Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (27504) > Сторінка 145 з 459

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 90 135 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 180 225 270 315 360 405 450 459  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PHPT60410NYX PHPT60410NYX Nexperia USA Inc. PHPT60410NY.pdf Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
PHPT60410PYX PHPT60410PYX Nexperia USA Inc. PHPT60410PY.pdf Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60606NYX PHPT60606NYX Nexperia USA Inc. PHPT60606NY.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006NYX PHPT61006NYX Nexperia USA Inc. PHPT61006NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.75 грн
3000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006PYX PHPT61006PYX Nexperia USA Inc. PHPT61006PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 116MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.93 грн
3000+ 15.38 грн
7500+ 14.57 грн
10500+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010NYX PHPT61010NYX Nexperia USA Inc. PHPT61010NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.3 грн
3000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010PYX PHPT61010PYX Nexperia USA Inc. PHPT61010PY.pdf Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMCM440VNEZ PMCM440VNEZ Nexperia USA Inc. PMCM440VNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товар відсутній
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ Nexperia USA Inc. PMDXB1200UPE.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNEZ Nexperia USA Inc. PMDXB550UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V050EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.16 грн
3000+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPDZ Nexperia USA Inc. PMEG060V100EPD.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+21.24 грн
3000+ 18.21 грн
7500+ 17.26 грн
10500+ 14.99 грн
37500+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG10020AELRX PMEG10020AELRX Nexperia USA Inc. PMEG10020AELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+ 6.82 грн
9000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG1201AESF.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962
товар відсутній
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG2005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 20V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3002AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товар відсутній
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG3005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005AESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESFYL Nexperia USA Inc. PMEG4005ESF.pdf Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG6010ELRX PMEG6010ELRX Nexperia USA Inc. PMEG6010ELR.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.74 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.57 грн
30000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEAR Nexperia USA Inc. PMV130ENEA.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.29 грн
6000+ 5.93 грн
9000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV16XNR PMV16XNR Nexperia USA Inc. PMV16XN.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.92 грн
6000+ 6.38 грн
9000+ 5.74 грн
30000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20ENR PMV20ENR Nexperia USA Inc. PMV20EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
6000+ 6.43 грн
9000+ 5.69 грн
30000+ 5.27 грн
75000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20XNER PMV20XNER Nexperia USA Inc. PMV20XNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.39 грн
6000+ 6.82 грн
9000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV250EPEAR PMV250EPEAR Nexperia USA Inc. PMV250EPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
6000+ 5.17 грн
9000+ 4.48 грн
30000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV30UN2R PMV30UN2R Nexperia USA Inc. PMV30UN2.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.87 грн
6000+ 6.47 грн
9000+ 5.73 грн
30000+ 5.31 грн
75000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV37EN2R PMV37EN2R Nexperia USA Inc. PMV37EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.17 грн
6000+ 5.81 грн
9000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV45EN2R PMV45EN2R Nexperia USA Inc. PMV45EN2.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.74 грн
6000+ 7.14 грн
9000+ 6.43 грн
30000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50XPR PMV50XPR Nexperia USA Inc. PMV50XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.18 грн
6000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPEAR PMV65XPEAR Nexperia USA Inc. PMV65XPEA.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.19 грн
6000+ 7.56 грн
9000+ 6.81 грн
30000+ 6.29 грн
75000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPER PMV65XPER Nexperia USA Inc. PMV65XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMZ130UNEYL PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ130UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ200UNEYL PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ320UPEYL PMZ320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZ320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ550UNEYL PMZ550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.08 грн
30000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB200UNEYL PMZB200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB200UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB320UPEYL PMZB320UPEYL Nexperia USA Inc. PMZB320UPE.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.68 грн
30000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB550UNEYL PMZB550UNEYL Nexperia USA Inc. PMZB550UNE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6AZ Nexperia USA Inc. PUSB3TB6.pdf Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.45 грн
8000+ 6.74 грн
12000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+17.82 грн
24+ 11.87 грн
100+ 5.77 грн
500+ 4.52 грн
1000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 167605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.23 грн
17+ 16.27 грн
100+ 7.96 грн
500+ 6.23 грн
1000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSH111BKR BSH111BKR Nexperia USA Inc. BSH111BK.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.01 грн
6000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSN20BKR BSN20BKR Nexperia USA Inc. BSN20BK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.15 грн
6000+ 3.71 грн
9000+ 3.08 грн
30000+ 2.83 грн
75000+ 2.55 грн
150000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC55-16PA,115 BC55-16PA,115 Nexperia USA Inc. BC55PA_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 97788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.66 грн
16+ 17.43 грн
100+ 8.79 грн
500+ 7.31 грн
1000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BC55PA,115 BC55PA,115 Nexperia USA Inc. BC55PA_SER.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.94 грн
17+ 16.95 грн
100+ 8.56 грн
500+ 7.12 грн
1000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
BC69-16PA,115 BC69-16PA,115 Nexperia USA Inc. BCP69_BC869_BC69PA.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
товар відсутній
BC69-25PA,115 BC69-25PA,115 Nexperia USA Inc. BCP69_BC869_BC69PA.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+35.63 грн
11+ 25.8 грн
100+ 16.09 грн
500+ 10.33 грн
1000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
BC69PA,115 BC69PA,115 Nexperia USA Inc. BCP69_BC869_BC69PA.pdf Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.07 грн
13+ 22.03 грн
100+ 11.12 грн
500+ 9.25 грн
1000+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBHV8115X,115 PBHV8115X,115 Nexperia USA Inc. PBHV8115X.pdf Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.47 грн
500+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBHV8540X,115 PBHV8540X,115 Nexperia USA Inc. PBHV8540X.pdf Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 520 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.47 грн
500+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBHV9040X,115 PBHV9040X,115 Nexperia USA Inc. PBHV9040X.pdf Description: TRANS PNP 400V 0.25A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 55MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.78 грн
11+ 27.31 грн
100+ 20.38 грн
500+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBHV9414ZX PBHV9414ZX Nexperia USA Inc. PBHV9414Z.pdf Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.91 грн
10+ 32.94 грн
100+ 24.58 грн
500+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
PBLS2022D,115 PBLS2022D,115 Nexperia USA Inc. PBLS2022D.pdf Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
13+ 22.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
PBLS2023D,115 PBLS2023D,115 Nexperia USA Inc. PBLS2023D.pdf Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PBLS6023D,115 PBLS6023D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6023D.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.8 грн
13+ 22.72 грн
100+ 15.76 грн
500+ 11.55 грн
1000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
PBLS6024D,115 PBLS6024D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6024D.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PBSS4260QAZ PBSS4260QAZ Nexperia USA Inc. PBSS4260QA.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+32.07 грн
12+ 23.68 грн
100+ 14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBSS4360ZX PBSS4360ZX Nexperia USA Inc. PBSS4360Z.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.22 грн
13+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBSS5160QAZ PBSS5160QAZ Nexperia USA Inc. PBSS5160QA.pdf Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.93 грн
14+ 20.38 грн
100+ 10.29 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 6.66 грн
2000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
PHPT60410NYX PHPT60410NY.pdf
PHPT60410NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 128MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
товар відсутній
PHPT60410PYX PHPT60410PY.pdf
PHPT60410PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 10A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 97MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT60606NYX PHPT60606NY.pdf
PHPT60606NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 360mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 240 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.35 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006NYX PHPT61006NY.pdf
PHPT61006NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 170MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.75 грн
3000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61006PYX PHPT61006PY.pdf
PHPT61006PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 6A LFPAK56 PWRSO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 130mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 116MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.93 грн
3000+ 15.38 грн
7500+ 14.57 грн
10500+ 12.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010NYX PHPT61010NY.pdf
PHPT61010NYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+22.3 грн
3000+ 19.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PHPT61010PYX PHPT61010PY.pdf
PHPT61010PYX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 100V 10A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMCM440VNEZ PMCM440VNE.pdf
PMCM440VNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 6 V
товар відсутній
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPE.pdf
PMDXB1200UPEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товар відсутній
PMDXB550UNEZ PMDXB550UNE.pdf
PMDXB550UNEZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000
PMEG060V050EPDZ PMEG060V050EPD.pdf
PMEG060V050EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 510pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+15.16 грн
3000+ 13.05 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG060V100EPDZ PMEG060V100EPD.pdf
PMEG060V100EPDZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 10A CFP15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 350pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: CFP15
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 560 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 60 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 133500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+21.24 грн
3000+ 18.21 грн
7500+ 17.26 грн
10500+ 14.99 грн
37500+ 14.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500
PMEG10020AELRX PMEG10020AELR.pdf
PMEG10020AELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 2A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 135pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.39 грн
6000+ 6.82 грн
9000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMEG1201AESFYL PMEG1201AESF.pdf
PMEG1201AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 12V 0.1A SOD962
товар відсутній
PMEG2005ESFYL PMEG2005ESF.pdf
PMEG2005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 20V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.9 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 620 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3.5 µA @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3002AESFYL PMEG3002AESF.pdf
PMEG3002AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 200MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
товар відсутній
PMEG3005AESFYL PMEG3005AESF.pdf
PMEG3005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.37 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 630 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG3005ESFYL PMEG3005ESF.pdf
PMEG3005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 30V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.42 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 21pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 9 µA @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005AESFYL PMEG4005AESF.pdf
PMEG4005AESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.25 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 18pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 820 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG4005ESFYL PMEG4005ESF.pdf
PMEG4005ESFYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTT 40V 500MA DSN0603-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.28 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 17pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: DSN0603-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 6.5 µA @ 40 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9000+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 9000
PMEG6010ELRX PMEG6010ELR.pdf
PMEG6010ELRX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4.5 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 110pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 nA @ 60 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.74 грн
6000+ 5.28 грн
9000+ 4.57 грн
30000+ 4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV130ENEAR PMV130ENEA.pdf
PMV130ENEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 40V 2.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 460mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.29 грн
6000+ 5.93 грн
9000+ 5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV16XNR PMV16XN.pdf
PMV16XNR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 6.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.92 грн
6000+ 6.38 грн
9000+ 5.74 грн
30000+ 5.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20ENR PMV20EN.pdf
PMV20ENR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.83 грн
6000+ 6.43 грн
9000+ 5.69 грн
30000+ 5.27 грн
75000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV20XNER PMV20XNE.pdf
PMV20XNER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 5.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 6.94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.39 грн
6000+ 6.82 грн
9000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV250EPEAR PMV250EPEA.pdf
PMV250EPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 40V 1.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.62 грн
6000+ 5.17 грн
9000+ 4.48 грн
30000+ 4.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV30UN2R PMV30UN2.pdf
PMV30UN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 10 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.87 грн
6000+ 6.47 грн
9000+ 5.73 грн
30000+ 5.31 грн
75000+ 4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV37EN2R PMV37EN2.pdf
PMV37EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.17 грн
6000+ 5.81 грн
9000+ 5.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV45EN2R PMV45EN2.pdf
PMV45EN2R
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.74 грн
6000+ 7.14 грн
9000+ 6.43 грн
30000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV50XPR PMV50XP.pdf
PMV50XPR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 3.6A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 4.63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 744 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.18 грн
6000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPEAR PMV65XPEA.pdf
PMV65XPEAR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.19 грн
6000+ 7.56 грн
9000+ 6.81 грн
30000+ 6.29 грн
75000+ 5.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMV65XPER PMV65XPE.pdf
PMV65XPER
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 618 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
PMZ130UNEYL PMZ130UNE.pdf
PMZ130UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 10 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ200UNEYL PMZ200UNE.pdf
PMZ200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ320UPEYL PMZ320UPE.pdf
PMZ320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZ550UNEYL PMZ550UNE.pdf
PMZ550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.08 грн
30000+ 3.86 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB200UNEYL PMZB200UNE.pdf
PMZB200UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 89 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB320UPEYL PMZB320UPE.pdf
PMZB320UPEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 1A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 122 pF @ 15 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.68 грн
30000+ 4.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PMZB550UNEYL PMZB550UNE.pdf
PMZB550UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3 pF @ 15 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000
PUSB3TB6AZ PUSB3TB6.pdf
PUSB3TB6AZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 4.8VC 7XSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.27pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3.5A (8/20µs)
Supplier Device Package: 7-XSON (1.1x2.1)
Unidirectional Channels: 7
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 4.8V (Typ)
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.45 грн
8000+ 6.74 грн
12000+ 6.3 грн
Мінімальне замовлення: 4000
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 9076 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+17.82 грн
24+ 11.87 грн
100+ 5.77 грн
500+ 4.52 грн
1000+ 3.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 167605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.23 грн
17+ 16.27 грн
100+ 7.96 грн
500+ 6.23 грн
1000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSH111BKR BSH111BK.pdf
BSH111BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 302mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.01 грн
6000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSN20BKR BSN20BK.pdf
BSN20BKR
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 265mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 310mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20.2 pF @ 30 V
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.15 грн
6000+ 3.71 грн
9000+ 3.08 грн
30000+ 2.83 грн
75000+ 2.55 грн
150000+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC55-16PA,115 BC55PA_SER.pdf
BC55-16PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 97788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.66 грн
16+ 17.43 грн
100+ 8.79 грн
500+ 7.31 грн
1000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 12
BC55PA,115 BC55PA_SER.pdf
BC55PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 1A DFN2020D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN2020D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 5931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.94 грн
17+ 16.95 грн
100+ 8.56 грн
500+ 7.12 грн
1000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
BC69-16PA,115 BCP69_BC869_BC69PA.pdf
BC69-16PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
товар відсутній
BC69-25PA,115 BCP69_BC869_BC69PA.pdf
BC69-25PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
на замовлення 5360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.63 грн
11+ 25.8 грн
100+ 16.09 грн
500+ 10.33 грн
1000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
BC69PA,115 BCP69_BC869_BC69PA.pdf
BC69PA,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 20V 2A 3HUSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: 3-HUSON (2x2)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 420 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.07 грн
13+ 22.03 грн
100+ 11.12 грн
500+ 9.25 грн
1000+ 7.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBHV8115X,115 PBHV8115X.pdf
PBHV8115X,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 150V 1A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 50mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 6789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.47 грн
500+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBHV8540X,115 PBHV8540X.pdf
PBHV8540X,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 400V 0.5A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 60mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 520 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
11+ 25.19 грн
100+ 17.47 грн
500+ 12.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBHV9040X,115 PBHV9040X.pdf
PBHV9040X,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 400V 0.25A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 20mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 55MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.78 грн
11+ 27.31 грн
100+ 20.38 грн
500+ 15.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBHV9414ZX PBHV9414Z.pdf
PBHV9414ZX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 140V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 650 mW
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.91 грн
10+ 32.94 грн
100+ 24.58 грн
500+ 18.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
PBLS2022D,115 PBLS2022D.pdf
PBLS2022D,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.8 грн
13+ 22.72 грн
Мінімальне замовлення: 11
PBLS2023D,115 PBLS2023D.pdf
PBLS2023D,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1PNP 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PBLS6023D,115 PBLS6023D.pdf
PBLS6023D,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.8 грн
13+ 22.72 грн
100+ 15.76 грн
500+ 11.55 грн
1000+ 9.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
PBLS6024D,115 PBLS6024D.pdf
PBLS6024D,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 760mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PBSS4260QAZ PBSS4260QA.pdf
PBSS4260QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 2A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.07 грн
12+ 23.68 грн
100+ 14.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
PBSS4360ZX PBSS4360Z.pdf
PBSS4360ZX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 145MHz
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.22 грн
13+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
PBSS5160QAZ PBSS5160QA.pdf
PBSS5160QAZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 60V 1A DFN1010D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 460mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DFN1010D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 325 mW
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.93 грн
14+ 20.38 грн
100+ 10.29 грн
500+ 8.55 грн
1000+ 6.66 грн
2000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 10
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 45 90 135 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 180 225 270 315 360 405 450 459  [ Наступна Сторінка >> ]