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Ціна без ПДВ |
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NCV20231XV53T2G | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20231SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20231SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSOP usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCV20231SN2T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TSOP usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCS20231SQ3T2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s) tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 4V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SC-88 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO) Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz Eingangsoffsetspannung: 300µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 5pA Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NLV74LVX14DTR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV74LVX14DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LVX14 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 74LVX Bauform - Logikbaustein: TSSOP Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 74LVX14 Versorgungsspannung, max.: 3.6 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Sechs SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FQA70N15 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 70 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 330 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 330 Bauform - Transistor: TO-3PN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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| 6HP04CH-TL-W | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 370 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 600 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 Verlustleistung: 600 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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FDP24N40 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 24 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 227 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 227 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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NTP125N65S3H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FAST productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDD5353 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 69 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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FDB075N15A-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 110 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 333 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 333 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: FDB PowerTrench Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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2SC5706-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N3595TR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N35 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 8679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N3595 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 3µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N35 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FOD8332V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8332V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 Bauform - Optokoppler: SOIC Produktpalette: FOD8332 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8332 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8332 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 Bauform - Optokoppler: SOIC Produktpalette: FOD8332 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8332R2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8332R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 Bauform - Optokoppler: SOIC Produktpalette: FOD8332 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FOD8332R2V | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FOD8332R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332 Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Anzahl der Pins: 16 Isolationsspannung: 4.243 Bauform - Optokoppler: SOIC Produktpalette: FOD8332 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NC7WZ14P6X | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7W14, 2 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6 Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7WZ Bauform - Logikbaustein: SC-70 Ausgangsstrom: 32 MSL: - Betriebstemperatur, min.: -40 Versorgungsspannung, min.: 1.65 Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14 Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: 7W14 Versorgungsspannung, max.: 5.5 Anzahl der Eingänge: 1 Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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NCV7685DQR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24 Schaltfrequenz: 1.2 IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 28 MSL: MSL 2 - 1 Jahr Betriebstemperatur, min.: -40 Eingangsspannung, max.: 28 Bauform - Treiber: SSOP-EP Ausgangsstrom, max.: 60 Bausteintopologie: Konstantstrom, linear Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 150 Anzahl der Ausgänge: 12 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FDS6675. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 2.5 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
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CAT9555YI-T2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt IC-Schnittstelle: I2C, SMBus Versorgungsspannung, min.: 2.3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Busfrequenz: 400 Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16 Anzahl der Pins: 24 Produktpalette: - Versorgungsspannung, max.: 5.5 Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP Chipkonfiguration: 16bit SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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FGA6065ADF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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NTSV20100CTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV Bauform - Diode: TO-220AB Durchlassstoßstrom: 100 Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: NTSV2 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SECO-NCV7685RGB-GEVB | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen tariffCode: 84733020 Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung rohsCompliant: YES Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685 Prozessorhersteller: On Semiconductor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Prozessorserie: - Unterart Anwendung: LED-Treiber usEccn: EAR99 Prozessorfamilie: - euEccn: NLR Prozessorkern: NCV7685 Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Prozessorarchitektur: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD4970N-35G. | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
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FDS6680AS | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, OberflächenmontageVerlustleistung: 2.5 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
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NCV317BD2TR4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3 tariffCode: 85423990 Ausgang: Einstellbar rohsCompliant: Y-EX Ausgangsspannung, min.: 1.2V Ausgangsspannung, max.: 37V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 1.5A Nominelle feste Ausgangsspannung: - Qualifikation: AEC-Q100 IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK) Nennausgangsspannung: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37V Betriebstemperatur, min.: -55°C Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V Eingangsspannung, max.: 40V Bauform - Linearregler: TO-263 (D2PAK) euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 1.5A Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAT54ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54ALT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 800mV Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAT54 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 63948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF12N50NZ | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDPF12N50T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 11.5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDPF12N50UT | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 10 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 42 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 42 Bauform - Transistor: TO-220F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: UniFET Ultra FRFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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FDP3682 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 32 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 95 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 95 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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PCP1402-TD-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 1.2 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 Verlustleistung: 3.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ1560R43T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM tariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 15A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: DIP SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ0560R43T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM tariffCode: 85423990 IPM-Leistungsbaustein: IGBT productTraceability: Yes-Date/Lot Code IPM-Baureihe: DIPIPM rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 10A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 Bauform - IPM: Modul Produktpalette: PW Series SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ0860L33T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM IPM-Leistungsbaustein: IGBT IPM-Baureihe: DIPIPM Isolationsspannung: 2 Nennstrom (Ic/Id): 8 Nennspannung (Vces / Vdss): 600 Bauform - IPM: DIP Produktpalette: Compact IPM Series SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NFAQ1560R43TL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Isolationsspannung: 2kV euEccn: NLR hazardous: false Nennstrom (Ic/Id): 15A rohsPhthalatesCompliant: YES Nennspannung (Vces / Vdss): 600V usEccn: EAR99 |
на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PN100A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 625 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товар відсутній |
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QSE114 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 50° Bauform - Transistor: - Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code |
на замовлення 1217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 50 Bauform - Transistor: - Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| QSE113E3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s) SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSE122 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 25 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: Side Looking Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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QSD2030 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20 Anzahl der Pins: 2 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Dunkelstrom: 0.01 Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm) Betriebstemperatur, min.: -40 Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880 Betriebstemperatur, max.: 100 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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QSD123A4R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 24 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm) Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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QSE133 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking Stromverbrauch: 100 Anzahl der Pins: 2 Abstrahlwinkel: 25 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Bauform - Transistor: Side Looking Wellenlänge, typ.: 880 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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QSD124 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) tariffCode: 85414900 productTraceability: No Stromverbrauch: 100mW rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 2Pin(s) Abstrahlwinkel: 24° euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm usEccn: EAR99 |
на замовлення 5590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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QSD123 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm) tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Wellenlänge, typ.: 880nm Stromverbrauch: 100mW hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Abstrahlwinkel: 24° Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AR0522SRSC09SURA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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AR0521SR2C09SURA0-DP1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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AR0522SRSC09SURA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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AR0521SR2C09SURA0-DR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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AR0521SR2C09SURA0-DR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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AR0521SR2C09SURA0-DP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR MSL: MSL 4 - 72 Stunden SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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NLV14082BDG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4082 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 4 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
товар відсутній |
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NLV14082BDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082 Logikfunktion: AND-Gatter Logik-IC-Familie: 4000B Bauform - Logikbaustein: NSOIC Ausgangsstrom: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Betriebstemperatur, min.: -55 Versorgungsspannung, min.: 3 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100 Anzahl der Pins: 14 Produktpalette: 4082 Versorgungsspannung, max.: 18 Anzahl der Eingänge: 4 Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 125 Anzahl von Elementen: Zwei SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
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FQPF17N40T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF17N40T - MOSFET'S - SINGLE SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |
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S320 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV tariffCode: 85412900 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 900mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: S320 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C43LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C Zener-Spannung, nom.: 43 Verlustleistung: 225 Anzahl der Pins: 3 Bauform - Diode: SOT-23 Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung Pd: 225 Betriebstemperatur, max.: 150 Produktpalette: BZX84CxxxLT1G SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
товар відсутній |
| NCV20231XV53T2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231XV53T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SOT-553, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-553
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 48.51 грн |
| 500+ | 30.51 грн |
| NCS20231SQ3T2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.62 грн |
| 12+ | 62.59 грн |
| 100+ | 42.1 грн |
| 500+ | 26.99 грн |
| NCV20231SN2T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 48.51 грн |
| 500+ | 31 грн |
| NCV20231SN2T1G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NCV20231SN2T1G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, TSOP, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 84.95 грн |
| 11+ | 71.24 грн |
| 100+ | 48.51 грн |
| 500+ | 31 грн |
| NCS20231SQ3T2G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - NCS20231SQ3T2G - Operationsverstärker, 1 Kanäle, 3 MHz, 4 V/µs, 2.7V bis 36V, SC-88, 5 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 36V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 4V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SC-88
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: Rail-to-Rail-Eingang/Ausgang (RRIO)
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 3MHz
Eingangsoffsetspannung: 300µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 5pA
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 42.1 грн |
| 500+ | 26.99 грн |
| NLV74LVX14DTR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV74LVX14DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LVX14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LVX14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV74LVX14DTR2G - Logik-IC, Wechselrichter, Sechs, 1 Inputs, 14 Pin(s), TSSOP, 74LVX14
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 74LVX
Bauform - Logikbaustein: TSSOP
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 74LVX14
Versorgungsspannung, max.: 3.6
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Sechs
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FQA70N15 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQA70N15 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 70 A, 0.023 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 70
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 330
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 330
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
| 6HP04CH-TL-W |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 370
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - 6HP04CH-TL-W - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 370 mA, 3.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 370
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
| FDP24N40 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDP24N40 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 24 A, 0.14 ohm, TO-220
Drain-Source-Spannung Vds: 400
Dauer-Drainstrom Id: 24
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
| NTP125N65S3H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTP125N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.108 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FAST
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.108ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 430.7 грн |
| 10+ | 309.99 грн |
| FDD5353 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 69
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDD5353 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 69
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FDB075N15A-F085 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDB075N15A-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 110 A, 0.0055 ohm, TO-263 (D2PAK)
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 333
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: FDB PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 364.38 грн |
| 10+ | 318.18 грн |
| 100+ | 269 грн |
| 500+ | 212.42 грн |
| 2SC5706-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 49.11 грн |
| 500+ | 40.34 грн |
| 700+ | 32.38 грн |
| 1400+ | 31.68 грн |
| 2100+ | 31.42 грн |
| 1N3595TR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N3595TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 47+ | 15.95 грн |
| 70+ | 10.73 грн |
| 157+ | 4.75 грн |
| 500+ | 4.32 грн |
| 1N3595 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: ONSEMI - 1N3595 - Kleinsignaldiode, Einfach, 150 V, 200 mA, 1 V, 3 µs, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 3µs
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N35
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 18.33 грн |
| 61+ | 12.22 грн |
| 155+ | 4.83 грн |
| 500+ | 3.45 грн |
| FOD8332V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8332V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FOD8332 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8332 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FOD8332R2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8332R2 - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FOD8332R2V |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FOD8332R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FOD8332R2V - Optokoppler, 1 Kanal, SOIC, 16 Pin(s), 4.243 kV, FOD8332
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Anzahl der Pins: 16
Isolationsspannung: 4.243
Bauform - Optokoppler: SOIC
Produktpalette: FOD8332
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| NC7WZ14P6X |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7W14, 2 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7W14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NC7WZ14P6X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7W14, 2 Eingang, 32mA, 1.65V bis 5.5V, SC-70-6
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7WZ
Bauform - Logikbaustein: SC-70
Ausgangsstrom: 32
MSL: -
Betriebstemperatur, min.: -40
Versorgungsspannung, min.: 1.65
Logikfamilie / Sockelnummer: NC7W14
Logiktyp: Inverter-Schmitt-Trigger
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: 7W14
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Anzahl der Eingänge: 1
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| NCV7685DQR2G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NCV7685DQR2G - LED-Treiber, DC/DC, 60mA, 28V, -40 bis 150°C, 12 Ausgänge, SMD, SSOP-EP-24
Schaltfrequenz: 1.2
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 28
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Betriebstemperatur, min.: -40
Eingangsspannung, max.: 28
Bauform - Treiber: SSOP-EP
Ausgangsstrom, max.: 60
Bausteintopologie: Konstantstrom, linear
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Anzahl der Ausgänge: 12
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FDS6675. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - FDS6675. - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
товар відсутній
| CAT9555YI-T2 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - CAT9555YI-T2 - I/O-Erweiterung, 16bit, 400 kHz, I2C, SMBus, 2.3 V, 5.5 V, TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: I2C, SMBus
Versorgungsspannung, min.: 2.3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Busfrequenz: 400
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 16
Anzahl der Pins: 24
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 5.5
Bauform - Schnittstellenbaustein: TSSOP
Chipkonfiguration: 16bit
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| FGA6065ADF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FGA6065ADF - FAST & ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIERS
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
| NTSV20100CTG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NTSV20100CTG - Schottky-Gleichrichterdiode, 100 V, 20 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, TO-220AB, 3 Pin(s), 980 mV
Bauform - Diode: TO-220AB
Durchlassstoßstrom: 100
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 980
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: NTSV2
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
| SECO-NCV7685RGB-GEVB |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
Description: ONSEMI - SECO-NCV7685RGB-GEVB - Demoboard, NCV7685, RGB-LED-Beleuchtungsanwendungen
tariffCode: 84733020
Kit-Anwendungsbereich: Beleuchtung
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: Demoboard NCV7685
Prozessorhersteller: On Semiconductor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Prozessorserie: -
Unterart Anwendung: LED-Treiber
usEccn: EAR99
Prozessorfamilie: -
euEccn: NLR
Prozessorkern: NCV7685
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Prozessorarchitektur: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 9977.71 грн |
| NTD4970N-35G. |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G. - SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 30V 36A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товар відсутній
| FDS6680AS | |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDS6680AS - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.5 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 2.5
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товар відсутній
| NCV317BD2TR4G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Linearregler: TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCV317BD2TR4G - Linearer Spannungsregler, einstellbar, 1.2V bis 37V/1.5Aout, TO-263-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Einstellbar
rohsCompliant: Y-EX
Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Ausgangsspannung, max.: 37V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 1.5A
Nominelle feste Ausgangsspannung: -
Qualifikation: AEC-Q100
IC-Gehäuse / Bauform: TO-263 (D2PAK)
Nennausgangsspannung: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Einstellbare Ausgangsspannung, max.: 37V
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Einstellbare Ausgangsspannung, min.: 1.2V
Eingangsspannung, max.: 40V
Bauform - Linearregler: TO-263 (D2PAK)
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1.5A
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 73.47 грн |
| 13+ | 61.92 грн |
| 100+ | 36.74 грн |
| BAT54ALT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54ALT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BAT54ALT1G - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Anode, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 800mV
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAT54
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 63948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 61+ | 12.22 грн |
| 94+ | 7.97 грн |
| 215+ | 3.47 грн |
| 500+ | 3.16 грн |
| FDPF12N50NZ |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50NZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.46 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.46
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.46
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 152.01 грн |
| 10+ | 122.21 грн |
| 100+ | 96.87 грн |
| 500+ | 78.88 грн |
| FDPF12N50T |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11.5 A, 0.55 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 11.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.55
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
| FDPF12N50UT |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FDPF12N50UT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 10 A, 0.65 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 42
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 42
Bauform - Transistor: TO-220F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: UniFET Ultra FRFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.65
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товар відсутній
| FDP3682 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - FDP3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 95
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 95
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товар відсутній
| PCP1402-TD-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - PCP1402-TD-H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 1.2 A, 1.8 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 3.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5
Verlustleistung: 3.5
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| NFAQ1560R43T |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: DIP
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1464.24 грн |
| 5+ | 1405.37 грн |
| 10+ | 1345.76 грн |
| 50+ | 1152.76 грн |
| 100+ | 974.03 грн |
| 250+ | 954.87 грн |
| NFAQ0560R43T |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NFAQ0560R43T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 10 A, 2 kV, Modul, DIPIPM
tariffCode: 85423990
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
IPM-Baureihe: DIPIPM
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 10A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Bauform - IPM: Modul
Produktpalette: PW Series
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 843.52 грн |
| 10+ | 719.83 грн |
| 25+ | 650.53 грн |
| 100+ | 540.4 грн |
| NFAQ0860L33T |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: DIPIPM
Isolationsspannung: 2
Nennstrom (Ic/Id): 8
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NFAQ0860L33T - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 8 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
IPM-Leistungsbaustein: IGBT
IPM-Baureihe: DIPIPM
Isolationsspannung: 2
Nennstrom (Ic/Id): 8
Nennspannung (Vces / Vdss): 600
Bauform - IPM: DIP
Produktpalette: Compact IPM Series
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1087.19 грн |
| 5+ | 1043.23 грн |
| 10+ | 999.26 грн |
| 50+ | 857.31 грн |
| 100+ | 726.21 грн |
| NFAQ1560R43TL |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NFAQ1560R43TL - Intelligentes Leistungsmodul (IPM), IGBT, 600 V, 15 A, 2 kV, DIP, DIPIPM
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Isolationsspannung: 2kV
euEccn: NLR
hazardous: false
Nennstrom (Ic/Id): 15A
rohsPhthalatesCompliant: YES
Nennspannung (Vces / Vdss): 600V
usEccn: EAR99
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 973.93 грн |
| 5+ | 898.66 грн |
| 10+ | 822.66 грн |
| 50+ | 738.99 грн |
| 100+ | 590.81 грн |
| 250+ | 514.8 грн |
| PN100A |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PN100A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 500 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 625
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товар відсутній
| QSE114 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Description: ONSEMI - QSE114 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 50°
Bauform - Transistor: -
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 46.35 грн |
| 26+ | 29.58 грн |
| 30+ | 25.26 грн |
| 50+ | 19.51 грн |
| 100+ | 14.31 грн |
| QSE113E3R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 50
Bauform - Transistor: -
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.13 грн |
| 16+ | 47.24 грн |
| 100+ | 30.92 грн |
| QSE113E3R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE113E3R0 - Fototransistor, 880 nm, 50 °, 100 mW, 2 Pin(s)
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 30.92 грн |
| QSE122 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE122 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| QSD2030 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSD2030 - Fotodiode, 10nA, 880nm, 20°, -40°C bis 100°C, T-1 3/4 (5mm), 2 Pins
Winkel halber Empfindlichkeit ±: 20
Anzahl der Pins: 2
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Dunkelstrom: 0.01
Bauform - Diode: T-1 3/4 (5mm)
Betriebstemperatur, min.: -40
Wellenlänge bei Spitzensensitivität: 880
Betriebstemperatur, max.: 100
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| QSD123A4R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSD123A4R0 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 24
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| QSE133 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - QSE133 - Fototransistor, 880 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin(s), Side Looking
Stromverbrauch: 100
Anzahl der Pins: 2
Abstrahlwinkel: 25
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Transistor: Side Looking
Wellenlänge, typ.: 880
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| QSD124 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - QSD124 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
productTraceability: No
Stromverbrauch: 100mW
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Abstrahlwinkel: 24°
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
usEccn: EAR99
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 59.91 грн |
| 30+ | 25.41 грн |
| 250+ | 25.19 грн |
| 500+ | 23.18 грн |
| 1000+ | 16.93 грн |
| 2500+ | 15.78 грн |
| 5000+ | 15.46 грн |
| QSD123 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - QSD123 - Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pin(s), T-1 3/4 (5mm)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Wellenlänge, typ.: 880nm
Stromverbrauch: 100mW
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Abstrahlwinkel: 24°
Bauform - Transistor: T-1 3/4 (5mm)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.64 грн |
| 20+ | 37.26 грн |
| 25+ | 32.27 грн |
| AR0522SRSC09SURA0-DP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| AR0521SR2C09SURA0-DP1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| AR0522SRSC09SURA0-DR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0522SRSC09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| AR0521SR2C09SURA0-DR |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| AR0521SR2C09SURA0-DR1 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DR1 - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| AR0521SR2C09SURA0-DP |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - AR0521SR2C09SURA0-DP - IMAGE SENSOR
MSL: MSL 4 - 72 Stunden
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| NLV14082BDG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - NLV14082BDG - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товар відсутній
| NLV14082BDR2G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - NLV14082BDR2G - Logik-IC, AND-Gatter, Zwei, 4 Inputs, 14 Pin(s), NSOIC, 4082
Logikfunktion: AND-Gatter
Logik-IC-Familie: 4000B
Bauform - Logikbaustein: NSOIC
Ausgangsstrom: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Betriebstemperatur, min.: -55
Versorgungsspannung, min.: 3
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q100
Anzahl der Pins: 14
Produktpalette: 4082
Versorgungsspannung, max.: 18
Anzahl der Eingänge: 4
Schmitt-Trigger-Eingang: Ohne Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 125
Anzahl von Elementen: Zwei
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
| S320 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - S320 - Schottky-Gleichrichterdiode, 200 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 900 mV
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 900mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: S320
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 5787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 59.61 грн |
| 16+ | 48.66 грн |
| 100+ | 35.25 грн |
| 500+ | 30.65 грн |
| 1000+ | 22.67 грн |
| 3000+ | 20.25 грн |
| BZX84C43LT1G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - BZX84C43LT1G - Zener-Diode, 43 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C
Zener-Spannung, nom.: 43
Verlustleistung: 225
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Diode: SOT-23
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 225
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: BZX84CxxxLT1G
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній