Продукція > SIR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR-0030Smiths InterconnectEXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE
товар відсутній
SIR-0030Smiths InterconnectEXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT WITH TIMESMICROWAVE LMR-240-75 CABLE
товар відсутній
SIR-023Smiths InterconnectEXTRACTION TOOL, SPECIAL #8 CONTACT REAR RELEASE,
товар відсутній
SIR-027Smiths InterconnectRemoval Tool
товар відсутній
SIR-027Smiths InterconnectRemoval Tool
товар відсутній
SIR-038Smiths InterconnectREMOVAL TOOL, SPECIAL #8 TWINAX/QUADRAX
товар відсутній
SIR-22ST3FROHM04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-22UT3FROHM04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-312STT32ROHMDIP-2
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-312STT32MRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIR-312STT32NRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIR-312STT32PRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIR-320ST3FROHM SemiconductorInfrared Emitters FLAT SIDE IR EMITTER
на замовлення 1036 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR-320ST3FRohm SemiconductorDescription: SIR-320ST3F
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
SIR-320ST3FFROHM SemiconductorInfrared Emitters IR 940nm GaAs LED 100mW Po; 18deg
товар відсутній
SIR-320ST3FFRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 940NM 75MA T-1
Packaging: Bulk
Package / Case: T-1
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.2V
Viewing Angle: 36°
Current - DC Forward (If) (Max): 75mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Obsolete
товар відсутній
SIR-320ST3FLRohm SemiconductorDescription: SIR-320ST3FL
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
SIR-320ST3FMRohm SemiconductorDescription: SIR-320ST3FM
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
SIR-320ST3FNRohm SemiconductorDescription: SIR-320ST3FN
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
SIR-320ST3FPRohm SemiconductorDescription: SIR-320ST3FP
Packaging: Bulk
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
SIR-33ST3FKRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-33ST3FLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-33ST3FMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-341ST3FROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-341ST3FFRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 940NM 75MA T-1
товар відсутній
SIR-341ST3FFLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-341ST3FFMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-341ST3FFNRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-341ST3FFPRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-34ST3FRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 950NM 100MA T-1
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.77 грн
10+ 35.63 грн
100+ 23.35 грн
1000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR-34ST3F
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-34ST3FROHM SemiconductorInfrared Emitters IR EMITTER FOR REMOTE CONTROLLER
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 38.04 грн
100+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR-381SBROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-381SB3F
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-381SB3FX1
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-481ST3FFLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3FFMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3FLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3FMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3FNRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3HLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-481ST3HMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-48IT3(P)
на замовлення 4574 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-505STA47ROHM SemiconductorInfrared Emitters CLEAR REMOTE IR EMIT DIRECT MOUNTING TYP
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+51.15 грн
10+ 33.54 грн
100+ 19.26 грн
1000+ 14.88 грн
2000+ 13.48 грн
10000+ 12.09 грн
24000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR-505STA47ROHM04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-505STA47Rohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.38V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SIR-505STA47FRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
товар відсутній
SIR-563ST3FROHM04+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-563ST3FROHM SemiconductorInfrared Emitters IR LED HIGH OUTPUT
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.56 грн
10+ 42.4 грн
100+ 24.18 грн
500+ 22.92 грн
1000+ 19.06 грн
2000+ 17.8 грн
10000+ 16.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR-563ST3FRohm SemiconductorDescription: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8.2mW/sr @ 50mA
Part Status: Active
товар відсутній
SIR-563ST3FMROHM SemiconductorInfrared Emitters IR 940nm GaAs LED 11mW Po; 15deg
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.79 грн
10+ 35.29 грн
100+ 20.13 грн
500+ 19.13 грн
1000+ 15.88 грн
2000+ 14.75 грн
10000+ 14.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR-563ST3FNRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 940NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 940nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.34V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 9mW/sr @ 50mA
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.51 грн
10+ 39.16 грн
100+ 25.64 грн
1000+ 19 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR-563ST3FX
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-563STT32Z1PRohm SemiconductorDescription: SIR-563STT32Z1P
Packaging: Bulk
товар відсутній
SIR-568ST3FROHM SemiconductorInfrared Emitters IR LED HIGH SPEED
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.39 грн
10+ 129.86 грн
100+ 87.02 грн
500+ 78.38 грн
1000+ 68.42 грн
5000+ 63.04 грн
10000+ 62.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR-568ST3FRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 850NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 850nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.6V
Viewing Angle: 26°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 18mW/sr @ 50mA
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR-568ST3FFPRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-568ST3FFQRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-568ST3FFRRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-568ST3FFSRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-56ST3FROHM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-56ST3FRohm SemiconductorDescription: INFRARED LIGHT EMITTING DIODES T
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Active
товар відсутній
SIR-56ST3FROHM SemiconductorInfrared Emitters IR LED FOR REMOTE CONTROLLER
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.13 грн
10+ 37.89 грн
100+ 32.42 грн
500+ 31.49 грн
1000+ 19.06 грн
2000+ 18.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR-56ST3FFRohm SemiconductorDescription: EMITTER IR 950NM 100MA T 1 3/4
Packaging: Bulk
Package / Case: T 1 3/4
Wavelength: 950nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 50mA
Part Status: Active
на замовлення 2274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.05 грн
10+ 35.22 грн
100+ 23.06 грн
1000+ 17.08 грн
2000+ 15.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR-56ST3FFLRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-56ST3FFMRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-56ST3FFNRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-56ST3FFPRohm SemiconductorDescription: INFRARED EMITTER
товар відсутній
SIR-59SSTA47ROHM04+
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-935ROHM04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-S4-105AGOODSKYZIP-4
на замовлення 334 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR-S4-105AAP
на замовлення 381 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR1-03-L-SSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+310.41 грн
10+ 271.31 грн
25+ 256.93 грн
50+ 235.52 грн
100+ 224.3 грн
250+ 196.26 грн
SIR1-03-L-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.36 грн
10+ 281.88 грн
106+ 204.59 грн
530+ 173.37 грн
1007+ 147.47 грн
2544+ 135.51 грн
5035+ 132.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR1-03-L-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.34 грн
10+ 318.54 грн
106+ 230.5 грн
530+ 195.96 грн
1007+ 166.73 грн
2544+ 152.78 грн
5035+ 150.12 грн
SIR1-03-L-S-A-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-03-L-S-A-KSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 3
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-03-L-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+362.68 грн
10+ 343.75 грн
100+ 248.43 грн
450+ 211.23 грн
900+ 180.01 грн
2250+ 164.74 грн
4950+ 161.41 грн
SIR1-03-L-S-A-K-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-03-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 3 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 3
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-03-L-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-03-L-S-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
товар відсутній
SIR1-03-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+300.35 грн
10+ 262.45 грн
25+ 248.57 грн
50+ 227.85 грн
100+ 217 грн
SIR1-03-L-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.26 грн
10+ 308.61 грн
100+ 223.85 грн
450+ 189.31 грн
900+ 162.08 грн
2250+ 148.13 грн
4950+ 145.47 грн
SIR1-03-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+204.1 грн
900+ 179.2 грн
Мінімальне замовлення: 450
SIR1-03-L-S-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 3
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-03-S-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-03-S-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-03-S-S-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-03-S-S-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 3 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R
товар відсутній
SIR1-03-S-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 3POS R/A SMD
товар відсутній
SIR1-03-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-L-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-L-SSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD
товар відсутній
SIR1-05-L-S-ASAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 5
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-05-L-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-L-S-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-05-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 5 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 5
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-05-L-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 5
Number of Rows: 1
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.95 грн
10+ 350.6 грн
25+ 332.07 грн
50+ 304.38 грн
100+ 289.88 грн
SIR1-05-L-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 2449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+324.71 грн
10+ 265.07 грн
100+ 218.54 грн
450+ 180.68 грн
900+ 172.04 грн
SIR1-05-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 5POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 5
Number of Rows: 1
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+272.66 грн
900+ 239.39 грн
Мінімальне замовлення: 450
SIR1-05-L-S-K-TRSamtecConn Spring Loaded Connector SKT 5 POS 2.54mm Solder RA SMD T/R
товар відсутній
SIR1-05-L-S-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
SIR1-05-S-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-05-S-S-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-L-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-L-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+425.46 грн
10+ 402.57 грн
112+ 291.61 грн
504+ 247.77 грн
1008+ 211.23 грн
2520+ 193.96 грн
5012+ 189.98 грн
SIR1-07-L-S-A-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-L-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-L-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-L-S-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
товар відсутній
SIR1-07-L-S-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-S-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520 грн
10+ 491.95 грн
112+ 352.72 грн
504+ 296.92 грн
1008+ 260.39 грн
2520+ 247.1 грн
5012+ 241.79 грн
SIR1-07-S-S-A-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R
товар відсутній
SIR1-07-S-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-S-S-A-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 7POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 7
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-07-S-S-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-S-S-A-TRSamtecConn One Piece Interface M 7 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R
товар відсутній
SIR1-07-S-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-07-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-SSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.78 грн
SIR1-10-L-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+351.84 грн
57+ 291.04 грн
114+ 241.79 грн
513+ 233.82 грн
SIR1-10-L-S-ASAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-10-L-S-ASamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube
товар відсутній
SIR1-10-L-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.86 грн
57+ 310.91 грн
114+ 257.73 грн
513+ 251.09 грн
SIR1-10-L-S-ASamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.7 грн
10+ 438.34 грн
25+ 414.08 грн
SIR1-10-L-S-A-KSamtecSIR1-10-L-S-A-K
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-K-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD T/R
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-10-L-S-A-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 10 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 10
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-10-L-S-A-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-FRSamtecSIR1-10-L-S-FR
товар відсутній
SIR1-10-L-S-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-KSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole Tube
товар відсутній
SIR1-10-L-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-S-K-FRSamtecSIR1-10-L-S-K-FR
товар відсутній
SIR1-10-L-S-K-FRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-L-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.66 грн
25+ 329.24 грн
50+ 266.37 грн
100+ 253.08 грн
850+ 247.1 грн
SIR1-10-L-S-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R
товар відсутній
SIR1-10-L-S-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR1-10-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.3 грн
10+ 421.53 грн
25+ 398.2 грн
50+ 364.57 грн
100+ 346.35 грн
SIR1-10-L-S-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R
товар відсутній
SIR1-10-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 10POS R/A SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Part Status: Active
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-L-S-TRSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R
