Результат пошуку "4n65" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BXP4N65D | BRIDGELUX |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BXP4N65D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BXP4N65F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 37W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
BXP4N65U | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.8Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXFA34N65X3 | IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO |
на замовлення 371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFH34N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 164ns |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFH34N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Power dissipation: 540W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 56nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 164ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 221 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFH34N65X2 | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IXFH34N65X2 | IXYS |
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2 |
на замовлення 2105 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFH34N65X3 | IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFH54N65X3 | IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO |
на замовлення 630 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP34N65X2 | IXYS |
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class |
на замовлення 614 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP34N65X2M | IXYS |
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220 |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXFP34N65X3 | IXYS |
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO |
на замовлення 749 шт: термін постачання 245-254 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTA4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTH34N65X2 | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTH64N65X | IXYS |
MOSFET 650V/64A Power MOSFET |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP24N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 56 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP24N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP24N65X2M | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP34N65X2 | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP4N65X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 525 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTQ34N65X2M | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF Mounting: THT Power dissipation: 40W Case: TO3PF Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 48A Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A On-state resistance: 96mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 54nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTQ34N65X2M | IXYS |
MOSFET MSFT 34A 650V X2 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: X2-Class Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4A Power dissipation: 80W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 160ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTY4N65X2 | IXYS |
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44 |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTMT064N65S3H | onsemi |
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET |
на замовлення 6401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHB24N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHB24N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHB24N65EFT1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 650V |
на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHF074N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHG24N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiHG44N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiHG64N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiHH14N65E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiHH24N65EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHP054N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHP074N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SiHP24N65E-E3 | Vishay Semiconductors |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIHP24N65E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQW44N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI |
на замовлення 4830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
STF24N65M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP34N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 |
на замовлення 1508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW34N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5 |
на замовлення 884 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TK14N65W,S1F | Toshiba |
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
TRS24N65FB,S1Q | Toshiba |
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMF04N65C2 | WAYON |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 4.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMP04N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 3A Power dissipation: 29W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 598 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMP14N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
WMP14N65C2 | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251 Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ C2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 85W Case: TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 405mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LQH4N652K04M00 | MURATA | 02+ |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
| BXP4N65D |
|
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 11.86 грн |
| 90+ | 9.36 грн |
| 240+ | 8.85 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| BXP4N65D |
|
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.14 грн |
| 25+ | 14.78 грн |
| 90+ | 11.23 грн |
| 240+ | 10.62 грн |
| 500+ | 10.57 грн |
| 2500+ | 10.24 грн |
| BXP4N65F |
|
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| BXP4N65U |
|
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
| IXFA34N65X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 604.45 грн |
| 50+ | 475.58 грн |
| 100+ | 370.26 грн |
| 500+ | 364.27 грн |
| IXFH34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 489.31 грн |
| 3+ | 332.97 грн |
| 7+ | 314.93 грн |
| IXFH34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 587.18 грн |
| 3+ | 414.93 грн |
| 7+ | 377.92 грн |
| IXFH34N65X2 |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| IXFH34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 589.69 грн |
| 10+ | 498.55 грн |
| 30+ | 393.57 грн |
| 120+ | 362.27 грн |
| IXFH34N65X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 527.53 грн |
| 10+ | 445.71 грн |
| 30+ | 367.6 грн |
| 120+ | 324.31 грн |
| IXFH54N65X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 876.37 грн |
| 10+ | 761.23 грн |
| 30+ | 643.96 грн |
| 60+ | 608 грн |
| 120+ | 606 грн |
| IXFP34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 491.79 грн |
| 10+ | 484 грн |
| 50+ | 336.3 грн |
| IXFP34N65X2M |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 527.53 грн |
| 10+ | 445.71 грн |
| 50+ | 350.95 грн |
| 100+ | 322.98 грн |
| 250+ | 303.67 грн |
| 500+ | 281.02 грн |
| IXFP34N65X3 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 245-254 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 593.57 грн |
| 10+ | 584.33 грн |
| 50+ | 405.55 грн |
| IXTA4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.74 грн |
| 4+ | 105.44 грн |
| 9+ | 94.34 грн |
| IXTA4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 153.29 грн |
| 3+ | 131.39 грн |
| 9+ | 113.21 грн |
| 24+ | 106.55 грн |
| 50+ | 105.72 грн |
| IXTH34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 517.43 грн |
| 10+ | 437.29 грн |
| 30+ | 344.95 грн |
| 120+ | 316.32 грн |
| 270+ | 304.33 грн |
| IXTH64N65X |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1040.3 грн |
| 10+ | 903.67 грн |
| 30+ | 721.87 грн |
| 60+ | 721.21 грн |
| 120+ | 697.9 грн |
| 270+ | 627.31 грн |
| 510+ | 607.33 грн |
| IXTP24N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.2 грн |
| 3+ | 350.96 грн |
| 4+ | 263.88 грн |
| 11+ | 248.89 грн |
| IXTP24N65X2M |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.03 грн |
| 3+ | 277.48 грн |
| 5+ | 203.94 грн |
| 13+ | 193.12 грн |
| IXTP24N65X2M |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.52 грн |
| 10+ | 281.06 грн |
| 50+ | 236.41 грн |
| 100+ | 197.78 грн |
| 250+ | 191.79 грн |
| 500+ | 176.47 грн |
| 1000+ | 152.5 грн |
| IXTP34N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 476.25 грн |
| 10+ | 402.06 грн |
| 50+ | 331.64 грн |
| 100+ | 291.01 грн |
| 250+ | 288.35 грн |
| 500+ | 257.05 грн |
| 1000+ | 237.07 грн |
| IXTP4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.72 грн |
| 4+ | 110.99 грн |
| 9+ | 91.57 грн |
| 25+ | 86.71 грн |
| 300+ | 83.94 грн |
| IXTP4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 525 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.46 грн |
| 3+ | 138.31 грн |
| 9+ | 109.88 грн |
| 25+ | 104.05 грн |
| 300+ | 100.72 грн |
| IXTQ34N65X2M |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 724.33 грн |
| 2+ | 502.24 грн |
| 3+ | 482.8 грн |
| 6+ | 457 грн |
| IXTQ34N65X2M |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 34A 650V X2
MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 724.87 грн |
| 10+ | 611.89 грн |
| 30+ | 482.14 грн |
| 120+ | 442.85 грн |
| 270+ | 403.56 грн |
| 510+ | 386.24 грн |
| 1020+ | 370.26 грн |
| IXTY4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 115.04 грн |
| 5+ | 95.03 грн |
| 10+ | 87.4 грн |
| 20+ | 86.02 грн |
| 26+ | 82.55 грн |
| IXTY4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 138.05 грн |
| 5+ | 118.43 грн |
| 10+ | 104.88 грн |
| 20+ | 103.22 грн |
| 26+ | 99.06 грн |
| 70+ | 96.56 грн |
| IXTY4N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 191.9 грн |
| 10+ | 157.76 грн |
| 70+ | 108.55 грн |
| 560+ | 103.89 грн |
| NTMT064N65S3H |
|
Виробник: onsemi
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 6401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 639.41 грн |
| 10+ | 540.67 грн |
| 25+ | 427.53 грн |
| 100+ | 391.57 грн |
| 250+ | 368.26 грн |
| 500+ | 345.62 грн |
| 1000+ | 310.99 грн |
| SIHB24N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 411.77 грн |
| 10+ | 346.15 грн |
| 25+ | 244.4 грн |
| 100+ | 218.43 грн |
| 250+ | 213.1 грн |
| 500+ | 199.11 грн |
| 1000+ | 178.47 грн |
| SIHB24N65EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 417.99 грн |
| 10+ | 346.15 грн |
| 25+ | 284.35 грн |
| 100+ | 243.07 грн |
| 250+ | 229.75 грн |
| 500+ | 217.09 грн |
| 1000+ | 184.46 грн |
| SIHB24N65EFT1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 417.99 грн |
| 10+ | 346.15 грн |
| 25+ | 284.35 грн |
| 100+ | 245.73 грн |
| 800+ | 208.44 грн |
| SIHF074N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 546.18 грн |
| 10+ | 461.79 грн |
| 25+ | 364.27 грн |
