Результат пошуку "Si2319" : 51

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319cd.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.68 грн
10+ 32.39 грн
100+ 20.33 грн
500+ 15.88 грн
1000+ 12.89 грн
3000+ 10.89 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+43.96 грн
25+ 35.77 грн
50+ 31.3 грн
100+ 24.91 грн
250+ 21.08 грн
500+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.57 грн
25+ 20.55 грн
50+ 16.26 грн
138+ 15.36 грн
3000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
9+33.09 грн
25+ 25.61 грн
50+ 19.51 грн
138+ 18.43 грн
3000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 118939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.68 грн
10+ 33.54 грн
100+ 20.33 грн
500+ 15.88 грн
1000+ 12.89 грн
3000+ 10.76 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.45 грн
21+ 37.11 грн
100+ 23.55 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 14.56 грн
5000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.55 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 14.56 грн
5000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319CDS-T1GE3 p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.32 грн
17+ 21.45 грн
20+ 17.92 грн
25+ 16.19 грн
66+ 12.39 грн
181+ 11.69 грн
1000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.98 грн
10+ 26.73 грн
12+ 21.51 грн
25+ 19.43 грн
66+ 14.86 грн
181+ 14.03 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY 2687464.pdf Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.04 грн
500+ 11.97 грн
1500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY 2687464.pdf Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.12 грн
50+ 26.08 грн
100+ 20.04 грн
500+ 11.97 грн
1500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319dds.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 168763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.56 грн
11+ 28.95 грн
100+ 17.54 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 9.43 грн
9000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 44.99 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19.4 грн
3000+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.57 грн
10+ 35.57 грн
25+ 32.11 грн
34+ 24.56 грн
91+ 23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+78.69 грн
6+ 44.32 грн
25+ 38.53 грн
34+ 29.47 грн
91+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.2 грн
16+ 48.44 грн
100+ 30.55 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 19.93 грн
5000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.64 грн
6000+ 19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.72 грн
14+ 43.72 грн
25+ 43.29 грн
100+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay Semiconductors si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 214830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
3000+ 16.87 грн
6000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.55 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 19.93 грн
5000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.15 грн
6000+ 20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+46.2 грн
10+ 36.12 грн
25+ 28.23 грн
38+ 21.59 грн
104+ 20.41 грн
1000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+55.44 грн
10+ 45.01 грн
25+ 33.88 грн
38+ 25.91 грн
104+ 24.49 грн
1000+ 24.16 грн
3000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
3000+ 17.47 грн
6000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components si2319sot-23.pdf P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2319_SOT_23_-3366095.pdf MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.68 грн
10+ 32.39 грн
100+ 20.33 грн
500+ 15.88 грн
1000+ 12.89 грн
3000+ 10.89 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-BE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+43.96 грн
25+ 35.77 грн
50+ 31.3 грн
100+ 24.91 грн
250+ 21.08 грн
500+ 18.52 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.57 грн
25+ 20.55 грн
50+ 16.26 грн
138+ 15.36 грн
3000+ 15.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+33.09 грн
25+ 25.61 грн
50+ 19.51 грн
138+ 18.43 грн
3000+ 18.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 118939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.68 грн
10+ 33.54 грн
100+ 20.33 грн
500+ 15.88 грн
1000+ 12.89 грн
3000+ 10.76 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.45 грн
21+ 37.11 грн
100+ 23.55 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 14.56 грн
5000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 17
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 VISH-S-A0010613197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.55 грн
500+ 17.23 грн
1000+ 14.56 грн
5000+ 13.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319CDS-T1GE3
p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.32 грн
17+ 21.45 грн
20+ 17.92 грн
25+ 16.19 грн
66+ 12.39 грн
181+ 11.69 грн
1000+ 11.56 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.98 грн
10+ 26.73 грн
12+ 21.51 грн
25+ 19.43 грн
66+ 14.86 грн
181+ 14.03 грн
1000+ 13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 2687464.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+20.04 грн
500+ 11.97 грн
1500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DDS-T1-GE3 2687464.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+32.12 грн
50+ 26.08 грн
100+ 20.04 грн
500+ 11.97 грн
1500+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 24
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 168763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.56 грн
11+ 28.95 грн
100+ 17.54 грн
500+ 13.68 грн
1000+ 11.09 грн
3000+ 9.43 грн
9000+ 8.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.99 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19.4 грн
3000+ 16.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.57 грн
10+ 35.57 грн
25+ 32.11 грн
34+ 24.56 грн
91+ 23.22 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.69 грн
6+ 44.32 грн
25+ 38.53 грн
34+ 29.47 грн
91+ 27.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+58.2 грн
16+ 48.44 грн
100+ 30.55 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 19.93 грн
5000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.64 грн
6000+ 19.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.72 грн
14+ 43.72 грн
25+ 43.29 грн
100+ 18.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 214830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
3000+ 16.87 грн
6000+ 16.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 VISH-S-A0010924734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+30.55 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 19.93 грн
5000+ 17.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.15 грн
6000+ 20.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+46.2 грн
10+ 36.12 грн
25+ 28.23 грн
38+ 21.59 грн
104+ 20.41 грн
1000+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+55.44 грн
10+ 45.01 грн
25+ 33.88 грн
38+ 25.91 грн
104+ 24.49 грн
1000+ 24.16 грн
3000+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.92 грн
10+ 44.31 грн
100+ 26.7 грн
500+ 22.32 грн
1000+ 19 грн
3000+ 17.47 грн
6000+ 16.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+31.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS
Виробник: VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP si2319sot-23.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components
P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319_SOT_23_-3366095.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-E3 72315.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 72315.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній