Результат пошуку "nm50" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 14
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW26NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp |
на замовлення 555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW28NM50N | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW32NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW45NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW45NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 28.4A Power dissipation: 390W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW45NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp |
на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY105NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET |
на замовлення 600 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 37.8A Power dissipation: 560W Case: MAX247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STY60NM50 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 560W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: MAX247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V |
на замовлення 584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50403CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50403CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
USBQNM50403E3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
на замовлення 9574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50403E3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V Supplier Device Package: QFN-143 Unidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50405CE3/TR7 | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143 |
на замовлення 1039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50405CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 6V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No |
на замовлення 2247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50415CE3/TR7 | Microchip Technology | ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143 |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50415CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 16.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50415CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 16.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 5649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
USBQNM50424CE3/TR7 | Microchip Technology |
Description: TVS DIODE 24VWM 57VC QFN143 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-VDFN Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ) Applications: Ethernet Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs) Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V Supplier Device Package: QFN-143 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 26.7V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 57V Power - Peak Pulse: 500W Power Line Protection: No Part Status: Active |
на замовлення 5877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WN-M5-0CU | PEM | Mounting Fixings WELD NUT, STEEL |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
12NM50 |
на замовлення 8873 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B20NM50FD |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
D5NM50 | ST | 09+ |
на замовлення 511 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DTN-M502J3G | DTN |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
E70NM50FD | WL |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
F25NM50N |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P12NM50 |
на замовлення 43890 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P12NM50FP |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P20NM50 |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P20NM50FP |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P20NM50FP(STP20NM50F |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P22NM50ES |
на замовлення 2441 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STB11NM50T4 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STB12NM50 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50-1 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50-T4 | ST |
на замовлення 3574 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STB12NM50FD | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50FD | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50FD-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50FD-1 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50FDT4 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50FDT4 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50N |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STB12NM50T4 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50T4 | ST | 09+ SPQ 1K P |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50T4 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB12NM50T4 | ST |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STB12NM50T4 | STMicroelectronics |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
STB14NM50N |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STB20NM50 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
STW26NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
MOSFET N-Ch 500 Volt 30 Amp
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 778.07 грн |
10+ | 739.45 грн |
25+ | 464.98 грн |
50+ | 463.65 грн |
100+ | 447.71 грн |
250+ | 426.45 грн |
600+ | 419.15 грн |
STW28NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.17 грн |
3+ | 170.22 грн |
7+ | 131.47 грн |
17+ | 124.55 грн |
STW28NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 13A; 150W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.01 грн |
3+ | 212.12 грн |
7+ | 157.76 грн |
17+ | 149.46 грн |
STW28NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 518.79 грн |
30+ | 398.65 грн |
120+ | 356.69 грн |
STW28NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 550.23 грн |
10+ | 513.34 грн |
25+ | 315.52 грн |
100+ | 293.6 грн |
250+ | 257.07 грн |
STW28NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.17 грн |
STW28NM50N |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 158mOhm; 21A; 150W; -55°C ~ 150°C; STW28NM50N TSTW28NM50N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 127.59 грн |
STW32NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 450.26 грн |
25+ | 355.21 грн |
100+ | 276.33 грн |
250+ | 243.78 грн |
600+ | 243.12 грн |
STW45NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 669.15 грн |
2+ | 475.36 грн |
3+ | 474.67 грн |
5+ | 449.07 грн |
STW45NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 28.4A
Power dissipation: 390W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 802.99 грн |
2+ | 592.37 грн |
3+ | 569.6 грн |
5+ | 538.88 грн |
STW45NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp
MOSFET N-Ch 500 Volt 45 Amp
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 874.94 грн |
10+ | 861.68 грн |
25+ | 630.38 грн |
50+ | 606.47 грн |
100+ | 595.84 грн |
600+ | 506.83 грн |
1200+ | 484.24 грн |
STY105NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
MOSFET N-Ch 500V 0.018 Ohm 110A Mdmesh II FET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1786.3 грн |
25+ | 1459.04 грн |
100+ | 1189.02 грн |
250+ | 1054.84 грн |
STY60NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1132.65 грн |
2+ | 723.76 грн |
4+ | 684.32 грн |
STY60NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 37.8A; 560W; MAX247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 37.8A
Power dissipation: 560W
Case: MAX247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1359.17 грн |
2+ | 901.92 грн |
4+ | 821.19 грн |
STY60NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 567.28 грн |
STY60NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1673.93 грн |
10+ | 1629.39 грн |
25+ | 1191.68 грн |
50+ | 1172.42 грн |
100+ | 1085.4 грн |
300+ | 970.48 грн |
STY60NM50 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 60A MAX247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: MAX247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1584.4 грн |
30+ | 1264.9 грн |
120+ | 1185.84 грн |
510+ | 949.65 грн |
USBQNM50403CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 230.76 грн |
USBQNM50403CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)USBQNM50403E3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 9574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 322.63 грн |
100+ | 289.6 грн |
USBQNM50403E3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 3.3VWM 11VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V
Supplier Device Package: QFN-143
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 300.73 грн |
USBQNM50405CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143
ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.63 грн |
100+ | 344.52 грн |
USBQNM50405CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Description: TVS DIODE 5VWM 12VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 12V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
на замовлення 2247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 352.09 грн |
100+ | 314.21 грн |
USBQNM50415CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143
ESD Suppressors / TVS Diodes Uni-Directional TVS _ QFN-143
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.62 грн |
25+ | 132.92 грн |
100+ | 111.6 грн |
USBQNM50415CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 121.77 грн |
USBQNM50415CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 15VWM 32VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 16.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.78 грн |
100+ | 117.26 грн |
USBQNM50424CE3/TR7 |
Виробник: Microchip Technology
Description: TVS DIODE 24VWM 57VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 57V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Description: TVS DIODE 24VWM 57VC QFN143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: Ethernet
Capacitance @ Frequency: 3pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V
Supplier Device Package: QFN-143
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 26.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 57V
Power - Peak Pulse: 500W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 330.53 грн |
100+ | 296.07 грн |
WN-M5-0CU |
Виробник: PEM
Mounting Fixings WELD NUT, STEEL
Mounting Fixings WELD NUT, STEEL
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 22.32 грн |
20+ | 15.28 грн |
100+ | 10.63 грн |
500+ | 10.03 грн |
1000+ | 8.44 грн |
10000+ | 8.1 грн |
25000+ | 7.9 грн |
STB12NM50FD-1 |
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)STB12NM50FDT4 |
Виробник: ST
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)