| 100+ | 334.3 грн |
| 250+ | 314.32 грн |
| 500+ | 295.01 грн |
| 1000+ | 265.71 грн |
| SIHG24N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 181.8 грн |
| SIHG24N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 425.75 грн |
| 10+ | 352.28 грн |
| 25+ | 263.71 грн |
| 100+ | 229.75 грн |
| 250+ | 223.75 грн |
| 500+ | 206.44 грн |
| 1000+ | 183.13 грн |
| SiHG44N65EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 683.69 грн |
| 10+ | 578.2 грн |
| 25+ | 456.17 грн |
| 100+ | 419.54 грн |
| 250+ | 394.23 грн |
| 500+ | 365.6 грн |
| 1000+ | 354.28 грн |
| SiHG64N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 926.87 грн |
| 10+ | 804.88 грн |
| 25+ | 681.25 грн |
| 50+ | 646.62 грн |
| 100+ | 602.01 грн |
| 250+ | 586.69 грн |
| 500+ | 544.07 грн |
| SiHH14N65E-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 366.71 грн |
| 10+ | 303.27 грн |
| 25+ | 249.06 грн |
| 100+ | 213.77 грн |
| 250+ | 201.11 грн |
| 500+ | 189.79 грн |
| 1000+ | 162.49 грн |
| SiHH24N65EF-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 538.41 грн |
| 10+ | 454.9 грн |
| 25+ | 358.27 грн |
| 100+ | 329.64 грн |
| 250+ | 310.33 грн |
| 500+ | 290.35 грн |
| 1000+ | 264.38 грн |
| SIHP054N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 58 mohm a. 10V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 592.02 грн |
| 10+ | 500.08 грн |
| 25+ | 393.57 грн |
| 100+ | 362.27 грн |
| 250+ | 340.96 грн |
| 500+ | 327.64 грн |
| 1000+ | 277.7 грн |
| SIHP074N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220AB, 79 mohm a. 10V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 554.72 грн |
| 10+ | 468.69 грн |
| 25+ | 368.93 грн |
| 100+ | 339.63 грн |
| 250+ | 319.65 грн |
| 500+ | 299.67 грн |
| 1000+ | 269.7 грн |
| SiHP24N65E-E3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 397.01 грн |
| 10+ | 328.54 грн |
| 25+ | 229.08 грн |
| 100+ | 207.77 грн |
| 250+ | 199.11 грн |
| 500+ | 191.12 грн |
| 1000+ | 175.14 грн |
| SIHP24N65E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 404.78 грн |
| 10+ | 334.67 грн |
| 100+ | 235.74 грн |
| 500+ | 209.1 грн |
| 1000+ | 181.13 грн |
| SQW44N65EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI
MOSFET E SERIES PWR W/FAST BODY DI
на замовлення 4830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.42 грн |
| 10+ | 450.31 грн |
| 25+ | 376.25 грн |
| 100+ | 326.31 грн |
| 250+ | 315.65 грн |
| 480+ | 287.68 грн |
| 960+ | 267.71 грн |
| STF24N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 184.52 грн |
| 8+ | 110.99 грн |
| 20+ | 104.75 грн |
| STF24N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 221.42 грн |
| 8+ | 138.31 грн |
| 20+ | 125.7 грн |
| 500+ | 124.03 грн |
| 1000+ | 120.7 грн |
| STF24N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| STF24N65M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.185 Ohm typ 16 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.89 грн |
| 10+ | 183.8 грн |
| 25+ | 137.18 грн |
| 100+ | 117.87 грн |
| 500+ | 105.22 грн |
| 1000+ | 91.23 грн |
| 2000+ | 85.91 грн |
| STP34N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 1508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 365.15 грн |
| 10+ | 355.34 грн |
| 25+ | 251.06 грн |
| 100+ | 231.08 грн |
| 250+ | 210.44 грн |
| 500+ | 207.11 грн |
| 1000+ | 187.13 грн |
| STW34N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
MOSFET N-Ch 650 V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 453.72 грн |
| 10+ | 376.79 грн |
| 25+ | 201.11 грн |
| 100+ | 200.45 грн |
| 250+ | 195.12 грн |
| 600+ | 191.12 грн |
| 1200+ | 189.13 грн |
| TK14N65W,S1F |
|
Виробник: Toshiba
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
MOSFET MOSFET NChannel 0.22ohm DTMOS
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 215.21 грн |
| 10+ | 185.33 грн |
| 30+ | 156.49 грн |
| 120+ | 132.52 грн |
| 270+ | 128.53 грн |
| 510+ | 117.2 грн |
| 1020+ | 99.22 грн |
| TRS24N65FB,S1Q |
|
Виробник: Toshiba
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 542.29 грн |
| 10+ | 384.44 грн |
| 120+ | 331.64 грн |
| 270+ | 292.35 грн |
| 510+ | 263.04 грн |
| 1020+ | 251.06 грн |
| WMF04N65C2 |
|
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 32.12 грн |
| 14+ | 26.36 грн |
| 16+ | 22.27 грн |
| 25+ | 19.56 грн |
| 53+ | 15.19 грн |
| 146+ | 14.36 грн |
| WMF04N65C2 |
|
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 4.6W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 4.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 38.55 грн |
| 8+ | 32.85 грн |
| 10+ | 26.72 грн |
| 25+ | 23.47 грн |
| 53+ | 18.23 грн |
| 146+ | 17.23 грн |
| WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 53.04 грн |
| 19+ | 18.45 грн |
| 25+ | 16.58 грн |
| 57+ | 14.29 грн |
| 155+ | 13.53 грн |
| WMP04N65C2 |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 3A; 29W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 3A
Power dissipation: 29W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.65 грн |
| 12+ | 22.99 грн |
| 25+ | 19.89 грн |
| 57+ | 17.15 грн |
| 155+ | 16.23 грн |
| WMP14N65C2 |
|
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 56.78 грн |
| 8+ | 47.31 грн |
| 22+ | 36.56 грн |
| WMP14N65C2 |
|
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 11A; 85W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 85W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 405mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 68.13 грн |
| 5+ | 58.95 грн |
| 22+ | 43.87 грн |
| 61+ | 41.54 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]