Результат пошуку "40N60" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SGH40N60UFDTU FSC SGH40N60UFD.pdf 10+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP40N60
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP40N60UF FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW40N60C3
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STGY40N60VD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор FGH40N60SFD TO-247AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
74ABT640N,602 74ABT640N,602 NXP USA Inc. 74ABT640D.pdf Description: IC TXRX INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
567+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 567
N74F240N,602 N74F240N,602 NXP USA Inc. 74F240.pdf Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
444+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 444
N74F540N,602 N74F540N,602 NXP USA Inc. N74F540,541.pdf Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 740
FGA40N60UFDTU FGA40N60UFDTU
Код товару: 100506 		FAIRS25258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007 		IR fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781 		Fairchild fgh40n60ufd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товар відсутній
HGTG40N60A4 HGTG40N60A4
Код товару: 47773 		hgtg40n60a4-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
HGTG40N60B3
Код товару: 148092 		hgtg40n60b3-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IHW40N60RF IHW40N60RF
Код товару: 101823 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556 		INFNS30193-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842 		ikw40n60h3.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IRFPS40N60KPBF IRFPS40N60KPBF
Код товару: 31848 		IR SUPER247_Package.jpg Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Монтаж: THT
товар відсутній
IXGH40N60B2D1 IXGH40N60B2D1
Код товару: 67024 		99109.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGH40N60C2 IXGH40N60C2
Код товару: 30177 		99042.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 40 A
товар відсутній
IXGR40N60C2D1 (TO-247)
Код товару: 37829 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXKR40N60C
Код товару: 178634 		littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkr40n60c_datasheet.pdf.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NGTB40N60FL2WG
Код товару: 171527 		NGTB40N60FL2WG.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
SGP40N60UFTU SGP40N60UFTU
Код товару: 15217 		FAIRS27228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
SIHG40N60E-GE3
Код товару: 154667 		sihg40n60e.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STFW40N60M2
Код товару: 182296 		en.DM00116766.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
STP40N60M2
Код товару: 171525 		en.DM00089185.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
Код товару: 184222 		Транзистори > IGBT
товар відсутній
APT40N60B2CFG APT40N60B2CFG Microchip Technology apt40n60b2_lcfg_b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
товар відсутній
APT40N60JCU2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7016-apt40n60jcu2-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT40N60JCU2 MICROCHIP (MICROSEMI) 7016-apt40n60jcu2-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT40N60JCU2 APT40N60JCU2 Microchip Technology 777016-apt40n60jcu2-rev2-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT40N60JCU2 APT40N60JCU2 Microchip Technology 7016-apt40n60jcu2-datasheet Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
товар відсутній
APT40N60JCU2 APT40N60JCU2 Microchip Technology 7016-apt40n60jcu2-datasheet Discrete Semiconductor Modules CC0042
товар відсутній
APT40N60JCU3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7017-apt40n60jcu3-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT40N60JCU3 MICROCHIP (MICROSEMI) 7017-apt40n60jcu3-datasheet Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT40N60JCU3 APT40N60JCU3 Microchip Technology 787017-apt40n60jcu3-rev2-pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT40N60JCU3 APT40N60JCU3 Microchip Technology 7017-apt40n60jcu3-datasheet Discrete Semiconductor Modules CC0043
товар відсутній
FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD onsemi fgaf40n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
товар відсутній
FGAF40N60SMD FGAF40N60SMD ON Semiconductor 4505443768542277fgaf40n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU ONSEMI FGAF40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU ONSEMI FGAF40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFDTU ON Semiconductor fgaf40n60ufd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGAF40N60UFTU FGAF40N60UFTU ON Semiconductor 3658713940269190fgaf40n60uf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGB40N60SM FGB40N60SM onsemi fgb40n60sm-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGB40N60SM FGB40N60SM ON Semiconductor 3672365223780226fgb40n60sm.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU ONSEMI FGH40N60SFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085 FGH40N60SFDTU-F085 ON Semiconductor fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU ON Semiconductor fgh40n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU ON Semiconductor fgh40n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+434.58 грн
3+ 370.77 грн
4+ 309.71 грн
9+ 292.27 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ON Semiconductor fgh40n60smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi fgh40n60smd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDF FGH40N60SMDF ON Semiconductor 1057723927336597fgh40n60smdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085 FGH40N60SMDF-F085 ON Semiconductor fgh40n60df_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+387.19 грн
3+ 335.42 грн
4+ 247.44 грн
11+ 234.15 грн
FGH40N60UFTU FGH40N60UFTU ON Semiconductor fgh40n60uf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG40N60A4 HGTG40N60A4 ON Semiconductor hgtg40n60a4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
SGH40N60UFDTU SGH40N60UFD.pdf
Виробник: FSC
10+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP40N60
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP40N60UF
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW40N60C3
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STGY40N60VD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор FGH40N60SFD TO-247AB
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
74ABT640N,602 74ABT640D.pdf
74ABT640N,602
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC TXRX INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Transceiver, Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 32mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 8540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
567+35.66 грн
Мінімальне замовлення: 567
N74F240N,602 74F240.pdf
N74F240N,602
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 2
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 4
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 5193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
444+45.75 грн
Мінімальне замовлення: 444
N74F540N,602 N74F540,541.pdf
N74F540N,602
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC BUFFER INVERT 5.5V 20DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 20-DIP (0.300", 7.62mm)
Output Type: 3-State
Mounting Type: Through Hole
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Inverting
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Number of Bits per Element: 8
Current - Output High, Low: 15mA, 64mA
Supplier Device Package: 20-DIP
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
740+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 740
FGA40N60UFDTU
Код товару: 100506		 FAIRS25258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGA40N60UFDTU
Транзистори > IGBT
товар відсутній
FGH40N60SFDTU
Код товару: 49007		 fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: IR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/115
товар відсутній
FGH40N60UFDTU
Код товару: 61781		 fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: Fairchild
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 290 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/112
товар відсутній
HGTG40N60A4
Код товару: 47773		 hgtg40n60a4-d.pdf
HGTG40N60A4
Транзистори > IGBT
товар відсутній
HGTG40N60B3
Код товару: 148092		 hgtg40n60b3-d.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
IHW40N60RF
Код товару: 101823
IHW40N60RF
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3
Код товару: 128556		 INFNS30193-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IKW40N60H3FKSA1 (TO-247, Infineon) IGBT N-ch 600V/80A
Код товару: 160842		 ikw40n60h3.pdf
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
товар відсутній
IRFPS40N60KPBF
Код товару: 31848		 SUPER247_Package.jpg
IRFPS40N60KPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 600 V
Idd,A: 40 A
Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7970/330
Монтаж: THT
товар відсутній
IXGH40N60B2D1
Код товару: 67024		 99109.pdf
IXGH40N60B2D1
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXGH40N60C2
Код товару: 30177		 99042.pdf
IXGH40N60C2
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,5 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 40 A
товар відсутній
IXGR40N60C2D1 (TO-247)
Код товару: 37829
Транзистори > IGBT
товар відсутній
IXKR40N60C
Код товару: 178634		 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_ixkr40n60c_datasheet.pdf.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
NGTB40N60FL2WG
Код товару: 171527		 NGTB40N60FL2WG.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
SGP40N60UFTU
Код товару: 15217		 FAIRS27228-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGP40N60UFTU
Транзистори > IGBT
товар відсутній
SIHG40N60E-GE3
Код товару: 154667		 sihg40n60e.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
STFW40N60M2
Код товару: 182296		 en.DM00116766.pdf
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товар відсутній
STP40N60M2
Код товару: 171525		 en.DM00089185.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
Код товару: 184222
Транзистори > IGBT
товар відсутній
APT40N60B2CFG apt40n60b2_lcfg_b.pdf
APT40N60B2CFG
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 3-Pin(3+Tab) T-MAX
товар відсутній
APT40N60JCU2 7016-apt40n60jcu2-datasheet
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT40N60JCU2 7016-apt40n60jcu2-datasheet
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: boost chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT40N60JCU2 777016-apt40n60jcu2-rev2-pdf.pdf
APT40N60JCU2
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT40N60JCU2 7016-apt40n60jcu2-datasheet
APT40N60JCU2
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 40A SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7015 pF @ 25 V
товар відсутній
APT40N60JCU2 7016-apt40n60jcu2-datasheet
APT40N60JCU2
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC0042
товар відсутній
APT40N60JCU3 7017-apt40n60jcu3-datasheet
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
APT40N60JCU3 7017-apt40n60jcu3-datasheet
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 600V; 30A; ISOTOP; screw; Idm: 120A; 290W
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 290W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Semiconductor structure: diode/transistor
Electrical mounting: screw
Topology: buck chopper
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT40N60JCU3 787017-apt40n60jcu3-rev2-pdf.pdf
APT40N60JCU3
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
APT40N60JCU3 7017-apt40n60jcu3-datasheet
APT40N60JCU3
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules CC0043
товар відсутній
FGAF40N60SMD fgaf40n60smd-d.pdf
FGAF40N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 115 W
товар відсутній
FGAF40N60SMD 4505443768542277fgaf40n60smd-d.pdf
FGAF40N60SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 115000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU FGAF40N60UFD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 40W; TO3PF
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGAF40N60UFDTU fgaf40n60ufd.pdf
FGAF40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGAF40N60UFTU 3658713940269190fgaf40n60uf.pdf
FGAF40N60UFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FGB40N60SM fgb40n60sm-d.pdf
FGB40N60SM
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGB40N60SM 3672365223780226fgb40n60sm.pdf
FGB40N60SM
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFD.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FGH40N60SFDTU fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
товар відсутній
FGH40N60SFDTU-F085 fgh40n60sfdtu-f085-d.pdf
FGH40N60SFDTU-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.58 грн
3+ 370.77 грн
4+ 309.71 грн
9+ 292.27 грн
FGH40N60SMD fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMD fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 870µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
товар відсутній
FGH40N60SMDF 1057723927336597fgh40n60smdf.pdf
FGH40N60SMDF
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60SMDF-F085 fgh40n60df_f085-d.pdf
FGH40N60SMDF-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+387.19 грн
3+ 335.42 грн
4+ 247.44 грн
11+ 234.15 грн
FGH40N60UFTU fgh40n60uf-d.pdf
FGH40N60UFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
HGTG40N60A4 hgtg40n60a4-d.pdf
HGTG40N60A4
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]