 грн
500+ 45.34 грн
1000+ 33.12 грн
5000+ 31.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF250P225 2718799.pdf
IRF250P225
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF250P225 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 69 A, 0.018 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 313W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+496.54 грн
5+ 399.93 грн
10+ 303.31 грн
50+ 272.61 грн
100+ 242.65 грн
250+ 216.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF250P224 2718798.pdf
IRF250P224
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF250P224 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 128 A, 0.009 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
на замовлення 4194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+754.17 грн
5+ 654.56 грн
10+ 554.95 грн
50+ 490.97 грн
100+ 430.74 грн
250+ 396.07 грн
IRG4PH20KPBF 140368.pdf
IRG4PH20KPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRG4PH20KPBF - IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.17
DC-Kollektorstrom: 11
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247AC
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Verlustleistung Pd: 60
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: IRG4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IDH08G65C6XKSA1 2343075.pdf
IDH08G65C6XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDH08G65C6XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 20 A, 12.2 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 12.2nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: CoolSiC 6G 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+320.54 грн
10+ 250.14 грн
100+ 205.21 грн
500+ 164.12 грн
1000+ 148.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
IDW12G65C5XKSA1 INFNS19611-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDW12G65C5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDW12G65C5XKSA1 - SiC-Schottky-Diode, thinQ Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 18 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 18nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: thinQ Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+527.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
IDP30E120XKSA1 INFNS14029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IDP30E120XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IDP30E120XKSA1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1.2 kV, 50 A, Einfach, 2.15 V, 380 ns, 102 A
Bauform - Diode: TO-220
Durchlassstoßstrom: 102
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.15
Sperrverzögerungszeit: 380
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 50
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: IDP30
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товар відсутній
IPA50R800CEXKSA2 2354534.pdf
IPA50R800CEXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R800CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.6 A, 0.72 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.4W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+57.67 грн
16+ 47.41 грн
100+ 35.42 грн
Мінімальне замовлення: 13
IPA50R950CEXKSA2 Infineon-IPA50R950CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013851892deb1048
IPA50R950CEXKSA2
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPA50R950CEXKSA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.86 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25.7W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.86ohm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+59.76 грн
16+ 49.13 грн
100+ 31.38 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF1607PBF 2335168.pdf
IRF1607PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1607PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 142 A, 0.0058 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 142
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 380
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0058
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IR2214SSPBF 696831.pdf
IR2214SSPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IR2214SSPBF - Halbbrückentreiber, 2A, 11.5V bis 20V, SSOP-24
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 3A
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SSOP
Eingang: Nicht invertierend
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 11.5V
Quellstrom: 2A
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SSOP
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 440ns
Ausgabeverzögerung: 440ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+684.52 грн
10+ 573.68 грн
25+ 546.72 грн
100+ 376.92 грн
2200+ 327.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
PVX6012PBF description 2877082.pdf
PVX6012PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - PVX6012PBF - MOSFET-Relais, 400V DC, 1A, SPST-NO
tariffCode: 85364900
rohsCompliant: YES
Relaisanschlüsse: PC-Pin
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Leckstrom im ausgeschalteten Zustand, max.: 10µA
Durchlassstrom If: 25mA
Isolationsspannung: 3.75kV
Lasttyp: AC/DC
euEccn: NLR
Lastspannung, max.: 400V
Relaismontage: Durchsteckmontage
Kontaktform: SPST-NO (1 Form A)
Laststrom: 1A
Produktpalette: HEXFET PVX6012PBF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
I/O-Kapazität: 1pF
Bauform MOSFET-Relais: DIP-14 (4 Pins verwendet)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
Durchlasswiderstand, max.: -ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2301.45 грн
5+ 2040.82 грн
10+ 2003.37 грн
20+ 1823.42 грн
IRFH8318TR2PBF. 1911919.pdf
IRFH8318TR2PBF.