товар відсутній
SIR1-10-L-S-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-SSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-SSamtecConn One Piece Interface M 10 POS 2.54mm Solder RA Side Entry SMD Tube
товар відсутній
SIR1-10-S-S-ASamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 38 шт:
термін постачання 44-53 дні (днів)
1+490.55 грн
10+ 447.64 грн
114+ 345.41 грн
SIR1-10-S-S-A-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-S-A-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-A-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-S-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-S-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-10-S-S-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-10-S-S-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-10-S-S-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 10
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-10-S-S-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.46 грн
26+ 406.39 грн
52+ 328.14 грн
104+ 312.87 грн
507+ 302.9 грн
SIR1-15-L-SSamtec.100 Inch Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-SSamtec Inc.Description: CONN SPRING MOD 15POS R/A SMD
Packaging: Bulk
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.31 грн
10+ 503.59 грн
SIR1-15-L-S-ASamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-L-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-S-ASAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 15
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-KSamtecECE POWER RIGHT ANGLE ASSEMBLY
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-KSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: 0
Rastermaß: 0
Anzahl der Kontakte: 0
Kontaktmaterial: 0
Anzahl der Reihen: 0
Federbelasteter Steckverbinder: 0
Steckverbindermontage: 0
Produktpalette: 0
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-S-A-K-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-15-L-S-A-K-TR - Federbelasteter Steckverbinder, Kompressionssteckverbinder, 2.54 mm, 1 Reihe, 15 Kontakt(e)
Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte
Rastermaß: 2.54
Anzahl der Kontakte: 15
Kontaktmaterial: Phosphorbronze
Anzahl der Reihen: 1 Reihe
Federbelasteter Steckverbinder: Kompressionssteckverbinder
Steckverbindermontage: Oberflächenmontage, abgewinkelt
Produktpalette: SIR1 Series
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-15-L-S-KSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tube
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-L-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-L-S-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-L-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-SSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-S-ASamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
на замовлення 26 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
1+629.27 грн
10+ 573.69 грн
26+ 471.62 грн
52+ 454.35 грн
104+ 442.4 грн
SIR1-15-S-S-A-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-S-S-A-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-S-A-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-S-S-A-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-S-KSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-S-K-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
SIR1-15-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100" Right-Angle One-Piece Interface
товар відсутній
SIR1-15-S-S-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Material: Phosphor Bronze
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Number of Contacts: 15
Number of Rows: 1
товар відсутній
SIR1-15-S-S-K-TRSamtecConn One Piece Interface M 15 POS 2.54mm Solder RA Thru-Hole T/R
товар відсутній
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 24144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.37 грн
10+ 116.88 грн
100+ 81.7 грн
250+ 75.06 грн
500+ 68.42 грн
1000+ 58.32 грн
3000+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR104ADP-T1-RE3VishayN-Channel 100 V MOSFET
товар відсутній
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+148.74 грн
10+ 128.42 грн
100+ 103.22 грн
500+ 79.59 грн
1000+ 65.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR104DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR104DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR104DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR104DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+80.98 грн
10+ 78.5 грн
25+ 78.32 грн
50+ 74.73 грн
100+ 68.61 грн
250+ 65.31 грн
500+ 64.75 грн
1000+ 64.19 грн
3000+ 63.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIR104DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+172.04 грн
10+ 141.32 грн
100+ 98.31 грн
250+ 91 грн
500+ 82.37 грн
1000+ 70.41 грн
3000+ 68.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR104DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR104DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 79A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 84nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR104LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.91 грн
12+ 49.98 грн
25+ 49.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 15419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.94 грн
10+ 86.63 грн
100+ 67.41 грн
500+ 53.62 грн
1000+ 43.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100 V
на замовлення 22436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.2 грн
10+ 80.97 грн
100+ 57.46 грн
500+ 51.08 грн
1000+ 43.31 грн
3000+ 42.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR104LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR104LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.5 грн
6000+ 41.73 грн
9000+ 39.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR104LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR106ADP-T1-RE3VISHAYSIR106ADP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 10533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.88 грн
10+ 80.26 грн
100+ 63.86 грн
500+ 50.71 грн
1000+ 43.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.23 грн
6000+ 41.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 46561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 89.38 грн
100+ 61.78 грн
250+ 56.99 грн
500+ 51.75 грн
1000+ 44.37 грн
3000+ 42.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.05 грн
10+ 81.97 грн
100+ 58.27 грн
500+ 48.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+57.99 грн
11+ 56.3 грн
25+ 55.96 грн
50+ 53.41 грн
100+ 47.5 грн
250+ 45.58 грн
1000+ 45.57 грн
3000+ 45.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR106DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.99 грн
10+ 110 грн
100+ 77.05 грн
500+ 63.37 грн
1000+ 52.34 грн
3000+ 48.76 грн
6000+ 45.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.4 грн
10+ 93.41 грн
100+ 74.33 грн
500+ 59.02 грн
1000+ 50.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR106DP-T1-RE3VISHAYSIR106DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR106DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.27 грн
500+ 48.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR106DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.64 грн
6000+ 48.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR108DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.44 грн
10+ 106.95 грн
100+ 73.07 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 46.43 грн
3000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.87 грн
10+ 105.59 грн
100+ 82.35 грн
500+ 63.84 грн
1000+ 50.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR108DP-T1-RE3VISHAYSIR108DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR112DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR112DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR112DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.65 грн
10+ 78.68 грн
100+ 53.27 грн
500+ 45.17 грн
1000+ 36.73 грн
3000+ 34.87 грн
9000+ 34.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR112DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR112DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR12-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
11+ 26.85 грн
100+ 17.76 грн
1000+ 12.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR12-21C/TR8Everlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 4mW/sr Rectangular Right Angle 2-Pin Chip LED T/R
товар відсутній
SIR12-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR12-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товар відсутній
SIR120DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
на замовлення 24814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.99 грн
10+ 88.67 грн
100+ 64.83 грн
500+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR120DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 14471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 87.11 грн
100+ 69.34 грн
500+ 55.06 грн
1000+ 46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR120DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR120DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR120DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR120DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.11 грн
6000+ 45.51 грн
9000+ 44.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR120DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR120DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.57 грн
10+ 97.01 грн
100+ 67.09 грн
250+ 64.23 грн
500+ 56.2 грн
1000+ 48.16 грн
3000+ 45.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR120DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 0.00296 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00296ohm
на замовлення 24814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.83 грн
500+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR122DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR122DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
On-state resistance: 9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 44nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
товар відсутній
SIR122DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR122DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR122DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 76389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.51 грн
10+ 55 грн
100+ 37.26 грн
500+ 31.55 грн
1000+ 25.71 грн
3000+ 24.18 грн
6000+ 22.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR122DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 30655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.5 грн
12+ 65.72 грн
100+ 47.39 грн
500+ 36.33 грн
1000+ 31.49 грн
3000+ 29.51 грн
6000+ 27.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR122DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.98 грн
6000+ 23.83 грн
9000+ 22.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR122DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.23 грн
10+ 49.47 грн
100+ 38.49 грн
500+ 30.61 грн
1000+ 24.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.83 грн
500+ 50.3 грн
1000+ 38.71 грн
5000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR122LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYSIR122LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 0.0061 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 62.3
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.69 грн
10+ 76.01 грн
100+ 64.83 грн
500+ 50.3 грн
1000+ 38.71 грн
5000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR122LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.94 грн
10+ 74.8 грн
100+ 58.31 грн
500+ 45.2 грн
1000+ 35.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR124DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.63 грн
10+ 66 грн
100+ 44.77 грн
500+ 37 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR124DP-T1-RE3VISHAYSIR124DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR124DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.07 грн
6000+ 25.74 грн
9000+ 24.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR124DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 12323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.54 грн
10+ 53.42 грн
100+ 41.59 грн
500+ 33.08 грн
1000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
на замовлення 5162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 50.23 грн
100+ 34.74 грн
500+ 27.25 грн
1000+ 23.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.26 грн
12+ 62.97 грн
100+ 44.56 грн
500+ 32.73 грн
1000+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET P-CHANNEL 30 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 4174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.56 грн
10+ 56.68 грн
100+ 33.61 грн
500+ 28.1 грн
1000+ 24.58 грн
3000+ 20.79 грн
6000+ 20.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65.7A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
товар відсутній
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -65.7A; 56.8W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 87nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -150A
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -65.7A
On-state resistance: 13mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR1309DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.56 грн
500+ 32.73 грн
1000+ 25.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR1309DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.1A T/R
товар відсутній
SIR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.87 грн
500+ 55.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.24 грн
10+ 109.95 грн
100+ 87.52 грн
500+ 69.49 грн
1000+ 58.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR140DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.34 грн
10+ 123.75 грн
100+ 85.69 грн
250+ 79.05 грн
500+ 71.74 грн
1000+ 61.31 грн
3000+ 60.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR140DP-T1-RE3VISHAYSIR140DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR140DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+76.99 грн
10+ 73.96 грн
25+ 73.91 грн
50+ 70.66 грн
100+ 61.43 грн
250+ 58.32 грн
500+ 57.42 грн
1000+ 56.51 грн
3000+ 55.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.5 грн
10+ 96.13 грн
25+ 83.46 грн
100+ 65.87 грн
500+ 55.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+61.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR15-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR150DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR150DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 300A
товар відсутній
SIR150DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 52.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR150DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR150DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 110A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 110A
On-state resistance: 3.97mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 65.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR150DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
товар відсутній
SIR150DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 11984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.38 грн
10+ 54.01 грн
100+ 36.67 грн
500+ 30.29 грн
1000+ 23.98 грн
9000+ 23.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR158DP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR158DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR158DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR158DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.88 грн
500+ 67.06 грн
1000+ 64.51 грн
3000+ 63.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR158DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR158DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 16100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.97 грн
10+ 106.95 грн
100+ 75.06 грн
250+ 68.42 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 54.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR158DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 3920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.28 грн
10+ 95.42 грн
100+ 75.98 грн
500+ 60.33 грн
1000+ 51.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR158DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR158DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
на замовлення 3582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.29 грн
10+ 119.23 грн
25+ 106.56 грн
100+ 87.88 грн
500+ 67.06 грн
1000+ 64.51 грн
3000+ 63.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR158DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR158DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIR158DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR158DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.99 грн
10+ 101.6 грн
100+ 70.41 грн
500+ 58.85 грн
1000+ 50.42 грн
3000+ 47.89 грн
6000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR158DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR158DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR158DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 60A; Idm: 400A; 83W
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 130nC
Technology: TrenchFET®
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIR158DP-T1-RE3VishayN-Channel 30 V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIR158DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 2537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.81 грн
10+ 90.3 грн
100+ 71.89 грн
500+ 57.08 грн
1000+ 48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR158DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.00145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145ohm
на замовлення 2729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+108.79 грн
10+ 81.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR164VISHAY09+
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR164ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 5824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.26 грн
10+ 53.97 грн
100+ 42.01 грн
500+ 33.42 грн
1000+ 27.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR164ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.22 грн
12+ 63.34 грн
100+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR164ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35.9A/40A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.9A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3595 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR164ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR164ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
на замовлення 3225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.6 грн
500+ 35.91 грн
1000+ 29.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR164ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR164DP
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR164DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
товар відсутній
SIR164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 4516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.97 грн
10+ 72.24 грн
100+ 56.19 грн
500+ 44.7 грн
1000+ 36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR164DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 50A 69W 2.5mohm @ 10V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.75 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.07 грн
500+ 46.63 грн
1000+ 38.06 грн
3000+ 35.34 грн
6000+ 34.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR164DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 50A; Idm: 70A; 69W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 69W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 123nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR164DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR164DP-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 96 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR164DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33.3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR164DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A POWERPAKSO-8
товар відсутній
SIR164DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
товар відсутній
SIR164DY-T1-GE3
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR165DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 60 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 4930 @ 15; Qg, нКл = 138 @ 10 В; Rds = 4,6 мОм; Ugs(th) = 2,3 В; Р, Вт = 69,4; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PowerPAK® SO-8
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312 грн
10+ 109.51 грн
100+ 101.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR165DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0038 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+127.42 грн
10+ 114.75 грн
100+ 89.42 грн
500+ 68.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR165DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.22 грн
6000+ 39.64 грн
9000+ 37.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR165DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 28123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.15 грн
10+ 91.67 грн
100+ 62.37 грн
500+ 52.54 грн
1000+ 42.78 грн
3000+ 40.19 грн
6000+ 39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR165DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR165DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -60A; Idm: -120A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
On-state resistance: 7.5mΩ
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 65.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -120A
товар відсутній
SIR165DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SIR165DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4930 pF @ 15 V
на замовлення 14977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.19 грн
10+ 82.34 грн
100+ 64.03 грн
500+ 50.94 грн
1000+ 41.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR166DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.57 грн
10+ 75.28 грн
100+ 58.54 грн
500+ 46.57 грн
1000+ 37.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR166DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3340 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR166DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 77nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR167DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 68189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+78.27 грн
10+ 68.83 грн
100+ 46.7 грн
500+ 38.59 грн
1000+ 30.49 грн
3000+ 28.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR167DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR167DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 12957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.57 грн
10+ 57.29 грн
100+ 44.59 грн
500+ 35.47 грн
1000+ 28.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR167DP-T1-GE3VISHAYSIR167DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIR167DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 65.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.09 грн
6000+ 27.6 грн
9000+ 26.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR167DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 23369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.97 грн
11+ 73.47 грн
100+ 57.3 грн
500+ 45.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR168DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A 34.7W 4.4mohm @ 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR168DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR17-21C/TR8EverlightInfrared Emitters
товар відсутній
SIR17-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V
Viewing Angle: 150°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 65mA
товар відсутній
SIR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
на замовлення 5135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.65 грн
10+ 115.48 грн
100+ 92.81 грн
500+ 71.56 грн
1000+ 59.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+71.66 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SIR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.76 грн
10+ 116.25 грн
25+ 106.56 грн
100+ 89.95 грн
500+ 68.34 грн
1000+ 58.57 грн
3000+ 57.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR170DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.2A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6195 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+59.32 грн
Мінімальне замовлення: 6000
SIR170DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 23.2A 8-Pin PowerPAK SO EP
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR170DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 24625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.07 грн
10+ 110 грн
100+ 75.73 грн
250+ 70.41 грн
500+ 63.64 грн
1000+ 59.58 грн
3000+ 52.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR170DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR170DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 95A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 95A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR170DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR170DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.95 грн
500+ 68.34 грн
1000+ 58.57 грн
3000+ 57.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR172ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR172ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.42 грн
10+ 30.71 грн
100+ 19.99 грн
500+ 15.74 грн
1000+ 12.16 грн
3000+ 10.96 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR172ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 44nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
товар відсутній
SIR172ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24A; Idm: 60A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 44nC
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR172ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 24A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1515 pF @ 15 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.21 грн
10+ 29.06 грн
100+ 21.71 грн
500+ 16.01 грн
1000+ 12.37 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR172DP-T1-GE3
на замовлення 4152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR172DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR172DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 20A 29.8W 8.9mohm @ 10V
на замовлення 3166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR178DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
товар відсутній
SIR178DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR178DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR178DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V N-CHANNEL (D-S) MOS
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.54 грн
10+ 111.53 грн
100+ 78.38 грн
500+ 64.3 грн
1000+ 52.94 грн
3000+ 51.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR178DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR178DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 430 A, 0.00031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 430
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 310
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 310
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.87 грн
10+ 120.72 грн
100+ 96.87 грн
500+ 74.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR178DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12430 pF @ 10 V
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.94 грн
10+ 88.01 грн
100+ 70.07 грн
500+ 55.64 грн
1000+ 47.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR178DP-T1-RE3VISHAYSIR178DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR178DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR180ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR180ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR180ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V N-CHANNEL (D-S) MOS
на замовлення 8515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+107.72 грн
10+ 91.67 грн
100+ 68.42 грн
250+ 66.09 грн
500+ 59.52 грн
1000+ 52.01 грн
3000+ 51.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR180ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR180ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 137 A, 0.0018 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.27 грн
10+ 122.21 грн
25+ 109.54 грн
100+ 89.95 грн
500+ 68.34 грн
1000+ 57.23 грн
3000+ 56.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR180ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 137A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 137A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR180ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.15 грн
10+ 98.05 грн
100+ 78.08 грн
500+ 62 грн
1000+ 52.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR180ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+87.08 грн
10+ 80.9 грн
25+ 80.35 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR180ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR180ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 137A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR180DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR180DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 32.4A/60A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.4A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4030 pF @ 30 V
на замовлення 5934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+ 91.75 грн
100+ 73.05 грн
500+ 58.01 грн
1000+ 49.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR180DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 87nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
товар відсутній
SIR180DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.99 грн
10+ 101.6 грн
100+ 70.41 грн
250+ 64.9 грн
500+ 59.12 грн
1000+ 50.68 грн
3000+ 48.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR180DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR180DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.26 грн
10+ 102.09 грн
100+ 81.97 грн
500+ 62.9 грн
1000+ 47.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR180DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 32.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+55.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR180DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A
