Результат пошуку "40N60" : > 120
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IKW40N60DTP | Infineon |
на замовлення 21840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IKW40N60DTPXKSA1 | Infineon Technologies |
 IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
| IKW40N60H3 | Infineon technologies |
|
на замовлення 243 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IKW40N60H3FKSA1 | Infineon Technologies |
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
| IXGH40N60C2 |
|
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| IXGR40N60C2D1 | IXYS |
09+ |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IXSH40N60B | IXYS |
MODULE |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IXSN40N60AU1 | IXYS |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| MGY40N60 |
на замовлення 12095 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| MGY40N60D |
|
на замовлення 1588 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NGTB40N60L2WG | ON Semiconductor |
|
на замовлення 3570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SDH40N60P | SW | 05+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SGF40N60UF |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SGH40N60 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SGH40N60SFD |
на замовлення 6700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SGH40N60UF |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SGH40N60UFDTU | FSC |
10+ SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SGH40N60UFDTU | ON Semiconductor |
|
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| SGP40N60 |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| SGP40N60UF | FAIRCHILD |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| SPW40N60C3 |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| STGY40N60VD |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||
| Транзистор FGH40N60SFD TO-247AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||
 |
FGA40N60UFDTU Код товару: 100506 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
|
|
FGH40N60SFDTU Код товару: 49007 |
IR |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,3 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115 |
товар відсутній
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU Код товару: 61781 |
Fairchild |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,8 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 290 W td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112 |
товар відсутній
|
|
 |
HGTG40N60A4 Код товару: 47773 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
|
HGTG40N60B3 Код товару: 148092 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||
 |
IHW40N60RF Код товару: 101823 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
|
IKW40N60H3 Код товару: 128556 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
|
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Код товару: 160842 |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V |
товар відсутній
|
|||
|
|
IRFPS40N60KPBF Код товару: 31848 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-247 Uds,V: 600 V Idd,A: 40 A Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|
 |
IXGH40N60B2D1 Код товару: 67024 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
|
|
IXGH40N60C2 Код товару: 30177 |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 2,5 V Ic 25: 75 A Ic 100: 40 A |
товар відсутній
|
||
|
IXGR40N60C2D1 (TO-247) Код товару: 37829 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
|
IXKR40N60C Код товару: 178634 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
|
NGTB40N60FL2WG Код товару: 171527 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
 |
SGP40N60UFTU Код товару: 15217 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||
|
SIHG40N60E-GE3 Код товару: 154667 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
|
STFW40N60M2 Код товару: 182296 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1 |
товар відсутній
|
|||
|
STP40N60M2 Код товару: 171525 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
|
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P Код товару: 184222 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
|
|
APT40N60B2CFG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) T-MAX |
товар відсутній |
|
| APT40N60JCU2 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
||
| APT40N60JCU2 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: boost chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT40N60JCU2 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
 |
APT40N60JCU2 | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC0042 |
товар відсутній |
|
| APT40N60JCU3 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: buck chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
||
| APT40N60JCU3 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 290W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Semiconductor structure: diode/transistor Electrical mounting: screw Topology: buck chopper Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
APT40N60JCU3 | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|
|
|
APT40N60JCU3 | Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules CC0043 |
товар відсутній |
|
|
|
FGAF40N60SMD | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товар відсутній |
|
| FGAF40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |
||
| FGAF40N60UFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 40W Case: TO3PF Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
FGAF40N60UFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товар відсутній |
|
|
|
FGAF40N60UFTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube |
товар відсутній |
|
|
|
FGB40N60SM | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|
|
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |
|
|
|
FGH40N60SFDTU | ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 116W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FGH40N60SFDTU | ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
| IKW40N60DTPXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
IKW40N60DT Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 306mW TO-247
на замовлення 20 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| IKW40N60H3FKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
IKW40N60H3 IGBT 600V 80A 306.0W TO247-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| FGH40N60SFDTU Код товару: 49007 |
|
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
| FGH40N60UFDTU Код товару: 61781 |
|
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товар відсутній
| IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A Код товару: 160842 |
|
товар відсутній
| IRFPS40N60KPBF Код товару: 31848 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Монтаж: THT
товар відсутній
| APT40N60B2CFG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
товар відсутній
| APT40N60JCU2 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
| APT40N60JCU2 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT40N60JCU2 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
| APT40N60JCU3 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
| APT40N60JCU3 |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT40N60JCU3 |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
| FGAF40N60SMD |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
| FGAF40N60UFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
| FGAF40N60UFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| FGAF40N60UFDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
| FGAF40N60UFTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
| FGB40N60SM |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
| FGH40N60SFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
| FGH40N60SFDTU |
|
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| FGH40N60SFDTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній