Результат пошуку "SI49" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 124
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 184
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 204
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 226
Мінімальне замовлення: 216
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4943CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductor | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay | Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W |
на замовлення 86 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3731 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 6.5A 3.7W |
на замовлення 45888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-E3 | Siliconix |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V |
на замовлення 8200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946CDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 26875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4946CDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 50500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 99202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-E3 | Vishay |
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -25A Case: SO8 Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.95W Polarisation: unipolar Gate charge: 22nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1210 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 23141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4948BEY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 20V 6.2A 2W |
на замовлення 2678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI499 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK Type of heat transfer pad: silicone Application: for quartz Material: glass fiber reinforced silicone Thickness: 0.23mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...200°C Dielectric strength: 5kV Dimensions: 12x5mm Mounting: glued |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI499 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK Type of heat transfer pad: silicone Application: for quartz Material: glass fiber reinforced silicone Thickness: 0.23mm Thermal conductivity: 0.9W/mK Operating temperature: -60...200°C Dielectric strength: 5kV Dimensions: 12x5mm Mounting: glued кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI4900 |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4900DT-T1-E3 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4900DY | VISHAY | 09+ |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4900DY-T1 |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4900DY-T1-E3 | VISHAY |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4900DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4901-B-GL |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4901-GL |
на замовлення 788 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4902DY | VISHAY | 07+ SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4902DY | VISHAY | SO-8 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI4902DY-T1 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4904-GL |
на замовлення 1622 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4904DY-T1-E |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4904DYT1E | VISHAY |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4904DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4905-GL |
на замовлення 2695 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4906DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4908DY |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI4908DY-T1-E3 | VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4908DYT1E3 | VISHAY |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4910DY-T1-E3 | VISHAY |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI4910DY-TE2-E3 |
на замовлення 378 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 68.99 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
124+ | 94.49 грн |
139+ | 84.24 грн |
140+ | 83.39 грн |
161+ | 69.81 грн |
250+ | 61.99 грн |
500+ | 54.77 грн |
1000+ | 46.92 грн |
SI4943CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 53.23 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.34 грн |
8+ | 44.7 грн |
24+ | 34.24 грн |
65+ | 32.38 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 6,5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 840 @ 30; Qg, нКл = 25 @ 10 В; Rds = 41 мОм @ 5,3 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,7; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 39 грн |
100+ | 32.87 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
Транз. Пол. SOIC8 MOSFET 2N-Channels, Vdss=60V, 6.5A, Rdson=41mOhm, Pd=3.7W
на замовлення 86 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 49.9 грн |
10+ | 40.15 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3731 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.01 грн |
5+ | 55.7 грн |
24+ | 41.09 грн |
65+ | 38.85 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 45.46 грн |
5000+ | 43.33 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 42.21 грн |
5000+ | 40.23 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.24 грн |
11+ | 55.01 грн |
25+ | 42.64 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
MOSFET 60V 6.5A 3.7W
на замовлення 45888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.2 грн |
10+ | 83.26 грн |
100+ | 56 грн |
250+ | 54.47 грн |
500+ | 47.43 грн |
1000+ | 40.79 грн |
SI4946BEY-T1-E3 |
Виробник: Siliconix
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 52mOhm; 6,5A; 3,7W; -55°C ~ 175°C; SI4946BEY TSI4946bey
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.26 грн |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 60.36 грн |
8+ | 44.7 грн |
23+ | 35.45 грн |
63+ | 33.52 грн |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.43 грн |
5+ | 55.7 грн |
23+ | 42.55 грн |
63+ | 40.23 грн |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
на замовлення 8200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.3 грн |
10+ | 83.26 грн |
100+ | 56 грн |
500+ | 47.43 грн |
1000+ | 40.79 грн |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 59.04 грн |
SI4946BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
184+ | 63.36 грн |
210+ | 55.69 грн |
239+ | 48.9 грн |
249+ | 45.19 грн |
500+ | 39.5 грн |
1000+ | 35.93 грн |
SI4946CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 26875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.73 грн |
10+ | 57.52 грн |
100+ | 34.87 грн |
500+ | 29.09 грн |
1000+ | 25.97 грн |
2500+ | 25.91 грн |
5000+ | 24.64 грн |
SI4946CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 5.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
204+ | 57.29 грн |
250+ | 54.99 грн |
SI4948BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 50500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 20.07 грн |
SI4948BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 99202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.45 грн |
10+ | 73.87 грн |
100+ | 49.82 грн |
500+ | 42.25 грн |
1000+ | 34.41 грн |
2500+ | 31.35 грн |
5000+ | 30.49 грн |
SI4948BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 39.6 грн |
5000+ | 38.12 грн |
10000+ | 36.81 грн |
SI4948BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 33.64 грн |
5000+ | 32.47 грн |
10000+ | 32.14 грн |
12500+ | 29.59 грн |
SI4948BEY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 26.95 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.91 грн |
10+ | 34.87 грн |
25+ | 30.24 грн |
31+ | 26.29 грн |
84+ | 24.91 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.4A; Idm: -25A; 0.95W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -25A
Case: SO8
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.4A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.95W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.49 грн |
6+ | 43.46 грн |
25+ | 36.29 грн |
31+ | 31.55 грн |
84+ | 29.89 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 36.81 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 52.51 грн |
13+ | 47.88 грн |
25+ | 47.6 грн |
100+ | 41.19 грн |
250+ | 37.27 грн |
500+ | 33.85 грн |
1000+ | 30.1 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 23141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.02 грн |
10+ | 69.44 грн |
100+ | 47.63 грн |
500+ | 40.92 грн |
1000+ | 33.74 грн |
2500+ | 30.49 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.3 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 20.07 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 40.06 грн |
SI4948BEY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 2.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
226+ | 51.57 грн |
228+ | 51.27 грн |
254+ | 46 грн |
260+ | 43.34 грн |
500+ | 37.98 грн |
1000+ | 32.42 грн |
SI4963BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
216+ | 53.94 грн |
227+ | 51.42 грн |
254+ | 45.89 грн |
264+ | 42.57 грн |
500+ | 39.33 грн |
1000+ | 35.17 грн |
2000+ | 33.68 грн |
SI4963BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 6.2A 2W
MOSFET 20V 6.2A 2W
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.62 грн |
10+ | 84.79 грн |
100+ | 57.06 грн |
250+ | 56.93 грн |
500+ | 48.36 грн |
1000+ | 41.91 грн |
2500+ | 41.38 грн |
SI499 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.85 грн |
9+ | 92.03 грн |
24+ | 87.18 грн |
SI499 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; for quartz; Thk: 0.23mm; 900mW/mK
Type of heat transfer pad: silicone
Application: for quartz
Material: glass fiber reinforced silicone
Thickness: 0.23mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Operating temperature: -60...200°C
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 12x5mm
Mounting: glued
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.82 грн |
9+ | 114.68 грн |
24+ | 104.62 грн |