Technology: TrenchFET®
Mounting: SMD
Power dissipation: 83.3W
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 150A
Gate charge: 87nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 60A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR182DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR182DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR182DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR182DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 99115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
500+ 55.2 грн
1000+ 46.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR182DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 69.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+129.66 грн
10+ 106.56 грн
100+ 82.71 грн
500+ 64.77 грн
1000+ 54.03 грн
3000+ 53.97 грн
6000+ 52.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR182DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 117A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR182DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 117A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 117A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 69.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR182DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 30 V
на замовлення 4129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.91 грн
10+ 83.93 грн
100+ 66.83 грн
500+ 53.06 грн
1000+ 45.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR182DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 69.4W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.71 грн
500+ 64.77 грн
1000+ 54.03 грн
3000+ 53.97 грн
6000+ 52.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR182DP-T1-RE3-XVishayVishay
товар відсутній
SIR182LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
на замовлення 7799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.72 грн
10+ 96.8 грн
100+ 77.05 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 51.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR182LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R
товар відсутній
SIR182LDP-T1-RE3VISHAYSIR182LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR182LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.27 грн
10+ 122.21 грн
100+ 96.87 грн
500+ 74.04 грн
1000+ 56.53 грн
3000+ 52.63 грн
6000+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR182LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.7A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR182LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR182LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.87 грн
500+ 74.04 грн
1000+ 56.53 грн
3000+ 52.63 грн
6000+ 51.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR182LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R
товар відсутній
SIR182LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 31.7A T/R
товар відсутній
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+83.92 грн
10+ 70.45 грн
25+ 67.23 грн
100+ 51.05 грн
250+ 46.8 грн
500+ 38.2 грн
1000+ 32.7 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 23343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 62.76 грн
100+ 48.79 грн
500+ 38.81 грн
1000+ 31.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.98 грн
500+ 41.72 грн
1000+ 29.06 грн
5000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR184DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 340159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.8 грн
10+ 69.67 грн
100+ 47.23 грн
500+ 40.05 грн
1000+ 32.62 грн
3000+ 30.29 грн
6000+ 29.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR184DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.93 грн
6000+ 30.2 грн
9000+ 28.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR184DP-T1-RE3VISHAYSIR184DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR184DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0047 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047ohm
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+95.38 грн
11+ 72.73 грн
100+ 52.98 грн
500+ 41.72 грн
1000+ 29.06 грн
5000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIR184DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 20.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 18131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+106.17 грн
10+ 86.32 грн
100+ 57.99 грн
500+ 49.16 грн
1000+ 40.05 грн
3000+ 37.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.75 грн
10+ 88.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.05 грн
500+ 51.2 грн
1000+ 41.9 грн
5000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR184LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 30 V
товар відсутній
SIR184LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR184LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 73 A, 0.0045 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+116.25 грн
10+ 88.67 грн
100+ 65.05 грн
500+ 51.2 грн
1000+ 41.9 грн
5000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR186DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 57W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.11 грн
10+ 80.48 грн
100+ 59.54 грн
500+ 46.71 грн
1000+ 34.11 грн
3000+ 31.87 грн
6000+ 30.59 грн
Мінімальне замовлення: 8
SIR186DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 23A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR186DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR186DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 6903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.48 грн
10+ 63.52 грн
100+ 49.4 грн
500+ 39.29 грн
1000+ 32.01 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR186DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 21256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.45 грн
10+ 80.97 грн
100+ 55 грн
500+ 45.44 грн
1000+ 35.94 грн
3000+ 33.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR186DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 150A; 57W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 37nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
On-state resistance: 7.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.53 грн
6000+ 24.33 грн
9000+ 23.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR186LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S)
на замовлення 49020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.9 грн
10+ 56.22 грн
100+ 38.06 грн
500+ 32.22 грн
1000+ 26.24 грн
3000+ 25.18 грн
6000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80.3A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR186LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80.3 A, 0.0035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80.3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 57
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0035
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
11+ 70.12 грн
100+ 54.69 грн
500+ 42.83 грн
1000+ 31.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR186LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 30 V
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 50.51 грн
100+ 39.3 грн
500+ 31.26 грн
1000+ 25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR186LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 80.3A; Idm: 150A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 57W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 48nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 150A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80.3A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIR188DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR188DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.0032 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 60
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65.7
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6
Verlustleistung: 65.7
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 23796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.75 грн
10+ 96.87 грн
100+ 78.24 грн
500+ 61.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR188DP-T1-RE3VISHAYSIR188DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR188DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR188DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.35 грн
10+ 99.31 грн
100+ 71.08 грн
250+ 69.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR188DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 25.5A/60A PPAK
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.25 грн
10+ 98.39 грн
100+ 76.71 грн
500+ 59.47 грн
1000+ 46.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR188LDP-T1-RE3VISHAYSIR188LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.16 грн
10+ 78.4 грн
100+ 60.95 грн
500+ 48.48 грн
1000+ 39.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR188LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 25.8A T/R
товар відсутній
SIR188LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.8A (Ta), 93.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR19-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR19-21C/TR8Everlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin Mini-SMD T/R
товар відсутній
SIR19-21C/TR8EVERLIGH2010+ LED
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 18462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
11+ 26.64 грн
100+ 17.62 грн
1000+ 12.76 грн
2000+ 11.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR19-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR19-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 145°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.2mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.76 грн
8000+ 11.47 грн
12000+ 11.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
SIR19-315
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR19-315/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR19-315/TR8Everlight ElectronicsInfrared Emitter 870nm 1.3mW/sr Rectangular Top Mount 2-Pin SMD T/R
товар відсутній
SIR19-315/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 870NM 70MA 0603
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0603 (1608 Metric)
Wavelength: 870nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.35V
Viewing Angle: 140°
Current - DC Forward (If) (Max): 70mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 1mW/sr @ 20mA
товар відсутній
SIR1B6B4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY
товар відсутній
SIR1B6B4LittelfuseSolid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR1C20B6LittelfuseSolid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY
товар відсутній
SIR2N/A09+ SOP8
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR2SIRCOMMSOP-8
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR2N/A
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR2SIRCOMM01+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR204-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товар відсутній
SIR204-A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR204-AEverlightInfrared Emitters Infrared LED Lamp
товар відсутній
SIR204CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR204CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+41.68 грн
11+ 26.5 грн
100+ 17.53 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR2167
на замовлення 12060 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR22224VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 10A DPST-NO/DPST-NC(46.4mm 16mm 30.7mm) THT
товар відсутній
SIR222P-12VDCELESTA relaysPower Relay 12VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR222P-24VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
товар відсутній
SIR222P48VDCELESTA relaysPower Relay 48VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/DPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
товар відсутній
SIR234EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR234Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 30°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 5.6mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+42.39 грн
11+ 26.71 грн
100+ 17.64 грн
1000+ 12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR25-15-L5SunStarDescription: PROPANE HEATER INFRARED U-TUBE
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Propane
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+100046.36 грн
SIR25-15-N5SunStarDescription: NATURAL GAS HEATER INFRARED VACU
Packaging: Bulk
Material: Cast Iron Burner, Aluminum Reflectors
Height: 8"
Part Status: Active
Fuel Type: Natural Gas
Length (Inches): 110
Width (Inches): 18
BTU's: 25000
Ignition Type: Direct Spark
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+104156.47 грн
SIR2A20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR2A20A4LittelfuseSolid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6839.09 грн
SIR2B20A4LittelfuseSolid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR2B20A4Littelfuse Inc.Description: SOLID STATE RELAY-ISOLATED
товар відсутній
SIR2B20B4Littelfuse Inc.Description: SSR RELAY SPST-NC 20A 0-120V
товар відсутній
SIR2B20B4LittelfuseSolid State Relays - Industrial Mount SOLIDSTATERELAY-ISOL ATED
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR300B
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR312 12VDC SENELESTA relaysPCB Relay With Forcibly Guided Contacts
товар відсутній
SIR312 24VDC SENELESTA relaysSIR312-24VDC SEN
товар відсутній
SIR31224VDCELESTA relaysPCB Power Relay
товар відсутній
SIR3123
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR312P-24VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
товар відсутній
SIR312P110VDCELESTA relaysPower Relay 110VDC 12(NO)/6(NC)A DPST-NO/SPST-NO/SPST-NC(46.4x16x30.7)mm THT
товар відсутній
SIR314M200S043NextGen ComponentsDescription: 314.2MHz SAW Res. +/100KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 314.2 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR315M000S041NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR315M000S042NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR315M000S043NextGen ComponentsDescription: 315MHz SAW Res. +/-100KHz 4P 503
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR315M050S042NextGen ComponentsDescription: 315.05MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.05 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.1 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR315M500S042NextGen ComponentsDescription: 315.5MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 315.5 MHz
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR318M000S041NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+44.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR318M000S042NextGen ComponentsDescription: 318MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5035
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 318 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR323-5Everlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 400mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4 Bag
товар відсутній
SIR323-5Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 35°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 4mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товар відсутній
SIR330DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR330DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR332 12VDC SENELESTA relaysSIR332-12VDC SEN
товар відсутній
SIR332 24VDC SENELESTA relaysSIR332-24VDC SEN
товар відсутній
SIR33224VDCELESTA relaysPCB Relay with Forcibly Guided Contacts
товар відсутній
SIR333-AEVERLIGHT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR333-AEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 20mA
товар відсутній
SIR333-AEverlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 900mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
товар відсутній
SIR333-A/TR1(R)Everlight ElectronicsSIR333-A/TR1(R)
товар відсутній
SIR333/H0Everlight ElectronicsSIR333/H0
товар відсутній
SIR333/H19-R11Everlight ElectronicsLED Uni-Color
товар відсутній
SIR333/H19/F51-R11Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 15°
Current - DC Forward (If) (Max): 50mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 15mW/sr @ 50mA
товар відсутній
SIR333/H19/F51-R11EverlightInfrared Emitters
товар відсутній
SIR333/H19/F51-R11Everlight Electronics5mm Infrared LED
товар відсутній
SIR333/H19/F51-R11(S7440)Everlight ElectronicsSIR333/H19/F51-R11(S7440)
товар відсутній
SIR333CEverlightInfrared Emitters
товар відсутній
SIR333CEverlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 920mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
товар відсутній
SIR333CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V, 1.4V, 2.6V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 7.8mW/sr @ 100mA
товар відсутній
SIR341STA49
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR341STA9
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR36150Brady CorporationDescription: (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG,
товар відсутній
SIR383EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR383Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
товар відсутній
SIR383
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR383CEverlightInfrared Emitters Infrared LED
товар відсутній
SIR383CEverlight Electronics CO., LTDInfrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
товар відсутній
SIR383CEverlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL
Packaging: Bulk
Package / Case: Radial
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Through Hole
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 20°
Current - DC Forward (If) (Max): 100mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 11mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+76.88 грн
10+ 46.77 грн
100+ 34.59 грн
500+ 29.83 грн
1000+ 24.57 грн
2000+ 23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR383CEverlight ElectronicsInfrared Emitter 875nm 950mW/sr Circular Top Mount 2-Pin T-1 3/4
товар відсутній
SIR3850A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR401DP-T1-GE3VISHAYSIR401DP-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SIR401DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR401DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.66 грн
10+ 47.51 грн
100+ 34.61 грн
500+ 31.15 грн
1000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 39
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025
Qualifikation: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.83 грн
500+ 40.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
на замовлення 3926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.8 грн
10+ 48.78 грн
100+ 37.95 грн
500+ 30.18 грн
1000+ 24.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR401DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR401DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR401DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 50 A, 0.0025 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 9135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.16 грн
15+ 51.64 грн
100+ 37.71 грн
500+ 29.48 грн
1000+ 27.08 грн
5000+ 26.89 грн
Мінімальне замовлення: 12
SIR401DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9080 pF @ 10 V
товар відсутній
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.2 грн
12+ 64.98 грн
100+ 49.63 грн
500+ 40.76 грн
1000+ 33.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR402DP-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIR402DP-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.15V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
на замовлення 2166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.63 грн
500+ 40.76 грн
1000+ 33.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR402DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR402DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.97 грн
10+ 106.95 грн
100+ 75.06 грн
250+ 68.42 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 53.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR402DP-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR402DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR402DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR402DP-T1-GE3VISHAYSIR402DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR403EDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 153nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
товар відсутній
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.78 грн
6000+ 21.81 грн
9000+ 20.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR403EDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR403EDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -40A; Idm: -60A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -40A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 56.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 153nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -60A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 120505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+62.69 грн
10+ 50.34 грн
100+ 34.08 грн
500+ 28.9 грн
1000+ 23.51 грн
3000+ 22.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR403EDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR403EDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 15 V
на замовлення 13199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.48 грн
10+ 45.32 грн
100+ 35.24 грн
500+ 28.03 грн
1000+ 22.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR404DP-T1-GE3VISHAYSIR404DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
на замовлення 28007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.62 грн
10+ 102.75 грн
100+ 81.79 грн
500+ 64.95 грн
1000+ 55.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR404DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.49 грн
10+ 114.58 грн
100+ 79.71 грн
250+ 73.73 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.89 грн
10+ 119.23 грн
25+ 107.3 грн
100+ 88.57 грн
500+ 67.7 грн
1000+ 66.43 грн
3000+ 65.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR404DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR404DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.93 грн
6000+ 53.69 грн
9000+ 51.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR404DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR404DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 104W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.57 грн
500+ 67.7 грн
1000+ 66.43 грн
3000+ 65.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR406DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR408DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR408DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 50A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR408DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.45 грн
10+ 65.32 грн
100+ 50.91 грн
500+ 39.47 грн
1000+ 31.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR410DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR410DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR410DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.21 грн
14+ 53.8 грн
100+ 41.95 грн
500+ 32.24 грн
1000+ 25.1 грн
Мінімальне замовлення: 13
SIR410DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR410DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
товар відсутній
SIR410DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 36W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 41nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerPAK® SO8
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 35A
On-state resistance: 6.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR410DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR412DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR412DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR412DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 20A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR414DP
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR414DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR414DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
на замовлення 2491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.95 грн
10+ 97.62 грн
100+ 72.06 грн
500+ 60.96 грн
1000+ 51.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR414DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR414DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.84 грн
10+ 102.06 грн
100+ 82.02 грн
500+ 63.24 грн
1000+ 52.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR414DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR414DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 70A; 53W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 53W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR414DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 69
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 69
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR416DP-T1-GE3VISHAYSIR416DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR416DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR416DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR416DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 69
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIR416DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 20 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97 грн
10+ 83.59 грн
100+ 65.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR416DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SiR418DP-T1-E3VISHAYQFN 10+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR418DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.77 грн
10+ 76.01 грн
100+ 51.15 грн
500+ 43.38 грн
1000+ 35.34 грн
3000+ 34.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.68 грн
6000+ 32.72 грн
9000+ 31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR418DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR418DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR418DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 20 V
на замовлення 22610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.23 грн
10+ 67.95 грн
100+ 52.85 грн
500+ 42.04 грн
1000+ 34.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR418DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR418DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR422 21VDC
Код товару: 128096		Реле
товар відсутній
SIR42224VDCELESTA relaysRelays with forcibly guided contact
товар відсутній
SiR422DP-T1-E3
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 51660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.73 грн
10+ 59.23 грн
100+ 46.08 грн
500+ 36.65 грн
1000+ 29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR422DP-T1-GE3
Код товару: 101557		Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
SIR422DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 34.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1785 pF @ 20 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.1 грн
6000+ 28.52 грн
9000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR422DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.81 грн
18+ 44.98 грн
50+ 42.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR422DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 30341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+79.05 грн
10+ 70.13 грн
100+ 47.23 грн
500+ 41.78 грн
6000+ 34.74 грн
9000+ 34.08 грн
24000+ 33.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR422DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR422DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0054 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
на замовлення 63220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.73 грн
12+ 66.17 грн
100+ 49.93 грн
500+ 40.2 грн
1000+ 33.98 грн
5000+ 30.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR422DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR422DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 70A; 22.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 22.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.05 грн
5+ 73.29 грн
18+ 53.97 грн
50+ 50.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR424DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.31 грн
500+ 29.55 грн
1500+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR424DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
товар відсутній
SIR424DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 52.25 грн
100+ 35.94 грн
500+ 32.68 грн
1000+ 28.36 грн
3000+ 28.3 грн
6000+ 26.9 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR424DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR424DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 30 A, 0.0046 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.59 грн
50+ 47.99 грн
100+ 40.31 грн
500+ 29.55 грн
1500+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 14
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR424DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 30A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 41.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR424DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 10 V
товар відсутній
SIR424DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 30A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR426DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR426DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 31nC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIR426DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.01 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 53898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.11 грн
10+ 52.24 грн
100+ 40.66 грн
500+ 32.34 грн
1000+ 26.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR426DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR426DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0085 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.48 грн
12+ 62.59 грн
100+ 45.01 грн
500+ 35.43 грн
1000+ 30.66 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR426DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 70A; 26.7W
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 26.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: PowerPAK® SO8
Gate charge: 31nC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 70A
товар відсутній
SIR426DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.44 грн
6000+ 25.17 грн
9000+ 24.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR426DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 70678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.07 грн
10+ 58.13 грн
100+ 39.26 грн
500+ 33.28 грн
1000+ 28.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR428DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
товар відсутній
SIR428DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA12DP-T1-GE3
товар відсутній
SIR428DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR428DP-T1-GE3
на замовлення 2122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR432DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR432DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28.4A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR433M220S042NextGen ComponentsDescription: 433.22MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.22 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M420S042NextGen ComponentsDescription: 433.42MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.42 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M920S041NextGen ComponentsDescription: 433.92MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M920S042NextGen ComponentsDescription: 433.92MHz SAW Res. +/-75KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±75kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M920S043NextGen ComponentsDescription: 433.92MHz SAW Res. +/-100KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±100kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M920S046NextGen ComponentsDescription: 433.92MHz SAW Res. +/-30KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±30kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.92 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR433M970S041NextGen ComponentsDescription: 433.97MHz SAW Res. +/-50KHz 4P 5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±50kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 433.97 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIR436DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 40A 50W
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR436DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR436DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR436DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.03 грн
10+ 99.64 грн
100+ 79.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR438DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerPAK® SO8
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 80A; 83W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3VishaySIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 10 V
товар відсутній
SIR438DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 25V 60A 83W
на замовлення 5769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.82 грн
10+ 126.04 грн
100+ 88.35 грн
500+ 58.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR438DP-T1-GE3VishaySIR438DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Arrow.com
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.58 грн
10+ 83.08 грн
25+ 81.22 грн
100+ 72.43 грн
250+ 65.68 грн
500+ 56.14 грн
1000+ 52.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR4406DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 4.75 mohm a. 10V, 6.7 mohm a. 4.5V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 54.16 грн
100+ 36.6 грн
500+ 31.09 грн
1000+ 25.31 грн
3000+ 23.78 грн
6000+ 22.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR4409DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.94 грн
10+ 68.29 грн
100+ 53.12 грн
500+ 42.26 грн
1000+ 34.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR4409DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 60.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 126 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5670 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4409DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 9 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V
товар відсутній
SIR440DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR440DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR440DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR440DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR440DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR440DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.49 грн
10+ 114.58 грн
100+ 79.71 грн
250+ 73.73 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR440DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 8653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.18 грн
10+ 101.71 грн
100+ 80.96 грн
500+ 64.29 грн
1000+ 54.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR440DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+99.7 грн
10+ 94.65 грн
25+ 93.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR440DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR440DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 60 A, 0.00125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00125ohm
на замовлення 3281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.01 грн
10+ 114.01 грн
100+ 82.71 грн
500+ 69.19 грн
1000+ 55.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR440DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR440DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.34 грн
6000+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4411DP-T1-GE3VishayMOSFET
товар відсутній
SIR44224VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 10A 4PST-NO/4PST-NC(85.5x20x32)mm THT
товар відсутній
SIR450DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR450DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.21 грн
10+ 100.6 грн
100+ 75.26 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 41.9 грн
3000+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR450DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 45-V (D-S)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 87.08 грн
100+ 58.92 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 40.72 грн
3000+ 39.66 грн
9000+ 38.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR450DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5920 pF @ 20 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+102.03 грн
10+ 80.47 грн
100+ 62.57 грн
500+ 49.77 грн
1000+ 40.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR450DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR450DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 0.0015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.26 грн
500+ 57.5 грн
1000+ 41.9 грн
3000+ 41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR460VISHAY09+
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR4602LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+74.52 грн
12+ 66.62 грн
100+ 51.94 грн
500+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR4602LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R
товар відсутній
SIR4602LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.2A T/R
товар відсутній
SIR4602LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 60-V MSFT
на замовлення 14150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.34 грн
10+ 53.32 грн
100+ 36.14 грн
500+ 33.35 грн
3000+ 28.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR4602LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4602LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR4602LDP-T1-RE3 - MOSFET, POWERPAK SO-8, 8.8 M 10V
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.94 грн
500+ 39.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR4602LDP-T1-RE3VISHAYSIR4602LDP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR4602LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: POWERPAK SO-8, 8.8 M @ 10V, 12.5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Ta), 52.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1185 pF @ 30 V
на замовлення 5909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.08 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.33 грн
500+ 29.7 грн
1000+ 24.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR4604DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.16 грн
10+ 85.45 грн
100+ 66.64 грн
500+ 51.66 грн
1000+ 40.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR4604DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Ta), 49.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4604LDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR4604LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.22 грн
500+ 45.88 грн
1000+ 39.15 грн
3000+ 36.53 грн
6000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR4604LDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 51A; Idm: 100A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 12.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 28nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 100A
Case: PowerPAK® SO8
товар відсутній
SIR4604LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 6006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.19 грн
10+ 89.4 грн
100+ 69.72 грн
500+ 54.05 грн
1000+ 42.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR4604LDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR4604LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 51 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.01 грн
12+ 66.54 грн
100+ 55.22 грн
500+ 45.88 грн
1000+ 39.15 грн
3000+ 36.53 грн
6000+ 34.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR4604LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.6A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 41.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4606DPVishayTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR4606DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR4606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.16 грн
6000+ 30.41 грн
9000+ 29.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 30 V
на замовлення 10423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.48 грн
10+ 63.17 грн
100+ 49.13 грн
500+ 39.08 грн
1000+ 31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR4606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 10.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR4606DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 16A; Idm: 40A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 31.2W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIR4606DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 48540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 70.2 грн
100+ 47.49 грн
500+ 43.91 грн
3000+ 37.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR4608DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+89.59 грн
10+ 76.5 грн
25+ 73.66 грн
50+ 59.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR4608DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.2 грн
6000+ 27.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4608DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R
товар відсутній
SIR4608DP-T1-GE3VISHAYSIR4608DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR4608DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR4608DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 42.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 30 V
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.57 грн
10+ 57.5 грн
100+ 44.74 грн
500+ 35.58 грн
1000+ 28.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR4608LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR4608LDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 43.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 30 V
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.38 грн
10+ 76.18 грн
100+ 59.37 грн
500+ 46.03 грн
1000+ 36.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR460DP
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR460DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.79 грн
10+ 72.86 грн
100+ 56.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.02 грн
10+ 76.08 грн
100+ 51.35 грн
500+ 43.18 грн
1000+ 34.14 грн
3000+ 31.22 грн
6000+ 31.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR460DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 48W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3
на замовлення 2080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3
Код товару: 100038		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SIR460DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR462DP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR462DP-T1-E3
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR462DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 30365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.37 грн
10+ 72.19 грн
100+ 49.16 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 32.81 грн
6000+ 31.15 грн
9000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR462DP-T1-GE3VISHAYSIR462DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 33148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.01 грн
10+ 58.61 грн
100+ 45.61 грн
500+ 36.28 грн
1000+ 29.55 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR462DP-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR462DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.78 грн
6000+ 28.23 грн
9000+ 26.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+86.98 грн
10+ 77.48 грн
25+ 74.89 грн
100+ 57.64 грн
250+ 52.85 грн
500+ 43.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR462DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR462DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 41.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.4 грн
10+ 77.5 грн
100+ 56.78 грн
500+ 43.52 грн
1000+ 32.51 грн
Мінімальне замовлення: 9
SIR462DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.44 грн
147+ 79.56 грн
181+ 64.37 грн
250+ 61.46 грн
500+ 46.74 грн
Мінімальне замовлення: 140
SIR462DP-T1-GE3VISHAY06NOPB
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR462DPR462
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR464
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.6 грн
10+ 86.35 грн
100+ 67.34 грн
500+ 52.2 грн
1000+ 41.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR464DP-T1-GE3VISHAYSIR464DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+100.51 грн
118+ 99.33 грн
150+ 77.9 грн
250+ 74.1 грн
500+ 56.12 грн
1000+ 42.56 грн
3000+ 42.09 грн
Мінімальне замовлення: 116
SIR464DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR464DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 29.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+103.22 грн
10+ 93.33 грн
25+ 92.24 грн
100+ 69.51 грн
250+ 63.71 грн
500+ 50.03 грн
1000+ 39.52 грн
3000+ 39.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR464DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR464DP-T1-GE3VISHAY08+ DIP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR464DPR464
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR466DP
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR466DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.1 грн
6000+ 28.52 грн
9000+ 27.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR466DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 54W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR466DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.2 грн
10+ 56.99 грн
100+ 40.19 грн
500+ 34.94 грн
1000+ 28.96 грн
3000+ 28.9 грн
6000+ 27.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR466DP-T1-GE3VISHAY1041+ QFN-8
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.41 грн
6000+ 57.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR466DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR466DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0029 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
на замовлення 3645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+76.01 грн
13+ 60.28 грн
100+ 45.08 грн
500+ 36.4 грн
1000+ 30.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIR466DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
на замовлення 20764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+74.73 грн
10+ 59.23 грн
100+ 46.08 грн
500+ 36.65 грн
1000+ 29.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR466DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A; Idm: 70A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 54W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR466DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR468DP-T1-E3
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR468DP-T1-GE3
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR468DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR468DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 22.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR468DP-T1-GE3VISHAY QFN 12+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR468DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR468DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 8457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.64 грн
10+ 143.85 грн
100+ 114.51 грн
500+ 90.93 грн
1000+ 77.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR470DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR470DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.0019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 13796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.39 грн
10+ 153.5 грн
100+ 115.5 грн
500+ 96.87 грн
1000+ 74.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR470DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIR470DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 49548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.09 грн
10+ 157.36 грн
100+ 110.27 грн
250+ 103.62 грн
500+ 91.67 грн
1000+ 75.06 грн
3000+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR470DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.11 грн
6000+ 75.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+221.28 грн
59+ 200.47 грн
62+ 188.96 грн
100+ 153.94 грн
250+ 140.6 грн
500+ 110.33 грн
1000+ 91.93 грн
Мінімальне замовлення: 53
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+205.47 грн
10+ 186.15 грн
25+ 175.47 грн
100+ 142.71 грн
250+ 130.56 грн
500+ 102.45 грн
1000+ 85.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR470DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 60A; Idm: 100A; 66.6W
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 100A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 60A
On-state resistance: 2.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66.6W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній
SIR470DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR472ADP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товар відсутній
SIR472ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 6666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
10+ 38.82 грн
100+ 29.78 грн
500+ 22.09 грн
1000+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR472ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP
товар відсутній
SIR472ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR472DP
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR472DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR472DP-T1-GE3
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR472DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR472DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIRA18DP-T1-GE3
товар відсутній
SIR472DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR472DP-T1-GE3 - N CHANNEL MOSFET, 30V, 20A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 3.9
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.015
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
SIR472DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
товар відсутній
SIR472DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+20.68 грн
29+ 20.06 грн
50+ 19.03 грн
100+ 17.35 грн
250+ 16.38 грн
500+ 16.11 грн
1000+ 15.85 грн
Мінімальне замовлення: 28
SIR472DP-TI-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR474VISHAY09+
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR474DP
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR474DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR474DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 30V 20A 29.8W
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.72 грн
10+ 66.54 грн
100+ 44.37 грн
500+ 35.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR474DP-T1-GE3VISHAYQFN
на замовлення 890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR474DP-T1-GE3
Код товару: 100039		Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SIR474DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR474DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.67 грн
10+ 55.22 грн
100+ 42.36 грн
500+ 31.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR474DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR474DP-T1-GE3VISHAYSIR474DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR474DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR474DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
товар відсутній
SIR474DPR474
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR476DP-T1-GE3
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR476DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR476DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V
на замовлення 3255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR476DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR482DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR484DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR484DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR484DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR484DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 17.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR492DP
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR492DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR492DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR492DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR492DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR494EVERLIGHT04+
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR494DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 60A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR494DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V
на замовлення 3352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
SIR494DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.76 грн
10+ 66.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
SiR496DP-T1-E3
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR496DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SIR496DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 25.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SIR496DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товар відсутній
SiR500DPVishayVishay
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 350.8A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+128.91 грн
10+ 105.07 грн
100+ 81.97 грн
500+ 62.41 грн
1000+ 47.71 грн
3000+ 45.8 грн
6000+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR500DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 350.8A; Idm: 500A
Case: PowerPAK® SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 350.8A
On-state resistance: 0.68mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Pulsed drain current: 500A
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.18 грн
6000+ 43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR500DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V (D-S)
на замовлення 40075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.92 грн
10+ 93.2 грн
100+ 64.9 грн
250+ 61.64 грн
500+ 54 грн
1000+ 46.3 грн
3000+ 43.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR500DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 85.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR500DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR500DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350.8 A, 0.00039 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104.1W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 390µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 390µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.97 грн
500+ 62.41 грн
1000+ 47.71 грн
3000+ 45.8 грн
6000+ 44.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR500DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30 V (D-S) 150C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.47mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8960 pF @ 15 V
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.91 грн
10+ 83.72 грн
100+ 66.61 грн
500+ 52.89 грн
1000+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR500DP-T1-RE3-XVishayVishay
товар відсутній
SIR505ST47ROHM04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR5102DPVishaySIR5102DP
товар відсутній
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIR5102DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 5843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.29 грн
10+ 154.3 грн
100+ 122.81 грн
500+ 97.52 грн
1000+ 82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR5102DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 27A T/R
товар відсутній
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5102DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0034 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 110
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIR5102DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR5102DP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)
на замовлення 2632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.57 грн
10+ 173.4 грн
100+ 120.23 грн
250+ 117.57 грн
500+ 101.63 грн
1000+ 86.35 грн
3000+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR5102DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 110A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SiR5108DPVishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V
товар відсутній
SIR5108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR5108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.45mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR5108DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 10.5 mohm a. 10V 10.1 mohm a. 7.5V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 547-556 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 88.61 грн
100+ 61.18 грн
250+ 56.93 грн
500+ 51.68 грн
1000+ 44.31 грн
3000+ 42.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR510DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 31A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR510DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.48 грн
500+ 79.84 грн
1000+ 65.79 грн
3000+ 63.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR510DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.92 грн
10+ 127.57 грн
100+ 88.35 грн
250+ 84.36 грн
500+ 75.06 грн
1000+ 65.1 грн
6000+ 63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR510DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 12368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.55 грн
10+ 113.48 грн
100+ 90.3 грн
500+ 71.71 грн
1000+ 60.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR510DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR510DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 17122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.6 грн
10+ 139.35 грн
25+ 126.68 грн
100+ 104.48 грн
500+ 79.84 грн
1000+ 65.79 грн
3000+ 63.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR510DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR510DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.96 грн
6000+ 59.28 грн
9000+ 57.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR510DP-T1-RE3-XVishayVishay
товар відсутній
SIR5110DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR5110DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
3+130.19 грн
10+ 106.95 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.75 грн
500+ 61.78 грн
1000+ 53.21 грн
3000+ 50.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5110DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
товар відсутній
SiR5112DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
на замовлення 5213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+124.77 грн
10+ 102.36 грн
100+ 71.08 грн
250+ 65.5 грн
500+ 59.12 грн
1000+ 50.75 грн
3000+ 46.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
SiR5112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.17 грн
6000+ 47.42 грн
9000+ 45.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SiR5112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.53 грн
10+ 90.78 грн
100+ 72.24 грн
500+ 57.37 грн
1000+ 48.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR512 60VDC SPELESTA relaysRelays with forcibly guided contacts
товар відсутній
SIR51224VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 10A 5PST-NO/SPST-NC(58.9x16x30.7)mm THT
товар відсутній
SIR512DPVishayTrans MOSFET N-CH 100V 25.1A T/R
товар відсутній
SIR512DP-T1-BE3VishayVishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIR512DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.65 грн
10+ 107.39 грн
100+ 85.45 грн
500+ 67.85 грн
1000+ 57.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR512DP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIR512DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 25.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR512DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.52 грн
6000+ 56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR514DPVishayTrans MOSFET N-CH 100V 20.8A T/R
товар відсутній
SIR514DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 5870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.03 грн
10+ 99.85 грн
100+ 79.46 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 53.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR514DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR514DP-T1-RE3VishayMOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товар відсутній
SIR516DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63.7A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR516DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63.7A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR516DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR516DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100volts 63.7amp
