Результат пошуку "7n80" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+304.04 грн
50+ 232.33 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.35 грн
10+ 305.57 грн
25+ 221.65 грн
100+ 190.27 грн
500+ 168.24 грн
1000+ 138.86 грн
2500+ 136.19 грн
SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.63 грн
3+ 290.69 грн
8+ 274.69 грн
SPW17N80C3 SPW17N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW17N80C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+520.35 грн
3+ 362.24 грн
8+ 329.63 грн
SPW17N80C3 SPW17N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf description MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+378.54 грн
10+ 313.24 грн
25+ 257.7 грн
100+ 220.31 грн
240+ 208.3 грн
480+ 196.28 грн
1200+ 167.57 грн
SPW17N80C3A Infineon SPW17N80C3.pdf MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+278.6 грн
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies 2119spw17n80c3_rev2.91.pdffileiddb3a304412b407950112b42ccd8c47adfolde.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies SPW17N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ccd8c47ad Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.59 грн
30+ 270.24 грн
120+ 231.64 грн
510+ 193.23 грн
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.72 грн
10+ 331.67 грн
25+ 243.68 грн
100+ 210.97 грн
240+ 209.63 грн
480+ 160.89 грн
1200+ 158.22 грн
STB17N80K5 STB17N80K5 STMicroelectronics stb17n80k5-1850307.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+320.9 грн
10+ 265.64 грн
25+ 223.65 грн
100+ 186.93 грн
250+ 181.59 грн
500+ 166.24 грн
1000+ 141.53 грн
STB17N80K5 STB17N80K5 STMicroelectronics en.DM00172859.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+299.7 грн
10+ 242.15 грн
100+ 195.87 грн
500+ 163.4 грн
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.49 грн
10+ 109.18 грн
100+ 86.89 грн
500+ 69 грн
1000+ 58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5-1850598.pdf MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.43 грн
10+ 119.77 грн
100+ 83.45 грн
250+ 76.78 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 59.48 грн
2500+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 STD7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.55 грн
5000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF17N80K5 STF17N80K5 STMicroelectronics stf17n80k5-1850449.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+311.55 грн
25+ 243.38 грн
100+ 181.59 грн
500+ 152.22 грн
1000+ 133.52 грн
2000+ 126.85 грн
STF7N80K5 STF7N80K5 STMicroelectronics stf7n80k5-1850762.pdf MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.34 грн
10+ 102.88 грн
100+ 79.45 грн
250+ 78.78 грн
500+ 72.1 грн
1000+ 64.56 грн
2000+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL7N80K5 STL7N80K5 STMicroelectronics stl7n80k5-1851076.pdf MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+163.57 грн
10+ 134.36 грн
100+ 92.8 грн
250+ 85.45 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 66.43 грн
3000+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL7N80K5 STL7N80K5 STMicroelectronics en.DM00100648.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.58 грн
6000+ 64.48 грн
9000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL7N80K5 STL7N80K5 STMicroelectronics en.DM00100648.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 14825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+153.82 грн
10+ 123.44 грн
100+ 98.24 грн
500+ 78.01 грн
1000+ 66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+312.3 грн
5+ 199.59 грн
12+ 188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+374.76 грн
5+ 248.72 грн
12+ 226.15 грн
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics stp17n80k5-1851448.pdf MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+320.12 грн
10+ 264.88 грн
25+ 217.64 грн
100+ 186.93 грн
250+ 176.25 грн
500+ 165.57 грн
1000+ 141.53 грн
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics STD7N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.61 грн
9+ 90.41 грн
25+ 85.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics STD7N80K5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+170.75 грн
3+ 149.06 грн
9+ 108.49 грн
25+ 102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics en.DM00060222.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.99 грн
50+ 110.71 грн
100+ 91.1 грн
500+ 72.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP7N80K5 STP7N80K5 STMicroelectronics stu7n80k5.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP7N80K5 ST en.DM00060222.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP7N80K5 TSTP7N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
STU7N80K5 STU7N80K5 STMicroelectronics std7n80k5-1850598.pdf MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+160.45 грн
10+ 104.41 грн
100+ 80.11 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.62 грн
3000+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML07N80M3 WML07N80M3 WAYON WMx07N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.41 грн
10+ 37 грн
25+ 32.13 грн
29+ 28.51 грн
78+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML07N80M3 WML07N80M3 WAYON WMx07N80M3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.69 грн
6+ 46.1 грн
25+ 38.55 грн
29+ 34.22 грн
78+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
17N80C3 INFINEON 09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT17N80BC3 APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT17N80SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA7N80 Fairchild FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80 FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80 FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80 FAIRC 09+ DIP16
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80 fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80 FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP7N80 FSC FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80 Fairchild FQPF7N80.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80 FSC FQPF7N80.pdf 00+ TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80C FAIRCHILD FAIRS46447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HFS7N80
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFK27N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf MODULE
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC18 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC20 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC22 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI18 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI20 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI22 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC18 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC20 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC22 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PI18 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PI20 SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPP17N80C3XKSA1 SPP_A17N80C3[1].Rev.2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385ea62e0101
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+304.04 грн
50+ 232.33 грн
100+ 199.13 грн
500+ 166.11 грн
SPP17N80C3XKSA1 Infineon_SPP17N80C3_DS_v02_91_en-3363668.pdf
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.35 грн
10+ 305.57 грн
25+ 221.65 грн
100+ 190.27 грн
500+ 168.24 грн
1000+ 138.86 грн
2500+ 136.19 грн
SPP17N80C3XKSA1 2628902905791340infineon-spp_a17n80c3-ds-v02_07-en.pdffolderiddb3a3043163797a6011.pdf
SPP17N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+433.63 грн
3+ 290.69 грн
8+ 274.69 грн
SPW17N80C3 description SPW17N80C3.pdf
SPW17N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 227W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 227W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520.35 грн
3+ 362.24 грн
8+ 329.63 грн
SPW17N80C3 description Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf
SPW17N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.54 грн
10+ 313.24 грн
25+ 257.7 грн
100+ 220.31 грн
240+ 208.3 грн
480+ 196.28 грн
1200+ 167.57 грн
SPW17N80C3A SPW17N80C3.pdf
Виробник: Infineon
MOSFET N-Channel 800V 17A (Tc) TO-247AD
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.6 грн
SPW17N80C3FKSA1 2119spw17n80c3_rev2.91.pdffileiddb3a304412b407950112b42ccd8c47adfolde.pdf
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 6230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+151.1 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPW17N80C3FKSA1 SPW17N80C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ccd8c47ad
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2320 pF @ 25 V
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+354.59 грн
30+ 270.24 грн
120+ 231.64 грн
510+ 193.23 грн
SPW17N80C3FKSA1 Infineon_SPW17N80C3_DS_v02_92_en-3363631.pdf
SPW17N80C3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
на замовлення 391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.72 грн
10+ 331.67 грн
25+ 243.68 грн
100+ 210.97 грн
240+ 209.63 грн
480+ 160.89 грн
1200+ 158.22 грн
STB17N80K5 stb17n80k5-1850307.pdf
STB17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.9 грн
10+ 265.64 грн
25+ 223.65 грн
100+ 186.93 грн
250+ 181.59 грн
500+ 166.24 грн
1000+ 141.53 грн
STB17N80K5 en.DM00172859.pdf
STB17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+299.7 грн
10+ 242.15 грн
100+ 195.87 грн
500+ 163.4 грн
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 6986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.49 грн
10+ 109.18 грн
100+ 86.89 грн
500+ 69 грн
1000+ 58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 std7n80k5-1850598.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.43 грн
10+ 119.77 грн
100+ 83.45 грн
250+ 76.78 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 59.48 грн
2500+ 56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD7N80K5 en.DM00060222.pdf
STD7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.55 грн
5000+ 57.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STF17N80K5 stf17n80k5-1850449.pdf
STF17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.55 грн
25+ 243.38 грн
100+ 181.59 грн
500+ 152.22 грн
1000+ 133.52 грн
2000+ 126.85 грн
STF7N80K5 stf7n80k5-1850762.pdf
STF7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V 0.95Ohm 6A MDmesh K5
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.34 грн
10+ 102.88 грн
100+ 79.45 грн
250+ 78.78 грн
500+ 72.1 грн
1000+ 64.56 грн
2000+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL7N80K5 stl7n80k5-1851076.pdf
STL7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800V .95Ohm typ 3.6A Zener-protected
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.57 грн
10+ 134.36 грн
100+ 92.8 грн
250+ 85.45 грн
500+ 77.44 грн
1000+ 66.43 грн
3000+ 63.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STL7N80K5 en.DM00100648.pdf
STL7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 11950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+69.58 грн
6000+ 64.48 грн
9000+ 62.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL7N80K5 en.DM00100648.pdf
STL7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 14825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.82 грн
10+ 123.44 грн
100+ 98.24 грн
500+ 78.01 грн
1000+ 66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
STP17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312.3 грн
5+ 199.59 грн
12+ 188.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
STP17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.76 грн
5+ 248.72 грн
12+ 226.15 грн
STP17N80K5 stp17n80k5-1851448.pdf
STP17N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.12 грн
10+ 264.88 грн
25+ 217.64 грн
100+ 186.93 грн
250+ 176.25 грн
500+ 165.57 грн
1000+ 141.53 грн
STP7N80K5 STD7N80K5.pdf
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.61 грн
9+ 90.41 грн
25+ 85.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP7N80K5 STD7N80K5.pdf
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 6A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMESH5™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.75 грн
3+ 149.06 грн
9+ 108.49 грн
25+ 102.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP7N80K5 en.DM00060222.pdf
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.99 грн
50+ 110.71 грн
100+ 91.1 грн
500+ 72.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP7N80K5 stu7n80k5.pdf
STP7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP7N80K5 en.DM00060222.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 800V 6A STP7N80K5 TSTP7N80K5
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+90.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
STU7N80K5 std7n80k5-1850598.pdf
STU7N80K5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.45 грн
10+ 104.41 грн
100+ 80.11 грн
250+ 78.78 грн
500+ 70.77 грн
1000+ 61.62 грн
3000+ 59.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
WML07N80M3 WMx07N80M3.pdf
WML07N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+61.41 грн
10+ 37 грн
25+ 32.13 грн
29+ 28.51 грн
78+ 26.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
WML07N80M3 WMx07N80M3.pdf
WML07N80M3
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 6.8A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ M3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.69 грн
6+ 46.1 грн
25+ 38.55 грн
29+ 34.22 грн
78+ 32.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
17N80C3
Виробник: INFINEON
09+ 3/TO220
на замовлення 2048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT17N80BC3
Виробник: APT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
APT17N80SC3
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA7N80 FAIRS24241-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80
Виробник: FAIRC
09+ DIP16
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB7N80
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP7N80 FAIRS27698-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80 FQPF7N80.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80 FQPF7N80.pdf
Виробник: FSC
00+ TO-220
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF7N80C FAIRS46447-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HFS7N80
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFK27N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN27N80 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_27n80_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC18
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC20
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HC22
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI18
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI20
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-HI22
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC18
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC20
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PC22
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PI18
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K7N801801A-PI20
Виробник: SAMSUNG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]