Результат пошуку "2N56" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) 560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Код товару: 199275 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується: 10000 шт
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) 56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Код товару: 153914 		Hitano mlcc-approval_20190116.pdf Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 8450 шт
10+0.5 грн
100+ 0.3 грн
1000+ 0.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N56-50-8080-A00 3M 2N56-50-8080-A00
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2714.31 грн
10+ 2546.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N56-50-8080-A11 3M 2N56-50-8080-A11
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3028.26 грн
5+ 2935.92 грн
10+ 2754.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5634 2N5634 Harris Corporation CSEM-S-A0006506571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4920.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5638RLRA 2N5638RLRA onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5638RLRA ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5638RLRAG ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5638RLRAG 2N5638RLRAG onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639 2N5639 Fairchild Semiconductor FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
952+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 952
2N5639 ONSEMI FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5639G 2N5639G onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639G ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N5639RLRA ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5639RLRA 2N5639RLRA onsemi ONSMS11150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639RLRAG ONSEMI ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5639RLRAG 2N5639RLRAG onsemi Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5643 2N5643 Advanced Semiconductor, Inc. 2n5643-18272.pdf RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4588.56 грн
10+ 4111.9 грн
25+ 3456.17 грн
50+ 3337.47 грн
100+ 3218.08 грн
250+ 3098.69 грн
500+ 2979.98 грн
2N5655 ONSEMI ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N5655 2N5655 onsemi 2N5655G%2C57G.pdf Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5655G ONSEMI ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5655G 2N5655G onsemi 2N5655G%2C57G.pdf Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1480+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2N5657G 2N5657G ON Semiconductor 2n5655-d.pdf Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5663 General Semiconductor MSLWS00512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1584.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5664 2N5664 Microchip Technology LDS_0062-1593858.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3278.58 грн
100+ 3000 грн
2N5666 Microchip Technology LDS_0062-1593858.pdf Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3331.72 грн
100+ 3050 грн
2N5671 2N5671 Harris Corporation HRISD005-2-44.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4179.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5679 PBFREE 2N5679 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.59 грн
10+ 179.36 грн
25+ 147 грн
100+ 125.6 грн
250+ 124.22 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5680 Microchip Technology 2N5679-1593420.pdf Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1744.76 грн
100+ 1596.82 грн
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.49 грн
10+ 300.79 грн
25+ 246.38 грн
100+ 213.94 грн
500+ 180.81 грн
2500+ 173.91 грн
5000+ 166.32 грн
2N5680 PBFREE 2N5680 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5681 PBFREE 2N5681 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+363.12 грн
10+ 300.79 грн
25+ 246.38 грн
100+ 211.18 грн
250+ 205.66 грн
500+ 173.91 грн
1000+ 159.42 грн
2N5682 2N5682 CDIL 2N5679_82.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.84 грн
14+ 26.17 грн
25+ 23.51 грн
40+ 21.06 грн
100+ 20.78 грн
110+ 19.91 грн
500+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5682 2N5682 CDIL 2N5679_82.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+70.61 грн
9+ 32.61 грн
25+ 28.21 грн
40+ 25.28 грн
100+ 24.93 грн
110+ 23.9 грн
500+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5682 2N5682 MULTICOMP PRO 2861206.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+311.22 грн
10+ 222.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor 2n5679-5682.pdf Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+146.81 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N5682 PBFREE 2N5682 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.27 грн
10+ 196.03 грн
25+ 162.87 грн
100+ 151.14 грн
500+ 127.67 грн
1000+ 116.63 грн
2500+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5684 2N5684 Microchip Technology 2N5683-1593423.pdf Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8847.01 грн
100+ 8097.61 грн
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+782.3 грн
200+ 776.52 грн
300+ 768.74 грн
500+ 736.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+842.47 грн
200+ 836.25 грн
300+ 827.87 грн
500+ 793.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5684G 2N5684G onsemi 2n5684-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.66 грн
10+ 885.31 грн
25+ 813.58 грн
100+ 718.6 грн
2N5684G 2N5684G ON Semiconductor 2n5684-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1015.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5684G 2N5684G onsemi 2N5684_D-2309214.pdf Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1132.85 грн
10+ 984.92 грн
20+ 832.3 грн
50+ 786.06 грн
100+ 739.82 грн
200+ 717.05 грн
500+ 670.81 грн
2N5684G 2N5684G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+980.89 грн
5+ 892.64 грн
2N5685 2N5685 Microchip Technology 8972-lds-0162-datasheet Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5552.73 грн
2N5686 2N5686 MULTICOMP PRO 2861096.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2183.2 грн
5+ 1455.47 грн
2N5686G 2N5686G ONSEMI ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1333.15 грн
5+ 1238.7 грн
10+ 1143.47 грн
50+ 1002.13 грн
2N5686G 2N5686G onsemi 2N5684_D-2309214.pdf Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1386.47 грн
10+ 1204.76 грн
20+ 1019.32 грн
50+ 962.04 грн
100+ 905.45 грн
200+ 877.16 грн
500+ 820.57 грн
2N56 CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560 MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560 MOT CAN
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5609 NEC 04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5609 TOSHIBA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560A MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N561 MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5610 NEC 04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5611 SEMELAB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5611A SEMELAB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Код товару: 199275		 mlcc-approval_20190116.pdf
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується: 10000 шт
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Код товару: 153914		 mlcc-approval_20190116.pdf
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 8450 шт
Кількість Ціна без ПДВ
10+0.5 грн
100+ 0.3 грн
1000+ 0.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
2N56-50-8080-A00
Виробник: 3M
2N56-50-8080-A00
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2714.31 грн
10+ 2546.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N56-50-8080-A11
Виробник: 3M
2N56-50-8080-A11
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+3028.26 грн
5+ 2935.92 грн
10+ 2754.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5634 CSEM-S-A0006506571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5634
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+4920.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5638RLRA
2N5638RLRA
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5638RLRA ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5638RLRAG ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5638RLRAG
2N5638RLRAG
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639 FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5639
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
952+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 952
2N5639 FAIRS35663-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5639G
2N5639G
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639G ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N5639RLRA ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5639RLRA ONSMS11150-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5639RLRA
Виробник: onsemi
Description: RF MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5639RLRAG ONSMS11150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
2N5639RLRAG
2N5639RLRAG
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5643 2n5643-18272.pdf
2N5643
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4588.56 грн
10+ 4111.9 грн
25+ 3456.17 грн
50+ 3337.47 грн
100+ 3218.08 грн
250+ 3098.69 грн
500+ 2979.98 грн
2N5655 ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
2N5655 2N5655G%2C57G.pdf
2N5655
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2219+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 2219
2N5655G ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5655G 2N5655G%2C57G.pdf
2N5655G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1480+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 1480
2N5657G 2n5655-d.pdf
2N5657G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5663 MSLWS00512-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+1584.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5664 LDS_0062-1593858.pdf
2N5664
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3278.58 грн
100+ 3000 грн
2N5666 LDS_0062-1593858.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3331.72 грн
100+ 3050 грн
2N5671 HRISD005-2-44.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5671
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+4179.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5679 PBFREE
2N5679 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+216.59 грн
10+ 179.36 грн
25+ 147 грн
100+ 125.6 грн
250+ 124.22 грн
500+ 105.59 грн
1000+ 95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5680 2N5679-1593420.pdf
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1744.76 грн
100+ 1596.82 грн
2N5680 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5680 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5680 PBFREE
2N5680 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.49 грн
10+ 300.79 грн
25+ 246.38 грн
100+ 213.94 грн
500+ 180.81 грн
2500+ 173.91 грн
5000+ 166.32 грн
2N5680 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5680 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+239.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5681 PBFREE
2N5681 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+363.12 грн
10+ 300.79 грн
25+ 246.38 грн
100+ 211.18 грн
250+ 205.66 грн
500+ 173.91 грн
1000+ 159.42 грн
2N5682 2N5679_82.pdf
2N5682
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.84 грн
14+ 26.17 грн
25+ 23.51 грн
40+ 21.06 грн
100+ 20.78 грн
110+ 19.91 грн
500+ 19.12 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5682 2N5679_82.pdf
2N5682
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+70.61 грн
9+ 32.61 грн
25+ 28.21 грн
40+ 25.28 грн
100+ 24.93 грн
110+ 23.9 грн
500+ 22.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
2N5682 2861206.pdf
2N5682
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+311.22 грн
10+ 222.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5682 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5682 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5682 PBFREE 2n5679-5682.pdf
2N5682 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+146.81 грн
Мінімальне замовлення: 31
2N5682 PBFREE
2N5682 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.27 грн
10+ 196.03 грн
25+ 162.87 грн
100+ 151.14 грн
500+ 127.67 грн
1000+ 116.63 грн
2500+ 113.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
2N5684 2N5683-1593423.pdf
2N5684
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8847.01 грн
100+ 8097.61 грн
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+782.3 грн
200+ 776.52 грн
300+ 768.74 грн
500+ 736.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+842.47 грн
200+ 836.25 грн
300+ 827.87 грн
500+ 793.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1043.66 грн
10+ 885.31 грн
25+ 813.58 грн
100+ 718.6 грн
2N5684G 2n5684-d.pdf
2N5684G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+1015.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5684G 2N5684_D-2309214.pdf
2N5684G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1132.85 грн
10+ 984.92 грн
20+ 832.3 грн
50+ 786.06 грн
100+ 739.82 грн
200+ 717.05 грн
500+ 670.81 грн
2N5684G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5684G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+980.89 грн
5+ 892.64 грн
2N5685 8972-lds-0162-datasheet
2N5685
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5552.73 грн
2N5686 2861096.pdf
2N5686
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2183.2 грн
5+ 1455.47 грн
2N5686G ONSM-S-A0013776947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5686G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1333.15 грн
5+ 1238.7 грн
10+ 1143.47 грн
50+ 1002.13 грн
2N5686G 2N5684_D-2309214.pdf
2N5686G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1386.47 грн
10+ 1204.76 грн
20+ 1019.32 грн
50+ 962.04 грн
100+ 905.45 грн
200+ 877.16 грн
500+ 820.57 грн
2N56
CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560
Виробник: MOT
CAN
на замовлення 288 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5609
Виробник: NEC
04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5609
Виробник: TOSHIBA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N560A
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N561
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5610
Виробник: NEC
04+
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5611
Виробник: SEMELAB
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N5611A
Виробник: SEMELAB
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]