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 3 - 168 hours
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BSS316NH6327XTSA1 INFNS15448-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSS316NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSS316NH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.4 A, 0.119 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.119ohm
на замовлення 47740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+31.75 грн
35+ 21.64 грн
100+ 8.39 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 3.93 грн
5000+ 3.47 грн
Мінімальне замовлення: 24
SPW55N80C3FKSA1 1849675.pdf
SPW55N80C3FKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 850V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1031.27 грн
5+ 943.65 грн
10+ 856.02 грн
50+ 751.06 грн
IRF6201TRPBF 1303271.pdf
IRF6201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.1
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IRF6201TRPBF 1303271.pdf
IRF6201TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6201TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 27 A, 0.0019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
IKP40N65H5XKSA1 INFN-S-A0001299966-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IKP40N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IKP40N65H5XKSA1 - IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 255W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+322.79 грн
10+ 264.37 грн
25+ 252.39 грн
100+ 207.93 грн
500+ 167.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
TLV49611TBXALA1 INFN-S-A0001301377-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TLV49611TBXALA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - TLV49611TBXALA1 - Hall-Effekt-Schalter, Signalspeicher, 20 G, -20 G, 3 V, 26 V, TO-92
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Signalspeicher
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Einschaltpunkt, typ.: 20G
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: -20G
Versorgungsspannung, min.: 3V
Bauform - Sensor: TO-92
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3 Pins
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 26V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.93 грн
20+ 37.75 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRFB7740PBF 1868657.pdf
IRFB7740PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFB7740PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 85 A, 0.0073 ohm, TO-2220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 85
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 143
Bauform - Transistor: TO-2220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0073
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3.7
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
BFP640FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+41.57 грн
24+ 32.2 грн
100+ 21.42 грн
Мінімальне замовлення: 19
BFP640FH6327XTSA1 INFN-S-A0009690746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFP640FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 42 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.1V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 42GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFP640FESDH6327XTSA1 1932476.pdf
BFP640FESDH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFP640FESDH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 4.1 V, 46 GHz, 200 mW, 50 mA, TSFP
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 110
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - HF-Transistor: TSFP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 4.1
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 50
Übergangsfrequenz: 46
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
CY7C1041G30-10ZSXI 2309588.pdf
CY7C1041G30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+688.26 грн
10+ 589.4 грн
25+ 576.67 грн
50+ 507.66 грн
100+ 442.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10ZSXIT 2309589.pdf
CY7C1041GN30-10ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 435.87 грн
50+ 386.66 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
500+ 313.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10ZSXIT 2309589.pdf
CY7C1041GN30-10ZSXIT
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXIT - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+453.1 грн
25+ 435.87 грн
50+ 386.66 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
500+ 313.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
CY7C1041GN30-10ZSXI 2309589.pdf
CY7C1041GN30-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+476.32 грн
10+ 402.92 грн
25+ 393.93 грн
50+ 347.72 грн
100+ 304.28 грн
250+ 295.93 грн
500+ 272.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041G30-10BVXI 2675607.pdf
CY7C1041G30-10BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041G30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 443.36 грн
50+ 390.14 грн
100+ 340.23 грн
250+ 329.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041G30-10ZSXE 2675607.pdf
CY7C1041G30-10ZSXE
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041G30-10ZSXE - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+719.72 грн
10+ 618.61 грн
25+ 603.63 грн
50+ 529.22 грн
100+ 459.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN-10ZSXI 2309589.pdf
CY7C1041GN-10ZSXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN-10ZSXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 4.5 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: 5V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+545.97 грн
10+ 460.59 грн
25+ 451.6 грн
50+ 397.09 грн
100+ 345.36 грн
250+ 335.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
CY7C1041GN30-10BVXI 2309589.pdf
CY7C1041GN30-10BVXI
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - CY7C1041GN30-10BVXI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 256K x 16 Bit, VFBGA, 48 Pin(s), 2.2 V
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: VFBGA
Speicherdichte: 4Mbit
usEccn: 3A991.b.2.a
Versorgungsspannung, nom.: 3V
Taktfrequenz, max.: -MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 256K x 16 Bit
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+538.48 грн
10+ 453.1 грн
25+ 397.68 грн
50+ 363.71 грн
100+ 329.95 грн
250+ 313.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFP4127PBF IRSD-S-A0000590632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFP4127PBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFP4127PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 75 A, 0.017 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 341W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+313.8 грн
10+ 259.13 грн
100+ 186.48 грн
500+ 169.68 грн
1000+ 152.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 37 74 111 148 185 222 254 255 256 257 258 259 260 261 262 263 264 296 333 370 374  Наступна Сторінка >> ]