на замовлення 10100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.64 грн
10+ 106.18 грн
100+ 73.07 грн
500+ 61.71 грн
1000+ 53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR516DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.8A T/R
товар відсутній
SIR516DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR5308-0.3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR5308-0.3W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR5308-0.5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR5308-1W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR532 60VDC SPELESTA relaysRelays with forcibly guided contacts
товар відсутній
SIR53224VDCELESTA relaysH301385
товар відсутній
SIR552-150VDCELESTA relaysRelay with forcibly guided contacts
товар відсутній
SIR55212VDCELESTA relaysPCB Relay 12V with Forcibly Guided Contact
товар відсутній
SIR55224VDCELESTA relaysPower Relay 24VDC 10A 5PST-NO/5PST-NC(85.5mm 20mm 32mm) THT
товар відсутній
SIR55248VDCELESTA relaysSIR552-48VDC
товар відсутній
SIR5607DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 mohm a. 10V, 12 mohm a. 4.5V
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.39 грн
10+ 162.71 грн
100+ 112.26 грн
250+ 103.62 грн
500+ 94.32 грн
1000+ 81.04 грн
3000+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR5607DP-T1-RE3VishayP-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7 m @ 10V, 12 m @ 4.5V
товар відсутній
SiR5623DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
на замовлення 8915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.8 грн
10+ 96.25 грн
100+ 66.43 грн
250+ 61.78 грн
500+ 56.13 грн
1000+ 48.09 грн
3000+ 45.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR563ST3FXROHM04+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR56SB3
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR56SB3-Rohm (инфракрасный светодиод 5мм)
Код товару: 14584		Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Розмір: 5 mm
товар відсутній
SIR56SB3F
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR56ST3
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товар відсутній
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 552-561 дні (днів)
3+105.4 грн
10+ 93.2 грн
100+ 63.37 грн
500+ 51.88 грн
1000+ 40.98 грн
3000+ 38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.06 грн
10+ 91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYSIR5708DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+74.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR570DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+109.33 грн
500+ 84.95 грн
1000+ 72.17 грн
3000+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
на замовлення 5245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.39 грн
10+ 140.12 грн
100+ 112.6 грн
500+ 86.82 грн
1000+ 71.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.45 грн
10+ 146.05 грн
25+ 131.89 грн
100+ 109.33 грн
500+ 84.95 грн
1000+ 72.17 грн
3000+ 65.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR570DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S)
на замовлення 5493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.49 грн
10+ 145.14 грн
100+ 101.63 грн
250+ 98.31 грн
500+ 85.03 грн
1000+ 71.74 грн
3000+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIR570DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.22 грн
10+ 94.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товар відсутній
SIR5710DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CHANNEL 150 V MOSFET PWRPAK
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.2 грн
10+ 80.21 грн
100+ 54.2 грн
500+ 45.9 грн
1000+ 37.46 грн
3000+ 34.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.84 грн
10+ 121.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR572DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товар відсутній
SIR572DP-T1-RE3VISHAYSIR572DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR574DP-T1-RE3VISHAYSIR574DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR576DP-T1-RE3VISHAYSIR576DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR576DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
товар відсутній
SIR578DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR578DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 70.2A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70.2A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
товар відсутній
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.87 грн
500+ 74.04 грн
1000+ 56.85 грн
3000+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYSIR5802DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR5802DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 33.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR5802DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.6A (Ta), 137.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 40 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.18 грн
10+ 110.02 грн
100+ 88.39 грн
500+ 68.15 грн
1000+ 56.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5802DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+153.5 грн
10+ 122.95 грн
100+ 96.87 грн
500+ 74.04 грн
1000+ 56.85 грн
3000+ 53.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR5808DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 7.35 mohm a. 10V 8.3 mohm a. 7.5V
на замовлення 11975 шт:
термін постачання 626-635 дні (днів)
4+96.87 грн
10+ 77.92 грн
100+ 53.21 грн
500+ 45.04 грн
1000+ 36.67 грн
3000+ 34.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR580DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 146A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2mΩ
товар відсутній
SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+124.44 грн
10+ 111.03 грн
100+ 90.16 грн
500+ 68.43 грн
1000+ 53.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
SIR580DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S)
на замовлення 5215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.19 грн
10+ 106.95 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.75 грн
500+ 61.78 грн
1000+ 53.21 грн
3000+ 52.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR580DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR580DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 146 A, 0.00215 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 146A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00215ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+90.16 грн
500+ 68.43 грн
1000+ 53.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR580DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 146A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Gate charge: 76nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 146A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 3.2mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR580DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 35.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR582DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 80 V (D-S) MOSFET 150 C 3.4 m 10V
товар відсутній
SIR582DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 80-V MSFT
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
250+ 60.31 грн
500+ 57.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR582DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 116
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 92.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.69 грн
500+ 65.04 грн
1000+ 50.01 грн
5000+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR582DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR582DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR582DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 116 A, 0.0028 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 116
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 92.5
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0028
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.48 грн
10+ 106.56 грн
100+ 85.69 грн
500+ 65.04 грн
1000+ 50.01 грн
5000+ 48.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR582DP-T1-RE3VISHAYSIR582DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR582DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.9A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 40 V
на замовлення 3189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.28 грн
10+ 103.31 грн
100+ 83.03 грн
500+ 64.01 грн
1000+ 53.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR584DP-T1-RE3VISHAYSIR584DP-T1-RE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SIR584DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.77 грн
10+ 100.6 грн
100+ 81.22 грн
500+ 61.86 грн
1000+ 47.33 грн
5000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR584DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+51.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR584DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 80-V MSFT
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+108.5 грн
10+ 89.38 грн
100+ 63.04 грн
3000+ 53.14 грн
9000+ 52.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR584DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.22 грн
500+ 61.86 грн
1000+ 47.33 грн
5000+ 46.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR584DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 5320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.81 грн
10+ 97.7 грн
100+ 78.53 грн
500+ 60.55 грн
1000+ 50.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR5850A
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SIR586DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.85 грн
10+ 81.65 грн
100+ 63.63 грн
500+ 49.33 грн
1000+ 38.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR586DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 80-V MSFT
на замовлення 20549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.65 грн
10+ 78.68 грн
100+ 53.27 грн
500+ 45.1 грн
1000+ 38.53 грн
3000+ 34.14 грн
9000+ 33.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR586DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.7A (Ta), 78.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1905 pF @ 40 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIR588DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+71.85 грн
10+ 62.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR588DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 59.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 40 V
товар відсутній
SIR588DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET N-CH 80-V MSFT
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.9 грн
10+ 56.22 грн
100+ 38.06 грн
500+ 32.22 грн
1000+ 27.57 грн
3000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR606BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR606BDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+100.75 грн
10+ 81.74 грн
100+ 55.07 грн
500+ 46.63 грн
1000+ 38.06 грн
3000+ 36.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.04 грн
500+ 49.54 грн
1000+ 41.32 грн
5000+ 36.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
SIR606BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.69 грн
10+ 73.14 грн
100+ 56.92 грн
500+ 45.28 грн
1000+ 36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR606BDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 10.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38.7A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 38.7A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR606BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR606BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 38.7 A, 0.0145 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
на замовлення 29328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+112.52 грн
10+ 85.69 грн
100+ 63.04 грн
500+ 49.54 грн
1000+ 41.32 грн
5000+ 36.85 грн
Мінімальне замовлення: 7
SIR606BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
товар відсутній
SIR606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SIR606DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 44.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.53 грн
12+ 52.05 грн
25+ 51.52 грн
50+ 49.19 грн
100+ 42.34 грн
250+ 40.06 грн
500+ 37.56 грн
1000+ 36.61 грн
Мінімальне замовлення: 11
SIR606DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 50 V
на замовлення 2563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+97.72 грн
10+ 76.94 грн
100+ 59.83 грн
500+ 47.59 грн
1000+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR606DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 37A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 44.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR606DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 37A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+56.05 грн
210+ 55.49 грн
212+ 54.94 грн
228+ 49.24 грн
250+ 44.93 грн
500+ 40.45 грн
1000+ 39.42 грн
Мінімальне замовлення: 208
SIR606DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.65 грн
10+ 80.21 грн
100+ 55.13 грн
500+ 50.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIR608DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR608DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 208 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45
Dauer-Drainstrom Id: 208
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
SIR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR608DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR608DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 45V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.92 грн
10+ 93.96 грн
100+ 64.9 грн
250+ 59.58 грн
500+ 54.07 грн
1000+ 46.37 грн
3000+ 43.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR608DP-T1-RE3VishayN-Channel 45 V (D-S) Mosfet
товар відсутній
SIR608DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 45V; 208A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 45V
Drain current: 208A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 167nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SIR608DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 51A/208A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Ta), 208A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 20 V
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SIR610DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 35.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 100 V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120 грн
10+ 96.04 грн
100+ 76.45 грн
500+ 60.71 грн
1000+ 51.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR610DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 26219 шт:
термін постачання 578-587 дні (днів)
3+129.42 грн
10+ 106.95 грн
100+ 73.73 грн
250+ 67.75 грн
500+ 61.78 грн
1000+ 59.78 грн
9000+ 58.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIR610DP-T1-RE3VishayN-Channel 200 V (D-S) MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SIR610DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 35.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 33.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній