Результат пошуку "2N56" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 952
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1480
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 12
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) Код товару: 199275 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 560 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
очікується:
10000 шт
|
||||||||||||||||
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) Код товару: 153914 |
Hitano |
Керамічні SMD конденсатори > 0402 Номінал: 56 pF Ном.напруга: 50 V Діелектрик: NP0 Точність: ±5% J Типорозмір: 0402 |
у наявності: 8450 шт
|
|
|||||||||||||||
2N56-50-8080-A00 | 3M | 2N56-50-8080-A00 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N56-50-8080-A11 | 3M | 2N56-50-8080-A11 |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5634 | Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V Frequency - Transition: 1MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5638RLRA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5638RLRA | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5638RLRAG | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V |
на замовлення 15191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5638RLRAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639 | Fairchild Semiconductor |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 21885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639G | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639RLRA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639RLRA | onsemi |
Description: RF MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639RLRAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5639RLRAG | onsemi |
Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5643 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5655 | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5655 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5655G | onsemi |
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5655G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5657G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5663 | General Semiconductor |
Description: TRANS 300V 1A TO5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5664 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5666 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5671 | Harris Corporation |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 6 W |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5679 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5680 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5681 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz |
на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch |
на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5684 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5684G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5685 | Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5686 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-3 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5686G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-204AA Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5686G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W NPN |
на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N56 | CAN |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N560 | MOT | CAN |
на замовлення 288 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N560 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N5609 | TOSHIBA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N5609 | NEC | 04+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N560A | MOTOROLA |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N561 | MOTOROLA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N5610 | NEC | 04+ |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5611 | SEMELAB |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
2N5611A | SEMELAB |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
560pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N561J500NU-Hitano) Код товару: 199275 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 560 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
очікується:
10000 шт
56pF 50V 5% NP0 0402 (C0402N560J500NU-Hitano) Код товару: 153914 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 56 pF
Ном.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0402
у наявності: 8450 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.5 грн |
100+ | 0.3 грн |
1000+ | 0.2 грн |
2N56-50-8080-A00 |
Виробник: 3M
2N56-50-8080-A00
2N56-50-8080-A00
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 2714.31 грн |
10+ | 2546.62 грн |
2N56-50-8080-A11 |
Виробник: 3M
2N56-50-8080-A11
2N56-50-8080-A11
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 3028.26 грн |
5+ | 2935.92 грн |
10+ | 2754.54 грн |
2N5634 |
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 2V
Frequency - Transition: 1MHz
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 4920.27 грн |
2N5638RLRA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5638RLRA - 2N5638RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.18 грн |
2N5638RLRA |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5638RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50 mA @ 20 V
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5638RLRAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5638RLRAG - 2N5638RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.18 грн |
2N5639 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
952+ | 22.05 грн |
2N5639 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 22.92 грн |
2N5639G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 16.18 грн |
2N5639G |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5639RLRA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 9.75 грн |
2N5639RLRA |
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5639RLRAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.18 грн |
2N5639RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Description: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5643 |
Виробник: Advanced Semiconductor, Inc.
RF Bipolar Transistors RF Transistor
RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4588.56 грн |
10+ | 4111.9 грн |
25+ | 3456.17 грн |
50+ | 3337.47 грн |
100+ | 3218.08 грн |
250+ | 3098.69 грн |
500+ | 2979.98 грн |
2N5655 |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.65 грн |
2N5655 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.93 грн |
2N5655G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1480+ | 13.78 грн |
2N5655G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 19.35 грн |
2N5657G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5663 |
Виробник: General Semiconductor
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS 300V 1A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 1584.47 грн |
2N5664 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3278.58 грн |
100+ | 3000 грн |
2N5666 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3331.72 грн |
100+ | 3050 грн |
2N5671 |
Виробник: Harris Corporation
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
Description: TRANS NPN 90V 30A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V
Power - Max: 6 W
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 4179.25 грн |
2N5679 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.59 грн |
10+ | 179.36 грн |
25+ | 147 грн |
100+ | 125.6 грн |
250+ | 124.22 грн |
500+ | 105.59 грн |
1000+ | 95.93 грн |
2N5680 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1744.76 грн |
100+ | 1596.82 грн |
2N5680 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5680 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 357.49 грн |
10+ | 300.79 грн |
25+ | 246.38 грн |
100+ | 213.94 грн |
500+ | 180.81 грн |
2500+ | 173.91 грн |
5000+ | 166.32 грн |
2N5680 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 239.63 грн |
2N5681 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 363.12 грн |
10+ | 300.79 грн |
25+ | 246.38 грн |
100+ | 211.18 грн |
250+ | 205.66 грн |
500+ | 173.91 грн |
1000+ | 159.42 грн |
2N5682 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 58.84 грн |
14+ | 26.17 грн |
25+ | 23.51 грн |
40+ | 21.06 грн |
100+ | 20.78 грн |
110+ | 19.91 грн |
500+ | 19.12 грн |
2N5682 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.61 грн |
9+ | 32.61 грн |
25+ | 28.21 грн |
40+ | 25.28 грн |
100+ | 24.93 грн |
110+ | 23.9 грн |
500+ | 22.95 грн |
2N5682 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 311.22 грн |
10+ | 222.19 грн |
2N5682 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 146.81 грн |
2N5682 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 230.27 грн |
10+ | 196.03 грн |
25+ | 162.87 грн |
100+ | 151.14 грн |
500+ | 127.67 грн |
1000+ | 116.63 грн |
2500+ | 113.87 грн |
2N5682 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5684 |
Виробник: Microchip Technology
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 8847.01 грн |
100+ | 8097.61 грн |
2N5684G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1132.85 грн |
10+ | 984.92 грн |
20+ | 832.3 грн |
50+ | 786.06 грн |
100+ | 739.82 грн |
200+ | 717.05 грн |
500+ | 670.81 грн |
2N5684G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N5684G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 2hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 2NXXXX
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 980.89 грн |
5+ | 892.64 грн |
2N5684G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 782.3 грн |
200+ | 776.52 грн |
300+ | 768.74 грн |
500+ | 736.78 грн |
2N5684G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 842.47 грн |
200+ | 836.25 грн |
300+ | 827.87 грн |
500+ | 793.46 грн |
2N5684G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
Description: TRANS PNP 80V 50A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V
Frequency - Transition: 2MHz
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1043.66 грн |
10+ | 885.31 грн |
25+ | 813.58 грн |
100+ | 718.6 грн |
2N5684G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
Trans GP BJT PNP 80V 50A 300000mW 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 1015.72 грн |
2N5685 |
Виробник: Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
Description: NPN TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A
Current - Collector Cutoff (Max): 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 2V
Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 W
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5552.73 грн |
2N5686 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N5686 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2183.2 грн |
5+ | 1455.47 грн |
2N5686G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N5686G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 50 A, 300 W, TO-204AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-204AA
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 2MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1333.15 грн |
5+ | 1238.7 грн |
10+ | 1143.47 грн |
50+ | 1002.13 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]