Результат пошуку "Si2319" : 51
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S |
на замовлення 28202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 8764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 10617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10617 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 118939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm |
на замовлення 422982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm |
на замовлення 422982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1GE3 | p-канальний польовий транзистор SOT-23-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 41479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 41479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 168763 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) |
на замовлення 57995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4062 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 75699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V |
на замовлення 214830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 750mW Bauform - Transistor: TO-236 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 75699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2973 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V |
на замовлення 643492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS | VISHAY |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI2319DS-T1 |
на замовлення 76900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI2319DS/T1-F3 |
на замовлення 3071 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI2319-TP | Micro Commercial Components | P-Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.68 грн |
10+ | 32.39 грн |
100+ | 20.33 грн |
500+ | 15.88 грн |
1000+ | 12.89 грн |
3000+ | 10.89 грн |
9000+ | 10.03 грн |
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 8764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 43.96 грн |
25+ | 35.77 грн |
50+ | 31.3 грн |
100+ | 24.91 грн |
250+ | 21.08 грн |
500+ | 18.52 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 27.57 грн |
25+ | 20.55 грн |
50+ | 16.26 грн |
138+ | 15.36 грн |
3000+ | 15.22 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 33.09 грн |
25+ | 25.61 грн |
50+ | 19.51 грн |
138+ | 18.43 грн |
3000+ | 18.27 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.84 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 118939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.68 грн |
10+ | 33.54 грн |
100+ | 20.33 грн |
500+ | 15.88 грн |
1000+ | 12.89 грн |
3000+ | 10.76 грн |
9000+ | 10.03 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.04 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 45.45 грн |
21+ | 37.11 грн |
100+ | 23.55 грн |
500+ | 17.23 грн |
1000+ | 14.56 грн |
5000+ | 13.22 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.75 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
Description: VISHAY - SI2319CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.4 A, 0.064 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.064ohm
на замовлення 422982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 23.55 грн |
500+ | 17.23 грн |
1000+ | 14.56 грн |
5000+ | 13.22 грн |
SI2319CDS-T1GE3 |
p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 52.27 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.32 грн |
17+ | 21.45 грн |
20+ | 17.92 грн |
25+ | 16.19 грн |
66+ | 12.39 грн |
181+ | 11.69 грн |
1000+ | 11.56 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.98 грн |
10+ | 26.73 грн |
12+ | 21.51 грн |
25+ | 19.43 грн |
66+ | 14.86 грн |
181+ | 14.03 грн |
1000+ | 13.87 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 20.04 грн |
500+ | 11.97 грн |
1500+ | 10.86 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI2319DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3.6 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 41479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 32.12 грн |
50+ | 26.08 грн |
100+ | 20.04 грн |
500+ | 11.97 грн |
1500+ | 10.86 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 168763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.56 грн |
11+ | 28.95 грн |
100+ | 17.54 грн |
500+ | 13.68 грн |
1000+ | 11.09 грн |
3000+ | 9.43 грн |
9000+ | 8.83 грн |
SI2319DS-T1-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.92 грн |
10+ | 44.99 грн |
100+ | 26.7 грн |
500+ | 22.32 грн |
1000+ | 19.4 грн |
3000+ | 16.47 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.57 грн |
10+ | 35.57 грн |
25+ | 32.11 грн |
34+ | 24.56 грн |
91+ | 23.22 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.69 грн |
6+ | 44.32 грн |
25+ | 38.53 грн |
34+ | 29.47 грн |
91+ | 27.86 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 58.2 грн |
16+ | 48.44 грн |
100+ | 30.55 грн |
500+ | 23.73 грн |
1000+ | 19.93 грн |
5000+ | 17.95 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.64 грн |
6000+ | 19.45 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 50.72 грн |
14+ | 43.72 грн |
25+ | 43.29 грн |
100+ | 18.6 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 214830 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.92 грн |
10+ | 44.31 грн |
100+ | 26.7 грн |
500+ | 22.32 грн |
1000+ | 19 грн |
3000+ | 16.87 грн |
6000+ | 16.67 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - SI2319DS-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.065 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 75699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 30.55 грн |
500+ | 23.73 грн |
1000+ | 19.93 грн |
5000+ | 17.95 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 21.15 грн |
6000+ | 20.95 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 46.2 грн |
10+ | 36.12 грн |
25+ | 28.23 грн |
38+ | 21.59 грн |
104+ | 20.41 грн |
1000+ | 20.14 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 55.44 грн |
10+ | 45.01 грн |
25+ | 33.88 грн |
38+ | 25.91 грн |
104+ | 24.49 грн |
1000+ | 24.16 грн |
3000+ | 23.58 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.92 грн |
10+ | 44.31 грн |
100+ | 26.7 грн |
500+ | 22.32 грн |
1000+ | 19 грн |
3000+ | 17.47 грн |
6000+ | 16.54 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 31.85 грн |
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній